JP2015036443A - Method for producing surface-treated metal powder - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a surface-treated copper powder and metal powder which can be suitably used for producing an electrode for a chip laminated ceramic capacitor and have excellent sintering delaying properties.SOLUTION: There is provided a method for producing a surface-treated metal powder which comprises: a step of mixing a metal powder which is produced by a wet method and has a D50 of 0.05 μm to 1 μm and a Dmax of 1 μm or less with an alkaline aqueous solution, followed by separating to obtain an alkali-treated metal powder; a step of mixing the alkali-treated metal powder with an acidic aqueous solution of a coupling agent, followed by separating to obtain a coupling agent-treated metal powder; a step of washing the coupling agent-treated metal powder with an aqueous solvent; and a step of drying and pulverizing the metal powder washed with the aqueous solvent.

Description

本発明は、チップ積層セラミックコンデンサー用電極の製造に好適に使用可能な、焼結遅延性に優れた、表面処理された銅粉及び金属粉の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a surface-treated copper powder and metal powder that are suitably used for production of an electrode for a chip multilayer ceramic capacitor and that have excellent sintering delay.

チップ積層セラミックコンデンサーは、小型大容量という特徴のために、多くの電子機器で使用されている電子部品である。チップ積層セラミックコンデンサーは、セラミック誘電体と内部電極を層状に積み重ねて一体化した構造となっており、積層された各層がそれぞれコンデンサ素子を構成し、外部電極によってこれらの素子を電気的に並列となるように接続して、全体としてひとつの小型で大容量のコンデンサーとなっている。   Chip multilayer ceramic capacitors are electronic components used in many electronic devices because of their small size and large capacity. Chip monolithic ceramic capacitors have a structure in which ceramic dielectrics and internal electrodes are stacked and integrated in layers, and each laminated layer constitutes a capacitor element, and these elements are electrically connected in parallel by external electrodes. As a whole, it becomes one small and large-capacity capacitor.

チップ積層セラミックコンデンサーの製造においては、誘電体のシートが、次のように製造される。すなわち、まず、BaTiO3等の誘電体原料粉末に分散剤や成型助剤としての有機バインダ及び溶剤を加え、粉砕、混合、脱泡工程を経て、スラリーを得る。その後、ダイコータ等の塗布工法により、スラリーをPETフィルム等のキャリアフィルム上に薄く延ばして塗布する。それを乾燥して薄い誘電体シート(グリーンシート)を得る。 In the manufacture of a chip multilayer ceramic capacitor, a dielectric sheet is manufactured as follows. That is, first, an organic binder and a solvent as a dispersing agent and a molding aid are added to a dielectric raw material powder such as BaTiO 3 , and a slurry is obtained through pulverization, mixing, and defoaming steps. Thereafter, the slurry is thinly applied to a carrier film such as a PET film by a coating method such as a die coater. It is dried to obtain a thin dielectric sheet (green sheet).

一方、チップ積層セラミックコンデンサーの内部電極の原料である金属粉末が、誘電体原料粉末の場合と同様に、分散剤や成型助剤としての有機バインダ及び溶剤との混合、脱泡工程を経て、スラリーとなる。これを主にスクリーン印刷法によりグリーンシート(誘電体シート)上に内部電極を印刷し、乾燥した後に、印刷済のグリーンシートをキャリアフィルムから剥離して、このようなグリーンシートを、多数積層させる。   On the other hand, the metal powder that is a raw material of the internal electrode of the chip multilayer ceramic capacitor is mixed with an organic binder and a solvent as a dispersing agent or a molding aid and a defoaming step, as in the case of the dielectric raw material powder, It becomes. The internal electrode is printed on a green sheet (dielectric sheet) mainly by screen printing, and after drying, the printed green sheet is peeled off from the carrier film, and a large number of such green sheets are laminated. .

このようにして積層させたグリーンシートに数10〜数100MPaのプレス圧力を加えて一体化させた後、個々のチップに切断する。その後、焼成炉で内部電極層、誘電体層を1000℃前後の高温で焼結させる。このようにして、チップ積層セラミックコンデンサーが製造される。   The green sheets thus laminated are integrated by applying a press pressure of several tens to several hundreds of MPa, and then cut into individual chips. Thereafter, the internal electrode layer and the dielectric layer are sintered at a high temperature of about 1000 ° C. in a firing furnace. In this way, a chip multilayer ceramic capacitor is manufactured.

このようなチップ積層セラミックコンデンサーの内部電極には、この技術が開発された当時はPtが使用されていたが、コストの観点からPd、Pd−Ag合金、現在はNiが主に使用されている。しかし、近年は環境規制の観点からNiをCuに置き換えることが求められるようになってきた。また、NiをCuに置き換えれば、原理的には、高周波用途で低インダクタンスが実現可能となる。また、Cuは、Niよりもさらにコストが安いという利点もある。   At the time when this technology was developed, Pt was used for the internal electrode of such a chip multilayer ceramic capacitor. However, Pd, Pd—Ag alloy, and currently Ni are mainly used from the viewpoint of cost. . However, in recent years, it has been required to replace Ni with Cu from the viewpoint of environmental regulations. Further, if Ni is replaced with Cu, in principle, low inductance can be realized for high frequency applications. Further, Cu has an advantage that the cost is lower than that of Ni.

一方、コンデンサーの小型化に伴い、内部電極は薄層化する傾向にあり、次世代タイプでは1μm前後になると言われている。このため、内部電極用粉末の粒子サイズはさらに小さいものが望まれるようになっている。   On the other hand, with the miniaturization of capacitors, the internal electrodes tend to be thinned, and it is said that the next-generation type will be around 1 μm. For this reason, a smaller particle size of the powder for internal electrodes is desired.

ところが、そもそもCuの融点は、Pt、Pd、Niに比べて低い。さらに、上記のように望まれている粒子の小径化による表面積の増加が引き起こす融点の低下により、内部電極粉末としてCuが採用された場合には、焼成時には、より低い温度でCu粉の溶融が始まる。これは電極層自体にクラックの発生を誘発する。また、降温後に電極層が急激に収縮するので、誘電体層と電極層の剥離(デラミネーション)が起こる可能性がある。このような不具合を避けるために、内部電極用金属粉には誘電体と同等の熱収縮特性が求められており、これを表す指標として焼結開始温度がある。   However, the melting point of Cu is lower than that of Pt, Pd, and Ni in the first place. Furthermore, when Cu is employed as the internal electrode powder due to a decrease in melting point caused by an increase in surface area due to the reduction in particle diameter as described above, the melting of Cu powder at a lower temperature during firing is performed. Begins. This induces the generation of cracks in the electrode layer itself. Further, since the electrode layer contracts rapidly after the temperature is lowered, there is a possibility that the dielectric layer and the electrode layer are separated (delamination). In order to avoid such inconveniences, the metal powder for internal electrodes is required to have a heat shrinkage characteristic equivalent to that of a dielectric, and an index representing this is a sintering start temperature.

このような要望に対して、これまで、ペーストに誘電体粒子またはガラスフリットを添加して、Cu粉同士の接点を減らす、または、チップ積層セラミックコンデンサーの内部電極に適したCu粉を得るために、Cu粉に表面処理を行う方法が提案されてきた。   In response to such demands, until now, to add dielectric particles or glass frit to the paste to reduce the contact between Cu powders, or to obtain Cu powders suitable for internal electrodes of chip multilayer ceramic capacitors A method of performing surface treatment on Cu powder has been proposed.

ペーストに誘電体粒子、またはガラスフリットを添加する場合、Cu粉よりも小さくないと焼結後の導体層でこれらが抵抗となり、電極としての機能が低下する。このため、誘電体粒子やガラスフリットはCu粉よりも小さくなければならない。Cu粉自体が0.1μmである場合、誘電体粒子やガラスフリットは数十nmの大きさである必要がある。このため、ハンドリングが困難となる上に、ペーストの原料コストが高くなってしまう。   When adding dielectric particles or glass frit to the paste, if it is not smaller than Cu powder, these become resistance in the conductor layer after sintering, and the function as an electrode is reduced. For this reason, dielectric particles and glass frit must be smaller than Cu powder. When the Cu powder itself is 0.1 μm, the dielectric particles and the glass frit need to have a size of several tens of nm. For this reason, handling becomes difficult and the raw material cost of the paste becomes high.

特許文献1(特許第4001438号)はCu粉を液中に分散させ、これに金属元素の水溶性塩の水溶液を添加し、pHを調整して金属酸化物をCu粉表面に固着させ、さらにこれらの表面処理銅粉を相互に衝突させて表面処理層の固着を強化させる技術である。しかし、工程が銅粉への金属酸化物の吸着、及び固着強化から構成されるので、生産性の点で問題がある。また、銅粉の粒径が0.5μmよりもさらに小さくなると、吸着させる金属酸化物粒子とサイズが近くなるので、銅粉への酸化物の吸着自体が困難になると予想される。   Patent Document 1 (Patent No. 4001438) disperses Cu powder in a liquid, adds an aqueous solution of a water-soluble salt of a metal element to this, adjusts the pH to fix the metal oxide to the surface of the Cu powder, This is a technology for strengthening the adhesion of the surface treatment layer by causing these surface treatment copper powders to collide with each other. However, since the process is composed of adsorption of metal oxide to copper powder and adhesion strengthening, there is a problem in terms of productivity. Further, if the particle size of the copper powder is further smaller than 0.5 μm, the size of the metal oxide particles to be adsorbed becomes close, so that it is expected that the adsorption of the oxide itself to the copper powder becomes difficult.

特許文献2(特許第4164009号)は、特定の官能基を有するシリコーンオイルで銅粉を被覆させる技術である。しかし、オイルとCu粉を混合するので、凝集しやすく、作業性の点で問題がある。また、オイルとCu粉の分離の際のろ過が、困難であり、作業性の点で問題がある。   Patent Document 2 (Japanese Patent No. 4164209) is a technique for coating copper powder with silicone oil having a specific functional group. However, since oil and Cu powder are mixed, it is easy to aggregate and there is a problem in terms of workability. Moreover, filtration at the time of isolation | separation of oil and Cu powder is difficult, and there exists a problem in the point of workability | operativity.

特許文献3(特許第3646259号)は、銅粉表面で加水分解したアルコキシシランをアンモニア触媒で縮合重合させて、SiO2ゲルコーティング膜を形成させる技術である。しかし、粒径1μm以下の銅粉に適用した際に、触媒であるNH3の凝集を防ぐように連続添加しなければならないが、反応制御が添加の具体的な操作技能の巧拙に依存していて非常に難しく、作業性及び生産性の点で、問題がある。 Patent Document 3 (Patent No. 3646259) is a technique for forming an SiO 2 gel coating film by subjecting alkoxysilane hydrolyzed on the surface of copper powder to condensation polymerization using an ammonia catalyst. However, when applied to copper powder having a particle size of 1 μm or less, it must be continuously added to prevent aggregation of NH 3 as a catalyst. However, reaction control depends on the skill of the specific operation skill of addition. It is very difficult, and there are problems in terms of workability and productivity.

特許文献4(特開2012−140661)は、Cu粉の製造の過程において、Cu2+をヒドラジン等で還元する際、水溶性ケイ酸を反応系に添加することで、ケイ酸をCu粉内部に取り込ませ、さらに表面に吸着させる技術である。このケイ酸により焼結遅延性は向上するものの、Cu粉の形状は扁平であるため、電極表面は平坦とならずに凹凸に富む可能性が高い。この凹凸は電極層の厚みが薄くなると顕著になるため、電極層を薄層化して積層数を増やして高容量化を目指すコンデンサーには、原理的に不向きである。また、ケイ酸塩が内部に存在する銅粉をペースト化し、内部電極パターンを形成して得られた銅電極はSiがCuに固溶している可能性が高い。これは内部電極の焼成が通常は還元雰囲気で行われるからである。よって、このような電極は導電率が低いものとなり、電極として求められる電気伝導の機能が劣化する可能性がある。 Patent Document 4 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-140661) discloses that when reducing Cu 2+ with hydrazine or the like in the process of producing Cu powder, water-soluble silicic acid is added to the reaction system so that silicic acid is contained inside the Cu powder. It is a technology that makes it take in and adsorb on the surface. Although this silicic acid improves the sintering delay, the shape of the Cu powder is flat, so that the electrode surface is not likely to be flat but is likely to be rich in irregularities. Since this unevenness becomes conspicuous as the electrode layer becomes thinner, it is theoretically unsuitable for a capacitor aiming at higher capacity by thinning the electrode layer and increasing the number of layers. Moreover, there is a high possibility that Si is solid-solved in Cu in a copper electrode obtained by pasting copper powder in which silicate is present to form an internal electrode pattern. This is because the internal electrodes are usually fired in a reducing atmosphere. Therefore, such an electrode has a low electrical conductivity, and there is a possibility that the electric conduction function required for the electrode is deteriorated.

