JP2015045513A - Semiconductor pressure sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、圧力媒体が直接接触する半導体圧力センサに関する。 The present invention relates to a semiconductor pressure sensor in direct contact with a pressure medium.
従来より、圧力媒体が直接接触する環境で使用されるセンサデバイスが、例えば特許文献1で提案されている。センサデバイスは、一方の基板と他方の基板とが接合されて構成されている。また、他方の基板は、局所的に肉厚の薄くなったダイヤフラムを有し、ダイヤフラムに形成された圧電素子を有している。 Conventionally, for example, Patent Document 1 has proposed a sensor device used in an environment in which a pressure medium is in direct contact. The sensor device is configured by bonding one substrate and the other substrate. The other substrate has a locally thinned diaphragm, and has a piezoelectric element formed on the diaphragm.
圧電素子は例えばn型の基板にイオン注入されたp+型のゲージ領域として構成され、4つのゲージ抵抗がホイートストンブリッジ回路を構成するように形成されている。さらに、一方の基板は、ダイヤフラムに対応する部分に圧電素子を気密封止するための凹部を有している。そして、各基板が接合されることで圧電素子が各基板で囲まれた空間に封止されている。 The piezoelectric element is configured, for example, as a p + type gauge region ion-implanted into an n-type substrate, and four gauge resistors are formed to constitute a Wheatstone bridge circuit. Further, one substrate has a recess for hermetically sealing the piezoelectric element at a portion corresponding to the diaphragm. Each substrate is bonded to seal the piezoelectric element in a space surrounded by each substrate.
しかしながら、上記従来の技術では、ゲージ領域が形成された基板に圧力媒体が直接晒される構造になっているので、圧力媒体が電位を持った場合に、圧力媒体の電位がホイートストンブリッジ回路の上端の電位よりも低くなる可能性がある。このため、圧力媒体が他方の基板に接触すると圧力媒体からゲージ領域(p+型)から他方の基板(n型)を介して圧力媒体に電流が流れてしまう。これにより、圧力検出精度が悪化するという問題があった。 However, in the above conventional technique, since the pressure medium is directly exposed to the substrate on which the gauge region is formed, when the pressure medium has a potential, the potential of the pressure medium is at the upper end of the Wheatstone bridge circuit. It can be lower than the potential. For this reason, when the pressure medium contacts the other substrate, a current flows from the pressure medium to the pressure medium from the gauge region (p + type) through the other substrate (n type). Thereby, there existed a problem that pressure detection accuracy deteriorated.
本発明は上記点に鑑み、圧力媒体が直接接触する半導体圧力センサにおいて、圧力媒体が電位を持った場合でも圧力媒体の電位が圧力検出精度に影響しないようにすることを目的とする。 In view of the above points, an object of the present invention is to prevent a potential of a pressure medium from affecting the accuracy of pressure detection in a semiconductor pressure sensor in direct contact with the pressure medium even when the pressure medium has a potential.
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、第1導電層(12)と、第1導電層(12)の上に形成された第1絶縁層(13)と、第1絶縁層(13)の上に形成されると共に圧力媒体の圧力を検出する圧力センシング部(16)と圧力センシング部(16)を一周して囲む周辺部(17)とが形成された第2導電層(14)と、が積層された第1SOI基板(15)で構成されたセンサ部(10)を備えている。また、周辺部(17)に接合されることでセンサ部(10)との間に構成された圧力基準室(38)に圧力センシング部(16)を封止したキャップ部(11)を備えている。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, the first conductive layer (12), the first insulating layer (13) formed on the first conductive layer (12), and the first insulation A second conductive layer formed on the layer (13) and having a pressure sensing part (16) for detecting the pressure of the pressure medium and a peripheral part (17) surrounding the pressure sensing part (16). (14) and a first SOI substrate (15) on which the sensor unit (10) is provided. Moreover, the cap part (11) which sealed the pressure sensing part (16) in the pressure reference chamber (38) comprised between the sensor part (10) by being joined to a peripheral part (17) is provided. Yes.
第1導電層(12)は、圧力センシング部(16)に対応した部分のうち第1絶縁層(13)とは反対側に形成された溝部(29)を有すると共に、当該溝部(29)によって当該第1導電層(12)の厚みが薄くされたダイヤフラム(30)を有している。 The first conductive layer (12) has a groove (29) formed on the side opposite to the first insulating layer (13) in the portion corresponding to the pressure sensing portion (16), and the groove (29) The first conductive layer (12) has a diaphragm (30) with a reduced thickness.
