JP2015046536A - サセプタ - Google Patents
サセプタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015046536A JP2015046536A JP2013177869A JP2013177869A JP2015046536A JP 2015046536 A JP2015046536 A JP 2015046536A JP 2013177869 A JP2013177869 A JP 2013177869A JP 2013177869 A JP2013177869 A JP 2013177869A JP 2015046536 A JP2015046536 A JP 2015046536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- wafer
- thermal conductivity
- purity
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】 サセプタ100は、ウェハが載置されるウェハ配置面を有する板状の第1部材10と、ウェハ配置面に対して直交する方向において第1部材10と積層されており、第1部材10を支持する第2部材20とを備える。第1部材10の熱伝導率は、第2部材20の熱伝導率よりも高い。
【選択図】 図2
Description
実施形態に係るサセプタは、ウェハが載置されるウェハ載置面を有する板状の第1部材と、前記ウェハ載置面に対して直交する方向において前記第1部材と積層されており、前記第1部材を支持する第2部材とを備える。前記第1部材の熱伝導率は、前記第2部材の熱伝導率よりも高い。
(サセプタの構成)
以下において、第1実施形態に係るサセプタについて、図面を参照しながら説明する。図1及び図2は、第1実施形態に係るサセプタ100を示す図である。図1は、サセプタ100の主面(ウェハ載置面)を示す図である。図2は、サセプタ100の断面(図1に示すA−A断面)を模式的に示す図である。
第1実施形態では、ウェハ配置面を有する板状の第1部材10の熱伝導率が第2部材20の熱伝導率よりも高い。従って、サセプタ100の昇温速度及び熱利用効率の低下が抑制される。一方で、第1部材10よりもヒータ側に配置される第2部材20の熱伝導率が第1部材10の熱伝導率よりも低い。従って、ヒータのパターンが直接的にウェハに転写されることが抑制され、ウェハ配置面における均熱性を向上することができる。
以下において、第1実施形態の変更例1について説明する。以下においては、第1実施形態に対する相違点について主として説明する。
以下において、第1実施形態の変更例2について説明する。以下においては、第1実施形態に対する相違点について主として説明する。
以下において、第1実施形態の変更例3について説明する。以下においては、第1実施形態に対する相違点について主として説明する。
本発明は上述した実施形態によって説明したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
Claims (9)
- ウェハが載置されるウェハ載置面を有する板状の第1部材と、
前記ウェハ載置面に対して直交する方向において前記第1部材と積層されており、前記第1部材を支持する第2部材とを備え、
前記第1部材の熱伝導率は、前記第2部材の熱伝導率よりも高いことを特徴とするサセプタ。 - 前記第1部材は、前記第2部材に対して着脱可能に構成されることを特徴とする請求項1に記載のサセプタ。
- 前記第1部材は、6N以上の純度を有する炭化ケイ素によって構成されることを特徴とする請求項1に記載のサセプタ。
- 前記第2部材は、2N〜3Nの純度を有する炭化ケイ素によって構成されることを特徴とする請求項1に記載のサセプタ。
- 前記第2部材は、グラファイトによって構成されることを特徴とする請求項1に記載のサセプタ。
- 前記第2部材の熱伝導率は、140〜170W/m・K(RT)の範囲であることを特徴とする請求項1に記載のサセプタ。
- 前記第2部材の厚みは、5〜15mmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載のサセプタ。
- 前記第2部材の熱抵抗値は、5.8×10−3〜7.1×10−3m・K(RT)/Wの範囲であることを特徴とする請求項1に記載のサセプタ。
- 前記第2部材は、板状形状又はリング形状を有することを特徴とする請求項1に記載のサセプタ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013177869A JP5981402B2 (ja) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | サセプタ |
US14/914,907 US10287685B2 (en) | 2013-08-29 | 2014-08-29 | Susceptor |
CN201480047456.1A CN105493260B (zh) | 2013-08-29 | 2014-08-29 | 承载器 |
PCT/JP2014/072725 WO2015030167A1 (ja) | 2013-08-29 | 2014-08-29 | サセプタ |
TW103129888A TWI533401B (zh) | 2013-08-29 | 2014-08-29 | 晶座 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013177869A JP5981402B2 (ja) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | サセプタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015046536A true JP2015046536A (ja) | 2015-03-12 |
JP5981402B2 JP5981402B2 (ja) | 2016-08-31 |
Family
ID=52671820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013177869A Active JP5981402B2 (ja) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | サセプタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5981402B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107481966A (zh) * | 2016-06-07 | 2017-12-15 | 应用材料公司 | 用于晶片均匀性的轮廓凹坑和混合基座 |
CN108085659A (zh) * | 2016-11-21 | 2018-05-29 | 环球晶圆股份有限公司 | 晶圆承载盘 |
WO2021157953A1 (ko) * | 2020-02-04 | 2021-08-12 | 주식회사 케이엔제이 | 탄화규소층을 포함하는 부품 및 그 제조 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60200963A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
JPS6396912A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 基板ホルダ− |
