JP2015035560A

JP2015035560A - 配線基板の製造方法

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Publication number: JP2015035560A
Application number: JP2013166974A
Authority: JP
Inventors: 孝之極並; Takayuki Kiwanami; 淳史佐藤; Junji Sato; 深瀬　克哉; Katsuya Fukase; 克哉深瀬
Original assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Current assignee: Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date: 2013-08-09
Filing date: 2013-08-09
Publication date: 2015-02-19
Anticipated expiration: 2033-08-09
Also published as: US20150041053A1; JP6293436B2; US9420696B2

Abstract

【課題】コア基板における反りの発生を抑制すること。
【解決手段】第２の面にフィルム１００ａ，１００ｂが貼着されたコア基板３１ａ，３１ｂを、フィルム１００ａ，１００ｂが貼着されていないコア基板３１ａ，３１ｂの面を対向するように配置する。構造体１１０ａ，１１０ｂの間に支持体１２０を配置する。また、構造体１１０ａと支持体１２０の間に絶縁体１３１ａを配置し、構造体１１０ｂと支持体１２０の間に絶縁体１３１ｂを配置する。そして、それらを加圧して積層する。絶縁体１３１ａ，１３１ｂは、コア基板３１ａ，３１ｂの開口部に入り、電子部品４０ａ，４０ｂを固定する。また、絶縁体１３１ａ，１３１ｂを硬化させてコア基板３１ａ，３１ｂの第１の面を覆う絶縁層を形成する。そして、コア基板３１ａ，３１ｂからフィルム１００ａ，１００ｂを剥離する。
【選択図】図３

Description

配線基板の製造方法に関する。

従来、チップ型の容量素子（チップキャパシタ）等の電子部品を内蔵した配線基板が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。電子部品は、配線基板のコア基板に形成された貫通孔内に配置されている。このような配線基板は、次のような工程により得られる。先ず、電子部品より大きな貫通孔が形成されたコア基板の片面に、貫通孔を塞ぐように仮止めのためのテープを貼付する。次に、貫通孔内に電子部品を配置した後、貫通孔内に絶縁樹脂を充填し、テープを貼付していないコア基板の面に絶縁層を形成する。そして、テープを剥離し、そのテープが貼付されていた面に絶縁層を形成する。そして、各絶縁層上に、所定数の絶縁層と配線層を積層する。

特開２００７−２５８５４１号公報特開２０１１−２１６７４０号公報

ところで、上記の製造方法では、コア基板の一方の面に仮止めのテープが貼付され、コア基板の他方の面に絶縁層が形成される。このため、仮止めのテープを除去すると、絶縁層に用いられる樹脂の硬化収縮により、コア基板に反りが生じる場合がある。コア基板の反りに対する強制的な補正は、コア基板の導体パターンにクラックが発生する等の不具合を生じさせる。

本発明の一観点によれば、配線基板の製造方法であって、第１の面と対向する第２の面との間を貫通する開口部を有し、前記第２の面に前記開口部を覆うようにフィルムが貼着され、前記開口部に露出する前記フィルム上に電子部品が貼着された一対のコア基板を形成する工程と、前記一対のコア基板を支持体を介して対向配置し、前記支持体と前記一対のコア基板の間にそれぞれ第１の絶縁体を配置する工程と、前記一対のコア基板と前記支持体と前記第１の絶縁体とを積層し、前記第１の絶縁体により前記一対のコア基板の前記第１の面に第１の絶縁層を形成するとともに、前記第１の絶縁体が前記開口部内を充填して前記電子部品を固定する工程と、前記一対のコア基板から前記フィルムをそれぞれ剥離する工程と、前記一対のコア基板の第２の面のそれぞれに積層した第２の絶縁体により第２の絶縁層を形成する工程と、前記一対のコア基板を互いに分離する工程と、を有する。

本発明の一観点によれば、コア基板における反りの発生を抑制することができる。

配線基板の断面図。（ａ），（ｂ）は、配線基板の製造方法を示す断面図。（ａ）〜（ｃ）は、配線基板の製造方法を示す断面図。（ａ）〜（ｃ）は、配線基板の製造方法を示す断面図。（ａ），（ｂ）は、配線基板の製造方法を示す断面図。（ａ）〜（ｅ）は、配線基板の製造方法を示す断面図。（ａ）〜（ｄ）は、配線基板の製造方法を示す断面図。

以下、一実施形態を添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、部分的に拡大して示している場合があり、寸法，比率などは実際と異なる場合がある。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部のハッチングを省略している。

図１に示すように、半導体装置１０は、配線基板２０と、配線基板２０に実装された半導体チップ１１と、配線基板２０と半導体チップ１１の間のアンダーフィル樹脂１５を有している。