圧力センシング部(16)は、第1絶縁層(13)から離間した第1可動電極(22)を有する第1可動部(19)と、第1可動電極(22)に対向すると共に第1絶縁層(13)を介してダイヤフラム(30)に固定された第1固定電極(24)を有する第1固定部(20)と、を有し、ダイヤフラム(30)が圧力媒体の圧力によってたわむことで第1可動電極(22)と第1固定電極(24)との間の静電容量の変化に基づいて圧力が検出されるようになっている。 The pressure sensing part (16) has a first movable part (19) having a first movable electrode (22) spaced from the first insulating layer (13), and is opposed to the first movable electrode (22) and has a first insulation. A first fixing portion (20) having a first fixed electrode (24) fixed to the diaphragm (30) through the layer (13), and the diaphragm (30) is bent by the pressure of the pressure medium. Pressure is detected based on a change in capacitance between the first movable electrode (22) and the first fixed electrode (24).
さらに、第1固定電極(24)のうち第1可動電極(22)に対する対向面からこの対向面に反対側との面までの幅が、第1可動電極(22)のうち第1固定電極(24)に対する対向面からこの対向面に反対側の面までの幅よりも大きいことを特徴とする。 Furthermore, the width from the surface facing the first movable electrode (22) of the first fixed electrode (24) to the surface opposite to the facing surface is the first fixed electrode (22) of the first movable electrode (22). The width from the facing surface to 24) is larger than the width from the facing surface to the opposite surface.
これによると、第1可動電極(22)及び第1固定電極(24)が第1導電層(12)、周辺部(17)、及びキャップ部(11)から離間していると共に絶縁されている。このため、第1導電層(12)、周辺部(17)、及びキャップ部(11)に電位を持った圧力媒体が接触したとしても圧力センシング部(16)の圧力検出の精度が低下することはない。したがって、圧力媒体の電位が圧力検出精度に影響しないようにすることができる。 According to this, the first movable electrode (22) and the first fixed electrode (24) are separated from the first conductive layer (12), the peripheral portion (17), and the cap portion (11) and are insulated. . For this reason, even if a pressure medium having a potential contacts the first conductive layer (12), the peripheral portion (17), and the cap portion (11), the pressure detection accuracy of the pressure sensing portion (16) is reduced. There is no. Therefore, the potential of the pressure medium can be prevented from affecting the pressure detection accuracy.
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the same or equivalent parts are denoted by the same reference numerals in the drawings.
(第1実施形態)
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る半導圧力センサは、静電容量式によって圧力を検出するように構成されたものである。具体的には、図1及び図2に示されるように、半導体圧力センサはセンサ部10とキャップ部11とが積層されて構成されている。
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The semiconducting pressure sensor according to the present embodiment is configured to detect pressure by a capacitance type. Specifically, as shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor pressure sensor is configured by stacking a
まず、センサ部10について説明する。センサ部10は、物理量として圧力を検出するものである。図2に示されるように、センサ部10は、第1導電層12と、第1導電層12の上に形成された第1絶縁層13と、第1絶縁層13の上に形成された第2導電層14と、が積層された第1SOI基板15により構成されている。第1導電層12及び第2導電層14は、例えばN型の単結晶シリコンで形成されている。また、第1絶縁層13は、例えばSiO2で形成されている。
First, the
第1SOI基板15のうちの第1絶縁層13は、第1導電層12と第2導電層14との間に一定の間隔を形成するためのものである。また、図1に示されるように、第2導電層14は、圧力センシング部16と、周辺部17と、第1中央部18と、を有している。
