JP2015043446A

JP2015043446A - 積層セラミックコンデンサ

Info

Publication number: JP2015043446A
Application number: JP2014204463A
Authority: JP
Inventors: 敏宏原田; Toshihiro Harada
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2014-10-03
Filing date: 2014-10-03
Publication date: 2015-03-05

Abstract

【課題】外部電極の回り込み先端部の近傍からセラミック素体にクラックが発生することを抑制することが可能で、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】誘電体層１と、誘電体層間の複数の界面に配設された複数の内部電極２とを備えたセラミック素体１０と、内部電極と導通する外部電極５を備えた積層セラミックコンデンサ５０において、外部電極をＣｕ焼結金属層１２と、Ｃｕ焼結金属層を覆うように形成されたＮｉめっき層３３とを備えた構成とし、Ｃｕ焼結金属層の、セラミック素体１０の第１および第２の主面１１ａ，１１ｂ、および第１および第２の側面３１ａ，３１ｂに回り込んだ領域の先端側部分である回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２の、Ｎｉめっき層３３との界面に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＡを、回り込み先端部の内部に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＢよりも小さくする。【選択図】図１

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに関し、詳しくは、内部電極を備えたセラミック素体に、上記内部電極と導通するように外部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサに関する。

代表的なセラミック電子部品の一つに、例えば、特許文献１に開示されているような積層セラミックコンデンサがある。

この積層セラミックコンデンサは、図３に示すように、誘電体層であるセラミック層１０１を介して複数の内部電極１０２（１０２ａ，１０２ｂ）が積層されたセラミック積層体（セラミック素体）１１０の一対の端面１０３（１０３ａ，１０３ｂ）に、内部電極１０２（１０２ａ，１０２ｂ）と導通するように一対の外部電極１０４（１０４ａ，１０４ｂ）が配設された構造を有している。

そして、外部電極１０４（１０４ａ，１０４ｂ）は、例えば、Ｃｕ粉末を導電成分とする導電ペーストを焼き付けることにより形成された、セラミック素体１１０の端面１０３からその主面や側面に回り込むように形成された焼結金属層１０５（１０５ａ，１０５ｂ）と、その表面を覆うように形成されためっき層１０６（１０６ａ，１０６ｂ）から形成されている。

なお、めっき層１０６（１０６ａ，１０６ｂ）は、焼結金属層１０５（１０５ａ，１０５ｂ）の表面に形成されたＮｉめっき層１０７（１０７ａ，１０７ｂ）と、Ｎｉめっき層１０７（１０７ａ，１０７ｂ）の上に形成されたＳｎめっき層１０８（１０８ａ，１０８ｂ）とを備えている。

そして、特許文献１では、例えば、少なくともニッケル塩とハロゲン化合物とｐＨ緩衝剤とを含有し、ｐＨが２．２〜５．５に調整されたニッケルめっき液であって、ニッケルイオンｘとハロゲンイオンｙとのモル濃度比ｘ／ｙが、０．５＜ｘ／ｙ≦１．０であるＮｉめっき液を用いて、上記Ｎｉめっき層を形成するようにしており、被めっき物の導電部上に優先的にめっき析出が起こり、はんだ濡れ性を損なうことなく部品素体上へのめっき成長を抑制することができるとされている。

しかしながら、特許文献１に示されているような積層セラミックコンデンサでは、外部電極１０４がセラミック素体１１０の端面１０３から主面や側面にまで回り込むように形成されているとともに、焼結金属層１０５がめっき層１０６により被覆された構造を有しているので、セラミック素体１１０の主面および側面に回り込んだ外部電極１０４の回り込み先端部には、Ｎｉめっき層１０７からの引張り応力が加わり、外部電極１０４の回り込み先端部の近傍において、セラミック素体１１０にクラックが発生しやすくなるという問題点がある。

