JP2015055813A - 表示装置、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】混色や光漏れが発生することを防ぐことが可能な表示装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】複数の画素と、蛍光体層22と、遮光膜21と、を含み、複数の画素の各々は、第1窓部13aを有する第1遮光部13と、第1窓部13aを開閉するように可動する第2遮光部14と、を有し、蛍光体層22は、平面視で、少なくとも複数の画素の第1窓部13aと重なるように配置され、遮光膜21は、平面視で、複数の画素のうち少なくとも一部の隣り合う画素の第1窓部13aの間に配置される。
【選択図】図3
【解決手段】複数の画素と、蛍光体層22と、遮光膜21と、を含み、複数の画素の各々は、第1窓部13aを有する第1遮光部13と、第1窓部13aを開閉するように可動する第2遮光部14と、を有し、蛍光体層22は、平面視で、少なくとも複数の画素の第1窓部13aと重なるように配置され、遮光膜21は、平面視で、複数の画素のうち少なくとも一部の隣り合う画素の第1窓部13aの間に配置される。
【選択図】図3
Description
本発明は、MEMS(Micro Electro Mechanical System:マイクロ電子機械システム)シャッターを備えた表示装置、及び電子機器に関する。
上記表示装置として、例えば、特許文献1に記載のように、MEMS(MEMSシャッター)を利用して、画素ごとに微細な光変調器を形成する表示装置が知られている。MEMSは、数nmから数mmの水準の超微細加工技術及びその電子機器システムを称する。このようなMEMSを利用した表示装置は、液晶装置などに比べて、高い光利用効率を有している。
特許文献1には、光源の光を蛍光体(色変換部材)に当てることにより、少なくとも1つの色を表示する光を発光できることが開示されている。
しかしながら、光源の光を蛍光体に当てることにより拡散光となり、隣り合う画素間で混色が生じたり、光漏れが生じたりする恐れがある。また、この表示装置をプロジェクターで使用する場合、光の利用効率が低下したり、コントラストが低下したりする恐れがあるという課題がある。
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]本適用例に係る表示装置は、複数の画素と、波長変換部と、遮光膜と、を含み、前記複数の画素の各々は、第1窓部を有する第1遮光部と、前記第1窓部を開閉するように可動する第2遮光部と、を有し、前記波長変換部は、平面視で、少なくとも前記複数の画素の前記第1窓部と重なるように配置され、前記遮光膜は、平面視で、前記複数の画素のうち少なくとも一部の隣り合う画素の前記第1窓部の間に配置されることを特徴とする。
本適用例によれば、平面視で第1窓部の間に遮光膜が配置されているので、波長変換部に当たった光が拡散した場合でも、拡散した光が遮光膜に遮られ、隣りの画素に光が入り込むことを抑えることが可能となる。その結果、混色や光漏れが発生することを防ぐことができる。
[適用例2]本適用例に係る表示装置は、第1基板と、前記第1基板と対向するように配置された第2基板と、を含み、前記第1基板は、第1窓部を有する第1遮光部と、前記第1窓部を開閉するように可動する第2遮光部と、を有し、前記第2基板は、透明基板と、前記透明基板の前記第1基板側に配置され、前記第1窓部を透過した光の波長を変換する波長変換部と、前記透明基板と前記波長変換部との間に配置され、平面視で前記第1窓部を囲うように設けられた遮光膜と、を有することを特徴とする。
本適用例によれば、平面視で第1窓部を囲うように遮光膜が配置されているので、波長変換部に当たった光が拡散した場合でも、拡散した光が遮光膜に遮られ、隣りの画素に光が入り込むことを抑えることが可能となる。その結果、混色や光漏れが発生することを防ぐことができる。
[適用例3]上記適用例に係る表示装置において、前記第1遮光部における、前記第2遮光部とは反対側に、励起光を発生する光源が配置されていることが好ましい。
本適用例によれば、励起光を発生する光源が配置されていることにより、励起光が波長変換部(各色に対応した波長変換部)に当たることにより各色を発光させることが可能となり、カラー表示させることができる。
[適用例4]上記適用例に係る表示装置において、前記励起光は、青色光又は紫外光であることが好ましい。
本適用例によれば、青色光又は紫外光を波長変換部に投射させるので、例えば、波長変換部が蛍光体である場合、蛍光物質に当たることにより発光させることができる。
[適用例5]上記適用例に係る表示装置において、前記遮光膜における、前記第2遮光部とは反対側に、前記光源の波長以下である外光の入射を防止するためのカットフィルターが配置されていることが好ましい。
本適用例によれば、外光のような不要な波長の光が表示装置に入り込むことを抑えることが可能となり、コントラストの高い表示を得ることができる。
[適用例6]上記適用例に係る表示装置において、前記遮光膜は、前記透明基板の前記第2遮光部側に設けられ、前記波長変換部は、前記遮光膜及び前記透明基板を覆うように設けられていることが好ましい。
本適用例によれば、透明基板と波長変換部との間に遮光膜が設けられているので、波長変換部に当たった光が拡散した場合でも、拡散した光が遮光膜に遮られ、隣りの画素に光が入り込むことを抑えることが可能となる。その結果、混色や光漏れが発生することを防ぐことができる。
[適用例7]上記適用例に係る表示装置において、前記遮光膜は、前記透明基板の前記第2遮光部側の表面に設けられ、前記波長変換部は、平面視で前記遮光膜で囲まれた中に設けられていることが好ましい。