The first
圧力センシング部16は、圧力媒体の圧力を検出する部分であり、第1可動部19と第1固定部20とを有している。第1可動部19は、第1可動配線部21と第1可動電極22とを有して構成されている。
The
第1可動配線部21は、第1可動電極22と外部とを電気的に接続するための配線として機能する部分であり、直線状に形成された部分である。第1可動配線部21は、下部に残された第1絶縁層13によって第1導電層12に固定されている。第1可動配線部21の一端側が外部と電気的に接続される接続部となる。
The 1st
第1可動電極22は、第2導電層14の面方向において、第1可動配線部21の他端側から第1可動配線部21の延設方向に対して垂直な方向に延設され、複数本が櫛歯状に設けられている。第1可動電極22の各々は一定間隔で配置されており、各第1可動電極22の幅、長さも一定とされている。そして、第1可動電極22は、下部に第1絶縁層13が残されておらず、第1絶縁層13から離間している。
The first
一方、第1固定部20は、第1固定配線部23と第1固定電極24とを有して構成されている。これら第1固定配線部23及び第1固定電極24は、それぞれ第1絶縁層13の一部を介して第1導電層12に固定されている。第1固定配線部23は、第1固定電極24と外部とを電気的に接続するための配線として機能する部分であり、直線状に形成された部分である。第1固定配線部23の一端側が外部と電気的に接続される接続部となる。
On the other hand, the first fixed
また、第1固定電極24は、第1固定配線部23の他端側から第1可動配線部21の延設方向に対して垂直な方向に延設され、複数本が櫛歯状に設けられている。第1固定電極24の各々は一定間隔で配置されており、各第1固定電極24の幅、長さも一定とされている。
The first
そして、第1固定電極24が第1可動電極22に対向するように配置され、第1固定電極24と第1可動電極22との間にコンデンサが構成されている。つまり、第1可動部19及び第1固定部20は、第1可動電極22と第1固定電極24との間に形成される静電容量の変化に基づいて圧力を検出するように構成されている。
The first
さらに、第2導電層14の面方向において、第1固定配線部23の延設方向における第1固定電極24の幅が、第1可動配線部21の延設方向における第1可動電極22の幅よりも大きくなっている。具体的には、第1固定電極24のうち第1可動電極22に対する対向面25からこの対向面25に反対側との反対面26までの幅が、第1可動電極22のうち第1固定電極24に対する対向面27からこの対向面27に反対側の反対面28までの幅よりも大きくなっている。これは、第1可動電極22の下部の第1絶縁層13を除去しても、第1固定電極24の下部に第1絶縁層13を残すためである。
Furthermore, in the surface direction of the second
周辺部17は、第2導電層14のうち第1可動部19及び第1固定部20の周囲に配置された部分である。周辺部17は、圧力センシング部16を一周して囲んでいる。周辺部17は、第1絶縁層13まで貫通するトレンチによって第1可動部19及び第1固定部20から絶縁分離されている。
The
第1中央部18は、第1可動部19と第1固定部20との間に配置された部分である。第1中央部18は、第1可動部19及び第1固定部20から離間するように形成されている。
The first
第1導電層12は、圧力センシング部16に対応した部分のうち第1絶縁層13とは反対側に形成された溝部29を有している。溝部29は、第1導電層12の一部の厚みが薄くされたダイヤフラム30を構成している。上述のように、圧力センシング部16には第1固定電極24が設けられているので、第1固定電極24は第1絶縁層13を介してダイヤフラム30に固定されていると言える。このダイヤフラム30に圧力媒体が直接接触する。
The first
次に、キャップ部11について説明する。キャップ部11は、圧力センシング部16への水や異物の混入等を防止するものである。また、キャップ部11は、センサ部10との間に密閉した空間を形成する役割も果たす。
Next, the
このようなキャップ部11はシリコン基板31と熱酸化膜32とを有して構成されている。シリコン基板31は、当該シリコン基板31のうちセンサ部10の圧力センシング部16と対向する位置に窪み部33を有している。この窪み部33は、キャップ部11がセンサ部10に貼り合わされたときに、圧力センシング部16がキャップ部11に接触しないようにするための部分である。
Such a
熱酸化膜32は、シリコン基板31においてセンサ部10側のうち窪み部33を除いた部分に形成されている。この熱酸化膜32はセンサ部10とシリコン基板31とを絶縁する役割を果たす。熱酸化膜32は、シリコン基板31のうちセンサ部10側の面が熱処理されて形成されたSiO2膜である。なお、熱酸化膜32は窪み部33の表面に形成されていても良い。
The
また、キャップ部11は、当該キャップ部11をセンサ部10とキャップ部11との積層方向に貫通する貫通電極部34を有している。貫通電極部34は、シリコン基板31及び熱酸化膜32を貫通する孔部35と、この孔部35の壁面及びシリコン基板31のうちセンサ部10とは反対側に形成された絶縁膜36と、孔部35の絶縁膜36の上に形成された貫通電極37と、により構成されている。
The
貫通電極37の一端は第2導電層14に接触しており、他端はパッド状にパターニングされている。絶縁膜36としては例えば酸化シリコン層SiO2(PE−SiO2)等の絶縁材料が採用され、貫通電極37としては例えばAl等の金属材料が採用される。
One end of the through
貫通電極部34は、第1可動部19及び第1固定部20にそれぞれ対応して形成されている。したがって、第1可動部19に対応した貫通電極37は第1可動配線部21に電気的に接続され、第1固定部20に対応した貫通電極37は第1固定配線部23に電気的に接続されている。
The through
また、キャップ部11は、シリコン基板31のうち熱酸化膜32とは反対側の面において、当該面の一部、絶縁膜36、及び貫通電極37の一部を覆う図示しない窒化膜を有している。この窒化膜は貫通電極37の一部が露出する図示しない開口部を有している。したがって、貫通電極37は、窒化膜の開口部から露出する部分が外部と電気的に接続される。
The
そして、上記のキャップ部11とセンサ部10とが貼り合わされて一体化されている。本実施形態では、キャップ部11の熱酸化膜32とセンサ部10の第2導電層14の表面とが直接接合により接合されている。これにより、圧力センシング部16は、センサ部10とキャップ部11との間に構成された圧力基準室38に気密封止されている。