特許文献5(特許第3646259号)は、フレーク状でD50が0.3〜7μmの比較的大きな扁平銅粉に有機物処理を施す技術である。この有機物処理にはシランカップリング剤が含まれるとされるが、一般的な種類を列挙しているだけで、どのような種類のカップリング剤、及びその処理方法に関する具体的な記述、および実施形態は記載されていない。また、これは比較的大きなフレーク状の銅粉を処理する技術であるために、銅粉の形状が球状、もしくはそれに近い形状であったり、高温焼結性も向上させなければならない場合には、この技術では対応できない。   Patent Document 5 (Patent No. 3646259) is a technique for subjecting a relatively large flat copper powder having a flake shape and a D50 of 0.3 to 7 μm to organic treatment. This organic treatment is said to include a silane coupling agent, but only a general type is listed, a specific description of what kind of coupling agent and its treatment method, and implementation The form is not described. In addition, since this is a technology for processing relatively large flaky copper powder, the shape of the copper powder is spherical, or a shape close to it, or when high temperature sinterability must be improved, This technology can not cope.

特許文献6(特許第4588688号)は、シランカップリング剤としてアミノ基を有するシランでニッケル錯イオンを介してニッケル粉を覆い、さらに熱処理をしてシリカ層を形成させる技術である。これは、ニッケル粉の製粉過程からアミノシランを反応系に存在させ、ニッケル粉の表面だけではなく、内部にも取り込まれる。このような構成のニッケル粉から形成された内部電極パターンを還元雰囲気中で焼成する場合、NiにSiが固溶するため、電極の導電性が低下する可能性がある。また、製粉の反応系にアミノシランが存在すると、ニッケル粉の形態が扁平状になる可能性がある。これは内部電極の薄層化の障害となる可能性がある。さらに、粉末を焼成してシリカ層を形成させる工程では、ニッケル粉間でシリカ層の形成が起こる可能性が大きい。この場合、シリカ層の形成により、ニッケル粉が凝集してしまうことになり、内部電極の薄層化の障害となる。また、あらかじめシリカ層を形成させておくと、ペーストの混練過程、特にせん断応力で凝集を解砕する3本ロールを使用する場合に、シリカ層で被覆されたニッケル粉同士が接触して、せっかく形成したシリカ層が破壊される可能性がある。   Patent Document 6 (Patent No. 4,588,688) is a technique for forming a silica layer by covering nickel powder with a silane having an amino group as a silane coupling agent through nickel complex ions and further performing a heat treatment. This causes aminosilane to be present in the reaction system from the nickel powder milling process, and is incorporated not only into the surface of the nickel powder but also into the interior. When the internal electrode pattern formed from nickel powder having such a structure is fired in a reducing atmosphere, Si is dissolved in Ni, and thus the conductivity of the electrode may be lowered. Moreover, when aminosilane exists in the reaction system of milling, the form of nickel powder may become flat. This may be an obstacle to the thinning of the internal electrode. Furthermore, in the step of firing the powder to form a silica layer, there is a high possibility that a silica layer is formed between the nickel powders. In this case, the formation of the silica layer causes the nickel powder to agglomerate, which hinders the thinning of the internal electrode. In addition, if the silica layer is formed in advance, the nickel powder coated with the silica layer comes into contact with each other when using the three rolls for crushing the agglomeration due to the kneading process of the paste, particularly shear stress. The formed silica layer may be destroyed.

特許文献7(特許第4356323号)は、ニッケル粉の凝集を防ぐために、ニッケル粉末を多価アルコール、シランカップリング剤及びアルカノールアミンから選ばれる表面処理剤で処理する表面処理工程と、このニッケル粉末を100〜300℃で加熱する加熱工程とジェットミルにて粉砕する工程とを含む、表面処理ニッケル粉の製造方法である。特許文献6と同様に、加熱処理によって粉末を焼成してシリカ層を形成させる工程においては、ニッケル粉間でシリカ層の形成が起こる可能性が大きい。この場合、シリカ層の形成により、ニッケル粉が凝集してしまうことになり、内部電極の薄層化の障害となる。   Patent Document 7 (Japanese Patent No. 4356323) discloses a surface treatment process in which nickel powder is treated with a surface treatment agent selected from a polyhydric alcohol, a silane coupling agent, and an alkanolamine in order to prevent the aggregation of nickel powder, and the nickel powder. It is a manufacturing method of the surface treatment nickel powder including the heating process of heating at 100-300 degreeC, and the process of grind | pulverizing with a jet mill. Like patent document 6, in the process of baking a powder by heat processing and forming a silica layer, formation of a silica layer between nickel powders has a high possibility. In this case, the formation of the silica layer causes the nickel powder to agglomerate, which hinders the thinning of the internal electrode.

特許文献8(特開平7−197103)は、金属粉の焼結遅延性を向上させるために、金属粉と有機レジネートと有機溶剤を混合分散メディアで混合し、有機溶剤を揮発させて表面処理金属粉を得る技術である。特許文献に記載されているように、この方法は混合時間、及び有機溶剤の揮発工程の所要時間が長く、生産性の観点から工業的な実施に向かない。   Patent Document 8 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-197103) discloses a surface-treated metal in which metal powder, an organic resinate, and an organic solvent are mixed with a mixed dispersion medium and the organic solvent is volatilized in order to improve the sintering delay of the metal powder. It is a technique for obtaining powder. As described in the patent literature, this method requires a long mixing time and a long time for the organic solvent volatilization process, and is not suitable for industrial implementation from the viewpoint of productivity.

特許第4001438号公報Japanese Patent No. 4001438 特許第4164009号公報Japanese Patent No. 4164209 特許第3646259号公報Japanese Patent No. 3646259 特開2012−140661号公報JP 2012-140661 A 特許第3646259号公報Japanese Patent No. 3646259 特許第4588688号公報Japanese Patent No. 4588688 特許第4356323号公報Japanese Patent No. 4356323 特開平7−197103号公報JP 7-197103 A

このように、チップ積層セラミックコンデンサーの内部電極の製造に好適に使用可能な、焼結遅延性、作業性、及び生産性に優れた、銅粉及び金属粉が求められている。そこで、本発明の目的は、チップ積層セラミックコンデンサー用電極の製造に好適に使用可能な、焼結遅延性に優れた、表面処理された銅粉及び金属粉の製造方法を、提供することにある。   Thus, there is a demand for copper powder and metal powder excellent in sintering delay, workability, and productivity that can be suitably used for the production of internal electrodes of chip multilayer ceramic capacitors. Then, the objective of this invention is providing the manufacturing method of the surface-treated copper powder and metal powder which were suitably used for manufacture of the electrode for chip | tip multilayer ceramic capacitors, and were excellent in the sintering delay property. .

本発明者は鋭意研究の結果、後述する方法によって表面処理を行って製造した、表面処理された金属粉が、焼結遅延性、作業性、及び生産性に優れ、チップ積層セラミックコンデンサーの内部電極の製造に好適に使用可能であることを見いだして、本発明に到達した。また、この表面処理された金属粉による金属粉ペーストは、塗布して形成したペースト塗膜が非常に平坦化されたものとなっており、チップ積層セラミックコンデンサー用電極の薄層化に、特に有利なものとなっている。   As a result of diligent research, the present inventors have conducted surface treatment by a method described later, and the surface-treated metal powder has excellent sintering delay, workability, and productivity, and is an internal electrode of a chip multilayer ceramic capacitor. As a result, the present invention has been found. In addition, the metal powder paste made of this surface-treated metal powder has a paste film that is formed by applying a very flat surface, which is particularly advantageous for thinning the electrodes for chip multilayer ceramic capacitors. It has become a thing.

したがって、本発明は次の(1)〜にある。
(1)
湿式法で製粉されてD50が0.05μm〜1μmで、Dmaxが1μm以下である金属粉を、アルカリ性水溶液と混合した後に分離して、アルカリ処理された金属粉を得る工程、
アルカリ処理された金属粉を、酸性のカップリング剤水溶液と混合した後に分離して、カップリング剤処理された金属粉を得る工程、
カップリング剤処理された金属粉を、水性溶媒によって洗浄する工程、
水性溶媒によって洗浄された金属粉を、乾燥及び解砕する工程、
を含む、表面処理された金属粉の製造方法。
(2)
酸性のカップリング剤水溶液のpHが、pH1.0〜5.0である(1)に記載の方法。
(3)
金属粉がCu、Ni、Ag、Pd、Pt、Auのいずれかの金属粉である(1)〜(2)のいずれかに記載の方法。
(4)
カップリング剤がシラン、チタネート、アルミネートのいずれかである(1)〜(3)のいずれかに記載の方法。
(5)
(1)〜(4)のいずれかに記載の方法で製造された、焼結開始温度が500℃以上である、表面処理された金属粉。
(6)
STEMで得られる表面近傍のEDSの濃度profileにおいて、Al、Si、及びTiからなる群から選択された1種の元素を含む表面処理層の厚みをx(nm)、金属粉の焼結開始温度をy(℃)としたとき、次の式:
0.5≦x≦10
20x+530≦y
を満たす、(1)〜(4)のいずれかに記載の方法で製造された、表面処理された金属粉。
(7)
Al、Si、及びTiからなる群から選択された1種の元素の金属粉1gに対する付着量をx(μg)、焼結開始温度をy(℃)としたとき、次の式:
50≦x≦1500
0.2x+510≦y
を満たす、(1)〜(4)のいずれかに記載の方法で製造された、表面処理された金属粉。
(8)
金属粉に対するXPSのmultiplex測定によって、金属粉表面のAl、Si、及びTiからなる群から選択された1種の元素Aが原子濃度をx(atomic%)、焼結開始温度をy(℃)としたとき、次の式:
0.3≦x≦2.5
150x+390≦y
を満たす、(1)〜(4)のいずれかに記載の方法で製造された、表面処理された金属粉。
(9)
(5)〜(8)のいずれかに記載の表面処理された金属粉が、さらに有機化合物で表面処理されてなる、表面処理された金属粉。
(10)
(5)〜(9)のいずれかに記載の表面処理された金属粉を使用して製造された導電性金属粉ペースト。
(11)
(10)の導電性金属粉ペーストを使用して製造された、チップ積層セラミックコンデンサー。
(12)
内部電極断面に、直径10nm以上のSiO2、TiO2、又はAl23のいずれかが存在している、(11)に記載のチップ積層セラミックコンデンサー。
(13)
内部電極断面に、最大径0.5μm以上のSiO2、TiO2、又はAl23のいずれかが0.5個/μm2以下で存在している、(11)又は(12)に記載のチップ積層セラミックコンデンサー。
(14)
(11)〜(13)のいずれかに記載のチップ積層セラミックコンデンサーを最外層に実装した多層基板。
(15)
(11)〜(13)のいずれかに記載のチップ積層セラミックコンデンサーを内層に実装した多層基板。
(16)
(14)又は(15)に記載の多層基板を搭載した電子部品。
(17)
(1)〜(4)のいずれかに記載の製造方法によって製造された、表面処理された金属粉を、溶媒及び/又はバインダーと配合して、導電性金属粉ペーストを製造する方法。
(18)
(1)〜(4)のいずれかに記載の製造方法によって製造された、表面処理された金属粉を、溶媒及び/又はバインダーと配合して、導電性金属粉ペーストを得る工程、
導電性金属粉ペーストを基材に塗布する工程、
基材に塗布された導電性金属粉ペーストを加熱焼成する工程、
を含む、電極を製造する方法。
Therefore, this invention exists in following (1)-.
(1)
A step of obtaining a metal powder subjected to alkali treatment by separating a metal powder having a D50 of 0.05 μm to 1 μm and a Dmax of 1 μm or less mixed with an alkaline aqueous solution after being milled by a wet method;
Separating the alkali-treated metal powder after mixing with an acidic aqueous coupling agent solution to obtain a metal powder treated with the coupling agent;
Washing the metal powder treated with the coupling agent with an aqueous solvent;
Drying and crushing the metal powder washed with an aqueous solvent,
A method for producing a surface-treated metal powder, comprising:
(2)
The method according to (1), wherein the acidic coupling agent aqueous solution has a pH of 1.0 to 5.0.
(3)
The method according to any one of (1) to (2), wherein the metal powder is any one of Cu, Ni, Ag, Pd, Pt, and Au.
(4)
The method according to any one of (1) to (3), wherein the coupling agent is any one of silane, titanate, and aluminate.
(5)
A surface-treated metal powder produced by the method according to any one of (1) to (4) and having a sintering start temperature of 500 ° C. or higher.
(6)
In the EDS concentration profile in the vicinity of the surface obtained by STEM, the thickness of the surface treatment layer containing one element selected from the group consisting of Al, Si, and Ti is x (nm), and the sintering start temperature of the metal powder Where y (° C.) is the following formula:
0.5 ≦ x ≦ 10
20x + 530 ≦ y
A surface-treated metal powder produced by the method according to any one of (1) to (4), wherein
(7)
When the amount of adhesion of one element selected from the group consisting of Al, Si, and Ti to 1 g of metal powder is x (μg) and the sintering start temperature is y (° C.), the following formula:
50 ≦ x ≦ 1500
0.2x + 510 ≦ y
A surface-treated metal powder produced by the method according to any one of (1) to (4), wherein
(8)
By XPS multiplex measurement for metal powder, one element A selected from the group consisting of Al, Si, and Ti on the metal powder surface has an atomic concentration of x (atomic%) and a sintering start temperature of y (° C.). And the following formula:
0.3 ≦ x ≦ 2.5
150x + 390 ≦ y
A surface-treated metal powder produced by the method according to any one of (1) to (4), wherein
(9)
A surface-treated metal powder, wherein the surface-treated metal powder according to any one of (5) to (8) is further surface-treated with an organic compound.
(10)
The electroconductive metal powder paste manufactured using the surface-treated metal powder in any one of (5)-(9).
(11)
A chip multilayer ceramic capacitor produced using the conductive metal powder paste of (10).
(12)
The chip multilayer ceramic capacitor according to (11), wherein any of SiO 2 , TiO 2 , and Al 2 O 3 having a diameter of 10 nm or more is present in a cross section of the internal electrode.
(13)
(11) or (12), wherein any of SiO 2 , TiO 2 , or Al 2 O 3 having a maximum diameter of 0.5 μm or more is present at 0.5 pieces / μm 2 or less in the internal electrode cross section. Chip multilayer ceramic capacitor.
(14)
(11) A multilayer board on which the chip multilayer ceramic capacitor according to any one of (13) is mounted on an outermost layer.
(15)
(11) A multilayer substrate on which the chip multilayer ceramic capacitor according to any one of (13) is mounted on an inner layer.
(16)
(14) An electronic component on which the multilayer substrate according to (15) is mounted.
(17)
A method for producing a conductive metal powder paste by blending a surface-treated metal powder produced by the production method according to any one of (1) to (4) with a solvent and / or a binder.
(18)
A step of blending the surface-treated metal powder produced by the production method according to any one of (1) to (4) with a solvent and / or a binder to obtain a conductive metal powder paste,
Applying a conductive metal powder paste to a substrate;
A step of heating and firing the conductive metal powder paste applied to the substrate;
A method of manufacturing an electrode comprising:

