JP2016045307A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、画素電極間の保持容量配線での反射光を抑制した表示装置を提供することを、目的の一つとする。
【解決手段】本発明の一実施形態による表示装置は、絶縁膜を介して画素電極と対向する保持容量電極を含む複数の画素と、複数の画素の間に配置され、反射光を抑制する機能を持つ部材とを有する。複数の画素の間に配置されるバンク層と、画素電極及びバンク層上に配置されるＯＬＥＤ発光層と、ＯＬＥＤ発光層上に配置される陰極と、陰極上に配置される封止膜と、封止膜上に配置される充填材とをさらに有してもよい。また、反射光を抑制する機能を持つ部材は、光吸収体であってもよい。また、反射光を抑制する機能を持つ部材は、光散乱体であってもよい。また、反射光を抑制する機能を持つ部材は、反射低減層であってもよい。
【選択図】図５

Description

本発明は、表示装置に関し、特に隣接画素への光漏れや不要混色を防ぐ技術に関する。

近年、モバイル用途の発光表示装置において、高精細化や低消費電力化に対する要求が強くなってきている。モバイル用途の表示装置としては、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ：ＬＣＤ）や、有機ＥＬ表示装置等の自発光素子（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を利用した表示装置や、電子ペーパー等が採用されている。

その中でも、ディスプレイパネルの薄型化や高輝度化や高速化を目的として、有機ＥＬ表示装置の開発が進められている。有機ＥＬ表示装置は、ＯＬＥＤから構成された画素を備えた表示装置であり、機械的な動作がないために反応速度が速く、各画素自体が発光するために高輝度表示が可能になるとともに、バックライト光源や偏光板が不要となるために薄型化が可能になるので、次世代の表示装置として期待されている。

ＯＬＥＤ素子の陽極として作用する画素電極の下側の層に、絶縁膜を介して金属からなる保持（補助）容量電極を配置して保持容量を構成し、隣接画素の保持容量電極を保持容量配線で接続した表示装置として、例えば特許文献１がある。図１４は、従来技術に係る表示装置の断面図であり、上述の保持容量電極を配置した表示装置の構造を示したものである。ここで、ＯＬＥＤ素子からの斜め方向へ出射される光９２の一部は、屈折率の異なる層の界面で反射した後に、画素電極間の保持容量配線で再び反射し、隣接画素へ進行する。隣接画素へ進行する光９５は、隣接画素で本来表示すべき光に重畳するため、光漏れや不要混色となり、表示特性に影響を及ぼす。

特開２００９−１０９５１９号公報

本発明は、画素電極間の保持容量配線での反射光を抑制した表示装置を提供することを、目的の一つとする。

本発明の一実施形態による表示装置は、絶縁膜を介して画素電極と対向する保持容量電極を含む複数の画素と、複数の画素の間に配置され、反射光を抑制する機能を持つ部材とを有する。

また、複数の画素の間に配置されるバンク層と、画素電極及びバンク層上に配置されるＯＬＥＤ発光層と、ＯＬＥＤ発光層上に配置される陰極と、陰極上に配置される封止膜と、封止膜上に配置される充填材とをさらに有することを特徴としてもよい。