And the said
本実施形態では、圧力基準室38は真空になっている。これにより、圧力基準室38にはガス等が残されていないので、ガス等の熱膨張等が圧力検出の誤差要因にならないようにすることができる。以上が、本実施形態に係る半導体圧力センサの全体構成である。
In the present embodiment, the
当該半導体圧力センサにおいて圧力は以下のように検出される。まず、ダイヤフラム30が圧力媒体の圧力を受けるとダイヤフラム30がたわみ、第1固定電極24が圧力印加方向に移動する。すなわち、ダイヤフラム30に第1絶縁層13を介して固定された第1固定電極24が第1可動電極22に対してセンサ部10とキャップ部11との積層方向に移動する。このため、第1可動電極22と第1固定電極24との対向面積が変化するので、第1可動電極22と第1固定電極24とで構成されるコンデンサの容量値が変化する。この静電容量の変化を検出することでダイヤフラム30が受ける圧力が得られるようになっている。
In the semiconductor pressure sensor, the pressure is detected as follows. First, when the
なお、上記のようにダイヤフラム30がたわむと第1固定電極24がダイヤフラム30と共に動く。したがって、「固定」とはダイヤフラム30に対する固定である。また、第1可動電極22は第1絶縁層13を介してダイヤフラム30に固定されていないので、ダイヤフラム30に対して可動であると言える。もちろん、第1可動電極22は第1固定電極24に対しても可動である。
When the
さらに、2つの貫通電極37は、図示しないC/V変換回路部に接続されている。C/V変換回路部は、静電容量の変化を電圧に変換する機能を有し、図示しないオペアンプやCV変換用コンデンサ等により構成されている。このC/V変換回路部によって電圧に変換された信号が静電容量の変化を示す検出信号として利用される。
Further, the two through
次に、本実施形態に係る半導体圧力センサの製造方法について、図3〜図6を参照して説明する。図3に示されるように、キャップ部11とセンサ部10とを別々に形成した後、キャップ部11とセンサ部10とを接合し、貫通電極37等を形成していく。以下、図3の製造工程に従って半導体圧力センサを製造する方法を説明する。
Next, a method for manufacturing the semiconductor pressure sensor according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 3, after the
まず、キャップ部11側の製造について説明する。このため、ウェハ状のシリコン基板31を用意する。すなわちSiウェハを用意する(Siウェハ)。このSiウェハに多数のキャップ部11を形成することになる。そして、図4(a)に示されるように、シリコン基板31のうちセンサ部10側を熱酸化することによりSiO2の熱酸化膜32を形成する(熱酸化)。
First, manufacturing on the
また、図4(b)に示されるように、シリコン基板31及び熱酸化膜32のうち圧力センシング部16に対応する部分に窪み部33を形成する(窪み部形成)。具体的には、熱酸化膜32の上に図示しないマスクを形成すると共にマスクのうち圧力センシング部16を開口し、マスクから露出した部分をエッチングすることで窪み部33を形成する。
Further, as shown in FIG. 4B, a
次に、センサ部10側の製造について説明する。なお、センサ部10側の製造は、キャップ部11側の製造の後に行う必要はなく、キャップ部11側の製造の前に行っても良いし、両者の製造を平行して行っても良い。
Next, manufacturing on the
まず、活性層である第1導電層12と第2導電層14とで第1絶縁層13を挟み込んだSOIウェハすなわちウェハ状の第1SOI基板15を用意する(SOIウェハ)。このウェハ状の第1SOI基板15に多数のセンサ部10を形成することになる。ウェハ状の第1SOI基板15のサイズは、ウェハ状のシリコン基板31と同じである。
First, an SOI wafer in which the first insulating
続いて、図5(a)に示されるように、第2導電層14の上に図示しないマスクを形成してパターニングし、TMAH等のSiエッチング液で第2導電層14をウェットエッチングする。これにより、第2導電層14に第1可動部19、第1固定部20、周辺部17、及び第1中央部18を形成する(パターン形成)。このとき、上述のように、第1固定電極24のうち対向面25から反対面26までの幅が、第1可動電極22のうち対向面27から反対面28までの幅よりも大きくなるように、第1可動電極22及び第1固定電極24をパターニングする。
Subsequently, as shown in FIG. 5A, a mask (not shown) is formed and patterned on the second
さらに、図5(b)に示されるように、第1絶縁層13をエッチングする(第1絶縁層エッチング)。これにより、第1可動電極22の下部の第1絶縁層13を除去する。一方、第1固定電極24の幅は第1可動電極22よりも広いので、第1固定電極24の下部の第1絶縁層13は完全にエッチングされずに残る。このようにして圧力センシング部16を形成する。この後、第2導電層14からマスクを除去する。
Further, as shown in FIG. 5B, the first insulating
続いて、図6(a)に示されるように、上記の各工程を経て得られたキャップ部11側のウェハとセンサ部10側のウェハとを貼り合わせる(ウェハ接合)。具体的には、センサ部10側が多数形成されたウェハ状の第1SOI基板15と、キャップ部11側が多数形成されたウェハ状のシリコン基板31とを図示しない真空装置内に配置する。そして、第1SOI基板15のうち第2導電層14の表面及びキャップ部11の熱酸化膜32の表面にArイオンビームを照射する。これにより、第2導電層14の表面のSiと熱酸化膜32の表面のSiをそれぞれ活性化させる。なお、活性化の手法については、Arイオンビームの照射の他に、大気中または真空中でプラズマ処理を行うことによっても可能である。
Subsequently, as shown in FIG. 6A, the