本適用例によれば、遮光膜で囲まれた中に波長変換部が設けられている、言い換えれば、波長変換部の厚みと遮光膜の厚みとを略同じ厚みにすることにより、隣りの画素に拡散した光が入射することをより少なくすることができる。つまり、遮光性を向上させることができる。
[適用例8]上記適用例に係る表示装置において、前記第1遮光部と前記光源との間に、第1マイクロレンズ基板が配置されていることが好ましい。
本適用例によれば、光源からの光が第1マイクロレンズ基板に入射することにより、励起光の利用効率を高めることができる。また、画素間のスペースに励起光が当たりにくくなるため、表示装置の温度が上昇することを抑えることができる。
[適用例9]上記適用例に係る表示装置において、前記第2遮光部と前記遮光膜との間に、屈折率の異なる膜が積層された誘電体多層膜が配置されていることが好ましい。
本適用例によれば、遮光膜の光入射側に屈折率の異なる膜が積層された誘電体多層膜が配置されているので、一の膜の界面で反射する反射光と、他の膜の界面で反射する反射光と、が干渉により小さくなるので、透過率を向上させることができる。また、出射光の輝度を向上させることができる。
[適用例10]上記適用例に係る表示装置において、前記波長変換部と前記遮光膜との間に第2マイクロレンズ基板が配置されていることが好ましい。
本適用例によれば、第2マイクロレンズ基板が配置されているので、光を集光させることが可能となり、光の利用効率を向上させることができる。更に、光を集光させることが可能となるので、高コントラストな表示を実現できる。また、画素間に光が当たりにくくなるため、表示装置の温度を低減させることができる。
[適用例11]上記適用例に係る表示装置において、平面視で前記遮光膜の間に前記波長変換部が配置されており、前記遮光膜及び前記波長変換部と前記透明基板との間に、第2マイクロレンズ基板が配置されていることが好ましい。
本適用例によれば、第2マイクロレンズ基板が配置されているので、光を集光させることが可能となり、光の利用効率を向上させることができる。更に、光を集光させることが可能となるので、高コントラストな表示を実現できる。また、画素間に光が当たりにくくなるため隣りの画素に拡散した光が入射することをより少なくすることが可能となり、表示装置の温度を低減させることができる。加えて、遮光膜の間に波長変換部を配置するので、隣りの画素に、拡散した光が入射することをより少なくすることができる。
[適用例12]本適用例に係る電子機器は、上記の表示装置を備えることを特徴とする。
本適用例によれば、上記表示装置を備えるので、拡散した光が遮光膜に遮られ、隣りの画素に光が入り込むことを抑えることが可能となる。その結果、混色や光漏れが発生することを防ぐことが可能な電子機器を提供することができる。
[適用例13]上記適用例に係る電子機器において、赤色光を投射する表示装置は、光源が青色光であり、波長変換部が赤色を発光する蛍光体層であり、緑色光を投射する表示装置は、光源が青色光であり、波長変換部が緑色を発光する蛍光体層であり、青色光を投射する表示装置は、光源が青色光であり、波長変換部が青色を発光する蛍光体層であることが好ましい。
本適用例によれば、波長変換部で赤色、緑色、青色を発光する蛍光体層を用いることにより、各色青色光を投射する光源で揃えたとしても、赤色、緑色、青色の原色によるカラー表示をすることができる。よって、光源を同じにすることが可能となり、各色に流用することができる。
[適用例14]上記適用例に係る電子機器において、赤色光を投射する表示装置は、光源が青色光であり、波長変換部が赤色を発光する蛍光体層であり、緑色光を投射する表示装置は、光源が青色光であり、波長変換部が緑色を発光する蛍光体層であり、青色光を投射する表示装置は、光源が青色光であり、波長変換部は配置されていないことが好ましい。
本適用例によれば、光源に青色光を用いることにより、青色光を投射する表示装置は波長変換部を配置することなく青色光を投射することができる。よって、赤色、緑色、青色の原色によるカラー表示をすることができる。また、青色光を投射する表示装置は、製造工程を少なくすることができる。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
(第1実施形態)
<表示装置の構成>
図1は、表示装置の構成を示す模式平面図である。図2は、図1に示す表示装置のA部を拡大して示す拡大平面図である。図3は、図2に示す表示装置のB−B’線に沿う模式断面図である。図4は、閉状態の光制御部を含む表示装置の構成を示す模式図であり、(a)は表示装置の一部を拡大して示す拡大平面図、(b)は(a)に示す表示装置のC−C’線に沿う模式断面図である。以下、表示装置の構成を、図1〜図4を参照しながら説明する。
<表示装置の構成>
図1は、表示装置の構成を示す模式平面図である。図2は、図1に示す表示装置のA部を拡大して示す拡大平面図である。図3は、図2に示す表示装置のB−B’線に沿う模式断面図である。図4は、閉状態の光制御部を含む表示装置の構成を示す模式図であり、(a)は表示装置の一部を拡大して示す拡大平面図、(b)は(a)に示す表示装置のC−C’線に沿う模式断面図である。以下、表示装置の構成を、図1〜図4を参照しながら説明する。
図1〜図3に示すように、表示装置100は、対向配置された第1基板10及び第2基板20と、第1基板10の表示領域Eに設けられた複数の光制御部11(シャッター)と、表示領域Eの側方に設けられた端子部12と、を備えている。