特開２００６−２１３９４６号公報

本発明は、上記課題を解決するものであり、セラミック素体の端面から、セラミック素体の主面や側面に回り込むように形成され、内部電極と導通する焼結金属層と、該焼結金属層を被覆するように形成されためっき層とを有する外部電極を備えた積層セラミックコンデンサであって、外部電極の回り込み先端部の近傍からセラミック素体にクラックが発生することを抑制することが可能で、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の積層セラミックコンデンサは、
誘電体セラミックからなる誘電体層と、前記誘電体層間の複数の界面に配設された複数の内部電極とを備えたセラミック素体であって、第１の主面および前記第１の主面と対向する第２の主面と、前記第１の主面に直交する第１の端面および前記第１の端面と対向する第２の端面と、前記第１の端面に直交する第１の側面および前記第１の側面と対向する第２の側面とを備える直方体形状を有し、前記複数の内部電極が交互に前記第１の端面および第２の端面に引き出されたセラミック素体と、
前記セラミック素体に、前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極と導通するように配設された一対の外部電極と
を備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記外部電極は、前記セラミック素体の前記第１および第２の端面から、前記第１および第２の主面、および前記第１および第２の側面に回り込むように形成されたＣｕ焼結金属層と、前記Ｃｕ焼結金属層を覆うように形成されたＮｉめっき層とを備え、
前記Ｃｕ焼結金属層の、前記セラミック素体の前記第１および第２の主面、および前記第１および第２の側面に回り込んだ領域の先端側部分である回り込み先端部の、前記Ｎｉめっき層との界面に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＡが、前記回り込み先端部の内部に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＢよりも小さいこと
を特徴としている。

また、本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、前記Ｎｉめっき層の、前記Ｃｕ焼結金属層の前記回り込み先端部との界面に存在するＮｉ結晶粒子の大きさＣが、前記Ｃｕ焼結金属層の前記回り込み先端部の内部に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＢよりも小さいことが好ましい。

Ｎｉめっき層の、Ｃｕ焼結金属層の回り込み先端部との界面に存在するＮｉ結晶粒子の大きさＣが、Ｃｕ焼結金属層の回り込み先端部の内部に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＢよりも小さくなるようにした場合、Ｎｉめっき層に発生する引張り応力を小さくして、外部電極の回り込み先端部近傍にクラックが発生することを抑制、防止することが可能になる。

なお、Ｃｕ焼結金属層の回り込み先端部の、Ｎｉめっき層との界面に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＡが小さくなると、その影響を受けて、Ｎｉ粒子の大きさＣが小さくなり、その結果、Ｎｉめっき層に発生する引張り応力が小さくなり、外部電極の回り込み先端部近傍へのクラックの発生が抑制される。

また、前記Ｃｕ焼結金属層の前記回り込み先端部の厚みが、０．５μｍ以上であることが望ましい。

Ｃｕ焼結金属層の前記回り込み先端部の厚みを、０．５μｍ以上とすることにより、Ｎｉ結晶粒子の大きさＣを小さくする効果を得ることが可能になり、本発明をより実効あらしめることができる。

本発明の積層セラミックコンデンサでは、Ｃｕ焼結金属層の、セラミック素体の第１および第２の主面、および第１および第２の側面に回り込んだ領域の先端側部分である回り込み先端部の、Ｎｉめっき層との界面に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＡを、回り込み先端部の内部に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＢよりも小さくするようにしているので、Ｃｕ焼結金属層の、Ｎｉめっき層との界面のＣｕ結晶粒子の大きさが小さいことによる影響により、Ｎｉめっき層の、Ｃｕ焼結金属層の回り込み先端部との界面に存在するＮｉ結晶粒子の大きさＣを小さくすることが可能になる。
そのため、Ｎｉめっき層に発生する引張り応力を小さくして、外部電極の回り込み先端部近傍へのクラックの発生を抑制することが可能になる。

本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの構成を示す正面断面図である。本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの外観構成を示す斜視図である。従来の積層セラミックコンデンサの外部電極の構成を示す正面断面図である。

以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。

図１は、本発明の一実施形態（実施形態１）にかかる積層セラミックコンデンサ５０の構成を示す正面断面図、図２は積層セラミックコンデンサ５０の外観構成を示す斜視図である。

この積層セラミックコンデンサ５０は、図１および２に示すように、誘電体セラミックからなる誘電体層１と、誘電体層１間の複数の界面に配設された複数の内部電極２（２ａ，２ｂ）とを備えたセラミック素体１０と、セラミック素体１０の外表面に、内部電極２（２ａ，２ｂ）と導通するように配設された一対の外部電極５（５ａ，５ｂ）を備えている。
また、内部電極２（２ａ，２ｂ）と、後述するセラミック素体１０の第１の主面１１ａおよび第２の主面１１ｂとの間には、補助電極６（６ａ，６ｂ）が配設されている。補助電極６（６ａ，６ｂ）は、隣り合う内部電極２（２ａ，２ｂ）と同電位の外部電極と導通されている。ただし外部電極と導通していなくてもよい。
また、上記補助電極６（６ａ，６ｂ）を備えていない構成とすることも可能である。