また、反射光を抑制する機能を持つ部材は、光吸収体であることを特徴としてもよい。

また、光吸収体は、黒色顔料を含有する感光性樹脂からなることを特徴としてもよい。

また、光吸収体は、保持容量電極上に配置されることを特徴としてもよい。

また、光吸収体は、絶縁膜上に配置されることを特徴としてもよい。

また、光吸収体は、バンク層上に配置されることを特徴としてもよい。

また、反射光を抑制する機能を持つ部材は、光散乱体であることを特徴としてもよい。

また、光散乱体は、保持容量電極上に配置されることを特徴としてもよい。

また、光散乱体は、絶縁膜の屈折率と異なる屈折率の微粒子を含有する感光性樹脂であることを特徴としてもよい。

また、光散乱体は、保持容量電極の絶縁膜側の表面に凹凸を形成したものであることを特徴としてもよい。

また、反射光を抑制する機能を持つ部材は、反射低減層であることを特徴としてもよい。

また、反射低減層は誘電体積層膜からなり、誘電体積層膜の屈折率は絶縁膜の屈折率と異なることを特徴としてもよい。

本発明の一実施形態における表示装置の斜視図を示す図である。 本発明の一実施形態における表示装置の平面図を示す図である。 本発明の一実施形態における表示装置の画素回路を示す図である。 本発明の第１実施形態における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。 本発明の第１実施形態における表示装置の画素回路の断面図を示す図である。 本発明の第１実施形態の変形例１における表示装置の画素回路の断面図を示す図である。 本発明の第１実施形態の変形例２における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。 本発明の第１実施形態の変形例３における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。 本発明の第１実施形態の変形例４における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。 本発明の第２実施形態における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。 本発明の第２実施形態における表示装置の画素回路の断面図を示す図である。 本発明の第３実施形態における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。 本発明の第３実施形態における表示装置の画素回路の断面図を示す図である。 従来技術における表示装置の断面図を示す図である。

以下に、本発明の各実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

＜実施形態１＞
図１乃至９を用いて、実施形態１に係る表示装置の構成を説明する。実施形態１では、反射光を抑制する機能を有する部材として、光吸収体３１が用いられる。

［表示装置の概要］
まず、図１及び２を用いて、実施形態に係る表示装置の概要を説明する。図１は、本発明の実施形態１における表示装置の斜視図を示す図である。また、図２は、本発明の実施形態１における表示装置の平面図を示す図である。

実施形態１における表示装置は、図１及び２に示すように、複数の画素のそれぞれに発光素子が設けられ、画素電極４０がマトリクス状に配置された表示領域２１０を有する基板２００、基板２００に対向する対向基板３００、対向基板３００が露出された領域に設けられたドライバＩＣ４００及びＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）５００を有する。基板２００は、表示領域２１０と、表示領域２１０の周辺に位置する周辺領域２２０とに分けられる。対向基板３００には、表示領域２１０に画素電極４０がマトリクス状に配列され、複数の画素電極４０のそれぞれに実施例で説明する画素回路が配置される。ＦＰＣ５００には、駆動回路を制御するコントローラ回路に接続される端子部６００が備えられている。

図２を参照すると、表示領域２１０には、横方向に走査信号線６１が、縦方向には映像信号線６２及び駆動電源線６３が、マトリクス状をなすよう配置される。画素電極４０は、走査信号線６１、映像信号線６２及び駆動電源線６３によって囲まれた領域に対応している。図２では、説明のため画素電極４０と、走査信号線６１、映像信号線６２及び駆動電源線６３で囲まれる領域とを重ねずに図示したが、画素電極４０とこれらの線は平面上で重なって配置されてもよい。

［画素の回路図］
次に、図３を用いて、実施形態の画素回路を説明する。

図３に示すように、実施形態１の画素回路１２は、制御ＴＦＴ７１、駆動ＴＦＴ７２及び蓄積容量７３によって構成される。例えば制御ＴＦＴ７１及び駆動ＴＦＴ７２にｎ型半導体を用いた場合、制御ＴＦＴ７１のゲートは走査信号線６１に接続され、ソースは映像信号線６２に接続され、ドレインは蓄積容量７３の一端及び駆動ＴＦＴ７２のゲートに接続される。駆動ＴＦＴ７２のドレインは駆動電源線６３に接続され、ソースは画素電極４０に接続される。画素電極４０は蓄積容量７３の他端、ＯＬＥＤ素子７４の陽極及び保持容量３６の一端に接続される。保持容量３６の他端は保持容量電極３０である。隣接する画素に対応する保持容量電極３０は、保持容量配線３５によってそれぞれ接続される。なお、図３では図示しないが、上下方向の保持容量電極３０も、保持容量配線３５によってそれぞれ接続される。