図2に示すように、表示領域Eには、複数の光制御部11が平面視でマトリックス状に配置されている。各々の光制御部11は、図示しない配線を介して端子部12に接続されている。本実施形態の表示装置100は、光制御部11を画素Pとして備えている。また、図2に示す表示装置100は、各光制御部11(シャッター)が開状態のときを示している。
図3に示すように、表示装置100は、対向配置された第1基板10及び第2基板20と、第1基板10側に配置された光源30と、を備えている。
第1基板10における光源30側には、第1窓部13aを有する第1遮光部13が設けられている。また、第1基板10における光出射側には、平面視で、第1窓部13aを開閉するように可動する第2遮光部14が設けられている。第1遮光部13と第2遮光部14との、平面的な動作を組み合わせることにより、シャッターとして動作する。
具体的には、図示しない固定電極の間を第2遮光部14が水平移動することにより、各光制御部11の光の透過又は遮断を独立に制御することができる。
第2基板20は、透明基板としての基材20aと、基材20aの光入射側の表面に設けられた遮光膜21(ブラックマトリックス)と、基材20aの光入射側の全面を覆うように設けられた波長変換部としての蛍光体層22と、基材20aにおける光出射側の表面に設けられたカットフィルター23と、を備えている。
遮光膜21は、平面視で、第1窓部13aを囲うように設けられている。蛍光体層22は、光源30から入射した光を、色変換及び蛍光発光させるために用いられる。
蛍光体層22は、ポリジアセチレン、トランスアセチレン、蛍光体、ナノクリスタル、クァンタムドット(CdSe/ZnS、CdS/ZnS、InGaP/ZnSなど)でつくることができる。本実施形態では、蛍光体層22として蛍光体を用いるものとする。
カットフィルター23は、光源30で用いる波長以下の外光が第2基板20側から入射しないようにするために設けられている。光源30は、励起光が用いられ、青色光または紫外光(光源:405nmLD)が用いられる。
このような構成により、光制御部11(シャッター)が開状態のとき、光源30からの光が蛍光体層22に入射することにより、例えば、光を吸収して得たエネルギーを利用して第1色を発光して、第1色を表示する。その他、第2色を表示する画素や、第3色を表示する画素をつくることができる。
一方、図4に示すように、光制御部11(シャッター)が閉状態のとき、光源30からの光は、第1遮光部13を通過するものの、第2遮光部14によって遮断される。つまり、黒表示となる。
また、第2基板20に遮光膜21を設けることにより、光源30からの光が蛍光体層22に入射することによって蛍光発光した光が散乱した場合でも、散乱光が隣りの画素Pに入り込むことを抑えることができる。よって、混色や表示画像の輪郭ボケなど表示品質が低下することを抑えることができる。
また、蛍光体層22を用いるので、色の調整が容易、かつ、長寿命な表示装置100を実現することができる。更に、液晶装置のような、ドメインなど表示の不具合の発生を防ぐことができる。
<電子機器の構成>
図5は、電子機器としての投射型表示装置(プロジェクター)の構成を示す概略図である。以下、投射型表示装置の構成を、図5を参照しながら説明する。
図5は、電子機器としての投射型表示装置(プロジェクター)の構成を示す概略図である。以下、投射型表示装置の構成を、図5を参照しながら説明する。
図5に示すように、投射型表示装置1000は、光の入射側から順に、青色光を投射する光源30と、表示装置100と、ダイクロイックプリズム1100と、投射光学系1200と、を備えている。表示装置100は、光の入射側に第1基板10が配置され、光の出射側に第2基板20が配置される。
本実施形態における光源30は、赤色光学系1300R、緑色光学系1300G、及び青色光学系1300Bとも、青色光を投射する同一の光源30を用いる。
表示装置100は、上記に説明したように、透過型の光制御部11を画素Pとして備えたライトバルブである。表示装置100の蛍光体層22は、赤色光学系1300Rであれば赤色を発光する蛍光体層22Rが設けられており、緑色光学系1300Gであれば緑色を発光する蛍光体層22Gが設けられており、青色光学系1300Bであれば青色を発光する蛍光体層22Bが設けられている。
各表示装置100を透過して変調された各色光は、ダイクロイックプリズム1100によって合成され、合成された光は投射光学系1200によってスクリーン1400に拡大されて投射される。このダイクロイックプリズム1100は、4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。
本実施形態の投射型表示装置1000によれば、上記表示装置100を備えているので、高輝度、高コントラストの表示を得ることができる。なお、上記した投射型表示装置1000の構成は一例であり、その構成は適宜変更することができる。
なお、表示装置100が搭載される電子機器としては、投射型表示装置1000の他、EVF(Electrical View Finder)、モバイルミニプロジェクター、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
以上詳述したように、第1実施形態の表示装置100、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
(1)第1実施形態の表示装置100によれば、平面視で第1窓部13aを囲うように遮光膜21が配置されているので、励起光(青色光又は紫外光など)が蛍光体層22に当たって発光した光が拡散した場合でも、拡散した光が遮光膜21に遮られ、隣りの画素Pに光が入り込むことを抑えることが可能となる。その結果、混色や光漏れが発生することを防ぐことができる。