そして、真空装置内にて、ウェハ状の第1SOI基板15及びウェハ状のシリコン基板31の各対向面に設けられたアライメントマークを用いて赤外顕微鏡によりアライメントを行い、室温〜550℃の低温で両ウェハをいわゆる直接接合により接合する。これにより、積層ウェハ39を形成する。また、積層ウェハ39において、第1SOI基板15とキャップ部11との間に圧力基準室38を形成する。各ウェハを真空中で接合したので、圧力基準室38は真空室となる。
Then, alignment is performed by an infrared microscope using alignment marks provided on the opposing surfaces of the wafer-like
次に、図6(b)に示されるように、キャップ部11に貫通電極部34を形成する。具体的には、キャップ部11側のウェハにおいてシリコン基板31のうち熱酸化膜32とは反対側の面を研削・研磨することによりシリコン基板31を所望の厚さまで薄くする(上面研削・研磨)。そして、ドライエッチング等によりシリコン基板31及び熱酸化膜32のうち第1可動配線部21及び第1固定配線部23に対応する位置に、第1可動配線部21及び第1固定配線部23に達する孔部35を形成する(貫通電極エッチング)。
Next, as shown in FIG. 6B, the through
また、孔部35の壁面に酸化シリコン層SiO2(PE−SiO2)等の絶縁膜36を成膜する(PE−SiO2成膜)。そして、孔部35の底部に形成された絶縁膜36を除去し、第1可動配線部21及び第1固定配線部23を露出させる(コンタクトエッチング)。続いて、孔部35にスパッタ法や蒸着法等によりAlの金属材料を埋め込み、貫通電極37を形成する(Al成膜)。さらに、貫通電極37の他端側をパッド状にパターニングする(Alパターニング)。
Further, an insulating
この後、シリコン基板31のうち熱酸化膜32とは反対側の面に、当該面の一部、絶縁膜36、及び貫通電極37を覆う図示しない窒化膜を形成する(SiN成膜)。また、貫通電極37の一部が露出するように当該窒化膜をパターニングする(SiNパターニング)。すなわち、パッド部を形成する。
Thereafter, a nitride film (not shown) that covers a part of the surface, the insulating
また、第1SOI基板15の第1導電層12のうち第1絶縁層13に接する面とは反対側を研削・研磨して薄膜化する(下面研削・研磨)。そして、薄膜化した第1導電層12に対して圧力センシング部16に対応する部分が開口したマスクを形成し、このマスクを用いて第1導電層12をエッチングすることにより第1導電層12に溝部29を形成する(ダイヤフラムエッチング)。これにより、第1導電層12の一部が肉薄状となったダイヤフラム30となる。最後に、積層ウェハ39を半導体圧力センサ毎にダイシングカットする。こうして、半導体圧力センサが完成する。
Further, the side of the first
以上説明したように、本実施形態では、第1可動電極22及び第1固定電極24が第1導電層12、周辺部17、及びキャップ部11から離間していると共に絶縁分離された構造になっている。このため、ダイヤフラム30が形成された第1導電層12に電位を持った圧力媒体が接触したとしても、圧力センシング部16の圧力検出精度に影響を及ぼすことはない。また、周辺部17やキャップ部11に電位を持った圧力媒体が接触した場合も同様である。したがって、電位を持った圧力媒体によって圧力センシング部16の圧力検出の精度が低下しないようにすることができる。
As described above, in the present embodiment, the first
(第2実施形態)
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。図7に示されるように、本実施形態では、センサ部10は、第2SOI基板40と、第2SOI基板40の上に形成された第1絶縁層13と、第1絶縁層13の上に形成された第2導電層14と、が積層された基板に形成されている。これは、いわゆる2重SOI基板である。
(Second Embodiment)
In the present embodiment, parts different from the first embodiment will be described. As shown in FIG. 7, in the present embodiment, the
第2SOI基板40は、第1実施形態に係る第1導電層12に対応する部分である。第2SOI基板40は、第3導電層41と、第2絶縁層42と、第4導電層43と、が積層されて構成されている。第3導電層41は、第1絶縁層13のうち第2導電層14とは反対側に位置する層である。第2絶縁層42は、第3導電層41のうち第1絶縁層13とは反対側に位置する層である。さらに、第4導電層43は、第2絶縁層42のうち第3導電層41とは反対側に位置する層である。
The
このような構成において、溝部29は、第4導電層43のうち圧力センシング部16に対応した部分に第2絶縁層42が露出するように形成されている。したがって、ダイヤフラム30は、第3導電層41及び第2絶縁層42のうち当該溝部29に対応した部分によって構成されている。
In such a configuration, the
以上のように、センサ部10を2重SOI基板で構成することで、ダイヤフラム30の厚みを第3導電層41及び第2絶縁層42の厚みによって制御することができる。このため、ダイヤフラム30の厚みの精度を向上させることができる。
As described above, by configuring the
(第3実施形態)
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。図8に示されるように、本実施形態では、半導体圧力センサは、圧力センシング部16の他に、C/V変換回路部44と、ローパスフィルタ回路部45と、ハイパスフィルタ回路部46と、を有している。このうち、C/V変換回路部44は、圧力センシング部16が検出した静電容量の変化を電圧に変換し、静電容量の変化を示す検出信号として出力する。
(Third embodiment)
In the present embodiment, parts different from the first embodiment will be described. As shown in FIG. 8, in this embodiment, the semiconductor pressure sensor includes a C / V