制御ＴＦＴ７１のゲートに所定の電圧が印加されると、制御ＴＦＴ７１は映像信号線６２に応じた電位を蓄積容量７３に与える。駆動ＴＦＴ７２のゲートは蓄積容量７３によって電位が保持されており、蓄積容量７３の電荷に対応した電流を駆動電源線６３からＯＬＥＤ素子７４の陽極に供給する。ＯＬＥＤ素子７４の陰極は、接地電極又は負電位の陰極１８に接続される。

［画素の構成］
次に、図４及び５を用いて、実施形態１における光吸収体３１の構成を説明する。

図４は、実施形態１における光吸収体３１の平面図であり、画素電極４０が縦に３個、横に４個並んで配置された部分を拡大したものである。画素電極４０は矩形状に形成されており、右上部分に保持容量電極３０の開口部４２が形成され、開口部４２が形成される領域を除いた部分に発光部４１がＬ字型に形成されている。隣接する画素電極４０の間と、開口部４２が配置される領域には、バンク層１６（図示せず）が配置される。発光部４１は、バンク層１６（図示せず）が配置されていない領域であり、ＯＬＥＤ発光層１７（図示せず）が実際に発光する。

光吸収体３１は、上下左右に隣接する画素電極４０の間に配置される。光吸収体３１は、隣接する画素電極４０の間隔に相当する幅を有するよう配置されることが望ましい。より好ましくは、図４に示すように、画素電極４０の間隔よりも広く配置されることが望ましい。

図５は、実施形態１における表示装置の画素回路において、図４のＡ−Ａ’線における断面図を示したものである。

下基板１１上に画素回路１２が配置され、下基板１１及び画素回路１２上に層間絶縁膜１３が配置される。ここで、下基板１１はガラス、樹脂等で形成され、層間絶縁膜１３は、下側に窒化シリコン、酸化シリコン等の無機材料で形成された層が複数積層されてもよく、走査信号線６１、映像信号線６２及び駆動電源線６３（いずれも図示せず）が適宜配置される。また、層間絶縁膜１３の上側には、アクリル、ポリイミド等の有機材料で形成される、平坦化のための層が形成されてもよい。

層間絶縁膜１３上に、保持容量電極３０及び保持容量配線３５が配置される。ここで、保持容量電極３０及び保持容量配線３５は、同一の部材を層間絶縁膜１３上に積層して形成され、後述する画素電極４０と対向する部分が保持容量電極３０として機能し、画素電極４０間などのそれ以外の部分が保持容量配線３５として機能する。以下、説明の簡略のため、保持容量電極３０及び保持容量配線３５をまとめて保持容量電極３０として説明する。

保持容量電極３０上で、隣接する画素電極４０間に相当する部分に、光吸収体３１が配置される。光吸収体３１には、カーボンブラックやチタンブラック等の黒色顔料を有する顔料を含有する感光性樹脂が用いられてもよい。この材料を用いた場合、一般的なフォトリソグラフィー装置を用いて感光性樹脂を加工できるため、図４に示すような所望のパターン形状の光吸収体を形成できる。また、光吸収体３１に到達した光９４が光吸収体３１を通過して保持容量電極３０で反射後、再び光吸収体３１を通過する間の経路で十分吸収されるように、光吸収体３１の厚さを光吸収体３１の吸収係数に応じて設定することが望ましい。

層間絶縁膜１３には、画素電極４０と画素回路１２を電気的に接続するためのコンタクトホール１４が配置される。コンタクトホール１４が保持容量電極３０に接しないように、保持容量電極３０に開口部４２が形成されている。保持容量電極３０、光吸収体３１、コンタクトホール１４及び層間絶縁膜１３上に容量絶縁膜１５が形成される。容量絶縁膜１５上には、画素電極４０が形成される。容量絶縁膜１５の層間絶縁膜１３の上部には、画素電極４０と画素回路１２を電気的に接続するためのコンタクトホール１４が形成される。保持容量電極３０は容量絶縁膜１５を介して画素電極４０と対向し、保持容量３６を構成する。