(2)第1実施形態の表示装置100によれば、第2基板20の光出射側にカットフィルター23を配置させることにより、外光のような不要な波長の光が表示装置100に入り込むことを抑えることが可能となり、コントラストの高い表示をすることができる。
(3)第1実施形態の電子機器によれば、上記表示装置100を配置しているので、混色や光漏れが発生することを防ぐことが可能な電子機器を提供することができる。更に、赤色、緑色、青色を発光する蛍光体層22を用いることにより、各色青色光を投射する光源30を用いたとしても、赤色、緑色、青色の原色によるカラー表示をすることができる。よって、光源30を統一することが可能となり、各色に流用することができる。
(第2実施形態)
<表示装置の構成>
図6は、第2実施形態の表示装置の構造を示す模式断面図である。以下、表示装置の構造を、図6を参照しながら説明する。なお、図6は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
<表示装置の構成>
図6は、第2実施形態の表示装置の構造を示す模式断面図である。以下、表示装置の構造を、図6を参照しながら説明する。なお、図6は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
第2実施形態の表示装置200は、上述の第1実施形態と比べて、第2基板20の遮光膜221と蛍光体層222との構成が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第2実施形態では、第1実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
図6に示すように、第2実施形態の表示装置200は、第2基板20の光入射側に遮光膜221及び蛍光体層222が設けられている。具体的には、画素Pとなる領域を囲むように遮光膜221が設けられている。そして、遮光膜221で囲まれた中に蛍光体層222が設けられている。また、遮光膜221と蛍光体層222との厚みは略同じである。
これによれば、蛍光体層222の厚みと遮光膜221との厚みを同じ厚みにするので、第1実施形態の表示装置100と比較して、隣りの画素Pに入射する散乱光をより少なくすることができる。
以上詳述したように、第2実施形態の表示装置200によれば、上記した(1)、(2)の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
(4)第2実施形態の表示装置200によれば、遮光膜221で囲まれた中に蛍光体層222が設けられている、言い換えれば、蛍光体層222の厚みと遮光膜221の厚みとを略同じ厚みにすることにより、隣りの画素Pに、拡散した光が入射することをより少なくすることができる。つまり、遮光性を高めることができる。
(第3実施形態)
<表示装置の構成>
図7は、第3実施形態の表示装置の構造を示す模式断面図である。以下、表示装置の構造を、図7を参照しながら説明する。
<表示装置の構成>
図7は、第3実施形態の表示装置の構造を示す模式断面図である。以下、表示装置の構造を、図7を参照しながら説明する。
第3実施形態の表示装置300は、上述の第1実施形態と比べて、第1基板10の光源30側に第1マイクロレンズ基板としての第1マイクロレンズ層40を備えている部分が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため、第3実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
図7に示すように、第3実施形態の表示装置300は、上記したように、第1基板10の光源30側に第1マイクロレンズ層40を備えている。第1マイクロレンズ層40は、例えば、光の出射側に配置された基材40aと、光の入射側に配置されたレンズ層40bと、を備えている。
基材40aは、例えば、石英で構成されている。基材40aには、複数のマイクロレンズ40cが形成されている。マイクロレンズ40cは、例えば、基材40aにおいてマトリックス状に配置されている。レンズ層40bは、例えば、透明度の高い酸化膜で構成されている。
この構成によれば、第1マイクロレンズ層40を備えているので、光源30の励起光の利用効率を高めることができる。また、画素P間に励起光が投射されにくくなるので、表示装置300の温度を低減させることができる。
以上詳述したように、第3実施形態の表示装置300によれば、上記した(1)、(2)の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
(5)第3実施形態の表示装置300によれば、光源30からの光(励起光)が第1マイクロレンズ層40に入射することにより、励起光の利用効率を高めることができる。また、画素P間のスペースに励起光が当たりにくくなるため、表示装置300の温度が上昇することを抑えることができる。
(第4実施形態)
<表示装置の構成>
図8(a)は、第4実施形態の表示装置の構造を示す模式断面図である。図8(b)及び(c)は、誘電体多層膜の構成の一例を示す模式図である。以下、表示装置の構造を、図8を参照しながら説明する。
<表示装置の構成>
図8(a)は、第4実施形態の表示装置の構造を示す模式断面図である。図8(b)及び(c)は、誘電体多層膜の構成の一例を示す模式図である。以下、表示装置の構造を、図8を参照しながら説明する。
第4実施形態の表示装置400は、上述の第1実施形態と比べて、第2基板20に、透過率を向上させるための誘電体多層膜50が設けられている部分が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため、第4実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
