JP2015038551A

JP2015038551A - 液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器

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Publication number: JP2015038551A
Application number: JP2013169429A
Authority: JP
Inventors: 重樹小林; Shigeki Kobayashi
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2013-08-19
Filing date: 2013-08-19
Publication date: 2015-02-26

Abstract

【課題】表示品質を向上させることが可能な液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１マザー基板上にシール材１４を形成する工程と、シール材１４で囲まれた領域に液晶を供給する工程と、第１マザー基板と、第１マザー基板と対向配置される第２マザー基板とを貼り合わせる工程と、を含み、第１マザー基板には、外部接続用端子６１が設けられる領域を有し、シール材１４は、外部接続用端子６１に沿う第１シール部１４ａと、第１シール部１４ａと対向する第２シール部１４ｂと、第１シール部１４ａ及び第２シール部１４ｂと交差する方向に配置される第３シール部１４ｃと、第３シール部１４ｃと対向する第４シール部１４ｄと、を含んで構成され、第１シール部１４ａ及び第２シール部１４ｂの太さは、第３シール部１４ｃ及び第４シール部１４ｄの太さより太い。
【選択図】図８

Description

本発明は、液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器に関する。

上記液晶装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやライトバルブなどにおいて用いられている。

液晶装置は、素子基板と対向基板とがシール材を介して貼り合わされている。シール材で囲まれた領域には、液晶層が配置されている。液晶装置の製造方法は、例えば、特許文献１に記載のように、まず、素子基板上にシール材を塗布する。次に、シール材で囲まれた領域に液晶を滴下する。その後、真空中において、素子基板と対向基板とを貼り合わせる。

特開２０１０−２６３７２号公報

しかしながら、大型基板において複数の液晶装置を同時に形成する方法の場合、真空中で大型の素子基板と大型の対向基板とを貼り合わせた際、隣り合う液晶装置のシール材と液晶装置のシール材との間隔が広い部分と狭い部分とでは、シール材のつぶれ量にばらつきが生じ、セルギャップが均一にならないという課題がある。

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１基板の上にシール材を形成する工程と、前記シール材で囲まれた領域に液晶を供給する工程と、前記第１基板と、第２基板とを貼り合わせる工程と、を含み、前記第１基板は、実装端子を有し、前記シール材は、前記実装端子に沿う第１シール部と、前記第１シール部と対向する第２シール部と、前記第１シール部及び前記第２シール部と交差する方向に配置される第３シール部と、前記第３シール部と対向する第４シール部と、を含み、前記第１シール部及び前記第２シール部の太さは、前記第３シール部及び前記第４シール部の太さより太いことを特徴とする。

本適用例によれば、第１基板及び第２基板に複数の液晶装置を同時に形成する場合、実装端子の領域を有する分、一方の液晶装置となる第１シール部と隣りの他方の液晶装置となる第２シール部との間隔が、第３シール部と隣りの第４シール部との間隔より広くなるので、第１シール部と第２シール部との間の領域において第２基板が撓みやすくなる。しかし、第１シール部及び第２シール部の太さが、第３シール部及び第４シール部の太さより太いので、真空中において第１基板と第２基板とを貼り合わせた際、間隔が広い部分で第２基板が撓もうとしても、第１シール部及び第２シール部の潰れ量と、第３シール部及び第４シール部の潰れ量とを、略同じにすることができる。これにより、全体のセルギャップを略均一にすることが可能となり、表示品質を向上させることができる。

［適用例２］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１基板及び前記第２基板は、石英基板であることが好ましい。

本適用例によれば、第１基板及び第２基板が石英基板であり、フレキシブル基板などと比較して硬い材料であるので、第１基板と第２基板とを真空吸着させた際、シール材が潰れやすくなるものの、第１シール部及び第２シール部の太さが太いので、シール材が極端に潰れることを抑えることができる。

［適用例３］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記液晶を供給する工程は、前記シール材で囲まれた領域に前記液晶を滴下することが好ましい。