配線基板２０はコア部２１を有している。コア部２１のコア基板３１は、例えば補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ基板である。なお、補強材として、ガラスやアラミドの織布や不織布、液晶ポリマ（Liquid Crystal Polymer：LCP）織布やLCP不織布を用いることができる。また、絶縁性樹脂として、ポリイミド樹脂やシアネート樹脂を用いることができる。

コア基板３１は、所定位置に形成された貫通孔３２を有している。貫通孔３２は、コア基板３１の上面と下面との間、つまり厚さ方向に貫通するように形成されている。貫通孔３２内には、コア基板３１の上面と下面の間を貫通する貫通電極３３が形成されている。貫通電極３３は、例えば平面視略円形状に形成されている。貫通電極３３の材料は、例えば銅、銅合金である。

また、コア基板３１は、所定の位置に開口部３４を有している。開口部３４は、例えば平面視矩形状に形成されている。開口部３４は、コア基板３１の第１の面と第２の面の間を貫通するように形成されている。すなわち、開口部３４は、コア基板３１を厚さ方向に貫通している。

開口部３４内には、電子部品４０が配置されている。電子部品４０は、チップキャパシタ等である。電子部品４０は、直方体状の本体４１と、本体４１の長手方向の両端の２つの接続端子４２を有している。接続端子４２は、本体４１の長手方向端面と、本体の側面の長手方向端部を覆うように形成されている。本体４１は、例えば、主としてセラミックと銅等の電極により形成されている。また、接続端子４２の材料は、例えば銅や銅合金である。

電子部品４０は、開口部３４内に充填された絶縁材３５により固定されている。絶縁材３５は、所定の粘度を有する樹脂を開口部３４内に充填し、その樹脂を硬化して得られる。絶縁材３５に用いられる樹脂は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、またはこれらの樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材である。

コア部２１は、コア基板３１の第１の面（図１において上面）側の配線層５１、絶縁層５２、配線層５３を有している。配線層５１と絶縁層５２と配線層５３は、コア基板３１の第１の面からこの順番で積層されている。配線層５３は、絶縁層５２を貫通するビア５４を介して配線層５１または電子部品４０の接続端子４２に接続されている。配線層５１，５３は、コア基板３１の第１の面に沿って配列され、互いに離間する複数の配線を含む。配線層５１，５３の材料は、例えば銅または銅合金である。絶縁層５２の材料は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、またはこれらの樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材である。

同様に、コア部２１は、コア基板３１の第２の面（図１において下面）側の配線層６１、絶縁層６２、配線層６３を有している。配線層６１と絶縁層６２と配線層６３は、コア基板３１の第２の面からこの順番で積層されている。配線層６３は、絶縁層６２を貫通するビア６４を介して配線層６１に接続されている。配線層６１，６３は、コア基板３１の第２の面に沿って配列され、互いに離間する複数の配線を含む。また、配線層６１は、開口部３４の周囲に沿って形成され、その開口部３４を囲むように形成された配線を含む。配線層６１，６３の材料は、例えば銅または銅合金である。絶縁層６２の材料は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、またはこれらの樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材である。

なお、図１では、電子部品４０の接続端子４２上面に接続されたビア５４と、接続端子４２下面に接続されたビア６４を示しているが、何れか一方の面にビアを接続してもよい。

配線基板２０は、コア部２１の第１の面（上面）側の配線部２２と、コア部２１の第２の面（下面）側の配線部２３を有している。配線部２２は、交互に積層された配線層と絶縁層を含む。配線層の層数は任意であり、絶縁層の膜厚は、各配線層を互いに絶縁するように設定される。例えば、配線部２２は、絶縁層７１、配線層７２、絶縁層７３、配線層７４を含み、これらはコア部２１の第１の面（上面）からこの順番で積層されている。配線層７２，７４の材料は、例えば銅または銅合金である。絶縁層７１，７３の材料は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂である。

配線層７２は、絶縁層７１を貫通するビア７２ａを介して配線層５３に接続されている。同様に、配線層７４は、絶縁層７３を貫通するビア７４ａを介して配線層７２に接続されている。最外層（図１において最上層）の配線層７４は、レジスト層７５により被覆されている。レジスト層７５の材料は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂である。レジスト層７５には、所定位置に開口７５ａが形成され、その開口７５ａにより露出する配線層７４は、外部接続用のパッドＰ１として利用される。パッドＰ１には半導体チップ１１のバンプ１２が接続される。