本発明によって製造される表面処理された金属粉は、表面処理後にも凝集することなく、焼結遅延性に優れ、粒子の小さい金属粉であっても高い焼結開始温度を示す。そこで、本発明による表面処理された金属粉が配合されてなる導電性金属粉ペーストを使用すれば、電極剥離などの製造上の問題を回避して、チップ積層セラミックコンデンサー用電極の製造を、有利に行うことができる。さらに、本発明による表面処理された金属粉が配合されてなる導電性金属粉ペーストは、非常に平坦な塗膜を形成することができるために、薄層電極の製造に特に有利である。また、本発明の製造方法によれば、表面処理された金属粉が、金属粉に対して非常に簡単な処理を行うことで製造でき、この製造方法は、高度な技能を必要とせず、作業性及び生産性に優れたものである。   The surface-treated metal powder produced by the present invention does not aggregate even after the surface treatment, is excellent in sintering delay property, and exhibits a high sintering start temperature even when the metal powder has small particles. Therefore, if the conductive metal powder paste containing the surface-treated metal powder according to the present invention is used, manufacturing problems such as electrode peeling can be avoided and manufacturing of the electrode for the chip multilayer ceramic capacitor can be advantageously performed. Can be done. Furthermore, since the conductive metal powder paste containing the surface-treated metal powder according to the present invention can form a very flat coating film, it is particularly advantageous for the production of a thin layer electrode. Further, according to the production method of the present invention, the surface-treated metal powder can be produced by performing a very simple treatment on the metal powder, and this production method does not require high skill and work. It is excellent in productivity and productivity.

図1は、表面処理によるTi濃度又はSi濃度と、焼結開始温度の関係を示すグラフである(XPS)。FIG. 1 is a graph showing the relationship between the Ti concentration or Si concentration by the surface treatment and the sintering start temperature (XPS). 図2は、表面処理によるTi又はSiの付着量と、焼結開始温度の関係を示すグラフである(付着量)。FIG. 2 is a graph showing the relationship between the adhesion amount of Ti or Si by the surface treatment and the sintering start temperature (attachment amount). 図3は、表面処理によるTi層又はSi層の厚みと、焼結開始温度の関係を示すグラフである(STEM)。FIG. 3 is a graph showing the relationship between the thickness of the Ti layer or Si layer by the surface treatment and the sintering start temperature (STEM).

以下に本発明を実施の態様をあげて詳細に説明する。本発明は以下にあげる具体的な実施の態様に限定されるものではない。
[表面処理された金属粉の製造方法]
本発明に係る表面処理された金属粉の製造方法は、湿式法で製粉されてD50が0.05μm〜1μmで、Dmaxが1μm以下である金属粉を、アルカリ性水溶液と混合した後に分離して、アルカリ処理された金属粉を得る工程、アルカリ処理された金属粉を、酸性のカップリング剤水溶液と混合した後に分離して、カップリング剤処理された金属粉を得る工程、カップリング剤処理された金属粉を、水性溶媒によって洗浄する工程、水性溶媒によって洗浄された金属粉を、乾燥及び解砕する工程、を行って、実施することができる。
The present invention will be described in detail below with reference to embodiments. The present invention is not limited to the specific embodiments described below.
[Method for producing surface-treated metal powder]
In the method for producing a surface-treated metal powder according to the present invention, a metal powder that is milled by a wet method and has a D50 of 0.05 μm to 1 μm and a Dmax of 1 μm or less is separated after being mixed with an alkaline aqueous solution, A step of obtaining an alkali-treated metal powder, a step of obtaining a metal powder treated with a coupling agent by separating an alkali-treated metal powder after mixing with an acidic aqueous solution of a coupling agent, and a treatment with a coupling agent The step of washing the metal powder with an aqueous solvent and the step of drying and crushing the metal powder washed with the aqueous solvent can be carried out.

[表面処理に供される金属粉]
表面処理に供される金属粉の金属としては、例えば、Ag、Pd、Pt、Ni、及びCuから選択された金属を使用することができ、好ましくは、Ag、Ni、及びCuから選択された金属を使用することができる。金属粉として、銅粉、銀粉、及びニッケル粉が好ましい。好適に使用できる金属粉として、次のような湿式法により製造された銅粉を挙げることができる。
[Metal powder for surface treatment]
As the metal of the metal powder subjected to the surface treatment, for example, a metal selected from Ag, Pd, Pt, Ni, and Cu can be used, and preferably selected from Ag, Ni, and Cu. Metal can be used. As the metal powder, copper powder, silver powder, and nickel powder are preferable. Examples of the metal powder that can be suitably used include copper powder produced by the following wet method.

[湿式法による銅粉の製造]
好適な実施の態様において、湿式法による銅粉の製造方法として、アラビアゴムの添加剤を含む水性溶媒中に亜酸化銅を添加してスラリーを作製する工程、スラリーに希硫酸を5秒以内に一度に添加して不均化反応を行う工程、を含む方法によって製造される銅粉を使用することができる。この不均化反応の原理は次のようなものである:
Cu2O+H2SO4 → Cu↓+CuSO4+H2
この不均化によって得られた銅粉は、所望により、洗浄、防錆、ろ過、乾燥、解砕、分級を行って、後の処理に供することができるが、好ましくは乾燥することなく、使用される。
[Manufacture of copper powder by wet method]
In a preferred embodiment, as a method of producing copper powder by a wet method, a step of preparing a slurry by adding cuprous oxide in an aqueous solvent containing an additive of gum arabic, and dilute sulfuric acid in the slurry within 5 seconds The copper powder manufactured by the method including the process of adding at once and performing a disproportionation reaction can be used. The principle of this disproportionation reaction is as follows:
Cu 2 O + H 2 SO 4 → Cu ↓ + CuSO 4 + H 2 O
The copper powder obtained by this disproportionation can be subjected to washing, rust prevention, filtration, drying, crushing, classification, and subsequent treatment as desired, but preferably used without drying. Is done.

好適な実施の態様において、不均化反応によって得られる銅粉は、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した平均粒径が0.25μm以下である。好適な実施の態様において、上記不均化反応によって得られる銅粉は、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定したD10、D90、Dmaxが、[Dmax≦D50×3、D90≦D50×2、D10≧D50×0.5]の関係式を満たし、かつ粒径の分布が単一のピークを有する。好適な実施の態様において、上記不均化反応によって得られる銅粉は、レーザー回折式粒度分布測定装置による測定で、粒度分布が一山である(単一のピークを有する)。好適な実施の態様において、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した値が、[D50≦1.5μm]であり、好ましくは[D50≦1.0μm]であり、さらに好ましくは[D50≦0.5μm、Dmax≦1.0μm]である。レーザー回折式粒度分布測定装置として、例えば、島津製作所製SALD−2100を使用することができる。   In a preferred embodiment, the copper powder obtained by the disproportionation reaction has an average particle size of 0.25 μm or less as measured by a laser diffraction particle size distribution analyzer. In a preferred embodiment, the copper powder obtained by the disproportionation reaction has a D10, D90, and Dmax measured by a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus of [Dmax ≦ D50 × 3, D90 ≦ D50 × 2, D10. ≧ D50 × 0.5], and the particle size distribution has a single peak. In a preferred embodiment, the copper powder obtained by the disproportionation reaction has a single particle size distribution (having a single peak) as measured by a laser diffraction particle size distribution analyzer. In a preferred embodiment, the value measured by a laser diffraction particle size distribution analyzer is [D50 ≦ 1.5 μm], preferably [D50 ≦ 1.0 μm], and more preferably [D50 ≦ 0. 5 μm, Dmax ≦ 1.0 μm]. As a laser diffraction type particle size distribution measuring device, for example, SALD-2100 manufactured by Shimadzu Corporation can be used.

[湿式法による金属粉の製造]
上記の不均化法に加えて、例えば、化学還元法(特許第4164009号公報参照)によって得られる銅粉もまた好適に使用することができる。銅粉の他の金属粉についても、後述する実施例の記載、及び公知の技術にしたがって、湿式法によって製造することができる。
[Production of metal powder by wet method]
In addition to the above disproportionation method, for example, a copper powder obtained by a chemical reduction method (see Japanese Patent No. 4164209) can also be suitably used. Other metal powders of copper powder can also be produced by a wet method in accordance with the description of Examples described later and known techniques.

[アルカリ水溶液との混合及び分離]
湿式法による金属粉は、アルカリ水溶液と混合した後に分離される。アルカリ水溶液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水溶液、例えば、0.01M〜2M(モル/リットル)の濃度の水溶液を使用することができる。混合は、公知の手段によって行うことができ、所望により撹拌してもよい。分離は、公知の手段によって行うことができ、上清の吸引、デカンテーション、ろ過、遠心分離、などを使用してもよい。アルカリ水溶液と混合して分離した後に、所望により、純水によって洗浄した後に、カップリング剤水溶液と混合してもよい。
[Mixing and separation with alkaline aqueous solution]
The metal powder by the wet method is separated after mixing with the alkaline aqueous solution. As the alkaline aqueous solution, for example, an aqueous solution such as sodium hydroxide or potassium hydroxide, for example, an aqueous solution having a concentration of 0.01 M to 2 M (mol / liter) can be used. Mixing can be performed by a known means, and may be stirred if desired. Separation can be performed by known means, and supernatant aspiration, decantation, filtration, centrifugation, and the like may be used. After separation by mixing with an aqueous alkali solution, if desired, after washing with pure water, it may be mixed with an aqueous coupling agent solution.

[酸性のカップリング剤水溶液との混合及び分離]
アルカリ処理された金属粉は、酸性のカップリング剤水溶液と混合した後に分離される。酸性のカップリング剤水溶液のpHは、pH1.0〜5.0、好ましくはpH1.5〜4.5とすることができる。カップリング剤水溶液のpHは、公知の手段によって上記の範囲に調整することができ、例えば、塩酸、酢酸、硫酸等を滴下することによって、調製することができる。混合は、公知の手段によって行うことができ、所望により撹拌してもよい。分離は、公知の手段によって行うことができ、上清の吸引、デカンテーション、ろ過、遠心分離、などを使用してもよい。
[Mixing and separation with acidic coupling agent aqueous solution]
The alkali-treated metal powder is separated after mixing with an acidic coupling agent aqueous solution. The pH of the acidic coupling agent aqueous solution can be adjusted to pH 1.0 to 5.0, preferably pH 1.5 to 4.5. The pH of the aqueous coupling agent solution can be adjusted to the above range by a known means, and can be prepared, for example, by dropping hydrochloric acid, acetic acid, sulfuric acid or the like. Mixing can be performed by a known means, and may be stirred if desired. Separation can be performed by known means, and supernatant aspiration, decantation, filtration, centrifugation, and the like may be used.