本適用例によれば、液晶滴下方式において、シール材が固まっていない状態であっても、弱い部分のシール材が太いので、第１基板と第２基板とを貼り合せた際、第１シール部及び第２シール部が極端に潰れることを抑えることができる。

［適用例４］本適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板の上に配置されたシール材と、前記シール材を介して前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、を含み、前記第１基板は、実装端子を有し、前記シール材は、前記実装端子に沿う第１シール部と、前記第１シール部と対向する第２シール部と、前記第１シール部及び前記第２シール部と交差する方向に配置される第３シール部と、前記第３シール部と対向する第４シール部と、を含み、前記第１シール部及び前記第２シール部の太さは、前記第３シール部及び前記第４シール部の太さより太いことを特徴とする。

［適用例５］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１基板及び前記第２基板は、石英基板であることが好ましい。

［適用例６］上記適用例に係る液晶装置において、前記液晶層は、液晶滴下法を用いて前記シール材で囲まれた領域に配置されていることが好ましい。

［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、セルギャップを均一に保ち、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

マザー基板の構成を示す模式平面図。図１に示すマザー基板のＡ部を拡大して示す拡大平面図。液晶装置の構成を示す模式平面図。図３に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図。シール材を介して一対のマザー基板を貼り合せた状態の大型基板の構成を示す模式平面図。図７に示す大型基板のＢ部を拡大して示す拡大平面図。（ａ）は図８に示す大型基板のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図、（ｂ）は図８に示す大型基板のＢ−Ｂ’線に沿う模式断面図。液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

本実施形態では、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

＜液晶装置を含む大型基板の構成＞
図１は、大型基板の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す大型基板のＡ部を拡大して示す拡大平面図である。以下、大型基板の構成を、図１及び図２を参照しながら説明する。

図１に示すように、大型基板５００は、例えば、液晶装置１００（図３参照）を複数同時に製造するために用いられるものであり、液晶装置１００を構成する一対の基板のうち一方の基板（例えば、素子基板）が複数個分、マトリックス状に面付けされている。大型基板５００の大きさは、例えば、８インチである。大型基板５００のうち一方の基板の厚みは、例えば、１．２ｍｍである。大型基板５００の材質は、例えば、石英である。

図２に示すように、各液晶装置１００には、表示領域Ｅの周辺に、周辺回路としてのデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４、及び実装端子としての外部接続用端子６１が形成されている。データ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４と外部接続用端子６１とは、互いに配線２９によって、電気的に接続されている。以下、大型基板５００に各種処理を施し、最終的に形成される液晶装置１００の構造について説明する。

＜液晶装置の構成＞
図３は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図４は、図３に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図５は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図３〜図５を参照しながら説明する。

図３及び図４に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。

シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（ガラスビーズ）が混入されている。ガラスビーズは、セルギャップを出すために用いられる。

シール材１４の内側には、表示に寄与する複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅの周囲には、表示に寄与しないダミー画素領域（図示せず）が設けられている。また、図３及び図４では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図３では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に設けてもよい。

図４に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。

また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜２８を含むものである。

対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光膜１８、対向電極３１、配向膜３２を含むものである。

遮光膜１８は、図３に示すように表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁層３３を覆うと共に、図３に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極２７を覆う配向膜２８および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜２８，３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた配向膜が挙げられる。

このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。

図５に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。

走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図３参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図３参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。

＜液晶装置を構成する画素の構成＞
図６は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置のうち画素の構造を、図６を参照しながら説明する。なお、図６は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。

図６に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、石英基板等によって構成されている。

図６に示すように、第１基材１０ａ上には、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）等の材料を含む下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Ｐの開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、導電性を有し、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、酸化シリコン等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。

下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。

半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。

チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。

ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇ上には、酸化シリコン等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。

誘電体膜１６ｃは、例えば、シリコン窒化膜である。第２容量電極１６ｂ（容量線３ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。

第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。

容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、ゲート絶縁層１１ｇ、第１層間絶縁層１１ｂ、誘電体膜１６ｃ、及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ２を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。