画素電極４０が配置されない領域に、画素を区画するためのバンク層１６が形成される。また、コンタクトホール１４が配置される領域にも、バンク層１６が形成される。バンク層１６は、アクリルやポリイミド等の透明な絶縁性の有機材料が用いられる。バンク層１６及び画素電極４０上に、ＯＬＥＤ発光層１７、陰極１８、封止膜１９が順次積層され、封止膜１９上には充填材２０が形成される。バンク層１６上に積層されたＯＬＥＤ発光層１７、陰極１８、封止膜１９は、バンク層１６の形状に沿って、丸みを帯びて形成される。充填材２０上には、カラーフィルタ２１、２２、２３が配置される。バンク層１６の上側には、ブラックマトリクス２４が形成される。カラーフィルタ２１、２２、２３及びブラックマトリクス２４上に、上基板２５が形成される。

画素電極４０と陰極１８との間に所定の電圧が印加されると、画素電極４０と陰極１８間のＯＬＥＤ発光層１７は発光し、ＯＬＥＤ発光層１７から出射される光は全方向に及ぶ。ＯＬＥＤ発光層１７から上方向へ出射される光９１は、陰極１８、封止膜１９、充填材２０を透過し、カラーフィルタ２２を通過して所望の色の光として発せられる。一方、ＯＬＥＤ発光層１７から斜め方向へ出射された光９２は、封止膜１９と充填材２０の界面である点Ｐに到達する。封止膜１９と充填材２０の屈折率は一般に異なっており、バンク層１６付近の封止膜１９と充填材２０の界面はバンク層１６の形状に沿って丸みを帯びているので、ＯＬＥＤ発光層１７から出射された光の角度と界面の角度によって、光の反射及び屈折が生じる。図６では、光９２と同方向に屈折した光９３と、点Ｐで反射してバンク層１６に向かう光９４が生じていることを示している。

光９３は、ブラックマトリクス２４に入射して減衰されるので、隣の画素のカラーフィルタ２１を通過して外部に出射されることはない。仮に、第１実施形態とは異なり、隣接する画素電極４０の間に該当する部分に光吸収体３１が形成されていない場合、光９４は点Ｑで反射する。光９５’は点Ｑで反射されたと仮定された光であり、画素電極４０及びブラックマトリクス２４に入射しない場合、隣の画素であるカラーフィルタ２１を通過して外部に出射されてしまう。

上述のように、第１実施形態では、保持容量電極３０上で、隣接する画素電極４０の間に相当する部分に、光吸収体３１が配置される。光吸収体３１が配置されていることによって、点Ｐで反射した光９４は光吸収体３１に吸収され、隣の画素へ向かう反射光は発生しない。これによって、上下左右に隣接する画素への光漏れや不要混色を防ぎ、表示装置の表示特性を向上させることが可能となる。

なお、本発明ではＯＬＥＤ発光層１７が白発光であり、カラーフィルタ２１〜２３があることが前提となる。これはカラーフィルタがなく、サブ画素ごとに赤、緑、青の色にてＯＬＥＤ発光層が発光する形態の場合は、点Ｐおよび点Ｑによる反射を経た出射光は光９１と異なる色となることが無く、混色の問題が起きないからである。

（変形例１）
実施例１では、光吸収体３１を保持容量電極３０上に接して配置したが、本発明はこれに限られない。光吸収体３１は、バンク層１６付近の封止膜１９と充填材２０の界面で反射した光が、保持容量電極３０に進行するのを防ぐ位置に配置すればよい。

図６は、実施形態１の変形例１における表示装置の画素回路の断面図を示す図である。図５と図６とを比較すると、図６では光吸収体３１が容量絶縁膜１５上に配置されている点が異なる。図６を参照すると、容量絶縁膜１５上に配置された光吸収体３１が、点Ｐで反射した光９４を吸収して、保持容量電極３０へ進行させないことがわかる。