セラミック素体１０を構成する誘電体層１は、ＢａＴｉＯ₃系のセラミック誘電体から形成されている。なお、ＢａＴｉＯ₃のＴｉ１００モル部に対して、Ｄｙが１．０モル部、Ｍｇが１．３モル部となるように添加し、さらにＭｎを添加している。
なお、誘電体層１は、ＢａＴｉＯ₃系のセラミック誘電体に限らず、ＣａＺｒＯ₃系などの他のセラミック誘電体から形成されていてもよい。
また、内部電極２は、ＮｉもしくはＣｕなどの卑金属を主成分とする金属層である。

セラミック素体１０は、直方体形状を有しており、第１の主面１１ａおよび第１の主面１１ａと対向する第２の主面１１ｂと、第１の主面１１ａに直交する第１の端面２１ａおよび第１の端面２１ａと対向する第２の端面２１ｂと、第１の端面２１ａに直交する第１の側面３１ａおよび第１の側面３１ａと対向する第２の側面３１ｂとを備えている。

なお、第１の主面１１ａと第２の主面１１ｂを結ぶ方向を高さ方向とした場合に、この高さ方向が誘電体層１および内部電極２（２ａ，２ｂ）の積層方向となる。

第１の端面２１ａと第２の端面２１ｂには、複数の内部電極２（２ａ，２ｂ）が交互に引き出されており、第１の端面２１ａには内部電極２ａが引き出され、第２の端面２１ｂには内部電極２ｂが引き出されている。

この積層セラミックコンデンサ５０において、外部電極５（５ａ，５ｂ）は、Ｃｕ焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）と、めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）とを備えた構造とされている。

また、この積層セラミックコンデンサ５０において、上述の補助電極６（６ａ，６ｂ）と、その外側のセラミック層（すなわち、第１の主面１１ａおよび第２の主面１１ｂ側のセラミック層）との境界には、ＭｇとＭｎを含有した境界層が６９％以上に設けられている。また、補助電極６（６ａ，６ｂ）は、その連続性が６０％以上である。さらに、連続性が途切れている領域である欠損部の３９％以上にＳｉを含む偏析物が存在している。補助電極６（６ａ，６ｂ）は、第１の主面１１ａ側のみに設けられていてもよく、第２の主面１１ｂ側のみに設けられていてもよい。補助電極６（６ａ，６ｂ）はそれぞれ複数備えていてもよい。なお、境界層中におけるＭｇ含有量に対するＭｎ含有量のモル比Ｍｎ／Ｍｇは特に限定されるものではないが、Ｍｎ／Ｍｇ＝０．００５〜０．７の範囲にあることが、特に好ましい。

この補助電極６（６ａ，６ｂ）の境界層の存在は以下のようにして確認した。まず、積層セラミックコンデンサを、長さ方向と厚み方向により規定される面が露出するような態様で、研磨機により研磨した。このとき、積層セラミックコンデンサの幅方向の１／２程度の深さまで研磨を行った後、研磨による内部電極のダレを除去した。

それから、上述のようにして研磨した研磨端面において、積層セラミックコンデンサの長さ方向の中央部の位置において、内部電極２とほぼ直交する直線を引く（想定する）。そして、補助電極６（６ａ，６ｂ）の境界部分と上記直線とが直交する領域（境界層）を電子顕微鏡を用いて倍率１万倍で観察した。そして、この実施形態では、観察視野の幅を１０μｍとし、ＦＥ−ＷＤＸにて観察を行うことにより、補助電極６（６ａ，６ｂ）の境界層の存在を確認した。

また、内部電極２（２ａ，２ｂ）の厚みの平均値は以下のようにして求めた。
まず、上記研磨端面を厚み方向に３等分に分割し、上部領域、中間領域、下部領域の３つの領域に分割した。そして、各領域において、最外の内部電極２を除いて、上記の直線と直交する位置の内部電極２の厚みを、それぞれ無作為に５層ずつ測定して、その平均値を求めた。なお、内部電極の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。ただし、内部電極が欠落しているなどの理由で測定できない部分は測定対象から除いた。