データ線６ａの上層には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。なお、第３層間絶縁層１１ｄの上層表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等の平坦化処理が施されている。

画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ４、コンタクトホールＣＮＴ３、第１容量電極１６ａを介してコンタクトホールＣＮＴ１に接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電膜から形成されている。

画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。配向膜２８上には、シール材１４（図３及び図４参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。

一方、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、例えば、ＰＳＧ膜（リンをドーピングした酸化シリコン）などからなる絶縁層３３が設けられている。絶縁層上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる。

液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、素子基板１０と対向基板２０の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。

図７は、シール材を介して一対のマザー基板を貼り合せた状態の大型基板の構成を示す模式平面図である。図８は、図７に示す大型基板のＢ部を拡大して示す拡大平面図である。図９（ａ）は、図８に示す大型基板のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。図９（ｂ）は、図８に示す大型基板のＢ−Ｂ’線に沿う模式断面図である。以下、大型基板の構成を、図７〜図９を参照しながら説明する。なお、図７及び図８に示すように、シール材を実線で表示して説明する。

図７に示すように、大型基板５００は、液晶装置１００の表示領域Ｅを囲むようにシール材１４が設けられている。Ｘ方向において、隣り合う第１の液晶装置１０１のシール材１４と、第２の液晶装置１０２のシール材１４との間隔Ｗ２は、液晶装置１００がより多く製造できるように、なるべく近づくように配置されている。一方、Ｙ方向において、隣り合う第１の液晶装置１０１のシール材１４と、第３の液晶装置１０３のシール材１４との間隔Ｗ１は、なるべく近づくように配置したいものの、外部接続用端子６１が配置される領域を残すため、間隔Ｗ２より広くなっている。

図８に示すように、シール材１４は、外部接続用端子６１に沿う第１シール部１４ａと、第１シール部１４ａと対向する第２シール部１４ｂと、第２シール部１４ｂと交差する方向に配置される第３シール部１４ｃと、第３シール部１４ｃと対向する第４シール部１４ｄと、を含んで構成されている。

第１シール部１４ａ及び第２シール部１４ｂの太さｄ１は、第３シール部１４ｃ及び第４シール部１４ｄの太さｄ２よりも太くなるように形成されている。

なお、上記したように、第１の液晶装置１０１のシール材１４と第２の液晶装置１０２のシール材１４との間隔Ｗ２は、第１の液晶装置１０１のシール材１４と第３の液晶装置１０３のシール材１４との間隔Ｗ１よりも狭い（シール密度が高い）。言い換えれば、間隔Ｗ１は、外部接続用端子６１の領域を含むため、間隔Ｗ２よりも広くなるように形成されている。

よって、図９に示すように、第１基板としての第１マザー基板５１０と第２基板としての第２マザー基板５２０とを貼り合せた際、間隔Ｗ１の空洞領域（液晶層１５のない領域）の広さは、間隔Ｗ２の空洞領域（液晶層１５のない領域）の広さよりも広くなる。これにより、真空環境下で第１マザー基板５１０と第２マザー基板５２０とを貼り合せた際、空洞領域の広い間隔Ｗ１の部分の第２マザー基板５２０が撓みやすくなる。

しかしながら、間隔Ｗ１に係わる第１シール部１４ａと第２シール部１４ｂとの太さｄ１を、間隔Ｗ２の太さｄ２よりも太く形成するので、第１シール部１４ａ及び第２シール部１４ｂが潰れることを抑えることができる。つまり、第１シール部１４ａ及び第２シール部１４ｂの潰れ量と、第３シール部１４ｃ及び第４シール部１４ｄの潰れ量とを、略同じにすることができる。よって、一対のマザー基板５１０，５２０間のセルギャップを均一に形成することができる。

＜液晶装置の製造方法＞
図１０は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図１１及び図１２は、液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図１０〜図１２を参照しながら説明する。

最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ１１では、石英基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０を形成する。具体的には、まず、第１基材１０ａ上に、アルミニウムなどからなる下側遮光膜３ｃ（走査線）を成膜する。その後、周知の成膜技術を用いて、シリコン酸化膜などからなる下地絶縁層１１ａを成膜する。