図６では、光吸収体３１は画素電極４０が配置されない領域全体に配置されており、容量絶縁膜１５は光吸収体３１又は画素電極４０に覆われている構成をとっているが、本発明はこれに限らない。変形例１のように光吸収体３１を容量絶縁膜１５上に配置する場合、図５と比較すると光吸収体３１が配置される位置が点Ｐに近いので、点Ｐで反射した光９４が保持容量電極３０で反射し隣の画素に向かうことを防ぐためには、隣接する画素電極４０の間隔よりも狭く光吸収体３１を形成してもよい。

さらに、変形例１とは異なり、例えば容量絶縁膜１５を多層構造とし、容量絶縁膜１５の内部に光吸収体３１を配置しても良い。また、バンク層１６の上又はその内部に光吸収体３１を配置してもよい。

（変形例２）
図７は、実施形態１の変形例２における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。図４と図７とを比較すると、図７では、光吸収体３１が隣接する画素電極４０の上下左右に配置され、斜め方向には配置されていない点が異なる。斜めに隣り合う画素電極４０の距離は、上下又は左右に隣り合う画素電極４０の距離よりも長いので、斜めに隣り合う画素間の光漏れや不要混色の影響は、上下又は左右に隣り合う画素間の影響よりも小さい。したがって、画素電極４０の斜め方向に光吸収体３１を配置しなくても、不要混色等の影響は小さく、その反面、実施例１と比較して光吸収体３１の製造コストを下げることが可能になる。

また、例えば上下方向に同色を発光する画素が配置される表示装置の場合、同色の画素間での不要混色等の影響は比較的小さいので、画素電極４０の上下方向には光吸収体３１を配置しない構成とすることも可能である。

（変形例３）
図８は、実施形態１の変形例３における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。図８と図７とを比較すると、いずれも光吸収体３１が隣接する画素電極４０の上下左右に配置されているものの、図８では開口部４２の付近に光吸収体３１が配置されていない点が異なる。

図８に示すように、矩形状の画素電極４０の頂点付近に開口部４２が存在し、発光部４１はＬ字型を形成している。上下に隣接する発光部４１の開口部４２が存在する付近は、発光部４１間の間隔が比較的広いので、封止膜１９と充填材２０との界面で反射した光が保持容量電極３０の形成された層へ到達する可能性は低い。また、開口部４２にはコンタクトホール１４（図示せず）が存在し、封止膜１９と充填材２０との界面で反射した光の障害物として機能する。したがって、開口部４２の付近には光吸収体３１を形成しなくても、保持容量電極３０の反射を抑制することが可能となる。このような構成をとることによって、変形例２よりもさらに製造コストを下げることが可能となる。なお、変形例３においても、変形例２の説明で述べたように、同色を発光する画素が隣接する場合には、当該画素電極４０の間に光吸収体３１を配置しない構成とすることも可能である。

（変形例４）
図９は、実施形態１の変形例４における表示装置の画素回路の平面図を示す図である。変形例４は、光吸収体３１に、隣接する画素で表示する光の波長域に吸収帯を有する顔料を含有する感光性樹脂が用いられる。

図９では、左から順に赤色を表示する発光部４１ｒ、緑色を表示する発光部４１ｇ、青色を表示する発光部４１ｂ、そして赤色を表示する発光部４１ｒが順に配置され、上下方向には同一色を表示する発光部４１ｒ、４１ｇ又は４１ｂが配置される。