[カップリング剤]
カップリング剤としては、上記酸性のpH範囲で安定にカップリング可能なカップリング剤であれば、使用することができ、例えば、シラン、チタネート、アルミネートを使用することができる。カップリング剤の内、分子末端にアミノ基を有し、その隣接官能基が直鎖のカップリング剤は、上記酸性のpH範囲で安定にカップリング剤として使用することが難しい。本発明において、サイズが小さい金属粉でも良好に表面処理できる理由は不明であるが、水溶液を酸性にすることによって、アルコキシル基の加水分解、シラノール基の生成が促進されているためではないかと本発明者は考えている。プロポキシ基、ブトキシ基をアルコキシ基としたカップリング剤において、水溶液を酸性にすることによる効果が顕著であることは、この考えを支持する。本発明によれば、平均粒径1μm以下の金属微粉を表面処理することができ、好ましくは比較的早く加水分解をしてシラノール基を生成するアルコキシ基をもつカップリング剤を高濃度の水溶液として使用することができる。好適に使用されるカップリング剤には、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリメトキシシランが挙げられる。また、カップリング剤濃度としては0.2%以上とするのが望ましい。
[Coupling agent]
As the coupling agent, any coupling agent that can be stably coupled in the acidic pH range can be used. For example, silane, titanate, and aluminate can be used. Among coupling agents, a coupling agent having an amino group at the molecular end and having a linear functional group adjacent thereto is difficult to use as a coupling agent stably in the acidic pH range. In the present invention, the reason why the surface treatment can be satisfactorily performed even with a metal powder having a small size is unclear, but this may be because hydrolysis of alkoxyl groups and generation of silanol groups are promoted by acidifying the aqueous solution. The inventor thinks. In the coupling agent having a propoxy group and a butoxy group as an alkoxy group, the remarkable effect of acidifying the aqueous solution supports this idea. According to the present invention, metal fine powder having an average particle size of 1 μm or less can be surface-treated, and preferably a coupling agent having an alkoxy group that hydrolyzes relatively quickly to form a silanol group is used as a high-concentration aqueous solution. Can be used. Suitable coupling agents include, for example, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, and 3-isocyanatopropyltrimethoxysilane. The coupling agent concentration is preferably 0.2% or more.

[水性溶媒による洗浄]
カップリング剤処理された金属粉は、水性溶媒によって洗浄される。洗浄と回収は、公知の手段によって適宜行うことができ、例えば、上清の吸引、デカンテーション、ろ過、遠心分離などを使用することができる。好ましくは、ろ過フィルターに載置された金属粉に対して、水性溶媒を連続的に注いで行うことができる。
[Washing with aqueous solvent]
The metal powder treated with the coupling agent is washed with an aqueous solvent. Washing and recovery can be appropriately performed by known means, and for example, supernatant aspiration, decantation, filtration, and centrifugation can be used. Preferably, it can carry out by pouring an aqueous solvent continuously with respect to the metal powder mounted in the filtration filter.

水性溶媒による洗浄は、洗浄後の金属粉の乾燥質量に対して5倍の質量の水性溶媒を添加した後に得たろ過液の中に、ICP分析によって検出されるSi、Ti、Al、Zr、Ce及びSnからなる群から選択された1種の元素が、50ppm以下の濃度、好ましくは30ppm以下の濃度となるまで洗浄することによって、行うことができる。上記濃度の下限には特に制限はないが、例えば1ppm以上、例えば5ppm以上とすることができる。   In the washing with an aqueous solvent, Si, Ti, Al, Zr, which are detected by ICP analysis in the filtrate obtained after adding 5 times the mass of the aqueous solvent to the dry mass of the metal powder after washing, It can be carried out by washing until one element selected from the group consisting of Ce and Sn has a concentration of 50 ppm or less, preferably 30 ppm or less. Although there is no restriction | limiting in particular in the minimum of the said density | concentration, For example, it can be 1 ppm or more, for example, 5 ppm or more.

[水性溶媒]
水性溶媒としては、純水、又は水溶液を使用することができる。水溶液としては、例えば、無機酸、無機酸の塩、有機酸、有機酸の塩、水溶性のアルコール、及び水溶性のエステルから選択された1種以上の溶質又は溶媒が、溶解又は分散した水溶液を使用することができる。
[Aqueous solvent]
As the aqueous solvent, pure water or an aqueous solution can be used. Examples of the aqueous solution include an aqueous solution in which one or more solutes or solvents selected from inorganic acids, inorganic acid salts, organic acids, organic acid salts, water-soluble alcohols, and water-soluble esters are dissolved or dispersed. Can be used.

[乾燥及び解砕]
水性溶媒によって洗浄された金属粉は、乾燥及び解砕される。乾燥及び解砕は公知の手段によって行うことができる。
[Drying and crushing]
The metal powder washed with the aqueous solvent is dried and crushed. Drying and crushing can be performed by known means.

[表面処理された金属粉に対する後処理]
回収された表面処理された金属粉に対しては、さらに後処理として表面処理を行ってもよい。防錆、あるいは、ペースト中での分散性を向上させること等を目的として、有機物等をさらに表面処理された金属粉の表面に吸着させてもよい。例えば、ベンゾトリアゾール、イミダゾール等の有機防錆剤による防錆処理を行ってもよい。
[Post-treatment for surface-treated metal powder]
The recovered surface-treated metal powder may be further subjected to a surface treatment as a post-treatment. For the purpose of rust prevention or improving the dispersibility in the paste, an organic substance or the like may be adsorbed on the surface of the surface-treated metal powder. For example, an antirust treatment with an organic antirust agent such as benzotriazole or imidazole may be performed.

[表面処理された金属粉]
本発明は、上記製造方法によって製造された、表面処理された金属粉にもある。
[Surface-treated metal powder]
This invention exists also in the metal powder by which the surface treatment was manufactured by the said manufacturing method.

[表面処理によって吸着される元素]
表面処理された金属粉の表面にAl、Si、Ti、Zr、Ce、及びSnからなる群から選択された1種の元素、好ましくはAl、Si、及びTiからなる群から選択された1種の元素、さらに好ましくはSi又はTiが、吸着されて、表面処理層となっている。
[Elements adsorbed by surface treatment]
One element selected from the group consisting of Al, Si, Ti, Zr, Ce, and Sn on the surface of the surface-treated metal powder, preferably one selected from the group consisting of Al, Si, and Ti These elements, more preferably Si or Ti, are adsorbed to form a surface treatment layer.

[表面処理層の厚み]
好適な実施の態様において、この表面処理層の厚みx(nm)は、STEMで得られる表面近傍のEDSの濃度profileによって求めることができる。この表面処理層の厚み、例えば、Si含有層の厚み(Si厚み)は、表面処理された銅粉の表面の断面において、EDS(エネルギー分散型X線分析)による測定を行って、全原子に対するSi原子の存在比が最大となる深さでのSi原子の存在量を100%としたときに、Si原子の存在量が10%以上である範囲であると、規定したものである。表面処理された金属粉の表面の断面は、試料切片において観察した少なくとも100個以上の金属粉粒子のなかから、5個選択して、それぞれその最も明瞭な境界を、表面処理された金属粉の表面に垂直な断面であると扱って、測定及び集計を行うことができる。表面処理層の厚みは、Ti含有層の厚み(Ti厚み)、Al含有層の厚み(Al厚み)等の場合でも、Si含有層の厚み(Si厚み)と同様に、求めることができる。
[Thickness of surface treatment layer]
In a preferred embodiment, the thickness x (nm) of the surface treatment layer can be determined by the concentration profile of EDS near the surface obtained by STEM. The thickness of the surface treatment layer, for example, the thickness of the Si-containing layer (Si thickness) is measured by EDS (energy dispersive X-ray analysis) in the cross section of the surface of the surface-treated copper powder. This is defined as a range in which the abundance of Si atoms is 10% or more when the abundance of Si atoms at a depth at which the abundance ratio of Si atoms is maximum is 100%. The cross section of the surface of the surface-treated metal powder is selected from among at least 100 or more metal powder particles observed in the sample section, and the clearest boundary of each is selected, and the surface of the surface-treated metal powder is Measurement and tabulation can be performed by treating the cross section as being perpendicular to the surface. The thickness of the surface treatment layer can be obtained in the same manner as the thickness of the Si-containing layer (Si thickness) even in the case of the thickness of the Ti-containing layer (Ti thickness), the thickness of the Al-containing layer (Al thickness), or the like.

[元素の付着量]
表面処理によって金属粉の表面に付着した元素の付着量は、実施例に記載のように、ICP(誘導結合プラズマ原子発光分析法)によって求めることができる。好適な実施の態様において、表面処理された金属粉は、金属粉1gに対して、この元素の付着量が、例えば10〜10000μg、好ましくは50〜1500μgとすることができる。金属粉に対する元素の付着量を、ppmで表すこともでき、1ppmは金属粉1gに対して元素が1μgの付着量であることを表す。
[Amount of deposited element]
The amount of the elements attached to the surface of the metal powder by the surface treatment can be determined by ICP (inductively coupled plasma atomic emission spectrometry) as described in the examples. In a preferred embodiment, the surface-treated metal powder can have an adhesion amount of this element of, for example, 10 to 10,000 μg, preferably 50 to 1500 μg with respect to 1 g of the metal powder. The adhesion amount of the element to the metal powder can also be expressed in ppm, and 1 ppm represents the adhesion amount of 1 μg of the element with respect to 1 g of the metal powder.

[XPS multiplex測定]
表面処理によって金属粉の表面に付着した元素を対象として、XPSのmultiplex測定によって、次の条件で分析することができる:

表面Si、Ti: 直径0.5mmの円筒状の容器に金属粉0.5gを充填して、底面が隙間なく覆われるように敷きつめた。円筒容器に敷きつめられた金属粉の上面をXPS multiplex測定。(金属粉球体の上半分の表面に付着したSi、Tiの半定量分析)

装置:アルバックファイ社製5600MC
到達真空度:5.7×10-9Torr
励起源:単色化 AlKα
出力:210W
検出面積:800μmφ
入射角、取出角:45°
対象元素:C、N、Oの3種の元素
Ag、Ni、Cuからなる群から選択された元素
Ti、Si、Al、Sn、Zr、Ceからなる群から選択された元素
[XPS multiplex measurement]
The element attached to the surface of the metal powder by the surface treatment can be analyzed by XPS multiplex measurement under the following conditions:

Surface Si, Ti: Cylindrical containers with a diameter of 0.5 mm were filled with 0.5 g of metal powder and spread so that the bottom surface was covered without any gaps. XPS multiplex measurement of the upper surface of metal powder spread on a cylindrical container. (Semi-quantitative analysis of Si and Ti adhering to the upper half of the metal powder sphere)

Device: ULVAC-PHI 5600MC
Ultimate vacuum: 5.7 × 10 -9 Torr
Excitation source: Monochromatic AlKα
Output: 210W
Detection area: 800μmφ
Incident angle, extraction angle: 45 °
Target element: 3 elements of C, N, and O
Element selected from the group consisting of Ag, Ni, Cu
An element selected from the group consisting of Ti, Si, Al, Sn, Zr, and Ce

[XPSのmultiplex測定による表面の元素の濃度]
XPSのmultiplex測定によって、各種元素の光電子数(cps)と表面の濃度を測定することができる。好適な実施の態様において、表面処理された金属粉は、XPS(X線光電子分光)分析法のmultiplex測定で表面の、Al、Si、Ti、Zr、Ce、及びSnからなる群から選択された1種の元素Aが、例えば0.5%以上、0.6%以上、0.7%以上とすることができ、あるいは例えば4.0%以下、2.0%以下、1.9%以下、1.8%以下とすることができ、この元素の光電子が、例えば、直径800μmの円への照射(照射面積502655μm2)によって、100cps(count per second)以上、110cps以上、120cps以上とすることができ、あるいは例えば100〜9000cps、100〜8000cpsの範囲であるものとすることができる。
[Concentration of surface elements by XPS multiplex measurement]
The number of photoelectrons (cps) and surface concentration of various elements can be measured by XPS multiplex measurement. In a preferred embodiment, the surface-treated metal powder is selected from the group consisting of Al, Si, Ti, Zr, Ce, and Sn on the surface in a multiplex measurement by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) analysis. One element A can be 0.5% or more, 0.6% or more, 0.7% or more, for example, 4.0% or less, 2.0% or less, 1.9% or less 1.8% or less, and the photoelectrons of this element are, for example, 100 cps (count per second) or more, 110 cps or more, 120 cps or more by irradiating a circle having a diameter of 800 μm (irradiation area 502655 μm 2 ). Or, for example, in the range of 100-9000 cps, 100-8000 cps.