また、誘電体層１の厚みは、上記の上部領域、中間領域、下部領域の３つの領域において、上記の直線と直交する位置の誘電体層１の厚みをそれぞれ無作為に５層ずつ測定して、その平均値を求めた。なお、誘電体層の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。

ただし、積層方向の最も外側に位置する最外層の内部電極２の外側に位置する最外誘電体層、および、内部電極が欠損していることにより２層以上の誘電体層が繋がって観察されるなどの理由により測定できない部分は測定対象から除いた。

Ｃｕ焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）は、セラミック素体１０の第１の端面２１ａおよび第２の端面２１ｂから、セラミック素体１０の第１および第２の主面１１ａ，１１ｂ、および第１および第２の側面３１ａ，３１ｂに回り込むように形成されている。

めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）は、Ｃｕ焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の全体を覆うように形成されている。
また、この実施形態では、めっき層３２（３２ａ，３２ｂ）は、Ｃｕ焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）上に形成されたＮｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）と、Ｎｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）上に形成されたＳｎめっき層３４（３４ａ，３４ｂ）を備えた２層構造のめっき層とされている。

このＣｕ焼結金属層１２は、Ｃｕを導電成分とする導電ペーストをセラミック素体１０に塗布して、焼き付けることにより形成された焼き付け電極（厚膜電極）である。

この実施形態では、積層セラミックコンデンサ５０として、
（ａ）外部電極を含めた寸法が、長さ（Ｌ）：１．０ｍｍ、幅（Ｗ）：０．５ｍｍ、高さ（Ｔ）：０．５ｍｍの積層セラミックコンデンサと、
（ｂ）外部電極を含めた寸法が、長さ（Ｌ）：２．０ｍｍ、幅（Ｗ）：１．２ｍｍ、高さ（Ｔ）：１．２ｍｍの積層セラミックコンデンサと
を作製した。

ただし、本発明は上述のような寸法の積層セラミックコンデンサに限られるものではなく、異なる寸法の積層セラミックコンデンサにも適用することが可能である。

また、上述のような寸法の積層セラミックコンデンサの場合、通常、Ｃｕ焼結金属層１２の厚みが０．５μｍ〜１０μｍの範囲にあることが望ましい。
ただし、Ｃｕ焼結金属層１２の厚みは上述の範囲に限られるものではなく、他の厚みとすることも可能である。

そして、この実施形態の積層セラミックコンデンサ５０においては、Ｃｕ焼結金属層１２の、セラミック素体１０の第１および第２の主面１１ａ，１１ｂ、および第１および第２の側面３１ａ，３１ｂに回り込んだ領域の先端側部分である回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２における、Ｎｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）との界面に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＡが、回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２の内部に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＢよりも小さくなるように構成されている。

なお、本発明において、Ｃｕ焼結金属層の先端部Ｒ１，Ｒ２の、Ｎｉめっき層との界面に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＡとは、回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２の表面から０．８ｎｍ以内に存在するＣｕ粒子結晶の大きさをいう。

また、回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２の内部に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＢとは、回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２の表面から、回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２の厚みｔの約１／２の深さの位置に存在するＣｕ結晶粒子の大きさを意味するものである。

また、この実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ５０において、Ｃｕ焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２の厚みｔは１．０μｍとされている。

そして、この実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ５０においては、Ｎｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）の、Ｃｕ焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２との界面に存在するＮｉ結晶粒子の大きさＣが、Ｃｕ焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２の内部に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＢよりも小さくなるように構成されている。

なお、Ｎｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）は、Ｃｕ焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）上にめっきにより形成されるが、Ｎｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）の、Ｃｕ焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２との界面に存在するＮｉ結晶粒子の大きさＣは、Ｃｕ焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２の、Ｎｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）との界面に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＡに依存する。

したがって、Ｎｉめっき層との界面に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＡを小さくすることにより、Ｎｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）の、Ｃｕ焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２との界面に存在するＮｉ結晶粒子の大きさＣを、回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２の内部に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＢよりも小さくすることが可能になる。

そして、このように上記界面に存在するＣｕ結晶粒子Ａと、Ｎｉ結晶粒子の大きさＣを、回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２の内部に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＢより小さくすることで、Ｎｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）に生じる引っ張り応力を緩和することが可能になる。

また、上記Ｃｕ焼結金属層１２（１２ａ，１２ｂ）の回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２の厚みｔが０．５μｍ未満の場合は、Ｎｉめっき層３３（３３ａ，３３ｂ）のＮｉ結晶粒子の大きさＣを小さくする効果が十分に得られず、クラックが発生しやすくなる。