赤色を表示する画素の発光部４１ｒから隣接する緑色を表示する画素に向かう光による混色を抑制するには、この光の緑色波長域の成分が光吸収体で吸収されればよい。反対に、緑色を表示する画素の発光部４１ｇから隣接する赤色を表示する画素に向かう光による混色を抑制するには、この光の赤色波長域の成分が光吸収体で吸収されればよい。これらを同時に実現するには、光吸収体の両側の画素で表示する緑色波長域および赤色波長域に吸収帯が存在し、青色波長域の光を透過する光吸収体であってもよい。したがって、発光部４１ｒを有する画素電極４０と、発光部４１ｇを有する画素電極４０との間には、青色波長域を透過する光吸収体３１ｂを配置する。同様に、発光部４１ｇを有する画素電極４０と発光部４１ｂを有する画素電極４０との間には、赤色波長域を透過する光吸収体３１ｒを配置し、発光部４１ｂを有する画素電極４０と発光部４１ｒを有する画素電極４０との間には、緑色波長域を透過する光吸収体３１ｇを配置する。

上下に隣接する同色の画素間においても、上述の吸収帯に関する説明があてはまるが、必ずしも赤、緑、青以外の色を追加する必要はない。例えば、赤色を表示する画素間では、赤色波長域に吸収帯が存在すればよく、シアン波長域の光を透過する吸収体であってもよいが、緑色または青色波長域の光を透過する吸収体でもよい。ここでは、赤色の発光部４１ｒを有する画素電極４０間には、青色波長域を透過する光吸収体３１ｂを配置し、緑色の発光部４１ｇを有する画素電極４０間には、赤色波長域を透過する光吸収体３１ｒを配置し、青色の発光部４１ｂを有する画素電極４０間には、緑色波長域を透過する光吸収体３１ｇを配置した。

＜実施形態２＞
次に、図１０及び１１を用いて、実施形態２に係る表示装置の構成を説明する。実施形態２では、反射光を抑制する機能を有する部材として、光散乱体３２が用いられる。なお、特に言及しない部分については、実施形態２と実施形態１とは共通するものとする。

図１０は、実施形態２における光散乱体３２の平面図である。図４と同様に、光散乱体３２は、上下左右に隣接する画素電極４０の間に配置される。

図１１は、実施形態２における表示装置の画素回路において、図１０のＡ−Ａ’線における断面図を示したものである。

図１１を参照すると、保持容量電極３０上で、隣接する画素電極４０の間に相当する幅をもって、光散乱体３２が配置される。光散乱体３２には、容量絶縁膜１５の屈折率と異なる屈折率を有する微粒子を含有した、感光性樹脂を用いても良い。あるいは、保持容量電極３０の上面の一部に凹凸を形成して、光散乱体３２としてもよい。

点Ｐで反射した光９４が光散乱体３２の点Ｑ２に到達すると、光９４は光散乱体３２の上側に分散して反射する。反射した光の一部である光９６が、隣接する画素のカラーフィルタ２１を通過して、混色を生じさせる場合もあるが、光９６は光９５の散乱した反射光の一部でしかないため、混色の影響を抑制することができる。

（変形例）
実施形態２における光散乱体３２の平面上の配置に関しては、実施形態１の変形例２及び３と同様である。断面における光散乱体３２の配置に関しても、実施形態１の変形例１と同様に、必ずしも保持容量電極３０に接して配置されなくともよい。ただし、光散乱体３２で反射される光のうち、混色を生じる角度に反射する光を可及的に減少させるという観点からは、光散乱体３２は保持容量電極３０に接して配置されることが好ましい。

＜実施形態３＞
次に、図１２及び１３を用いて、実施形態３に係る表示装置の構成を説明する。実施形態３では、反射光を抑制する機能を有する部材として、反射低減層３３が用いられる。なお、特に言及しない部分については、実施形態３と実施形態１とは共通するものとする。

図１２は、実施形態３における反射低減層３３の平面図である。反射低減層３３は、保持容量電極３０（図示せず）上に積層されるので、平面上は開口部４２を除く領域に配置される。