[焼結開始温度]
表面処理された金属粉を使用した導電性金属粉ペーストを製造して、これを焼結することによって電極を製造することができる。本発明による表面処理された金属粉は、優れた焼結遅延性を有する。焼結遅延性の指標である焼結開始温度とは、金属粉から成る圧粉体を還元性雰囲気中で昇温し、ある一定の体積変化(収縮)が起こったときの温度のことである。本発明では1%の体積収縮が起こるときの温度を焼結開始温度とする。具体的には、実施例の記載の通りに測定した。焼結開始温度が高いことは、焼結遅延性に優れていることを意味する。
[Sintering start temperature]
An electrode can be manufactured by producing a conductive metal powder paste using the surface-treated metal powder and sintering the paste. The surface-treated metal powder according to the present invention has excellent sintering delay. The sintering start temperature, which is an index of sintering delay, is the temperature at which a certain volume change (shrinkage) occurs when the green compact made of metal powder is heated in a reducing atmosphere. . In the present invention, the temperature at which 1% volume shrinkage occurs is the sintering start temperature. Specifically, it was measured as described in the examples. A high sintering start temperature means that the sintering delay property is excellent.

好適な実施の態様において、表面処理された金属粉の焼結開始温度は、450℃以上、好ましくは500℃以上、さらに好ましくは550℃以上とすることができる。   In a preferred embodiment, the sintering start temperature of the surface-treated metal powder can be 450 ° C. or higher, preferably 500 ° C. or higher, more preferably 550 ° C. or higher.

[表面の元素の濃度と焼結開始温度]
好適な実施の態様において、表面処理された金属粉は、XPSのmultiplex測定によって、金属粉表面のAl、Si、及びTiからなる群から選択された1種の元素Aが原子濃度をx(atomic%)、焼結開始温度をy(℃)としたとき、次の式:
0.3≦x≦2.5
150x+390≦y
(ただし、濃度x(atomic%)は、Al、Si、Ti、Zr、Ce、及びSnからなる群から選択された1種の元素A、金属粉の金属の元素B、N(窒素)、C(炭素)、及びO(酸素)の5種類の元素を、XPSのmultiplex測定によって定量した値に対する、Al、Si、Ti、Zr、Ce、及びSnからなる群から選択された1種の元素Aの定量値を、百分率(%)で表した濃度の値である)
を満たすものとなっている。ただし、上記式において、定数150は[℃/atomic%]の単位を有する。
[Surface element concentration and sintering start temperature]
In a preferred embodiment, the surface-treated metal powder is measured by XPS multiplex measurement, and one element A selected from the group consisting of Al, Si, and Ti on the surface of the metal powder has an atomic concentration x (atomic). %), When the sintering start temperature is y (° C.), the following formula:
0.3 ≦ x ≦ 2.5
150x + 390 ≦ y
(However, the concentration x (atomic%) is one element A selected from the group consisting of Al, Si, Ti, Zr, Ce, and Sn, metal element B of metal powder, N (nitrogen), C One element A selected from the group consisting of Al, Si, Ti, Zr, Ce, and Sn, with respect to the values determined by XPS multiplex measurement of five elements (carbon) and O (oxygen) (This is the concentration value expressed in percentage (%))
It is what satisfies. However, in the above formula, the constant 150 has a unit of [° C./atomic%].

[表面処理層の厚みと焼結開始温度]
好適な実施の態様において、表面処理された金属粉は、STEMで得られる表面近傍のEDSの濃度profileにおいて、Al、Si、及びTiからなる群から選択された1種の元素を含む表面処理層の厚みをx(nm)、金属粉の焼結開始温度をy(℃)としたとき、次の式:
0.5≦x≦10
20x+530≦y
を満たすものとなっている。ただし、上記式において、定数20は[℃/nm]の単位を有する。
[Thickness of surface treatment layer and sintering start temperature]
In a preferred embodiment, the surface-treated metal powder includes a surface treatment layer containing one element selected from the group consisting of Al, Si, and Ti in the EDS concentration profile near the surface obtained by STEM. Where x (nm) and the sintering start temperature of the metal powder is y (° C.), the following formula:
0.5 ≦ x ≦ 10
20x + 530 ≦ y
It is what satisfies. However, in the above formula, the constant 20 has a unit of [° C./nm].

[元素の付着量と焼結開始温度]
好適な実施の態様において、表面処理された金属粉は、Al、Si、及びTiからなる群から選択された1種の元素の金属粉1gに対する付着量をx(μg)、焼結開始温度をy(℃)としたとき、次の式:
50≦x≦1500
0.2x+510≦y
を満たすものとなっている。
[Element adhesion amount and sintering start temperature]
In a preferred embodiment, the surface-treated metal powder has an amount of adhesion of 1 element selected from the group consisting of Al, Si, and Ti to 1 g of metal powder, x (μg), and a sintering start temperature. When y (° C.), the following formula:
50 ≦ x ≦ 1500
0.2x + 510 ≦ y
It is what satisfies.

[平均粒径]
表面処理された金属粉は、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した平均粒径D50が、0.05〜1μmの範囲、好ましくは0.05〜0.5μmとすることができ、最大粒子径Dmaxが1μm以下で二次粒子が存在しないものとすることができる。レーザー回折式粒度分布測定装置として、例えば、島津製作所製SALD−2100を使用することができる。本発明において、二次粒子とは、上記方法で粒度分布を測定したときに、極大値が複数ある場合の、大きい極大値側近傍の粒子のことを指す。上記方法で粒度分布の極大値が一つのみの場合、二次粒子が存在しないという。
[Average particle size]
The surface-treated metal powder has an average particle diameter D 50 measured by a laser diffraction particle size distribution measuring device in the range of 0.05 to 1 μm, preferably 0.05 to 0.5 μm. It can be assumed that the diameter Dmax is 1 μm or less and no secondary particles are present. As a laser diffraction type particle size distribution measuring device, for example, SALD-2100 manufactured by Shimadzu Corporation can be used. In the present invention, secondary particles refer to particles in the vicinity of a large maximum value side when there are a plurality of maximum values when the particle size distribution is measured by the above method. When the maximum value of the particle size distribution is only one in the above method, secondary particles are not present.

[導電性ペースト]
表面処理された金属粉を使用して、導電性金属粉ペースト(導電性ペースト)を製造することができる。本発明に係る表面処理された金属粉は、ペーストを製造する場合においても、ペースト中で凝集することなく、容易に分散する。そして、得られた導電性ペーストは、粒子の凝集が低減されていることから、薄層電極に求められる平坦な塗膜を、容易に形成できるものとなっており、平坦な薄層電極の形成に好適なものとなっている。このように、本発明に係る表面処理された金属粉、及びこれを使用した導電性ペーストは、作業性及び生産性に優れたものとなっている。この導電性ペーストもまた、焼結遅延性に優れ、高い焼結開始温度を示すものとなっている。
[Conductive paste]
Using the surface-treated metal powder, a conductive metal powder paste (conductive paste) can be produced. The surface-treated metal powder according to the present invention is easily dispersed without agglomeration in the paste even when the paste is manufactured. And since the obtained conductive paste has reduced aggregation of particles, a flat coating film required for a thin layer electrode can be easily formed, and formation of a flat thin layer electrode It is suitable for. Thus, the surface-treated metal powder according to the present invention and the conductive paste using the same are excellent in workability and productivity. This conductive paste is also excellent in sintering delay and exhibits a high sintering start temperature.

[塗膜の平坦性]
導電性金属粉ペーストによる塗膜の平坦性は、実施例に記載のように、塗膜の最大山高さRzを、接触式表面粗さ計(小坂研究所製、SE−3400)によりJIS−BO601に従ってn=3で測定し、平均値を求めることで評価することができる。本発明による導電性金属粉ペーストは、本発明による表面処理された金属粉の低い凝集性と高い分散性を反映して、その塗膜は、Rzが小さく、高い平坦性を発揮できるペーストとなっている。
[Flatness of coating film]
As described in the examples, the flatness of the coating film using the conductive metal powder paste was measured using a maximum surface height Rz of the coating film according to JIS-BO601 using a contact-type surface roughness meter (SE-3400, manufactured by Kosaka Laboratory). According to the above, it can be evaluated by measuring at n = 3 and obtaining an average value. The conductive metal powder paste according to the present invention reflects the low cohesiveness and high dispersibility of the surface-treated metal powder according to the present invention, and the coating film has a small Rz and can exhibit high flatness. ing.

[電極]
表面処理された金属粉は、その圧粉体を還元性雰囲気中で昇温して焼結体を形成することができる。得られた焼結体は、優れた電極として形成される。また、好適な実施の態様において、上述のように、粉体を配合した導電性金属粉ペーストを製造して、これを塗工した後に焼結して、電極を製造することができる。このように焼結して製造される焼結体(電極)は、平坦な薄層電極として好適であることから、特に、チップ積層セラミックコンデンサーの内部電極として好適に使用可能である。このチップ積層セラミックコンデンサーは、小型高密度の実装が可能であることから、多層基板の内層あるいは最外層に好適に実装して使用することができ、これを搭載した電子部品において、好適に使用することができる。
[electrode]
The surface-treated metal powder can form a sintered body by heating the green compact in a reducing atmosphere. The obtained sintered body is formed as an excellent electrode. Moreover, in a suitable embodiment, as mentioned above, the conductive metal powder paste which mix | blended powder can be manufactured, and after applying this, it can sinter and can manufacture an electrode. Since the sintered body (electrode) manufactured by sintering in this manner is suitable as a flat thin layer electrode, it can be suitably used particularly as an internal electrode of a chip multilayer ceramic capacitor. Since this chip multilayer ceramic capacitor can be mounted in a small and high density, it can be suitably mounted and used on the inner layer or outermost layer of a multilayer board, and is preferably used in an electronic component on which it is mounted. be able to.

[電極の断面]
本発明の好適な実施の態様によれば、このように焼結して製造される電極(焼結体)は、その断面において、好ましくは、直径が10nm以上の、SiO2、TiO2、又はAl23のいずれかが存在しているものとすることができる。好適な実施の態様において、この焼結体は、その断面に、最大径0.5μm以上のSiO2、TiO2、又はAl23のいずれかが0.5個/μm2以下で存在しているものとすることができ、あるいは、例えば0.0〜0.5個/μm2の範囲で、例えば0.1〜0.5個/μm2の範囲で、存在しているものとすることができる。この最大径とは、SiO2、TiO2、又はAl23の粒子の最小外接円の直径をいう。本発明の好適な実施の態様において、SiO2、TiO2、又はAl23の粒子の析出はこのように制御されており、極薄電極の形成を可能にすると同時に、電極の信頼性(品質)を低下させることがない。
[Cross section of electrode]
According to a preferred embodiment of the present invention, the electrode (sintered body) manufactured by sintering in this way preferably has a diameter of 10 nm or more, SiO 2 , TiO 2 , or Any of Al 2 O 3 can be present. In a preferred embodiment, this sintered body is present in the cross section at a ratio of 0.5 / μm 2 or less of any one of SiO 2 , TiO 2 , or Al 2 O 3 having a maximum diameter of 0.5 μm or more. can be assumed that, alternatively, for example in the range of 0.0 to 0.5 pieces / [mu] m 2, the range for example of 0.1 to 0.5 pieces / [mu] m 2, it is assumed that the present be able to. The maximum diameter means the diameter of the minimum circumscribed circle of the SiO 2 , TiO 2 , or Al 2 O 3 particles. In a preferred embodiment of the invention, the deposition of SiO 2 , TiO 2 , or Al 2 O 3 particles is controlled in this way, allowing the formation of ultra-thin electrodes while at the same time providing electrode reliability ( Quality).

以下に実施例をあげて、本発明をさらに詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The present invention is not limited to the following examples.