同様に、配線部２３は、交互に積層された配線層と絶縁層を含む。配線層の層数は任意であり、絶縁層の膜厚は、各配線層を互いに絶縁するように設定される。例えば、配線部２３は、絶縁層８１、配線層８２、絶縁層８３、配線層８４を含み、これらはコア部２１の第２の面（下面）からこの順番で積層されている。

配線層８２は、絶縁層８１を貫通するビア８２ａを介して配線層６３に接続されている。同様に、配線層８４は、絶縁層８３を貫通するビア８４ａを介して配線層８２に接続されている。最外層（図１において最下層）の配線層８４は、レジスト層８５により被覆されている。レジスト層８５には、所定位置に開口８５ａが形成され、その開口８５ａにより露出する配線層８４は、外部接続用のパッドＰ２として利用される。レジスト層８５の材料は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂である。パッドＰ２には、バンプ１６が形成されている。バンプ１６は、半導体装置１０をマザーボード等の実装基板に実装する際に使用される。バンプ１６の材料は、例えばはんだである。なお、パッドＰ２にリードピン等の端子を接続してもよい。

次に、上記の配線基板２０の製造方法を説明する。
なお、各図の説明に必要な部材について符号を付し、説明しない部材については符号を省略する場合がある。

まず、図２（ａ）に示す構造を得るまでの工程を説明する。
所定の厚さのコア基板３１に貫通孔３２を形成する。貫通孔３２の形成には、例えばレーザ加工機やドリル機を用いることができる。例えば、レーザ加工機により貫通孔３２を形成した場合、デスミア処理を行い、貫通孔３２内に残留する樹脂スミア等を除去する。デスミア処理として、例えば過マンガン酸カリウム等を用いることができる。

次いで、貫通孔３２内に貫通電極３３を形成し、コア基板３１の上面及び下面に配線層５１，６１を形成する。配線層６１は、開口部３４の周囲に沿って形成され、その開口部３４を囲むように形成された配線を含む。貫通電極３３及び配線層５１，６１は、例えば、無電解銅めっきと電解銅めっきをこの順に施して形成される。

次いで、図２（ｂ）に示すように、コア基板３１に開口部３４を形成する。開口部３４の形成には、例えば、金型を用いたパンチングプレス装置、レーザ加工機、ドリル機、ルータ機を用いることができる。また、配線層５１，６１に対して粗化処理を施す。粗化は、例えばエッチング処理、ＣＺ処理、黒化処理（酸化処理）やサンドブラスト処理によって行うことができる。なお、粗化処理の後に開口部３４を形成するようにしてもよい。

次いで、図３（ａ）に示すように、コア基板３１の一方の面（図において下面）に、仮止めフィルム１００を貼着する。仮止めフィルム１００は、キャリア１０１と、キャリア１０１の１つの面に塗布された粘着材１０２を含む。キャリア１０１は、例えば、耐薬品性や耐熱性に優れた材料を用いることができる。また、キャリア１０１の材料としては、例えば作業性が良好な材料であることが好ましい。このようなキャリア１０１の材料としては、例えばポリイミド樹脂やポリエステル樹脂を用いることができる。粘着材１０２は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂である。

次に、図３（ｂ）に示すように、マウンタを用いて、コア基板３１の開口部３４内において、フィルム１００に電子部品４０を仮止めする。
そして、このように、貼着したフィルム１００により電子部品４０を固定したコア基板３１を含む構造体１１０を２つ形成する。

つまり、図３（ｃ）に示すように、一対の構造体１１０ａ，１１０ｂを形成する。各構造体１１０ａ，１１０ｂの部材は、図３（ｂ）に示す構造体１１０の部材と同じである。このため、図３（ｂ）に示す符号に対し、構造体１１０ａに含まれる部材の符号には「ａ」を付加し、構造体１１０ｂに含まれる部材の符号には「ｂ」を付加して示す。

これら一対の構造体１１０ａ，１１０ｂを、コア基板３１ａ，３１ｂのフィルム１００ａ，１００ｂが貼着されていない面が対向するように配置する。そして、一対のコア基板３１ａ，３１ｂの間に、支持体１２０を配置する。

支持体１２０は、絶縁体１２１、セパレート銅箔１２２ａ，１２２ｂ、支持板銅箔１２３ａ，１２３ｂを含む。絶縁体１２１の第１の面（図３（ｃ）において上面）には、セパレート銅箔１２２ｂと支持板銅箔１２３ｂをこの順番で積層されている。同様に、絶縁体１２１の第２の面（図３（ｃ）において下面）には、セパレート銅箔１２２ａと支持板銅箔１２３ａがこの順番で積層されている。絶縁体１２１は、例えばガラスクロス（織布）、ガラス不織布又はアラミド繊維などにエポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂等の熱硬化性樹脂を含侵させた半硬化状態（Ｂ−ステージ）のプリプレグ（prepreg）である。