次に、下地絶縁層１１ａ上に、ＴＦＴ３０を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、ＴＦＴ３０を形成する。

ステップＳ１２では、画素電極２７を形成する。具体的には、ＴＦＴ３０の上層に形成された絶縁層１１（１１ｂ〜１１ｄ）上にＩＴＯ膜を成膜し、ＩＴＯ膜をパターニングすることにより画素電極２７を形成する。

ステップＳ１３では、配向膜２８を形成する。具体的には、例えば、画素電極２７などを覆うように配向膜２８を形成する。配向膜２８の製造方法としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。以上により、素子基板１０側が完成する。

次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、石英基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１を形成する。具体的には、ＩＴＯなどの透明導電性膜をスパッタし、これをエッチングすることによって形成することができる。

ステップＳ２２では、対向電極３１上に配向膜３２を形成する。配向膜３２の製造方法は、配向膜２８と場合と同様であり、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０（第１マザー基板）と対向基板２０（第２マザー基板）とを貼り合わせる方法を説明する。

ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。詳しくは、図１１に示すように、素子基板１０と、例えばディスペンサー４１（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（表示領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。シール材１４としては、例えば、紫外線硬化型エポキシ樹脂が挙げられる。

図８に示すシール材１４のように、第１シール部１４ａ及び第２シール部１４ｂの太さｄ１と、第３シール部１４ｃ及び第４シール部１４ｄの太さｄ２とを変える方法として、例えば、Ａ及びＢの２つの方法がある。

Ａの方法として、シール材１４を押し出す圧力を調整することにより、シール材１４の太さｄ１及びｄ２を変える。

Ｂの方法として、ディスペンサー４１の描画速度を調整することにより、シール材１４の太さｄ１及びｄ２を変える。

ステップＳ３２では、シール材１４で囲まれた中に液晶１５ａを滴下する。具体的には、液晶滴下方式（ＯＤＦ（One Drop Fill）方式）を用いる。滴下する方法としては、例えば、インクジェットヘッドなどを用いることができる。また、液晶１５ａは、シール材１４によって囲まれた領域（表示領域Ｅ）の中央部に滴下することが望ましい。

ステップＳ３３では、図１２に示すように、例えば、減圧状態で第１マザー基板５１０と第２マザー基板５２０とを貼り合わせる。具体的には、第１シール部１４ａ〜第４シール部１４ｄを含むシール材１４を介して貼り合わせる。

このとき、図１２に示すように、間隔Ｗ１の空洞領域の広さは、間隔Ｗ２の空洞領域の広さよりも広いので、間隔Ｗ１の部分の第２マザー基板５２０が撓みやすくなる。つまり、第１シール部１４ａ及び第２シール部１４ｂを潰す力が大きくなる。

しかしながら、間隔Ｗ１に係わる第１シール部１４ａと第２シール部１４ｂとの太さｄ１を、太さｄ２よりも太く形成するので、第１シール部１４ａ及び第２シール部１４ｂが潰れることを抑えることができる。つまり、第１シール部１４ａ及び第２シール部１４ｂの潰れ量と、第３シール部１４ｃ及び第４シール部１４ｄの潰れ量とを、略同じにすることができる。よって、一対の基板間（５１０，５２０）のセルギャップを均一に形成することができる。

ステップＳ３４では、貼り合わせた一対のマザー基板（５１０，５２０）を切断して、個々の液晶装置１００を完成させる。具体的には、一対のマザー基板（５１０，５２０）を貼り合せた後、シール材１４を硬化させる。その後、貼り合わされている大型基板５００を液晶装置１００の単位ごとに切り出す。以上により、液晶装置１００が完成する。

＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１３を参照しながら説明する。図１３は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。

図１３に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０を用いているので、高い信頼性を得ることができる。