JPH05291145A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Fuji Electric Co Ltd | 気相成長装置 |
JPH0822886A (ja) * | 1994-07-06 | 1996-01-23 | Noboru Naruo | 均熱ヒーター |
JP2011146504A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Sumco Corp | 気相成長装置用サセプタ及び気相成長装置 |
JP2011168426A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素セラミックス、および、該炭化ケイ素セラミックスを用いた半導体プロセス用治具 |
-
2013
- 2013-08-29 JP JP2013177869A patent/JP5981402B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60200963A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
JPS6396912A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 基板ホルダ− |
JPH05291145A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Fuji Electric Co Ltd | 気相成長装置 |
JPH0822886A (ja) * | 1994-07-06 | 1996-01-23 | Noboru Naruo | 均熱ヒーター |
JP2011146504A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Sumco Corp | 気相成長装置用サセプタ及び気相成長装置 |
JP2011168426A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素セラミックス、および、該炭化ケイ素セラミックスを用いた半導体プロセス用治具 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107481966A (zh) * | 2016-06-07 | 2017-12-15 | 应用材料公司 | 用于晶片均匀性的轮廓凹坑和混合基座 |
JP2018022880A (ja) * | 2016-06-07 | 2018-02-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ウエハ均一性のための輪郭ポケット及びハイブリッドサセプタ |
US11557501B2 (en) | 2016-06-07 | 2023-01-17 | Applied Materials, Inc. | Contour pocket and hybrid susceptor for wafer uniformity |
US11810810B2 (en) | 2016-06-07 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Contour pocket and hybrid susceptor for wafer uniformity |
CN108085659A (zh) * | 2016-11-21 | 2018-05-29 | 环球晶圆股份有限公司 | 晶圆承载盘 |
CN108085659B (zh) * | 2016-11-21 | 2020-01-07 | 环球晶圆股份有限公司 | 晶圆承载盘 |
WO2021157953A1 (ko) * | 2020-02-04 | 2021-08-12 | 주식회사 케이엔제이 | 탄화규소층을 포함하는 부품 및 그 제조 방법 |
KR20210099694A (ko) * | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 주식회사 케이엔제이 | 탄화규소층을 포함하는 부품의 제조 방법 |
KR102360676B1 (ko) * | 2020-02-04 | 2022-02-11 | 주식회사 케이엔제이 | 탄화규소층을 포함하는 부품의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5981402B2 (ja) | 2016-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10287685B2 (en) | Susceptor | |
JP5981402B2 (ja) | サセプタ | |
JP2020524892A5 (ja) | ||
JP2013254853A (ja) | 基板支持体、半導体製造装置 | |
WO2013149420A1 (zh) | 一种高导热金属箔胶带 | |
JP2009187948A (ja) | 基板加熱装置 | |
KR102417528B1 (ko) | 서셉터 및 그 제조 방법 | |
JP2014175535A (ja) | 静電チャック装置 | |
JP2011146506A5 (ja) | ||
JP5404135B2 (ja) | 支持基板、貼り合わせ基板、支持基板の製造方法、及び貼り合わせ基板の製造方法 | |
WO2017188145A1 (ja) | サセプタ | |
CN105883779B (zh) | 一种cvd生长大面积石墨烯的规模化方法 | |
TW201314743A (zh) | 薄膜沉積系統 | |
TWI456687B (zh) | 藉由增加含矽材料的光學吸收性改良輻射加熱效能 | |
KR20120071695A (ko) | 화학 기상 증착 장치용 서셉터, 화학 기상 증착 장치 및 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열 방법 | |
JP2016162958A (ja) | サセプタ | |
JP2008140647A (ja) | ヒータ | |
JP4252944B2 (ja) | サセプタおよび化学気相成長方法 | |
JP6215798B2 (ja) | サセプタ | |
JP6219794B2 (ja) | サセプタ | |
CN104934345A (zh) | 一种等离子体装置 | |
JP4665935B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP6571550B2 (ja) | ヒータおよびこれを用いた半導体製造装置 | |
JPWO2018207942A1 (ja) | サセプタ、エピタキシャル基板の製造方法、及びエピタキシャル基板 | |
JP2007180132A (ja) | サセプタ及びそのサセプタを用いたcvd装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160405 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160712 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160728 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5981402 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |