JP2015037065A - 有機el表示装置 - Google Patents

有機el表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2015037065A
JP2015037065A JP2013168995A JP2013168995A JP2015037065A JP 2015037065 A JP2015037065 A JP 2015037065A JP 2013168995 A JP2013168995 A JP 2013168995A JP 2013168995 A JP2013168995 A JP 2013168995A JP 2015037065 A JP2015037065 A JP 2015037065A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
display device
light emitting
region
pixels
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013168995A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015037065A5 (ja
JP6230328B2 (ja
Inventor
尚紀 徳田
Hisanori Tokuda
尚紀 徳田
光秀 宮本
Mitsuhide Miyamoto
光秀 宮本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
Priority to JP2013168995A priority Critical patent/JP6230328B2/ja
Priority to US14/458,304 priority patent/US9184416B2/en
Publication of JP2015037065A publication Critical patent/JP2015037065A/ja
Publication of JP2015037065A5 publication Critical patent/JP2015037065A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6230328B2 publication Critical patent/JP6230328B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

【課題】発光効率の低下を抑えつつ、光学的混色を抑止した有機EL表示装置を提供する。【解決手段】有機EL表示装置は、基板上にマトリクス状に配置された複数の画素(280)と、複数の画素の境界を遮光する遮光膜(310)と、複数の画素のそれぞれにおいて、下部電極及び上部電極の間に配置され、発光する有機材料からなる発光層を含む複数の層からなる有機層が、下部電極と接触している領域である発光領域Eと、を備え、遮光膜は、画素の辺に沿って配置され、互いに幅の異なる幅広部及び幅狭部を有している。【選択図】図3

Description

本発明は、有機EL(Electro-Luminescent)表示装置に関する。
近年、有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode)と呼ばれる自発光体を用いた画像表示装置(以下、「有機EL表示装置」という。)が実用化されている。この有機EL表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、自発光体を用いているため、視認性、応答速度の点で優れているだけでなく、バックライトのような補助照明装置を要しないため、更なる薄型化が可能となっている。
このような有機EL表示装置においてカラー表示を行う方法として、発光素子が画素毎にR(赤)G(緑)B(青)の3色をそれぞれ発光する方法、発光素子が白色を発光し、各画素のカラーフィルタがRGB3色のそれぞれの波長領域を透過させる方法、及びこれらを組み合わせる方法等がある。
特許文献1は、斜め方向から見た場合の視差に鑑み、発光素子に重ねられた色調整層及び色調整層上に設けられた回折層を有する発光装置について開示している。特許文献2は、フルカラーの有機発行ディスプレイにおける、OLED素子構造について開示している。
特開2008−091069号公報 特開2002−216960号公報
カラーフィルタ基板を用いて複数の色の波長の光を出射させる有機EL表示装置では、W(白)色等の単色を発光する発光層を含む有機層を表示領域の全面に形成することができるため、発光層の成膜において蒸着マスクを必要とせず、各画素において発光面積の大きな画素を製造できるメリットがある。しかしながら、TFT基板とカラーフィルタを形成した封止基板との間に透明樹脂等を挟んで接着するため、TFT基板と封止基板との間に距離が生じ、発光層から斜め方向や横方向に出射した光が隣接画素のカラーフィルタを介して出光する、いわゆる混色が起こる恐れがある。発明者は、画素電極の端部を覆い画素の境界となる画素分離膜の部分(いわゆるバンク)等の異なる屈折率の材料との境界における乱反射がこのような光学的な混色の一つの原因となっていることを見いだした。
本発明は、上述の事情を鑑みてしたものであり、発光効率の低下を抑えつつ、光学的混色を抑止した有機EL表示装置を提供することを目的とする。
本発明の有機EL表示装置は、基板上にマトリクス状に配置された複数の画素と、前記複数の画素の境界を遮光する遮光膜と、前記複数の画素のそれぞれにおいて、下部電極及び上部電極の間に配置され、発光する有機材料からなる発光層を含む複数の層からなる有機層が、前記下部電極と接触している領域である発光領域と、を備え、前記遮光膜は、前記画素の辺に沿って配置され、互いに幅の異なる幅広部及び幅狭部を有している、ことを特徴とする有機EL表示装置である。
また、本発明の有機EL表示装置において、前記発光領域は、前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記画素の形状の辺に沿って延びる辺の長さが異なる長辺及び短辺を有し、前記幅広部は、前記短辺に対応する前記画素の辺に沿って配置され、前記幅狭部は、前記長辺に対応する前記画素の辺に沿って配置されていてもよい。
また、本発明の有機EL表示装置において、前記幅広部は、前記発光領域の周囲の前記有機層及び前記上部電極が前記発光領域と比較して傾斜して形成されている有機層傾斜領域を、平面視で覆う幅であり、前記幅狭部は、前記有機層傾斜領域に達しない幅であってもよい。
また、本発明の有機EL表示装置において、前記幅広部は、前記上部電極上において前記複数の画素を覆うように形成された無機封止膜が、前記無機封止膜における前記発光領域の中央部分と比較して傾斜して形成されている封止膜傾斜領域を、上面からの視野において覆う幅であってもよい。
また、本発明の有機EL表示装置において、前記遮光膜は、前記下部電極とトランジスタを接続するコンタクトホールを平面視において覆っていてもよい。
また、本発明の有機EL表示装置において、前記短辺と対向する隣接する画素の発光領域の辺は短辺であり、前記長辺と対向する隣接する画素の発光領域の辺は長辺であってもよい。
本実施形態に係る有機EL表示装置が概略的に示す図である。 図1の有機ELパネルの構成について示す図である。 図2の表示領域における9つの副画素について、封止基板のブラックマトリクスの配置と、TFT基板の発光領域及びコンタクトホールの配置とを比較して示す平面図である。 図3のA−A線における断面について示す図である。 図3のB−B線における断面について示す図である。 一つの副画素のブラックマトリクスについて示す平面図である。 有機EL表示装置の変形例について、図4と同様の視野により示す図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面において、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1には、本実施形態に係る有機EL表示装置100が概略的に示されている。この図に示されるように、有機EL表示装置100は、上フレーム110及び下フレーム120に挟まれるように固定された有機ELパネル200から構成されている。
図2には、図1の有機ELパネル200の構成が示されている。有機ELパネル200は、TFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)基板220と封止基板230との2枚の基板を有し、これらの基板の間には透明樹脂241(図4参照)が充填されている。TFT基板220は、表示領域202にマトリクス状に配置された画素を有している。ここで画素は、異なる色を発光する副画素280の組合せにより構成されている。また、TFT基板220には、副画素280のそれぞれに配置された画素トランジスタの走査信号線(不図示)に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各画素トランジスタのデータ信号線に対して画素の階調値に対応する電圧を印加する駆動回路である駆動IC(Integrated Circuit)260が載置されている。なお、TFTには、LTPS半導体、アモルファス半導体、酸化物半導体その他の半導体を用いることができる。
また、本実施形態に係る有機ELパネル200において、TFT基板220の表示領域202に配置された各副画素280の発光素子は白色を発光し、封止基板230においてR(赤)G(緑)B(青)W(白)の4色の光として透過させることにより、カラー表示を行うものとする。しかしながら、RGBの3色その他の色の組合せを用いてもよいし、TFT基板220における発光素子が白色の一色でなく、複数の色を発光することによりカラー表示を行うものであってもよい。この場合おいては、封止基板230にカラーフィルタを用いない構成とすることもできる。
図3は、図2の表示領域202における9つの副画素280について、封止基板230のブラックマトリクス310の配置と、TFT基板220の発光領域E及びコンタクトホール291の配置とを比較して示す平面図である。ここで、ブラックマトリクス310は、カラーフィルタ等が配置された各副画素280の間において、隣接する副画素280からの光を透過させないようするための遮光膜であり、隣接する光の透過領域の間に形成されている。この図に示されるように、各画素は、Rのカラーフィルタが形成されたR領域232を有するR副画素、Gのカラーフィルタが形成されたG領域233を有するG副画素、Bのカラーフィルタが形成されたB領域234を有するB副画素、及びカラーフィルタを有さないW領域235を有するW副画素の4つの副画素280から構成され、4つの副画素280の組合せにより一つの画素のとして機能する。
この図の各副画素280には、TFT基板220において白色を発光する発光領域Eの配置、及び後述する下部電極224をトランジスタのソース又はドレインの電極228(図4参照)と接続させるためのコンタクトホール291の配置が示されている。このように本実施形態においては、発光領域Eはコンタクトホール291を避けてL字型に形成されている。またこのL字型に合わせるように各RGBW領域232〜235がそれぞれ形成されているが、これらは平面視において完全に一致していない。L字型の発光領域Eは、隣接する画素において発光された光の影響を受けやすい隣接画素に近い部分において、画素の辺に沿って長く形成される長辺322と、長辺322より短く形成された短辺321とを有している。本実施形態においては、ブラックマトリクス310は、発光領域Eの長辺322を覆うように形成され、発光領域Eの短辺321が露出するように形成されている。また、ブラックマトリクス310は、コンタクトホール291を覆うように形成されている。
図4には、図3のA−A線における断面が示されている。この図に示されるように、TFT基板220は、ガラス基板等の透明な絶縁基板221と、トランジスタの制御に用いられる配線等を絶縁する層間絶縁膜222と、有機絶縁材料により形成された平坦化膜223と、トランジスタの一方の電極に電気的に接続され、平坦化膜223上に形成された下部電極224と、下部電極224の端部を覆い、隣接する副画素との間を絶縁する画素分離膜225と、下部電極224上及び画素分離膜225上で表示領域202全体を覆うように形成され、白色に発光する発光層を含む有機層と該有機層上に形成された透明電極からなる上部電極とからなる有機層・上部電極層226と、有機層・上部電極層226を覆うように形成された無機封止絶縁膜227と、を有している。
また、図4には、封止基板230の構成の一部として、ガラス基板等の透明な絶縁基板231と、各副画素の間から漏れる光を遮光するブラックマトリクス310のうち狭い幅で形成された幅狭部311及び広い幅で形成された幅広部312と、カラーフィルタであるG領域233及びB領域234とが示されている。TFT基板220と封止基板230とは透明樹脂241により接着されている。ここで、発光領域Eは、下部電極224と有機層・上部電極層226とが接している領域である。ブラックマトリクス310の幅広部312は、発光領域Eの周囲の画素分離膜225が形成する、有機層・上部電極層226が発光領域と比較して傾斜している有機層傾斜領域Pを覆っており、ブラックマトリクス310の幅狭部311は、この有機層傾斜領域Pを覆っていない。つまり、発光領域Eの長辺322に対応するブラックマトリクス310は、有機層傾斜領域Pを覆う幅広部312で形成され、発光領域Eの短辺321に対応するブラックマトリクス310は、有機層傾斜領域Pを覆わない幅狭部311で形成されている。
図5には、図3のB−B線における断面が示されている。この断面は、R領域232を有する副画素及びB領域234を有する副画素を横切る断面であり、図4のA−A線における断面と異なり、コンタクトホール291を横切っている。この図に示されるように、ブラックマトリクス310は、コンタクトホール291を覆うように形成されたブラックマトリクス310のコンタクトホール遮光部313を有している。ここで、コンタクトホール遮光部313は、その端部において隣接画素から離れているため、有機層傾斜領域Pを覆わないように形成され、発光効率が高められている。
図6は、一つの副画素280のブラックマトリクス310について示す平面図である。この図に示されるように、発光領域Eは、副画素280の形状の一辺に沿って延びる長さが長い長辺322と、副画素280の形状の他の一辺に沿って延びる長さが短い短辺321とを有している。また、長辺322に沿う副画素280の一辺に対応するブラックマトリクス310は、有機層傾斜領域Pを覆う幅広部312であり、短辺321に沿う副画素280の一辺に対応するブラックマトリクス310は、有機層傾斜領域Pを覆わない幅狭部311である。コンタクトホール遮光部313は、コンタクトホール291全体を覆うように形成されると共に、発光領域E側において有機層傾斜領域Pを覆わないように形成される。
以上説明したように、本実施形態によれば、幅広部312が、多くの乱反射が起こる発光領域の長辺322の有機層傾斜領域Pを遮光するため、光学的混色を抑えることができる。また、発光領域Eの短辺321の有機層傾斜領域Pは覆わないように形成される幅狭部311は、幅広部312が有機層傾斜領域Pを遮光している場合であっても、発光効率の低下を抑えることができる。また、コンタクトホール遮光部313は、コンタクトホール291全体を覆っているため、コンタクトホール291の斜面で発生する乱反射による光学的混色を抑えることができる。一方、コンタクトホール遮光部313は、発光領域Eに面する辺において、有機層傾斜領域Pを覆わないため、発光効率の低下を抑えている。したがって、本実施形態の有機EL表示装置によれば、発光効率の低下を抑えつつ、光学的混色を抑止することができる。
図7には、上述の有機EL表示装置の変形例が、図4と同様の視野により示されている。図4に示される形態と異なる点は、幅広部312は、無機封止絶縁膜227の傾斜部分である封止膜傾斜領域Qを覆い、幅狭部311は封止膜傾斜領域Qを覆っていない点である。封止膜傾斜領域Qは発光領域Eの縁部分付近に形成される、発光領域Eの中央部分と比較して傾斜している領域である。乱反射は、有機層傾斜領域Pだけでなく、封止膜傾斜領域Qにおいても発生していることが考えられる。したがって、幅広部312は、有機層傾斜領域Pよりも発光領域E側に形成される封止膜傾斜領域Qを覆うようにすることにより、より光学的混色を抑えることができる。また、このように構成した場合であっても、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
なお、上述の実施形態においては、発光領域EをL字型としたが、この形状に限られることなく、ブラックマトリクスが幅広部と幅狭部を有していればよい。また、更に、発光領域Eが画素の辺に沿った短辺と長辺を有している場合には、短辺に対応するブラックマトリクスが幅狭部であり、長辺に対応するブラックマトリクスが幅広部であることとすることができる。
100 有機EL表示装置、110 上フレーム、120 下フレーム、200 有機ELパネル、202 表示領域、220 TFT基板、221 絶縁基板、222 層間絶縁膜、223 平坦化膜、224 下部電極、225 画素分離膜、226 上部電極層、227 無機封止絶縁膜、228 電極、230 封止基板、231 絶縁基板、232 R領域、233 G領域、234 B領域、235 W領域、241 透明樹脂、280 副画素、291 コンタクトホール、310 ブラックマトリクス、311 幅狭部、312 幅広部、313 コンタクトホール遮光部、321 短辺、322 長辺。

Claims (6)

  1. 基板上にマトリクス状に配置された複数の画素と、
    前記複数の画素の境界を遮光する遮光膜と、
    前記複数の画素のそれぞれにおいて、下部電極及び上部電極の間に配置され、発光する有機材料からなる発光層を含む複数の層からなる有機層が、前記下部電極と接触している領域である発光領域と、を備え、
    前記遮光膜は、前記画素の辺に沿って配置され、互いに幅の異なる幅広部及び幅狭部を有している、ことを特徴とする有機EL表示装置。
  2. 請求項1に記載の有機EL表示装置であって、
    前記発光領域は、前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記画素の形状の辺に沿って延びる辺の長さが異なる長辺及び短辺を有し、
    前記幅広部は、前記短辺に対応する前記画素の辺に沿って配置され、
    前記幅狭部は、前記長辺に対応する前記画素の辺に沿って配置される、ことを特徴とする有機EL表示装置。
  3. 請求項1又は2に記載の有機EL表示装置であって、
    前記幅広部は、前記発光領域の周囲の前記有機層及び前記上部電極が前記発光領域と比較して傾斜して形成されている有機層傾斜領域を、平面視で覆う幅であり、
    前記幅狭部は、前記有機層傾斜領域に達しない幅である、ことを特徴とする有機EL表示装置。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機EL表示装置であって、
    前記幅広部は、前記上部電極上において前記複数の画素を覆うように形成された無機封止膜が、前記無機封止膜における前記発光領域の中央部分と比較して傾斜して形成されている封止膜傾斜領域を、上面からの視野において覆う幅である、ことを特徴とする有機EL表示装置。
  5. 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機EL表示装置であって、
    前記遮光膜は、前記下部電極とトランジスタを接続するコンタクトホールを平面視において覆っている、ことを特徴とする有機EL表示装置。
  6. 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の有機EL表示装置であって、
    前記短辺と対向する隣接する画素の発光領域の辺は短辺であり、
    前記長辺と対向する隣接する画素の発光領域の辺は長辺である、ことを特徴とする有機EL表示装置。
JP2013168995A 2013-08-15 2013-08-15 有機el表示装置 Active JP6230328B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013168995A JP6230328B2 (ja) 2013-08-15 2013-08-15 有機el表示装置
US14/458,304 US9184416B2 (en) 2013-08-15 2014-08-13 Organic electro luminescent display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013168995A JP6230328B2 (ja) 2013-08-15 2013-08-15 有機el表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015037065A true JP2015037065A (ja) 2015-02-23
JP2015037065A5 JP2015037065A5 (ja) 2016-10-13
JP6230328B2 JP6230328B2 (ja) 2017-11-15