[金属粉]
金属粉として、銅粉、ニッケル粉、銀粉を以下の手順で用意した。
(不均化法による銅粉 (実施例6以外で使用))
表面処理に供される銅粉20gを、上述した不均化法による湿式法によって製造した。これは具体的には以下の手順で行った。
(1) アラビアゴム0.05〜0.4g + 純水350mLに、亜酸化銅50gを添加した。
(2) 次に、希硫酸(25wt%)50mLを一時に添加した。
(3) これを、回転羽で攪拌後(300rpm×10分)、60分放置した。
(4) 次に、沈殿に対して、洗浄を行った。
[Metal powder]
As metal powder, copper powder, nickel powder, and silver powder were prepared in the following procedures.
(Copper powder by disproportionation method (used except in Example 6))
20 g of copper powder to be subjected to the surface treatment was produced by a wet method using the disproportionation method described above. Specifically, this was performed according to the following procedure.
(1) Arabic gum 0.05-0.4 g + 50 g of cuprous oxide was added to 350 mL of pure water.
(2) Next, 50 mL of dilute sulfuric acid (25 wt%) was added at a time.
(3) This was stirred with a rotary blade (300 rpm × 10 minutes) and left for 60 minutes.
(4) Next, the precipitate was washed.

洗浄は、最初に、上澄み液を除去し、純水350mLを加えて攪拌(300rpm×10分)後、60分放置し、上澄み液を除去し、純水350mLを加えて攪拌(300rpm×10分)後、60分放置し、銅粉を沈降させた。この状態で粒度測定をレーザー回折式粒度分布測定(島津製作所SLAD−2100)で行い、表面処理前の粒度測定とした。
得られた銅粉の粒子サイズ(D50、Dmax)を表2に、金属粉サイズ(処理前)として示す。測定は、レーザー回折式粒度分布測定装置(島津製作所製SALD−2100)を使用した。この不均化法によって得られた銅粉は、実施例6以外で使用される銅粉として使用した。
Washing is performed by first removing the supernatant, adding 350 mL of pure water and stirring (300 rpm × 10 minutes), and then leaving it for 60 minutes, removing the supernatant, adding 350 mL of pure water and stirring (300 rpm × 10 minutes) ) And then left for 60 minutes to allow the copper powder to settle. In this state, the particle size was measured by laser diffraction particle size distribution measurement (Shimadzu SLAD-2100), and the particle size was measured before the surface treatment.
The particle size (D50, Dmax) of the obtained copper powder is shown in Table 2 as the metal powder size (before treatment). The measurement used the laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus (SALD-2100 made by Shimadzu Corporation). The copper powder obtained by this disproportionation method was used as a copper powder used in other than Example 6.

(化学還元法による銅粉 (実施例6で使用))
特許第4164009号公報に従い、化学還元法による湿式法によって銅粉を得た。すなわち、アラビアゴム2gを2900mLの純水に添加した後、硫酸銅125gを添加し撹拌しながら、80%ヒドラジン一水和物を360mL添加した。ヒドラジン一水和物の添加後〜3時間かけて室温から60℃に昇温し、更に3時間かけて酸化銅を反応させた。この後60分放置し、銅粉を沈降させた。この状態で粒度測定をレーザー回折式粒度分布測定(島津製作所SLAD−2100)で行い、表面処理前の粒度測定とした。この化学還元法によって得られた銅粉は、実施例6で使用した。
(Copper powder by chemical reduction method (used in Example 6))
According to Japanese Patent No. 4164209, copper powder was obtained by a wet method using a chemical reduction method. That is, 2 g of gum arabic was added to 2900 mL of pure water, and then 125 mL of copper sulfate was added and 360 mL of 80% hydrazine monohydrate was added while stirring. After addition of hydrazine monohydrate, the temperature was raised from room temperature to 60 ° C. over 3 hours, and copper oxide was further reacted over 3 hours. Thereafter, the copper powder was allowed to stand for 60 minutes to settle. In this state, the particle size was measured by laser diffraction particle size distribution measurement (Shimadzu SLAD-2100), and the particle size was measured before the surface treatment. The copper powder obtained by this chemical reduction method was used in Example 6.

(ニッケル粉)
特開2010−59467に従い、ニッケル粉を得た。まず、6Lの純水にゼラチンを溶解させた後、濃度が0.02g/Lとなるようにヒドラジンを混合し、パラジウムと微量の銀の混合溶液を滴下してコロイド溶液とし、水酸化ナトリウムを加えることによりpHを10以上とした後、さらにヒドラジン濃度が26g/Lとなるまでヒドラジンを加えた。
一方、ニッケル濃度が100g/Lの塩化ニッケル水溶液に塩化クロム、及び塩化マグネシウムを、それぞれニッケルに対するクロム、マグネシウムの濃度が0.03%となるように添加した。これに前記ヒドラジン溶液を0.5L滴下して、ニッケルの還元析出を行い、ニッケル粉末を得た。この状態で粒度測定をレーザー回折式粒度分布測定(島津製作所SLAD−2100)で行い、表面処理前の粒度測定とした。
(Nickel powder)
Nickel powder was obtained according to JP 2010-59467 A. First, gelatin is dissolved in 6 L of pure water, hydrazine is mixed so that the concentration becomes 0.02 g / L, a mixed solution of palladium and a small amount of silver is dropped into a colloid solution, and sodium hydroxide is added. After adding the pH to 10 or more, hydrazine was further added until the hydrazine concentration was 26 g / L.
On the other hand, chromium chloride and magnesium chloride were added to a nickel chloride aqueous solution having a nickel concentration of 100 g / L so that the concentrations of chromium and magnesium with respect to nickel were 0.03%. To this, 0.5 L of the hydrazine solution was dropped, and nickel was deposited by reduction to obtain nickel powder. In this state, the particle size was measured by laser diffraction particle size distribution measurement (Shimadzu SLAD-2100), and the particle size was measured before the surface treatment.

(銀粉)
特開2007−291513に従って製粉した。すなわち、0.8Lの純水に硝酸銀12.6gを溶解させ、25%アンモニア水を24mL、さらに硝酸アンモニウムを40g添加し、銀アンミン錯塩水溶液を調整した。これに1g/Lの割合でゼラチンを添加し、これを電解液とし、陽極、陰極ともにDSE極板を使用し、電流密度200A/m2、溶液温度20℃で電解し、電析した銀粒子を極板から掻き落としながら1時間電解した。こうして得られた銀粉をヌッチェでろ過し、純水、アルコールの順に洗浄を行い、70℃で12時間大気雰囲気下で乾燥させた。この銀粉を乾式分級し、最終的にD50 0.1μm、Dmax 0.5μmの銀粉を得た。
(Silver powder)
Milling according to JP 2007-291513 A. That is, 12.6 g of silver nitrate was dissolved in 0.8 L of pure water, 24 mL of 25% ammonia water and 40 g of ammonium nitrate were added to prepare a silver ammine complex salt aqueous solution. 1 g / L of gelatin was added thereto, and this was used as an electrolyte solution. Electrodeposited silver particles were electrolyzed at a current density of 200 A / m 2 and a solution temperature of 20 ° C. using a DSE plate for both the anode and cathode. Was electrolyzed for 1 hour while scraping off the electrode plate. The silver powder thus obtained was filtered with Nutsche, washed with pure water and alcohol in this order, and dried in an air atmosphere at 70 ° C. for 12 hours. This silver powder was dry-classified to finally obtain a silver powder having a D50 of 0.1 μm and a Dmax of 0.5 μm.

[カップリング剤水溶液の調製]
次の各種のカップリング剤を使用したカップリング剤水溶液をそれぞれ50mL調製した。

シラン:
エポキシシランZ−6040(γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)
(東レダウコーニング社製)
3−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン(MOMENTIVE社製)
チタネート:
プレインアクト KR44TTS(味の素ファインテクノ社製)

濃度は0.2〜10vol%の範囲で調製した。一部の実施例では酢酸でpHを4付近まで調整した。
[Preparation of aqueous coupling agent solution]
50 mL of each coupling agent aqueous solution using the following various coupling agents was prepared.

Silane:
Epoxysilane Z-6040 (γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane)
(Toray Dow Corning)
3-phenylaminopropyltrimethoxysilane (manufactured by MOMENTIVE)
Titanate:
Plain Act KR44TTS (Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.)

The concentration was adjusted in the range of 0.2 to 10 vol%. In some examples, the pH was adjusted to around 4 with acetic acid.

各種のシランの構造式は、以下である。
エポキシシランZ−6040(γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン):

3−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン:
65−NH−C36−Si(OCH33
The structural formulas of various silanes are as follows.
Epoxysilane Z-6040 (γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane):

3-phenylaminopropyltrimethoxysilane:
C 6 H 5 -NH-C 3 H 6 -Si (OCH 3) 3

[例A: 実施例1〜22]
[表面処理]
上記湿式法で得られた金属粉スラリーから上澄み液を除去し、金属粉を乾燥させることなく、水酸化ナトリウム水溶液(5g/L)中で撹拌した。その後、静置し、上澄み液を取り除き、純水350mLとさらに撹拌した。再び、静置し、上澄み液を取り除き、調製したカップリング剤と金属粉を60分間、以下のいずれかの方法で混合させた。表面処理に供した金属粉の質量はカップリング剤水溶液50mLに対して、それぞれ20gとした。
(1)回転羽(300rpm)+超音波(株式会社テックジャム製、超音波洗浄器 3周波タイプ / W−113)(出力100W、周波数100kHz)
(2)回転羽(300rpm)のみ
(3)超音波のみ
次にこれらのカップリング剤水溶液をそれぞれアスピレーターで吸引ろ過したのち、金属粉の上に純水を加え、さらにろ過した。ろ過による洗浄は、洗浄後に金属粉の乾燥質量の5倍の純水を加えてろ過して得られたろ液をICP(高周波誘導結合プラズマ)分析した場合に、カップリング剤に由来するSi、Ti、Al、Zr、Ce又はSnの元素が50ppm以下の濃度となるまで行った。上記の場合、純水は約350mLを要した。ICP分析は、最後の約350mLをろ過後に約100mLを更にろ過し、この約100mLの濾液に対して行った。得られた残渣を窒素雰囲気下で70℃で1時間乾燥し、乳鉢で粉砕した。この状態で再度粒度測定を行った。このようにして表面処理された金属粉を得た。金属粉に対するこれらの表面処理の一覧を、表1に示す。
[Example A: Examples 1 to 22]
[surface treatment]
The supernatant was removed from the metal powder slurry obtained by the wet method, and the metal powder was stirred in an aqueous sodium hydroxide solution (5 g / L) without drying. Then, it left still, the supernatant liquid was removed, and it stirred further with 350 mL of pure waters. The mixture was allowed to stand again, the supernatant was removed, and the prepared coupling agent and metal powder were mixed for 60 minutes by one of the following methods. The mass of the metal powder subjected to the surface treatment was 20 g for each 50 mL of the coupling agent aqueous solution.
(1) Rotating feather (300 rpm) + ultrasonic wave (manufactured by Techjam Co., Ltd., ultrasonic cleaner 3 frequency type / W-113) (output 100 W, frequency 100 kHz)
(2) Rotating feather (300 rpm) only (3) Ultrasonic wave only Next, each of these coupling agent aqueous solutions was suction filtered with an aspirator, and then pure water was added onto the metal powder, followed by filtration. Washing by filtration is performed by adding pure water 5 times the dry mass of the metal powder after washing and filtering the filtrate obtained by ICP (high frequency inductively coupled plasma) analysis. , Al, Zr, Ce, or Sn was performed until the concentration became 50 ppm or less. In the above case, about 350 mL of pure water was required. The ICP analysis was performed on about 100 mL of the filtrate after about 350 mL was filtered after the last about 350 mL was filtered. The obtained residue was dried at 70 ° C. for 1 hour under a nitrogen atmosphere and pulverized in a mortar. In this state, the particle size was measured again. Thus, the surface-treated metal powder was obtained. Table 1 shows a list of these surface treatments for the metal powder.

[XPS multiplex測定]
表面処理された金属粉の表面に付着したSi、Ti、を次の条件で分析した。この結果は、表3にまとめた。
表面N及び表面Si、Ti: 直径0.5mmの円筒状の容器に、表面処理された金属粉0.5gを充填して、底面が隙間なく覆われるように敷きつめた。円筒容器に敷きつめられた、表面処理された金属粉の上面をXPS multiplex測定。(表面処理された金属粉の球体の上半分の表面に付着したSi、Tiの半定量分析)

装置:アルバックファイ社製5600MC
到達真空度:5.7×10-9Torr
励起源:単色化 AlKα
出力:210W
検出面積:800μmφ
入射角、取出角:45°
対象元素:C、N、Oの3種
Ag、Ni、Cuからなる群
Ti、Si、Al、Sn、Zr、Ceからなる群
[XPS multiplex measurement]
Si and Ti adhering to the surface of the surface-treated metal powder were analyzed under the following conditions. The results are summarized in Table 3.
Surface N and surface Si, Ti: Cylindrical containers having a diameter of 0.5 mm were filled with 0.5 g of surface-treated metal powder and spread so that the bottom surface was covered with no gaps. XPS multiplex measurement of the upper surface of the surface-treated metal powder spread on a cylindrical container. (Semi-quantitative analysis of Si and Ti adhering to the surface of the upper half of the surface-treated metal powder sphere)

Device: ULVAC-PHI 5600MC
Ultimate vacuum: 5.7 × 10 -9 Torr
Excitation source: Monochromatic AlKα
Output: 210W
Detection area: 800μmφ
Incident angle, extraction angle: 45 °
Target elements: C, N, O
Group consisting of Ag, Ni, Cu
Group consisting of Ti, Si, Al, Sn, Zr, Ce

[TMA測定]
表面処理された金属粉によって、サンプルを作製して、TMA(Thermomechanichal Analyzer)を使用して、焼結開始温度を、次の条件で測定した。

サンプル作製条件
圧粉体サイズ:7mmφ×5mm高さ
成型圧力:1Ton/cm2(1000kg重/cm2
(潤滑剤として0.5wt%のステアリン酸亜鉛を添加)
測定条件
装置:島津製作所TMA−50
昇温:5℃/分
雰囲気:2vol%H2−N2(300cc/分)
荷重:98.0mN
[TMA measurement]
A sample was prepared from the surface-treated metal powder, and the sintering start temperature was measured under the following conditions using TMA (Thermochemical Analyzer).