図１３は、実施形態３における表示装置の画素回路において、図１２のＡ−Ａ’線における断面図を示したものである。

図１３を参照すると、保持容量電極３０上に、反射低減層３３が積層される。反射低減層３３には、光の反射を低減させる性質を有する材質が用いられ、例えば容量絶縁膜１５の屈折率と異なる屈折率を有する誘電体積層膜が用いられる。材料としては、窒化シリコンや酸化シリコン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム等の複数の誘電体薄膜を繰り返し積層した積層膜であり、保持容量電極３０及び保持容量配線３５をフォトリソグラフィープロセスによってパターン形成する際に一括加工することで、反射低減層３３を作製すればよい。この場合、誘電体積層膜に入射した光と保持容量電極３０での反射光が光学干渉によって弱め合う条件に各層の膜厚を調整することが望ましい。

点Ｐで反射した光９４が反射低減層３３の点Ｑ３に到達すると、点Ｑ３で反射した光９７が進行する。光９７は、隣接する画素のカラーフィルタ２１を通過するが、反射低減層３３で反射した光９７は光９４と比較して光の強さが低減しているので、混色の影響を抑制することができる。

（変形例）
実施形態３における反射低減層３３の平面上の配置に関しては、実施形態１並びにその変形例２及び３と同様に、隣接する画素電極４０間に配置されてもよい。断面における反射低減層３３の配置に関しても、実施形態１の変形例１と同様に、必ずしも保持容量電極３０に接して配置されなくともよい。ただし、反射低減層３３で反射される光のうち、混色を生じる角度に反射する光を可及的に減少させるという観点からは、反射低減層３３は保持容量電極３０に接して配置されることが好ましい。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったものの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

１１：下基板
１２：画素回路
１３：層間絶縁膜
１４：コンタクトホール
１５：容量絶縁膜
１６：バンク層
１７：ＯＬＥＤ発光層
１８：陰極
１９：封止膜
２０：充填材
２１、２２、２３：カラーフィルタ
２４：ブラックマトリクス
２５：上基板
３０：保持容量電極
３１、３１ｒ、３１ｇ、３１ｂ：光吸収体
３２：光散乱体
３３：反射低減層
３５：保持容量配線
３６：保持容量
４０：画素電極
４１、４１ｒ、４１ｇ、４１ｂ：発光部
４２：開口部
６１：走査信号線
６２：映像信号線
６３：駆動電源線
７１：制御ＴＦＴ
７２：駆動ＴＦＴ
７３：蓄積容量
７４：ＯＬＥＤ素子

Claims (13)

1. 絶縁膜を介して画素電極と対向する保持容量電極を含む複数の画素と、
   前記複数の画素の間に配置され、反射光を抑制する機能を持つ部材と
   を有する表示装置。
2. 前記複数の画素の間に配置されるバンク層と、
   前記画素電極及び前記バンク層上に配置されるＯＬＥＤ発光層と、
   前記ＯＬＥＤ発光層上に配置される陰極と、
   前記陰極上に配置される封止膜と、
   前記封止膜上に配置される充填材と
   をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記反射光を抑制する機能を持つ部材は、光吸収体であることを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記光吸収体は、黒色顔料を含有する感光性樹脂からなることを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
5. 前記光吸収体は、前記保持容量電極上に配置されることを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
6. 前記光吸収体は、前記絶縁膜上に配置されることを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
7. 前記光吸収体は、前記バンク層上に配置されることを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
8. 前記反射光を抑制する機能を持つ部材は、光散乱体であることを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
9. 前記光散乱体は、前記保持容量電極上に配置されることを特徴とする、請求項８に記載の表示装置。
10. 前記光散乱体は、前記絶縁膜の屈折率と異なる屈折率の微粒子を含有する感光性樹脂であることを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
11. 前記光散乱体は、前記保持容量電極の前記絶縁膜側の表面に凹凸を形成したものであることを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
12. 前記反射光を抑制する機能を持つ部材は、反射低減層であることを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
13. 前記反射低減層は誘電体積層膜からなり、前記誘電体積層膜の屈折率は前記絶縁膜の屈折率と異なることを特徴とする、請求項１２に記載の表示装置。