Family

ID=52466195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013168995A Active JP6230328B2 (ja) 2013-08-15 2013-08-15 有機el表示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9184416B2 (ja)
JP (1) JP6230328B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7474040B2 (ja) 2019-10-07 2024-04-24 JDI Design and Development 合同会社 自発光型表示パネル

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102239842B1 (ko) * 2014-07-30 2021-04-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6685675B2 (ja) * 2015-09-07 2020-04-22 株式会社Joled 有機el素子、それを用いた有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法
JP2017062941A (ja) * 2015-09-25 2017-03-30 ソニー株式会社 表示装置及びその製造方法
KR102515963B1 (ko) * 2016-03-04 2023-03-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN110021651B (zh) * 2019-03-29 2021-02-23 武汉华星光电技术有限公司 显示面板和电子设备
KR20210149271A (ko) * 2020-06-01 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220135273A (ko) * 2021-03-29 2022-10-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 차량

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007188653A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器
US20080224963A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Sony Corporation Display apparatus and electronic device
JP2010109394A (ja) * 2002-01-24 2010-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP2012186155A (ja) * 2011-02-14 2012-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、表示装置およびそれらの作製方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7821065B2 (en) * 1999-03-02 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same
TW466888B (en) 2000-09-29 2001-12-01 Ind Tech Res Inst Pixel device structure and process of organic light emitting diode display
US6744198B2 (en) * 2001-03-19 2004-06-01 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing display device, display device, and electronic apparatus
JP2008096966A (ja) * 2006-09-12 2008-04-24 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電子機器
JP4858054B2 (ja) 2006-09-29 2012-01-18 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010109394A (ja) * 2002-01-24 2010-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP2007188653A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器
US20080224963A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Sony Corporation Display apparatus and electronic device
JP2008226747A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Sony Corp 表示装置および電子機器
JP2012186155A (ja) * 2011-02-14 2012-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、表示装置およびそれらの作製方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7474040B2 (ja) 2019-10-07 2024-04-24 JDI Design and Development 合同会社 自発光型表示パネル

Also Published As

Publication number Publication date
US20150048347A1 (en) 2015-02-19
US9184416B2 (en) 2015-11-10
JP6230328B2 (ja) 2017-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6230328B2 (ja) 有機el表示装置
US9741775B2 (en) Display device
JP6170421B2 (ja) 有機el表示装置
US10062870B2 (en) Display device including a diffraction grating
KR102576557B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
JP6104099B2 (ja) 有機el表示装置
US9087797B2 (en) Light-emitting element display device
US9660002B2 (en) Display device
JP6247855B2 (ja) 発光素子表示装置
KR102572407B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
JP6749160B2 (ja) 表示装置
TW201740558A (zh) 光電裝置及電子機器
KR101584894B1 (ko) 표시 장치
JP6258047B2 (ja) 発光素子表示装置
KR20120042433A (ko) 유기발광소자 및 그 제조방법
KR20150035425A (ko) 유기 el 표시 장치
US9678378B2 (en) Display device
JP6492403B2 (ja) 有機el装置、有機el装置の製造方法、電子機器
JP2016045307A (ja) 表示装置
KR102484901B1 (ko) 유기발광 표시장치
JP2014212071A (ja) 発光素子表示装置
JP2015008095A (ja) 有機el表示装置
KR102413199B1 (ko) 유기 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160808

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160808

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170316

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170328

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170522

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171003

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171017

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6230328

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250