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。

以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１００の製造方法、液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）本実施形態の液晶装置１００の製造方法、液晶装置１００によれば、第１マザー基板５１０及び第２マザー基板５２０に複数の液晶装置１００を同時に形成する場合、外部接続用端子６１の領域を有する分、第１シール部１４ａと隣りの第２シール部１４ｂとの間隔が、第３シール部１４ｃと隣りの第４シール部１４ｄとの間隔より広くなるので、第１シール部１４ａと第２シール部１４ｂとの間の領域において第２マザー基板５２０が撓みやすくなる。しかし、第１シール部１４ａ及び第２シール部１４ｂの太さｄ１が、第３シール部１４ｃ及び第４シール部１４ｄの太さｄ２より太いので、真空中（真空吸着）において第１マザー基板５１０と第２マザー基板５２０とを貼り合わせた際、間隔が広い部分で第２マザー基板５２０が撓もうとしても、第１シール部１４ａ及び第２シール部１４ｂの潰れ量と、第３シール部１４ｃ及び第４シール部１４ｄの潰れ量とを、略同じにすることができる。これにより、全体のセルギャップを略均一にすることが可能となり、表示品質を向上させることができる。

（２）本実施形態の液晶装置１００の製造方法、液晶装置１００によれば、液晶滴下方式において、シール材１４が固まっていない状態であっても、シール材１４が太いので、第１マザー基板５１０と第２マザー基板５２０とを貼り合せた際、第１シール部１４ａ及び第２シール部１４ｂが極端に潰れることを抑えることができる。

（３）本実施形態の電子機器によれば、セルギャップを均一に保ち、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記したように、液晶滴下法（ＯＤＦ）を用いる液晶装置１００に限定されず、例えば、シール材１４の一部の注入口から液晶を注入する方式（液晶注入法）の液晶装置に適用するようにしてもよい。

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、ＣＮＴ１〜ＣＮＴ４…コンタクトホール、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１…絶縁層、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１４…シール材、１４ａ…第１シール部、１４ｂ…第２シール部、１４ｃ…第３シール部、１４ｄ…第４シール部、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…絶縁層、４１…ディスペンサー、６１…外部接続用端子、１００…液晶装置、１０１…第１の液晶装置、１０２…第２の液晶装置、１０３…第３の液晶装置、５００…大型基板、５１０…第１マザー基板、５２０…第２マザー基板、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。

Claims

第１基板の上にシール材を形成する工程と、
前記シール材で囲まれた領域に液晶を供給する工程と、
前記第１基板と、第２基板とを貼り合わせる工程と、
を含み、
前記第１基板は、実装端子を有し、
前記シール材は、前記実装端子に沿う第１シール部と、前記第１シール部と対向する第２シール部と、前記第１シール部及び前記第２シール部と交差する方向に配置される第３シール部と、前記第３シール部と対向する第４シール部と、を含み、
前記第１シール部及び前記第２シール部の太さは、前記第３シール部及び前記第４シール部の太さより太いことを特徴とする液晶装置の製造方法。
請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板及び前記第２基板は、石英基板であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
請求項１又は請求項２に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記液晶を供給する工程は、前記シール材で囲まれた領域に前記液晶を滴下することを特徴とする液晶装置の製造方法。
第１基板と、
前記第１基板の上に配置されたシール材と、
前記シール材を介して前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
を含み、
前記第１基板は、実装端子を有し、
前記シール材は、前記実装端子に沿う第１シール部と、前記第１シール部と対向する第２シール部と、前記第１シール部及び前記第２シール部と交差する方向に配置される第３シール部と、前記第３シール部と対向する第４シール部と、を含み、
前記第１シール部及び前記第２シール部の太さは、前記第３シール部及び前記第４シール部の太さより太いことを特徴とする液晶装置。
請求項４に記載の液晶装置であって、
前記第１基板及び前記第２基板は、石英基板であることを特徴とする液晶装置。
請求項４又は請求項５に記載の液晶装置であって、
前記液晶層は、液晶滴下法を用いて前記シール材で囲まれた領域に配置されていることを特徴とする液晶装置。
請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。