図8(a)に示すように、第4実施形態の表示装置400は、第2基板20における基材20aの光入射側に遮光膜21が設けられている。遮光膜21及び基材20aの光源30側には、誘電体多層膜50が配置されている。誘電体多層膜50の光入射側には、蛍光体層22が配置されている。
誘電体多層膜50は、屈折率の異なる膜が積層されており、透過率を向上させるために用いられる。
(誘電体多層膜の構成)
誘電体多層膜50の一例としての誘電体多層膜51は、図8(b)に示すように、光の入射側から、第1誘電体膜51aと、第1誘電体膜51aの屈折率より大きい屈折率n1を有する第2誘電体膜51bと、第2誘電体膜51bの屈折率n1より小さい屈折率n2を有する第3誘電体膜51cと、第3誘電体膜51cの屈折率n2より大きい屈折率n3を有する第4誘電体膜51dと、第4誘電体膜51dの屈折率n3より小さい屈折率を有する第5誘電体膜51eと、を備えている。
誘電体多層膜50の一例としての誘電体多層膜51は、図8(b)に示すように、光の入射側から、第1誘電体膜51aと、第1誘電体膜51aの屈折率より大きい屈折率n1を有する第2誘電体膜51bと、第2誘電体膜51bの屈折率n1より小さい屈折率n2を有する第3誘電体膜51cと、第3誘電体膜51cの屈折率n2より大きい屈折率n3を有する第4誘電体膜51dと、第4誘電体膜51dの屈折率n3より小さい屈折率を有する第5誘電体膜51eと、を備えている。
第1誘電体膜51a、第3誘電体膜51c、及び第5誘電体膜51eは、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)を用いて形成することができる。屈折率n2は、例えば、1.4である。
第2誘電体膜51b、及び第4誘電体膜51dは、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)を用いて形成することができる。屈折率n1,n3は、例えば、1.9である。
第2誘電体膜51b、第3誘電体膜51c、及び第4誘電体膜51dは、数式1の関係式を満たすように、屈折率n1,n2,n3と光学膜厚d1,d2,d3とを設定する。
入射光は、第3誘電体膜51cと第4誘電体膜51dとの界面にて反射する反射光と、第1誘電体膜51aと第2誘電体膜51bとの界面にて反射する反射光と、が干渉により小さくなる。即ち、屈折率が小さい媒質から屈折率が大きい媒質への界面となるので、両界面にて反射は固定端反射となり、反射により位相がπずれる。即ち、反射光が小さくなる。
また、第2誘電体膜51bの光学膜厚d1と第3誘電体膜51cの光学膜厚d2との和が、λ/4であるので、第1誘電体膜51aと第2誘電体膜51bとの界面での理論上の反射光と、第3誘電体膜51cと第4誘電体膜51dとの界面での理論上の反射光とで、位相差はπとなり、互いに干渉して打ち消しあう。その結果、反射光は小さくなり、入射光の透過率が高くなる。
一方、入射光は、第2誘電体膜51bと第3誘電体膜51cとの界面にて反射する反射光と、第4誘電体膜51dと第5誘電体膜51eとの界面にて反射する反射光と、が干渉により小さくなる。即ち、屈折率が大きい媒質から屈折率が小さい媒質への界面となるので、両界面にて反射は自由反射となり、反射により位相は変わらない。
また、第3誘電体膜51cの光学膜厚d2と第4誘電体膜51dの光学膜厚d3との和が、λ/4であるので、第2誘電体膜51bと第3誘電体膜51cとの界面での理論上の反射光と、第4誘電体膜51dと第5誘電体膜51eとの界面での理論上の反射光とで、位相差はπとなり、互いに干渉して打ち消しあう。その結果、反射光は小さくなり、入射光の透過率が高くなる。
(その他の誘電体多層膜の構成)
誘電体多層膜50の構成のその他の一例としての誘電体多層膜52は、図8(c)に示すように、光の入射側から、第1誘電体膜52aと、第1誘電体膜52aの屈折率n0より大きい屈折率n1を有する第2誘電体膜52bと、第2誘電体膜52bの屈折率n1より大きい屈折率n2を有する第3誘電体膜52cと、第3誘電体膜52cの屈折率n2より小さい屈折率n3を有する第4誘電体膜52dと、第4誘電体膜52dの屈折率n3より小さい屈折率n4を有する第5誘電体膜52eと、を備えている。
誘電体多層膜50の構成のその他の一例としての誘電体多層膜52は、図8(c)に示すように、光の入射側から、第1誘電体膜52aと、第1誘電体膜52aの屈折率n0より大きい屈折率n1を有する第2誘電体膜52bと、第2誘電体膜52bの屈折率n1より大きい屈折率n2を有する第3誘電体膜52cと、第3誘電体膜52cの屈折率n2より小さい屈折率n3を有する第4誘電体膜52dと、第4誘電体膜52dの屈折率n3より小さい屈折率n4を有する第5誘電体膜52eと、を備えている。
第1誘電体膜52a、及び第5誘電体膜52eは、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)を用いて形成することができる。屈折率n0,n4は、例えば、1.4である。
第2誘電体膜52b、及び第4誘電体膜52dは、例えば、アルミナ(Al2O3)を用いて形成することができる。屈折率n1,n3は、例えば、1.7である。
第3誘電体膜52cは、例えば、ITOやIZOを用いて形成することができる。屈折率n2は、例えば、1.9である。
図8(c)に示す誘電体多層膜52は、第1誘電体膜52aの屈折率をn0とし、第2誘電体膜52bの屈折率をn1、第2誘電体膜52bの物理膜厚をd1とし、第3誘電体膜52cの屈折率をn2、第3誘電体膜52cの物理膜厚をd2とし、第4誘電体膜52dの屈折率をn3、第4誘電体膜52dの物理膜厚をd3とし、第5誘電体膜52eの屈折率をn4とした際に、以下の数式2を満たすように各誘電体膜52a〜52eの屈折率n0,n1,n2,n3,n4と物理膜厚d1,d2,d3とを設定することで、反射光の強度を最も小さくすることができる。