なお、Ｃｕ結晶粒子の大きさＡ，Ｂ、およびＮｉ結晶粒子の大きさＣは、回り込み先端部Ｒ１，Ｒ２の近傍の断面をＦＩＢ（集束イオンビーム）で微細加工処理し、ＳＩＭ（走査イオン顕微鏡）により観察することで測定することが可能である。

次に、この積層セラミックコンデンサ５０の製造方法について説明する。
まず、ＢａＴｉＯ₃もしくはＣａＺｒＯ₃を主成分とする誘電体セラミック粉末にバインダーと溶剤を配合して分散させたセラミック原料スラリーを、ＰＥＴフィルムなどの樹脂フィルム上に薄く伸ばしてシート状に成形することにより、セラミックグリーンシートを作製する。

それから、セラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷、グラビア印刷などの方法を用いて、導電ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。そして、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、内部電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシート（外層用セラミックグリーンシート）を、所定の順序で、所定枚数積み重ねる。

そして、得られた積層ブロックを、プレスして、各セラミックグリーンシートを圧着する。積層ブロックをプレスするにあたっては、例えば、圧着ブロックを樹脂フィルムで挟み、静水圧プレスなどの方法によりプレスを行う。

その後、プレスされた積層圧着体を、押切り、切削などの方法を用いて、直方体形状のチップ（個片）に分割する。

次に、分割されたチップ（焼成後にセラミック素体１０（図１）となる個片）を、所定の温度に加熱してバインダーを除去した後、例えば、９００〜１０００℃で本焼成を行い、直方体形状のセラミック素体を得る。

それから、このセラミック素体の他方端面側を保持し、Ｃｕ粉末を導電成分とする導電ペーストを定盤上に塗布することにより形成した導電ペースト層に、セラミック素体の一方端面を浸漬することで、セラミック素体の一方端面に、焼き付け後にＣｕ焼結金属層となる導電ペーストを塗布し、乾燥する。

次に、セラミック素体の他方端面についても、同様の方法で、Ｃｕ焼結金属層となる導電ペーストを塗布し、乾燥する。

それから、上述のようにして付与したセラミック素体の一方端部および他方端部の導電ペーストを焼き付けることにより、Ｃｕ焼結金属層を形成する。

次に、バレルに、Ｃｕ焼結金属層を形成したセラミック素体と、研磨メディアとを投入し、乾式のバレル研磨を行うことで、Ｃｕ焼結金属層の表面のＣｕ結晶粒子のサイズを小さくする。

なお、４０分以上、上述の乾式バレル研磨を行うことにより、Ｃｕ焼結金属層の表面のＣｕ結晶粒子の大きさを、必要な大きさにまで小さくすることができる。

乾式バレル研磨の時間を調整してＣｕ焼結金属層の表面のＣｕ結晶粒子の大きさを所定の大きさに調整した後、Ｃｕ焼結金属層上に、ＮｉめっきおよびＳｎめっきの順でめっきを行い、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を形成する。
これにより、図１および２に示すような構造を備えた本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ５０が得られる。

＜試験＞
本発明の効果を確認するため、以下に説明する方法で積層セラミックコンデンサを作製し、得られた積層セラミックコンデンサを試料として、以下の試験を行った。

まず、焼成後の誘電体層の厚みが０．８μｍ、内部電極の厚みが０．６６μｍとなるように、所定の厚みを有するセラミックグリーンシートに導電ペーストを印刷した。それから、このセラミックグリーンシートを４００層積層した。

さらに、内部電極が形成されていない外層用のセラミックグリーンシートを、焼成後に厚みが１８μｍの外層が形成されるように積層して、圧着することにより、外層部を備えた積層圧着体を形成した。

そして、積層圧着体をカットして、焼成後のセラミック素体の寸法が、長さ：１．０ｍｍ、幅：０．５ｍｍ、高さ：０．５ｍｍとなるように分割し、上記実施形態で示した方法と同様の方法で、Ｃｕ焼結金属層の表面のＣｕ結晶粒子の大きさを、必要な大きさにまで小さくする工程を経て、図１に示すような構造を有する試験用の積層セラミックコンデンサ（実施例としての試料）を作製した。