ローパスフィルタ回路部45は、C/V変換回路部44から検出信号を入力すると共に、当該検出信号に含まれる低周波成分を取得するように構成されている。ローパスフィルタ回路部45は、当該低周波成分を、圧力を示す圧力信号として出力する。圧力信号に含まれる圧力のデータは圧力信号処理回路47で利用される。
The low-pass
ハイパスフィルタ回路部46は、C/V変換回路部44から検出信号を入力すると共に、当該検出信号に含まれる高周波成分を取得するように構成されている。ハイパスフィルタ回路部46は、当該高周波成分を、加速度を示す加速度信号として出力する。加速度信号に含まれる加速度のデータは加速度信号処理回路48で利用される。
The high-pass
なお、本実施形態では、C/V変換回路部44、ローパスフィルタ回路部45、及びハイパスフィルタ回路部46は、圧力センシング部16が形成されたセンサ部10とは別の半導体チップに形成されている。
In the present embodiment, the C / V
上記の構成によると、検出信号のうち圧力検出で必要領域は低周波成分であり、加速度検出で必要領域は高周波数成分であるので、圧力センシング部16で取得された検出信号から圧力の成分と加速度の成分との両方を取得することができる。
According to the above configuration, the necessary region for detection of pressure is a low-frequency component and the necessary region for detection of acceleration is a high-frequency component. Therefore, the pressure component from the detection signal acquired by the
なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、圧力センシング部16及びC/V変換回路部44が特許請求の範囲の「圧力センシング部」に対応する。
Regarding the correspondence between the description of the present embodiment and the description of the claims, the
(第4実施形態)
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。図9に示されるように、本実施形態では、第2導電層14は、圧力センシング部16だけでなく、加速度を検出する加速度センシング部49を有している。
(Fourth embodiment)
In the present embodiment, parts different from the first embodiment will be described. As shown in FIG. 9, in the present embodiment, the second
加速度センシング部49は、第2可動配線部50及び第2可動電極51を有する第2可動部52と、第2固定配線部53と第2固定電極54を有する第2固定部55と、を備えて構成されている。第2可動部52及び第2固定部55の構成は、圧力センシング部16と同じである。第2可動配線部50及び第2可動電極51は、圧力センシング部16の第1可動配線部21及び第1可動電極22にそれぞれ対応している。また、第2固定配線部53及び第2固定電極54は、圧力センシング部16の第1固定配線部23及び第1固定電極24にそれぞれ対応している。なお、第2可動部52と第2固定部55との間には第2中央部56が配置されている。
The
そして、周辺部17は、圧力センシング部16及び加速度センシング部49の周囲にこれらを囲むように形成されている。本実施形態では、周辺部17は圧力センシング部16と加速度センシング部49との間にも形成されている。したがって、本実施形態では、加速度センシング部49は、センサ部10とキャップ部11との間に構成された気密室57に封止されている。気密室57は圧力基準室38と同様に真空になっている。
The
上記の構成によると、加速度センシング部49は、第2可動電極51が加速度を受けて第2固定電極54に対して変位することで第2可動電極51と第2固定電極54との間の静電容量の変化に基づいて加速度を検出することができる。したがって、半導体圧力センサにおいて、圧力検出だけでなく加速度検出も行うことができる。
According to the above configuration, the
(他の実施形態)
上記各実施形態で示された半導体圧力センサの構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、第1可動部19及び第1固定部20の平面レイアウトは一例であり、他の平面レイアウトでも良い。第2可動部52及び第2固定部55についても同様である。
(Other embodiments)
The configuration of the semiconductor pressure sensor shown in each of the above embodiments is an example, and the present invention is not limited to the configuration shown above, and other configurations that can realize the present invention can be used. For example, the planar layout of the first
また、圧力基準室38は真空ではなく大気で満たされていても良い。これによると、大気のダンパー効果によって耐振性を向上させることができる。加速度センシング部49を封止した気密室57についても同様である。
Further, the
第2実施形態で示された2重SOI基板の構成は、第3実施形態及び第4実施形態で示された半導体圧力センサに適用しても良い。 The configuration of the double SOI substrate shown in the second embodiment may be applied to the semiconductor pressure sensor shown in the third embodiment and the fourth embodiment.