数式2の関係を満たすと、入射光は、第1誘電体膜52aと第2誘電体膜52bとの界面で反射する理論上の反射光と、第2誘電体膜52bと第3誘電体膜52cとの界面で反射する理論上の反射光とが、干渉により小さくなる。
同様に、数式2の関係を満たすと、入射光は、第3誘電体膜52cと第4誘電体膜52dとの界面で反射する理論上の反射光と、第4誘電体膜52dと第5誘電体膜52eとの界面で反射する理論上の反射光とが、干渉により小さくなる。
更に、数式2の関係を満たすと、第2誘電体膜52bと第3誘電体膜52cとの界面で反射する理論上の反射光と、第3誘電体膜52cと第4誘電体膜52dとの界面で反射する理論上の反射光とが、干渉により小さくなる。こうして、入射光の誘電体多層膜52での透過率が向上する。
以上詳述したように、第4実施形態の表示装置400によれば、上記した(1)、(2)の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
(6)第4実施形態の表示装置400によれば、遮光膜21の光入射側に屈折率の異なる膜が積層された誘電体多層膜50(51,52)が配置されているので、例えば、第3誘電体膜51cと第4誘電体膜51dとの界面にて反射する反射光と、第1誘電体膜51aと第2誘電体膜51bとの界面にて反射する反射光と、が干渉により小さくなる。即ち、屈折率が小さい媒質から屈折率が大きい媒質への界面となるので、両界面にて反射は固定端反射となり、反射により位相がπずれる。その結果、透過率を向上させることができる。また、出射光の輝度(照度)を向上させることができる。
(第5実施形態)
<表示装置の構成>
図9は、第5実施形態の表示装置の構造を示す模式断面図である。以下、表示装置の構造を、図9を参照しながら説明する。
<表示装置の構成>
図9は、第5実施形態の表示装置の構造を示す模式断面図である。以下、表示装置の構造を、図9を参照しながら説明する。
第5実施形態の表示装置500は、上述の第3実施形態と比べて、第2基板20に、第2マイクロレンズ基板としての第2マイクロレンズ層60が設けられている部分が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため、第5実施形態では、第3実施形態と異なる部分について説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
図9に示すように、第5実施形態の表示装置500は、第2基板20において基材20aの光入射側に遮光膜21が設けられている。遮光膜21及び基材20aの光入射側には、第2マイクロレンズ層60が配置されている。第2マイクロレンズ層60は、上述した第1マイクロレンズ層40の構造と略同様である。第2マイクロレンズ層60の光入射側には、蛍光体層22が配置されている。
第1基板10には、上記した第3実施形態と同様に、光入射側に第1マイクロレンズ層40が配置されている。
これによれば、第1基板10に第1マイクロレンズ層40が設けられ、第2基板20に第2マイクロレンズ層60が設けられているので、光の利用効率を向上させることができる。
以上詳述したように、第5実施形態の表示装置500によれば、上記した(1)、(2)、(5)の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
(7)第5実施形態の表示装置500によれば、第2基板20に第2マイクロレンズ層60が配置されているので、光を集光させることが可能となり、光の利用効率を向上させることができる。更に、光を集光させることが可能となるので、高コントラストな表示を実現できる。また、画素P間に光が当たりにくくなるため、表示装置500の温度を低減させることができる。
(第6実施形態)
<表示装置の構成>
図10は、第6実施形態の表示装置の構造を示す模式断面図である。以下、表示装置の構造を、図10を参照しながら説明する。
<表示装置の構成>
図10は、第6実施形態の表示装置の構造を示す模式断面図である。以下、表示装置の構造を、図10を参照しながら説明する。
第6実施形態の表示装置600は、上述の第5実施形態と比べて、第2基板20の遮光膜21と蛍光体層22との構成が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第6実施形態では、第5実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
図10に示すように、第6実施形態の表示装置600は、第2基板20の光入射側に遮光膜221及び蛍光体層222が設けられている。具体的には、画素Pとなる領域を囲むように遮光膜221が設けられている。そして、遮光膜221で囲まれた中に蛍光体層222が設けられている。また、遮光膜221と蛍光体層222との厚みは略同じである。
これによれば、蛍光体層222の厚みと遮光膜221との厚みを同じ厚みにするので、第5実施形態の表示装置500と比較して、隣りの画素Pに入射する散乱光をより少なくすることができる。更に、第1基板10に第1マイクロレンズ層40、第2基板20に第2マイクロレンズ層60が配置されているので、光の利用効率を向上させることができる。
以上詳述したように、第6実施形態の表示装置600によれば、上記した(1)、(2)、(5)の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