また、比較のため、Ｃｕ焼結金属層の表面のＣｕ結晶粒子の大きさを、必要な大きさにまで小さくする工程を実施せず、その他は上記実施例の積層セラミックコンデンサの場合と同じ方法、条件で、比較例としての積層セラミックコンデンサ（試料）を作製した。

そして、上述のようにして作製した実施例の積層セラミックコンデンサ（試料）と、比較例の積層セラミックコンデンサを、それぞれ２０個、基板のランド上にはんだ付け実装した後、基板を撓ませて、クラックの発生の有無を調べた。

その結果、比較例の試料の場合、２０個のうち１２個の試料について、セラミック素体の、Ｃｕ焼結金属層の回り込み先端部の近傍でクラックが発生することが確認された。

これは、Ｃｕ焼結金属層の回り込み先端部の、Ｎｉめっき層との界面におけるＣｕ結晶粒子の大きさが大きく、Ｎｉめっき層のＮｉ結晶粒子もその影響を受けて大きくなることから、Ｎｉめっき層に発生する引張り応力が大きくなり、Ｃｕ焼結金属層の回り込み先端部の近傍において、セラミック素体にクラックが発生したものと考えられる。

一方、本発明の実施例にかかる試料の場合、２０個の試料のいずれについてもクラックの発生は認められなかった。

これは、Ｃｕ焼結金属層の回り込み先端部の、Ｎｉめっき層との界面におけるＣｕ結晶粒子が小さくなるように乾式バレル研磨を施したことから、Ｎｉめっき層のＮｉ結晶粒子もその影響を受けて小さくなり、Ｎｉめっき層に生じる引張り応力が小さくなったことによるものと考えられる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。

１誘電体層
２（２ａ，２ｂ）内部電極
５（５ａ，５ｂ）外部電極
６（６ａ，６ｂ）補助電極
１０セラミック素体
１１ａセラミック素体の第１の主面
１１ｂセラミック素体の第２の主面
１２（１２ａ，１２ｂ）Ｃｕ焼結金属層
２１ａセラミック素体の第１の端面
２１ｂセラミック素体の第２の端面
３１ａセラミック素体の第１の側面
３１ｂセラミック素体の第２の側面
３２（３２ａ，３２ｂ）めっき層
３３（３３ａ，３３ｂ）Ｎｉめっき層
３４（３４ａ，３４ｂ）Ｓｎめっき層
Ａ積層セラミックコンデンサ
Ｒ１，Ｒ２Ｃｕ焼結金属層の回り込み先端部
Ｌ積層セラミックコンデンサの長さ
Ｔ積層セラミックコンデンサの高さ
Ｗ積層セラミックコンデンサの幅
ｔ回り込み先端部の厚み

Claims

誘電体セラミックからなる誘電体層と、前記誘電体層間の複数の界面に配設された複数の内部電極とを備えたセラミック素体であって、第１の主面および前記第１の主面と対向する第２の主面と、前記第１の主面に直交する第１の端面および前記第１の端面と対向する第２の端面と、前記第１の端面に直交する第１の側面および前記第１の側面と対向する第２の側面とを備える直方体形状を有し、前記複数の内部電極が交互に前記第１の端面および第２の端面に引き出されたセラミック素体と、
前記セラミック素体に、前記第１の端面および第２の端面に引き出された前記内部電極と導通するように配設された一対の外部電極と
を備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記外部電極は、前記セラミック素体の前記第１および第２の端面から、前記第１および第２の主面、および前記第１および第２の側面に回り込むように形成されたＣｕ焼結金属層と、
前記Ｃｕ焼結金属層を覆うように形成されたＮｉめっき層とを備え、
前記Ｃｕ焼結金属層の、前記セラミック素体の前記第１および第２の主面、および前記第１および第２の側面に回り込んだ領域の先端側部分である回り込み先端部の、前記Ｎｉめっき層との界面に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＡが、前記回り込み先端部の内部に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＢよりも小さいこと
を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
前記Ｎｉめっき層の、前記Ｃｕ焼結金属層の前記回り込み先端部との界面に存在するＮｉ結晶粒子の大きさＣが、前記Ｃｕ焼結金属層の前記回り込み先端部の内部に存在するＣｕ結晶粒子の大きさＢよりも小さいことを特徴とする請求項１の積層セラミックコンデンサ。
前記Ｃｕ焼結金属層の前記回り込み先端部の厚みが、０．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１または２記載の積層セラミックコンデンサ。