Sample preparation conditions Compact size: 7 mmφ x 5 mm height Molding pressure: 1 Ton / cm 2 (1000 kg weight / cm 2 )
(0.5 wt% zinc stearate added as lubricant)
Measurement conditions Equipment: Shimadzu Corporation TMA-50
Temperature rise: 5 ° C./min Atmosphere: 2 vol% H 2 —N 2 (300 cc / min)
Load: 98.0mN

このように、測定対象の表面処理された金属粉に0.5wt%のステアリン酸亜鉛を添加して混合し、この混合物を直径7mmの筒体に装填し、上部からポンチを押し込んで1Ton/cm2で3秒保持する加圧を付与し、高さ約5mm相当の円柱状に成形した。この成形体を、軸を鉛直方向にして且つ軸方向に98.0mNの荷重を付与した条件で、昇温炉に装填し、2vol%H2−N2(300cc/分)流量中で昇温速度5℃/分、測定範囲:50〜1000℃に連続的に昇温していき、成形体の高さ変化(膨張・収縮の変化)を自動記録した。成形体の高さ変化(収縮)が始まり、その収縮率が1%に達したところの温度を「焼結開始温度」とした。
また、このTMAによる昇温によって形成された各焼結体をFIB加工して、断面のSIM像を撮影した。これを用いて最大径0.5μm以上のSiO2またはTiO2の個数を計数した。
これらの結果は表3にまとめた。
In this way, 0.5 wt% zinc stearate was added to the surface-treated metal powder to be measured and mixed, and this mixture was loaded into a cylinder having a diameter of 7 mm, and a punch was pushed in from the top to 1 Ton / cm. A pressure was applied for 2 seconds for 3 seconds to form a cylinder with a height of about 5 mm. This compact was loaded into a temperature raising furnace under the condition that the axis was vertical and a load of 98.0 mN was applied in the axial direction, and the temperature was raised at a flow rate of 2 vol% H 2 -N 2 (300 cc / min). The temperature was continuously raised to a rate of 5 ° C./minute and a measurement range: 50 to 1000 ° C., and the height change (change in expansion / contraction) of the compact was automatically recorded. The temperature at which the height change (shrinkage) of the molded body started and the shrinkage rate reached 1% was defined as “sintering start temperature”.
Further, each sintered body formed by the temperature rise by this TMA was subjected to FIB processing, and a SIM image of a cross section was taken. Using this, the number of SiO 2 or TiO 2 having a maximum diameter of 0.5 μm or more was counted.
These results are summarized in Table 3.

[EDS分析]
表面処理された銅粉の表面のSiO2及びTiO2厚みを、EDS(エネルギー分散型X線分析)によって、次の条件で分析した。この結果は、表3にまとめた。

SiO2厚み (TiO2厚みについても同様)
装置:STEM
断面TEM像倍率:2000000倍(200万倍)
特性X線
照射電子のビーム径:1nm
走査距離:500nm(銅粉の断面を走査)の5点平均
SiO2層定義:特性X線の深さ方向濃度プロファイルの最大値の10%となる領域。
[EDS analysis]
The thickness of SiO 2 and TiO 2 on the surface of the surface-treated copper powder was analyzed by EDS (energy dispersive X-ray analysis) under the following conditions. The results are summarized in Table 3.

SiO 2 thickness (same for TiO 2 thickness)
Equipment: STEM
Cross-sectional TEM image magnification: 2000000 times (2 million times)
Characteristic X-ray Irradiated electron beam diameter: 1 nm
Scanning distance: 5-point average of 500 nm (scanning cross section of copper powder) SiO 2 layer definition: Region that is 10% of the maximum value of the concentration profile in the depth direction of characteristic X-rays.

[導電性金属粉ペーストによる塗膜]
上述の手順で得られた表面処理された金属粉を、エチルセルロースとテルピネオール(以下、TPO)からなるビークルと、テルピネオールとをミキサーで混練し、3本ロールに通して、表面処理された金属粉による金属粉ペーストを得た。重量組成は
表面処理された金属粉:TPO:エチルセルロース=51.5:46:2.5
とした。これをアプリケーターでPET上に塗工し、120℃で10分大気雰囲気下で乾燥させた。乾燥後の塗膜厚みが10μmとなるように塗工した。
得られた塗膜の最大山高さRzを、接触式表面粗さ計(小坂研究所製、SE−3400)によりJIS−BO601に従ってn=3で測定し、平均値を求めた。
これらの結果は、表2にまとめた。
[Coating film with conductive metal powder paste]
The surface-treated metal powder obtained by the above-described procedure was kneaded with a vehicle made of ethyl cellulose and terpineol (hereinafter referred to as TPO) and terpineol with a mixer, passed through three rolls, and subjected to the surface-treated metal powder. A metal powder paste was obtained. The weight composition is the surface-treated metal powder: TPO: ethyl cellulose = 51.5: 46: 2.5
It was. This was coated on PET with an applicator and dried at 120 ° C. for 10 minutes in an air atmosphere. Coating was performed so that the coating thickness after drying was 10 μm.
The maximum peak height Rz of the obtained coating film was measured at n = 3 according to JIS-BO601 using a contact-type surface roughness meter (SE-3400, manufactured by Kosaka Laboratory), and the average value was obtained.
These results are summarized in Table 2.

[例B: 比較例1〜3]
比較例1、2、3では、上記で得られた不均化法による銅粉、銀粉をそれぞれベンゾトリアゾール水溶液(0.1g/L)100mL中に分散させ、回転羽で500rpmで10分間攪拌し、ろ過、乾燥(窒素雰囲気下で70℃×1h)させ、さらに、防錆処理された銅粉、銀粉、ニッケル粉を得た。これを例Aの手順で評価した。
[Example B: Comparative Examples 1 to 3]
In Comparative Examples 1, 2, and 3, the disproportionated copper powder and silver powder obtained above were dispersed in 100 mL of an aqueous benzotriazole solution (0.1 g / L), respectively, and stirred with a rotary blade at 500 rpm for 10 minutes. Then, filtration and drying (70 ° C. × 1 h under a nitrogen atmosphere) were performed, and copper powder, silver powder, and nickel powder subjected to rust prevention treatment were obtained. This was evaluated by the procedure of Example A.

[例C: 比較例4、6〜9]
比較例4、6〜9では、上記湿式法で得られた金属粉スラリーから上澄み液を除去し、金属粉を乾燥させることなく、調製したカップリング剤と金属粉を60分間、超音波を照射させながら、回転羽で混合した。次にこれらのカップリング剤水溶液をそれぞれアスピレーターで吸引ろ過したのち、金属粉の上に純水350mLを加えてろ過した。さらに、乾燥(窒素雰囲気下で70℃×1h)させ、各金属粉を得た。これを例Aの手順で評価した。
[Example C: Comparative Examples 4, 6-9]
In Comparative Examples 4 and 6 to 9, the supernatant was removed from the metal powder slurry obtained by the wet method, and the prepared coupling agent and metal powder were irradiated with ultrasonic waves for 60 minutes without drying the metal powder. The mixture was mixed with a rotating feather. Next, each of these coupling agent aqueous solutions was suction filtered with an aspirator, and then 350 mL of pure water was added to the metal powder and filtered. Furthermore, it was dried (70 ° C. × 1 h under a nitrogen atmosphere) to obtain each metal powder. This was evaluated by the procedure of Example A.

[例D: 比較例5]
特開2012−140661にしたがって、扁平銅粉を作製した。すなわち、50℃の純水2Lに、硫酸銅3モルを添加して撹拌を行い、銅含有水溶液を得た。次に、この水溶液を撹拌した状態で、該水溶液にアンモニア水(アンモニアに換算して、銅1モルに対して1.77モル)を添加して、液中に酸化第二銅を生成させた。この時にケイ酸ナトリウムを銅1モルに対して0.016添加した。引き続き30分撹拌した後、ヒドラジンを銅1モルに対して0.53モル添加した。また、アンモニア水(アンモニアに換算して、銅1モルに対して0.81モル)を添加した。これによって、第一の還元反応を行い、酸化第二銅を酸化第一銅に還元させた。引き続き30分撹拌した後、液を撹拌した状態でヒドラジンを銅1モルに対して2.29モル一括添加して第二の還元反応を行い、酸化第二銅を銅に還元させた。引き続き1時間撹拌を行って反応を終了させた。反応終了後、得られたスラリーをヌッチェを用いてろ過し、次いで純水及びメタノールで洗浄し、更に乾燥させて扁平銅粉を得た。この特性を例Aの手順で評価した。
[Example D: Comparative Example 5]
According to JP2012-140661, a flat copper powder was produced. That is, 3 mol of copper sulfate was added to 2 L of pure water at 50 ° C. and stirred to obtain a copper-containing aqueous solution. Next, with this aqueous solution being stirred, aqueous ammonia (1.77 mol per mol of copper in terms of ammonia) was added to the aqueous solution to form cupric oxide in the solution. . At this time, 0.016 of sodium silicate was added to 1 mol of copper. Subsequently, after stirring for 30 minutes, 0.53 mol of hydrazine was added to 1 mol of copper. Aqueous ammonia (0.81 mol per mol of copper in terms of ammonia) was added. Thereby, the first reduction reaction was performed, and cupric oxide was reduced to cuprous oxide. Then, after stirring for 30 minutes, 2.29 mol of hydrazine was added all at once to 1 mol of copper while the solution was stirred, and a second reduction reaction was performed to reduce cupric oxide to copper. Subsequently, stirring was performed for 1 hour to complete the reaction. After completion of the reaction, the resulting slurry was filtered using a Nutsche, then washed with pure water and methanol, and further dried to obtain flat copper powder. This property was evaluated by the procedure of Example A.

[例E]
上記の比較例1〜9の他に、シランカップリング剤としてテトラエトキシシラン(TEOS)を用い、アンモニアを触媒として用いて銅粉に表面処理をして、比較実験を行ったが、テトラエトキシシランを用いた場合には、得られた表面処理銅粉が凝集してしまい、肉眼による観察によって、均一な表面処理と粒径が得られていないと思われる状態となっていた。この場合、表面処理前にD50=0.13μm、Dmax=0.44μmであったが、表面処理後にはD50=0.87μm、Dmax=3.1μmといずれも7倍程度大きくなっていた。また、粒度分布は表面処理前に1山であったものが2山となっていた。
[Example E]
In addition to Comparative Examples 1 to 9, tetraethoxysilane (TEOS) was used as the silane coupling agent, and copper powder was surface-treated using ammonia as a catalyst. When used, the surface-treated copper powder obtained was agglomerated, and it was considered that a uniform surface treatment and particle size were not obtained by visual observation. In this case, D50 = 0.13 μm and Dmax = 0.44 μm before the surface treatment, but after the surface treatment, D50 = 0.87 μm and Dmax = 3.1 μm, both being about 7 times larger. In addition, the particle size distribution was one peak before the surface treatment, and two peaks.

[例F: 参考例1〜3]
上記で得られた不均化法による銅粉を例Aの手順でアルカリ処理後、純水と混合し、エポキシシランZ−6040の3水準の濃度の水溶液で、例Aの(1)の手順で60分間撹拌混合した。次にこれらのカップリング剤水溶液をそれぞれアスピレーターで吸引ろ過した。そして、純水による洗浄等を行うことなく、吸引ろ過後の残渣を窒素雰囲気下で70℃で1時間乾燥し、乳鉢で粉砕した。これを例Aの手順で評価した。
[Example F: Reference Examples 1 to 3]
The copper powder obtained by the disproportionation method obtained above was alkali-treated by the procedure of Example A, then mixed with pure water, and the aqueous solution of three levels of epoxysilane Z-6040 was used as the procedure of Example A (1). And stirred for 60 minutes. Next, each of these coupling agent aqueous solutions was subjected to suction filtration with an aspirator. And the residue after suction filtration was dried at 70 degreeC under nitrogen atmosphere for 1 hour, without performing the washing | cleaning by a pure water, etc., and it grind | pulverized with the mortar. This was evaluated by the procedure of Example A.