第4実施形態では、圧力基準室38と気密室57とは別々の部屋になっていたが、圧力センシング部16と加速度センシング部49との間に周辺部17が設けられていないことで圧力基準室38と気密室57とが一体の部屋になっていても良い。すなわち、圧力基準室38は圧力センシング部16と加速度センシング部49との両方が封止される部屋になっていても良い。さらに、第4実施形態において、第1中央部18に加速度センシング部49の構造が形成されていても良い。
In the fourth embodiment, the
10 センサ部
11 キャップ部
12 第1導電層
13 第1絶縁層
14 第2導電層
16 圧力センシング部
17 周辺部
22 第1可動電極
24 第1固定電極
30 ダイヤフラム
38 圧力基準室
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記周辺部(17)に接合されることで前記センサ部(10)との間に構成された圧力基準室(38)に前記圧力センシング部(16)を封止したキャップ部(11)と、
を備え、
前記第1導電層(12)は、前記圧力センシング部(16)に対応した部分のうち前記第1絶縁層(13)とは反対側に形成された溝部(29)を有すると共に、当該溝部(29)によって当該第1導電層(12)の厚みが薄くされたダイヤフラム(30)を有し、
前記圧力センシング部(16)は、前記第1絶縁層(13)から離間した第1可動電極(22)を有する第1可動部(19)と、前記第1可動電極(22)に対向すると共に前記第1絶縁層(13)を介して前記ダイヤフラム(30)に固定された第1固定電極(24)を有する第1固定部(20)と、を有し、前記ダイヤフラム(30)が前記圧力媒体の圧力によってたわむことで前記第1可動電極(22)と前記第1固定電極(24)との間の静電容量の変化に基づいて圧力を検出するようになっており、
さらに、前記第1固定電極(24)のうち前記第1可動電極(22)に対する対向面(25)からこの対向面(25)に反対側の反対面(26)までの幅が、前記第1可動電極(22)のうち前記第1固定電極(24)に対する対向面(27)からこの対向面(27)に反対側の反対面(28)までの幅よりも大きいことを特徴とする半導体圧力センサ。 A first conductive layer (12); a first insulating layer (13) formed on the first conductive layer (12); and a pressure medium formed on the first insulating layer (13). A first SOI substrate in which a pressure sensing part (16) for detecting pressure and a second conductive layer (14) formed with a peripheral part (17) surrounding the pressure sensing part (16) are formed. 15) a sensor unit (10) constituted by:
A cap part (11) in which the pressure sensing part (16) is sealed in a pressure reference chamber (38) formed between the sensor part (10) and the peripheral part (17);
With
The first conductive layer (12) includes a groove portion (29) formed on the opposite side of the first insulating layer (13) from the portion corresponding to the pressure sensing portion (16), and the groove portion ( 29) having a diaphragm (30) in which the thickness of the first conductive layer (12) is reduced;
The pressure sensing part (16) is opposed to the first movable part (19) having a first movable electrode (22) spaced from the first insulating layer (13), and the first movable electrode (22). A first fixed portion (20) having a first fixed electrode (24) fixed to the diaphragm (30) through the first insulating layer (13), wherein the diaphragm (30) is the pressure The pressure is detected based on a change in capacitance between the first movable electrode (22) and the first fixed electrode (24) by being deflected by the pressure of the medium,
Furthermore, the width from the opposing surface (25) of the first fixed electrode (24) to the first movable electrode (22) to the opposing surface (26) opposite to the opposing surface (25) is the first fixed electrode (24). A semiconductor pressure characterized in that the width of the movable electrode (22) is larger than the width from the opposite surface (27) to the first fixed electrode (24) to the opposite surface (28) opposite to the opposite surface (27). Sensor.
