JP2015038469A5 - - Google Patents
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Claims (26)
- 平面視TEM試料を形成する方法であって、
試料ステージ平面を有する試料ステージ上に第1の加工物を配置するステップであり、前記第1の加工物が、第1の向きに配向された薄片領域を含む、ステップと、
前記第1の加工物から試料が実質的に切り離されるように、イオン・ビームを使用して前記第1の加工物から前記試料をミリングするステップと、
前記試料にプローブを取り付けるステップであり、前記プローブが、シャフト軸を有するシャフトを含み、前記シャフト軸が、前記試料ステージ平面に対してあるシャフト角で配向され、前記シャフト角が、前記試料ステージ平面に対して垂直ではない、ステップと、
前記シャフト軸を軸に前記プローブをある回転角で回転させるステップであり、この回転によって前記試料が、前記薄片領域が第2の向きに配向するように回転する、ステップと、
前記試料を、前記試料がミリングされた加工物である前記第1の加工物に取り付け、もしくは前記第1の加工物上に置くステップと、
前記試料を前記イオン・ビームを使用して薄くして、前記薄片領域に沿った配向を有する薄片を形成するステップと
を含む方法。 - 前記シャフト角が45度、前記回転角が180度である、請求項1に記載の方法。
- 前記試料に前記プローブを取り付ける前記ステップが、イオン・ビーム堆積法によって前記試料に前記プローブを取り付けるステップを含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記試料に前記プローブを取り付ける前記ステップが、接着剤によって前記試料に前記プローブを取り付けるステップを含む、請求項1または2に記載の方法。
- イオン・ビームを使用して前記第1の加工物から前記試料をミリングする前記ステップが、集束イオン・ビームを使用して前記第1の加工物から前記試料をミリングするステップを含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記試料をミリングする前記ステップが、前記ミリングした試料の1つの面が前記薄片領域に対して実質的に直角になるように、前記試料をミリングするステップをさらに含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記試料を、前記第1の加工物または前記第2の加工物に取り付ける前記ステップが、前記加工物上および前記試料上に少なくとも1つの堆積物を形成するステップをさらに含み、前記堆積物が、前記試料を、前記第1の加工物または前記第2の加工物に取り付ける、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記試料を、前記第1の加工物もしくは前記第2の加工物に取り付け、または前記第1の加工物もしくは前記第2の加工物上に置くステップが、前記第1の加工物もしくは前記第2の加工物の表面に凹んだエリアをミリングするステップであり、前記凹んだエリアが、前記試料の少なくとも一部分を収容するのに適したサイズを有する、ステップと、前記凹んだエリア内に前記試料の少なくとも一部分が配置されるように前記試料を置くステップとをさらに含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記イオン・ビームを使用したイオン・ビーム堆積法によって前記少なくとも1つの堆積物を形成するステップをさらに含む、請求項7に記載の方法。
- 前記シャフト軸を軸に前記プローブをある回転角で回転させる前記ステップによって、前記試料ステージ平面と前記薄片領域とが実質的に直角になるように前記試料が回転する、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- ミリングする前記ステップの前は、前記薄片領域が前記試料ステージ平面に対して実質的に平行である、請求項10に記載の方法。
- 前記試料を前記イオン・ビームを使用して薄くして、薄片を形成する前記ステップに続いて、
前記試料から前記薄片が実質的に切り離されるように、イオン・ビームを使用して前記試料から前記薄片をミリングするステップと、
前記薄片を透過型電子顕微鏡(TEM)グリッドに取り付けるステップと、
前記透過型電子顕微鏡(TEM)グリッドに取り付けられている間に前記薄片を観察するステップと
をさらに含む、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。 - 前記試料から前記薄片をミリングする前記ステップの前に、前記試料がその上に取り付けられたまたは前記試料がその上に置かれた前記加工物を、前記加工物から前記試料をミリングするのに使用されなかった別の機器へ移すステップをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 試料を処理する装置であって、
イオン・ビーム・カラムと、
試料ステージ平面を有する試料ステージであり、少なくとも2次元空間内で移動することができ、垂直軸を軸に回転することができる試料ステージと、
シャフト軸を軸に回転可能なプローブであり、前記シャフト軸が、前記試料ステージ平面に対してあるシャフト角で配向されており、前記シャフト角が、前記試料ステージ平面に対して垂直ではないプローブと、
コントローラとを備え、前記コントローラが、
前記試料ステージ上で第1の加工物を支持するステップであり、前記第1の加工物が薄片領域を含む、ステップ、
前記第1の加工物から試料が実質的に切り離されるように、前記イオン・ビーム・カラムからのイオン・ビームを使用して前記第1の加工物から試料をミリングするステップ、
前記試料に前記プローブを取り付けるステップ、
前記シャフト軸を軸に前記プローブをある回転角で回転させるステップ、
前記試料を、前記試料がミリングされた加工物である前記第1の加工物に取り付け、もしくは前記第1の加工物上に置くステップ、および
前記試料を前記イオン・ビーム・カラムを使用して薄くして、前記薄片領域に沿った配向を有する薄片を形成するステップ
を前記イオン・ビーム・カラム、前記試料ステージ、前記プローブに実行させる、
装置。 - 前記イオン・ビーム・カラムが集束イオン・ビーム・カラムである、請求項14に記載の装置。
- 前記プローブが前記試料ステージに対して45度に配向されている、請求項14または15に記載の装置。
- 前記回転角が180度である、請求項16に記載の装置。
- 前記プローブが、前記イオン・ビーム・カラムによって形成された堆積物によって前記試料に取り付けられる、請求項14から17のいずれか一項に記載の装置。
- 前記プローブが、接着剤によって前記試料に取り付けられる、請求項14から17のいずれか一項に記載の装置。
- 前記コントローラによって、ミリングされた前記試料の1つの面が前記薄片領域に対して実質的に直角になるように、前記イオン・ビームが前記試料をミリングする、請求項14から19のいずれか一項に記載の装置。
- 前記加工物上および前記試料上に形成された少なくとも1つの堆積物によって、前記試料が、前記第1の加工物または前記第2の加工物に取り付けられる、請求項14から20のいずれか一項に記載の装置。
- 前記試料が、前記第1の加工物もしくは前記第2の加工物の表面における前記イオン・ビームによってミリングされた凹んだエリア内に取り付けられまたは置かれる、請求項14から21のいずれか一項に記載の装置。
- 前記プローブが、前記シャフト軸を軸に、前記試料ステージ平面と前記薄片領域とが実質的に直角になるように回転する、請求項14から22のいずれか一項に記載の装置。
- ミリングの前は、前記薄片領域が前記試料ステージ平面に対して実質的に平行である、請求項23に記載の装置。
- 前記イオン・ビームを使用したイオン・ビーム堆積法によって前記少なくとも1つの堆積物を形成することをさらに含む、請求項21に記載の装置。
- 前記試料を前記イオン・ビームを使用して薄くして、薄片を形成するステップに続いて、
前記試料から前記薄片が実質的に切り離されるように、イオン・ビームを使用して前記試料から前記薄片をミリングする追加のステップと、
前記薄片を透過型電子顕微鏡(TEM)グリッドに取り付ける追加のステップと、
前記透過型電子顕微鏡(TEM)グリッドに取り付けられている間に前記薄片を観察する追加のステップと
を前記イオン・ビーム・カラム、前記試料ステージ、前記プローブに実行させる前記コントローラをさらに備える、請求項14から25のいずれか一項に記載の装置。
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