(8)第6実施形態の表示装置600によれば、第2基板20に第2マイクロレンズ層60が配置されているので、光を集光させることが可能となり、光の利用効率を向上させることができる。更に、光を集光させることが可能となるので、高コントラストな表示を実現できる。また、画素P間に光が当たりにくくなるため隣りの画素Pに、拡散した光が入射することをより少なくすることが可能となり、表示装置600の温度を低減させることができる。加えて、遮光膜221の間に蛍光体層222を配置するので、隣りの画素Pに、拡散した光が入射することをより少なくすることができる。
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
(変形例1)
上記したように、投射型表示装置は、第1実施形態の表示装置100を配置することに限定されず、上記第2実施形態〜第6実施形態の表示装置200〜600を配置するようにしてもよい。
上記したように、投射型表示装置は、第1実施形態の表示装置100を配置することに限定されず、上記第2実施形態〜第6実施形態の表示装置200〜600を配置するようにしてもよい。
図11は、投射型表示装置の一例である投射型表示装置2000の構成を示す模式図である。図11に示す投射型表示装置2000は、赤色光学系1300R、緑色光学系1300G、及び青色光学系1300Bに、第2実施形態の表示装置200が配置されている。
本実施形態における光源30は、赤色光学系1300R、緑色光学系1300G、及び青色光学系1300Bとも、青色光を投射する同一の光源30を用いる。
表示装置200の蛍光体層222は、赤色光学系1300Rであれば赤色を発光する蛍光体層222Rが設けられており、緑色光学系1300Gであれば緑色を発光する蛍光体層222Gが設けられており、青色光学系1300Bであれば青色を発光する蛍光体層222Bが設けられている。
これによれば、混色や光抜けが抑えられ、表示品質が向上した投射型表示装置2000を提供することができる。更に、蛍光体層222の厚みと遮光膜221との厚みを同じ厚みにするので、隣りの画素Pに入射する散乱光をより少なくすることが可能な投射型表示装置2000を提供することができる。
図12は、投射型表示装置の一例である投射型表示装置3000の構成を示す模式図である。図12に示す投射型表示装置3000は、赤色光学系1300R、緑色光学系1300G、及び青色光学系1300Bに、第6実施形態の表示装置600が配置されている。
ただし、図12に示す投射型表示装置3000の表示装置600’は、変形例の一例として、第1マイクロレンズ層40を光源30の光出射側に配置している部分も異なっている。なお、他の実施形態においても、第1基板10に配置されていた第1マイクロレンズ層を、光源30の光出射側に配置するようにしてもよい。
これによれば、混色や光抜けが抑えられ、表示品質が向上した投射型表示装置3000を提供することができる。更に、第1基板10に第1マイクロレンズ層40が設けられ、第2基板20に第2マイクロレンズ層60が設けられた表示装置を配置しているので、光の利用効率を向上させることが可能な投射型表示装置3000を提供することができる。
(変形例2)
上記した投射型表示装置1000,2000,3000のように、赤色光学系1300R、緑色光学系1300G、青色光学系1300Bの全ての表示装置100〜600の第2基板20に蛍光体層22,222を設けることに限定されず、例えば、図13に示すようにしてもよい。
上記した投射型表示装置1000,2000,3000のように、赤色光学系1300R、緑色光学系1300G、青色光学系1300Bの全ての表示装置100〜600の第2基板20に蛍光体層22,222を設けることに限定されず、例えば、図13に示すようにしてもよい。
図13は、変形例2の投射型表示装置4000の構成を示す模式図である。図13に示す投射型表示装置4000は、第2実施形態の表示装置200を基本的な構造として配置している。異なる部分として、青色光学系2300Bの表示装置200のみ蛍光体層222を設けず、光源30から投射する青色光を用いている。
これによれば、光源30に青色光を用いることにより、青色光学系2300Bのみ蛍光体層222を設けない場合でも、赤色光、緑色光、青色光の3原色によるカラー表示が可能な投射型表示装置4000を提供することができる。その結果、製造工程を少なくすることができる。
なお、青色光学系1300B,2300Bのみ蛍光体層22,222を用いない投射型表示装置4000は、変形例2の表示装置210に限定されず、例えば、第1実施形態〜第6実施形態の表示装置100〜600を配置するようにしてもよい。
図14は、第6実施形態の表示装置600を光学系に配置した投射型表示装置5000である。第6実施形態の表示装置600と異なる部分として、青色光学系2300Bの表示装置610のみ蛍光体層222を設けず、光源30から投射する青色光を用いている。また、全色の光学系において、第1マイクロレンズ層40を光源30に設けている部分も異なっている。
これによれば、青色光学系2300Bのみ蛍光体層222を設けない場合でも、赤色光、緑色光、青色光の3原色によるカラー表示が可能な投射型表示装置5000を提供することができる。更に、隣りの画素Pに入射する散乱光をより少なくすることが可能であると共に、光の利用効率を向上させることが可能な投射型表示装置5000を提供することができる。