前記ダイヤフラム(30)は、前記第4導電層(43)のうち前記圧力センシング部(16)に対応した部分に前記第2絶縁層(42)が露出するように前記溝部(29)が形成されたことにより、前記第3導電層(41)及び前記第2絶縁層(42)のうち当該溝部(29)に対応した部分によって構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体圧力センサ。 The first conductive layer (12) includes a third conductive layer (41) opposite to the second conductive layer (14) in the first insulating layer (13), and the third conductive layer (41). Of the second insulating layer (42) on the opposite side to the first insulating layer (13), and the fourth conductive on the opposite side of the second insulating layer (42) from the third conductive layer (41). A layer (43) and a second SOI substrate (40) laminated,
In the diaphragm (30), the groove (29) is formed so that the second insulating layer (42) is exposed at a portion corresponding to the pressure sensing portion (16) in the fourth conductive layer (43). The semiconductor pressure according to claim 1, wherein the semiconductor pressure is constituted by a portion corresponding to the groove (29) of the third conductive layer (41) and the second insulating layer (42). Sensor.
前記センサ部(10)は、前記圧力センシング部(16)から前記検出信号を入力すると共に当該検出信号に含まれる低周波成分を前記圧力を示す圧力信号として取得するローパスフィルタ回路部(45)と、前記圧力センシング部(16)から前記検出信号を入力すると共に当該検出信号に含まれる高周波成分を加速度を示す加速度信号として取得するハイパスフィルタ回路部(46)と、を有していることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体圧力センサ。 The pressure sensing unit (16) acquires a detection signal indicating a change in the capacitance,
The sensor unit (10) receives the detection signal from the pressure sensing unit (16), and acquires a low frequency component included in the detection signal as a pressure signal indicating the pressure; and a low-pass filter circuit unit (45) A high-pass filter circuit unit (46) for inputting the detection signal from the pressure sensing unit (16) and acquiring a high-frequency component included in the detection signal as an acceleration signal indicating acceleration. The semiconductor pressure sensor according to claim 1 or 2.
前記周辺部(17)は、前記圧力センシング部(16)及び前記加速度センシング部(49)の周囲にこれらを囲むように形成されており、
前記加速度センシング部(49)は、前記センサ部(10)と前記キャップ部(11)との間に構成された気密室(57)に封止されており、
さらに、前記加速度センシング部(49)は、前記第1絶縁層(13)から離間した第2可動電極(51)を有する第2可動部(52)と、前記第2可動電極(51)に対向すると共に前記第2絶縁層(42)を介して前記第1導電層(12)に固定された第2固定電極(54)を有する第2固定部(55)と、を有し、前記第2可動電極(51)が加速度を受けて前記第2固定電極(54)に対して変位することで前記第2可動電極(51)と前記第2固定電極(54)との間の静電容量の変化に基づいて加速度を検出するようになっていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体圧力センサ。 The second conductive layer (14) has an acceleration sensing part (49) for detecting acceleration,
The peripheral part (17) is formed around the pressure sensing part (16) and the acceleration sensing part (49) so as to surround them,
The acceleration sensing part (49) is sealed in an airtight chamber (57) formed between the sensor part (10) and the cap part (11),
Further, the acceleration sensing part (49) is opposed to the second movable part (52) having a second movable electrode (51) spaced apart from the first insulating layer (13), and the second movable electrode (51). And a second fixing portion (55) having a second fixed electrode (54) fixed to the first conductive layer (12) through the second insulating layer (42), and the second fixing portion (55). The movable electrode (51) receives an acceleration and is displaced with respect to the second fixed electrode (54), whereby the capacitance between the second movable electrode (51) and the second fixed electrode (54) is increased. The semiconductor pressure sensor according to claim 1, wherein acceleration is detected based on a change.
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