[シランカップリング剤]
アルカリ処理後に酸性のシランカップリング剤水溶液処理をし、最後に水洗をした、実施例1〜7、11〜13、17〜19はカップリング剤処理をしていない比較例1〜3、カップリング剤処理前にアルカリ処理をしなかった比較例4、6、8,9と比較すると、焼結開始温度が310〜470℃から大きく上昇し、580℃以上であった。表面処理された金属粉は、表面処理後も原料粉と同じ大きさを維持したままであったことから、凝集することで表面積が減って焼結遅延性が向上したわけではなく、表面処理による何らかの変化によって、焼結遅延性が劇的に向上したと思われる。
化学還元法により得られた実施例6も、不均化反応で得られた銅粉と同じように、アルカリ処理をした後に酸性のカップリング剤水溶液処理によって、凝集することなく、焼結遅延性が大きく向上することが確認された。
[Silane coupling agent]
Examples 1-7, 11-13, and 17-19, which were treated with an aqueous solution of an acidic silane coupling agent after the alkali treatment and finally washed with water, were comparative examples 1 to 3, which were not treated with a coupling agent. When compared with Comparative Examples 4, 6, 8, and 9 in which the alkali treatment was not performed before the agent treatment, the sintering start temperature greatly increased from 310 to 470 ° C. and was 580 ° C. or higher. Since the surface-treated metal powder remained the same size as the raw material powder after the surface treatment, the surface area was reduced by agglomeration and the sintering delay was not improved. It seems that some kind of change has dramatically improved the sintering delay.
In Example 6 obtained by the chemical reduction method, as in the case of the copper powder obtained by the disproportionation reaction, after the alkali treatment, the aqueous solution of the acidic coupling agent was used for the sintering delay without aggregation. Was confirmed to be greatly improved.

[チタネートカップリング剤]
アルカリ処理後に酸性のチタネートカップリング剤水溶液処理をし、最後に水洗をした実施例8〜10、14〜16、20〜22はカップリング剤処理をしていない比較例1〜3、カップリング剤処理前にアルカリ処理をしなかった比較例7と比較すると、焼結遅延性は大きく向上したと言える。
[Titanate coupling agent]
Examples 8-10, 14-16, and 20-22, which were treated with an aqueous solution of an acidic titanate coupling agent after alkali treatment and finally washed with water, were Comparative Examples 1 to 3, which were not treated with a coupling agent. It can be said that the sintering delay is greatly improved as compared with Comparative Example 7 in which the alkali treatment was not performed before the treatment.

[焼結遅延性、ペースト分散性に対する水洗効果]
図1、2から示されるように、同じ焼結開始温度を得るのに必要なSi量、Al量はカップリング剤処理後に水洗をした方が少ない。常識的にはSi、Tiが多く付着していた方が金属粉表面をより完全に覆う可能性が高くなるので、有利だと考えられている。にもかかわらず、むしろ、Si、Tiを少なくした方が焼結遅延性向上に有利であることを上記の実験結果は示している。
また、カップリング剤処理後に水洗を行った場合は、ペースト塗膜のRzが減少しすなわちペーストが平坦になった。ペースト塗膜の平坦化は、薄い塗膜を形成した場合に重要となり、MLCCの内部電極の薄層化(1μm)に大きく貢献する。
[Effect of water washing on sintering delay and paste dispersibility]
As shown in FIGS. 1 and 2, the amount of Si and Al necessary to obtain the same sintering start temperature is less when water washing is performed after the coupling agent treatment. The common sense is that it is more advantageous that a large amount of Si and Ti adhere to the surface because the possibility of completely covering the surface of the metal powder is increased. Nevertheless, the above experimental results show that it is more advantageous to improve the sintering retardance by reducing Si and Ti.
Moreover, when the water washing was performed after the coupling agent treatment, Rz of the paste coating film decreased, that is, the paste became flat. The flattening of the paste coating film is important when a thin coating film is formed, and greatly contributes to the thinning (1 μm) of the internal electrode of MLCC.

[焼結体中のSiO2、TiO2粒子の個数]
TMA試験後の焼結体断面を観察したところ、上記表面処理された金属粉を使用したにもかかわらず、焼結体の断面において、大きな直径(粒子の最小外接円)のSiO2、TiO2粒子の個数(個数/μm2)が少ないものとなっていることが分かった。
[Number of SiO 2 and TiO 2 particles in the sintered body]
When the cross section of the sintered body after the TMA test was observed, SiO 2 and TiO 2 having a large diameter (the minimum circumscribed circle of particles) in the cross section of the sintered body despite the use of the surface-treated metal powder. It was found that the number of particles (number / μm 2 ) was small.

本発明によれば、焼結遅延性、分散性に優れた、表面処理された金属粉を得ることができる。本発明による表面処理された金属粉は、高温焼結性が求められる用途、例えば、チップ積層セラミックコンデンサー用電極、結晶系シリコン太陽電池の裏面のAl電極上の電極の製造に好適に使用できる。本発明は産業上有用な発明である。   According to the present invention, a surface-treated metal powder excellent in sintering delay and dispersibility can be obtained. The surface-treated metal powder according to the present invention can be suitably used for applications requiring high-temperature sinterability, for example, for producing electrodes on chip laminated ceramic capacitor electrodes and Al electrodes on the back surface of crystalline silicon solar cells. The present invention is industrially useful.

Claims (18)

湿式法で製粉されてD50が0.05μm〜1μmで、Dmaxが1μm以下である金属粉を、アルカリ性水溶液と混合した後に分離して、アルカリ処理された金属粉を得る工程、
アルカリ処理された金属粉を、酸性のカップリング剤水溶液と混合した後に分離して、カップリング剤処理された金属粉を得る工程、
カップリング剤処理された金属粉を、水性溶媒によって洗浄する工程、
水性溶媒によって洗浄された金属粉を、乾燥及び解砕する工程、
を含む、表面処理された金属粉の製造方法。
A step of obtaining a metal powder subjected to alkali treatment by separating a metal powder having a D50 of 0.05 μm to 1 μm and a Dmax of 1 μm or less mixed with an alkaline aqueous solution after being milled by a wet method;
Separating the alkali-treated metal powder after mixing with an acidic aqueous coupling agent solution to obtain a metal powder treated with the coupling agent;
Washing the metal powder treated with the coupling agent with an aqueous solvent;
Drying and crushing the metal powder washed with an aqueous solvent,
A method for producing a surface-treated metal powder, comprising:
酸性のカップリング剤水溶液のpHが、pH1.0〜5.0である請求項1に記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the acidic coupling agent aqueous solution has a pH of 1.0 to 5.0. 金属粉がCu、Ni、Ag、Pd、Pt、Auのいずれかの金属粉である請求項1〜2のいずれかに記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the metal powder is a metal powder of any one of Cu, Ni, Ag, Pd, Pt, and Au. カップリング剤がシラン、チタネート、アルミネートのいずれかである請求項1〜3のいずれかに記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the coupling agent is any one of silane, titanate, and aluminate. 請求項1〜4のいずれかに記載の方法で製造された、焼結開始温度が500℃以上である、表面処理された金属粉。   A surface-treated metal powder produced by the method according to claim 1 and having a sintering start temperature of 500 ° C or higher. STEMで得られる表面近傍のEDSの濃度profileにおいて、Al、Si、及びTiからなる群から選択された1種の元素を含む表面処理層の厚みをx(nm)、金属粉の焼結開始温度をy(℃)としたとき、次の式:
0.5≦x≦10
20x+530≦y
を満たす、請求項1〜4のいずれかに記載の方法で製造された、表面処理された金属粉。
In the EDS concentration profile in the vicinity of the surface obtained by STEM, the thickness of the surface treatment layer containing one element selected from the group consisting of Al, Si, and Ti is x (nm), and the sintering start temperature of the metal powder Where y (° C.) is the following formula:
0.5 ≦ x ≦ 10
20x + 530 ≦ y
The surface-treated metal powder manufactured by the method according to any one of claims 1 to 4.
Al、Si、及びTiからなる群から選択された1種の元素の金属粉1gに対する付着量をx(μg)、焼結開始温度をy(℃)としたとき、次の式:
50≦x≦1500
0.2x+510≦y
を満たす、請求項1〜4のいずれかに記載の方法で製造された、表面処理された金属粉。
When the amount of adhesion of one element selected from the group consisting of Al, Si, and Ti to 1 g of metal powder is x (μg) and the sintering start temperature is y (° C.), the following formula:
50 ≦ x ≦ 1500
0.2x + 510 ≦ y
The surface-treated metal powder manufactured by the method according to any one of claims 1 to 4.
金属粉に対するXPSのmultiplex測定によって、金属粉表面のAl、Si、及びTiからなる群から選択された1種の元素Aが原子濃度をx(atomic%)、焼結開始温度をy(℃)としたとき、次の式:
0.3≦x≦2.5
150x+390≦y
を満たす、請求項1〜4のいずれかに記載の方法で製造された、表面処理された金属粉。
By XPS multiplex measurement for metal powder, one element A selected from the group consisting of Al, Si, and Ti on the metal powder surface has an atomic concentration of x (atomic%) and a sintering start temperature of y (° C.). And the following formula:
0.3 ≦ x ≦ 2.5
150x + 390 ≦ y
The surface-treated metal powder manufactured by the method according to any one of claims 1 to 4.
請求項5〜8のいずれかに記載の表面処理された金属粉が、さらに有機化合物で表面処理されてなる、表面処理された金属粉。   A surface-treated metal powder, wherein the surface-treated metal powder according to claim 5 is further surface-treated with an organic compound. 請求項5〜9のいずれかに記載の表面処理された金属粉を使用して製造された導電性金属粉ペースト。   The electroconductive metal powder paste manufactured using the surface-treated metal powder in any one of Claims 5-9. 請求項10の導電性金属粉ペーストを使用して製造された、チップ積層セラミックコンデンサー。   A chip multilayer ceramic capacitor manufactured using the conductive metal powder paste according to claim 10. 内部電極断面に、直径10nm以上のSiO2、TiO2、又はAl23のいずれかが存在している、請求項11に記載のチップ積層セラミックコンデンサー。 12. The chip multilayer ceramic capacitor according to claim 11, wherein any of SiO 2 , TiO 2 , and Al 2 O 3 having a diameter of 10 nm or more is present in a cross section of the internal electrode. 内部電極断面に、最大径0.5μm以上のSiO2、TiO2、又はAl23のいずれかが0.5個/μm2以下で存在している、請求項11又は請求項12に記載のチップ積層セラミックコンデンサー。 13. The internal electrode cross section, wherein any one of SiO 2 , TiO 2 , or Al 2 O 3 having a maximum diameter of 0.5 μm or more is present at 0.5 pieces / μm 2 or less. Chip multilayer ceramic capacitor. 請求項11〜13のいずれかに記載のチップ積層セラミックコンデンサーを最外層に実装した多層基板。   A multilayer board on which the chip multilayer ceramic capacitor according to claim 11 is mounted on an outermost layer. 請求項11〜13のいずれかに記載のチップ積層セラミックコンデンサーを内層に実装した多層基板。   A multilayer board on which the chip multilayer ceramic capacitor according to claim 11 is mounted on an inner layer. 請求項14又は請求項15に記載の多層基板を搭載した電子部品。   An electronic component on which the multilayer substrate according to claim 14 or 15 is mounted. 請求項1〜4のいずれかに記載の製造方法によって製造された、表面処理された金属粉を、溶媒及び/又はバインダーと配合して、導電性金属粉ペーストを製造する方法。   A method for producing a conductive metal powder paste by blending the surface-treated metal powder produced by the production method according to claim 1 with a solvent and / or a binder. 請求項1〜4のいずれかに記載の製造方法によって製造された、表面処理された金属粉を、溶媒及び/又はバインダーと配合して、導電性金属粉ペーストを得る工程、
導電性金属粉ペーストを基材に塗布する工程、
基材に塗布された導電性金属粉ペーストを加熱焼成する工程、
を含む、電極を製造する方法。
A step of blending the surface-treated metal powder produced by the production method according to claim 1 with a solvent and / or a binder to obtain a conductive metal powder paste,
Applying a conductive metal powder paste to a substrate;
A step of heating and firing the conductive metal powder paste applied to the substrate;
A method of manufacturing an electrode comprising:
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