10…第1基板、11…光制御部、12…端子部、13…第1遮光部、13a…第1窓部、14…第2遮光部、20…第2基板、20a…透明基板としての基材、21,221…遮光膜、22,22B,22G,22R,222,222B,222G,222R…波長変換部としての蛍光体層、23…カットフィルター、30…光源、40…第1マイクロレンズ基板としての第1マイクロレンズ層、40a…基材、40b…レンズ層、40c…マイクロレンズ、50,51,52…誘電体多層膜、51a…第1誘電体膜、51b…第2誘電体膜、51c…第3誘電体膜、51d…第4誘電体膜、51e…第5誘電体膜、52a…第1誘電体膜、52b…第2誘電体膜、52c…第3誘電体膜、52d…第4誘電体膜、52e…第5誘電体膜、60…第2マイクロレンズ基板としての第2マイクロレンズ層、100〜600,600’,610…表示装置、1000,2000,3000,4000,5000…投射型表示装置、1100…ダイクロイックプリズム、1200…投射光学系、1300B,2300B…青色光学系、1300G…緑色光学系、1300R…赤色光学系、1400…スクリーン。
Claims (14)
- 複数の画素と、
波長変換部と、
遮光膜と、
を含み、
前記複数の画素の各々は、第1窓部を有する第1遮光部と、前記第1窓部を開閉するように可動する第2遮光部と、を有し、
前記波長変換部は、平面視で、少なくとも前記複数の画素の前記第1窓部と重なるように配置され、
前記遮光膜は、平面視で、前記複数の画素のうち少なくとも一部の隣り合う画素の前記第1窓部の間に配置されることを特徴とする表示装置。 - 第1基板と、
前記第1基板と対向するように配置された第2基板と、
を含み、
前記第1基板は、
第1窓部を有する第1遮光部と、
前記第1窓部を開閉するように可動する第2遮光部と、を有し、
前記第2基板は、
透明基板と、
前記透明基板の前記第1基板側に配置され、前記第1窓部を透過した光の波長を変換する波長変換部と、
前記透明基板と前記波長変換部との間に配置され、平面視で前記第1窓部を囲うように設けられた遮光膜と、
を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の表示装置であって、
前記第1遮光部における、前記第2遮光部とは反対側に、励起光を発生する光源が配置されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項3に記載の表示装置であって、
前記励起光は、青色光又は紫外光であることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記遮光膜における、前記第2遮光部とは反対側に、前記光源の波長以下である外光の入射を防止するためのカットフィルターが配置されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項2乃至請求項5のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記遮光膜は、前記透明基板の前記第2遮光部側に設けられ、
前記波長変換部は、前記遮光膜及び前記透明基板を覆うように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項2乃至請求項5のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記遮光膜は、前記透明基板の前記第2遮光部側の表面に設けられ、
前記波長変換部は、平面視で前記遮光膜で囲まれた中に設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項3乃至請求項7のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記第1遮光部と前記光源との間に、第1マイクロレンズ基板が配置されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記第2遮光部と前記遮光膜との間に、屈折率の異なる膜が積層された誘電体多層膜が配置されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記波長変換部と前記遮光膜との間に第2マイクロレンズ基板が配置されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項2乃至請求項9のいずれか一項に記載の表示装置であって、
平面視で前記遮光膜の間に前記波長変換部が配置されており、
前記遮光膜及び前記波長変換部と前記透明基板との間に、第2マイクロレンズ基板が配置されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
- 請求項12に記載の電子機器であって、
赤色光を投射する表示装置は、光源が青色光であり、波長変換部が赤色を発光する蛍光体層であり、
緑色光を投射する表示装置は、光源が青色光であり、波長変換部が緑色を発光する蛍光体層であり、
青色光を投射する表示装置は、光源が青色光であり、波長変換部が青色を発光する蛍光体層であることを特徴とする電子機器。 - 請求項12に記載の電子機器であって、
赤色光を投射する表示装置は、光源が青色光であり、波長変換部が赤色を発光する蛍光体層であり、
緑色光を投射する表示装置は、光源が青色光であり、波長変換部が緑色を発光する蛍光体層であり、
青色光を投射する表示装置は、光源が青色光であり、波長変換部は配置されていないことを特徴とする電子機器。
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KR20170124122A (ko) * | 2016-04-29 | 2017-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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