なお、絶縁体１２１の大きさは、セパレート銅箔１２２ａ，１２２ｂよりも大きい。したがって、絶縁体１２１の端部は、セパレート銅箔１２２ａ，１２２ｂの端部よりも突出する。そして、支持板銅箔１２３ａ，１２３ｂの大きさは、絶縁体１２１と同じ大きさに設定されている。したがって、支持板銅箔１２３ａ，１２３ｂの端部は、セパレート銅箔１２２ａ，１２２ｂの端部よりも突出する。そして、セパレート銅箔１２２ａ，１２２ｂの端部より突出する支持板銅箔１２３ａ，１２３ｂの端部（周縁部）は、絶縁体１２１の端部（周縁部）と密着する。

支持体１２０と一対のコア基板３１の間には、第１の絶縁体１３１ａ，１３１ｂが配置される。第１の絶縁体１３１ａ，１３１ｂは、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、またはこれらの樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材である。また、第１の絶縁体１３１ａ，１３１ｂは、半硬化状態（Ｂ−ステージ）のプリプレグ（prepreg）である。

次に、図４（ａ）に示すように、一対の構造体１１０ａ，１１０ｂ、支持体１２０、一対の絶縁体１３１ａ，１３１ｂを、減圧雰囲気（例えば真空中）にてプレス装置等により構造体１１０ａ，１１０ｂを支持体１２０に向って加圧する。この加圧により、第１の絶縁体１３１ａは、コア基板３１ａの開口部３４ａ内に充填される。さらに、第１の絶縁体１３１ａは、コア基板３１ａとフィルム１００ａの間であって配線層６１ａに含まれ開口部３４ａを囲むように形成された配線パターンにより囲まれた空間に充填される。同様に、第１の絶縁体１３１ｂは、コア基板３１ｂの開口部３４ｂ内に充填される。さらに、第１の絶縁体１３１ｂは、コア基板３１ｂとフィルム１００ｂの間であって、配線層６１ｂに含まれ開口部３４ｂを囲むように形成された配線パターンにより囲まれた空間に充填される。

その後、例えば熱硬化処理により絶縁体１３１ａ，１３１ｂを熱硬化して絶縁層５２ａ，５２ｂ，絶縁体３５ａ，３５ｂを形成する。絶縁層５２ａ，５２ｂは第１の絶縁層の一例である。このとき、開口部３４ａ，３４ｂ内の絶縁体３５ａ、３５ｂは、電子部品４０ａ，４０ｂの本体４１の側面を被覆する。そして、開口部３４ａ，３４ｂ内の絶縁体３５ａ，３５ｂにより、電子部品４０ａ，４０ｂが、開口部３４ａ，３４ｂ内に固定される。

次に、図４（ｂ）に示すように、図４（ａ）に示すフィルム１００ａ，１００ｂを剥離する。このとき、支持体１２０を中心として、コア基板３１ａ，３１ｂ及び絶縁層５２ａ，５２ｂが対称に配置されている。したがって、コア基板３１ａ，３１ｂにおいて、絶縁層５２ａ，５２ｂの収縮による応力は、支持体１２０を中心として対称に発生し、互いに打ち消し合うように作用する。このため、コア基板３１ａ，３１ｂにおける反りが抑制される。

そして、露出する配線層６１ａ，６１ｂと電子部品４０ａ，４０ｂの接続端子４２ａ，４２ｂの面をクリーニングする。クリーニングは、例えば粗化処理であり、このクリーニングにより、露出する露出する配線層６１ａ，６１ｂと電子部品４０ａ，４０ｂの接続端子４２ａ，４２ｂの面の残留物を除去することができる。

次に、図４（ｃ）に示すように、配線層６１ａを覆う絶縁層６２ａと，その絶縁層６２ａを覆う銅箔１４１ａを積層する。同様に、配線層６１ｂを覆う絶縁層６２ｂと、その絶縁層６２ｂを覆う銅箔１４１ｂを積層する。絶縁層６２ａ，６２ｂは、例えば、減圧雰囲気にて図４（ｂ）に示す構造体の上面側と下面側に積層した上記の絶縁体１３１ａ，１３１ｂと同様の第２の絶縁体と銅箔１４１ａ，１４１ｂを加圧及び加熱して得られる。絶縁層６２ａ，６２ｂは、は、第２の絶縁層の一例である。

この構造体を、破線で示す位置にて切断する。この切断位置は、セパレート銅箔１２２ａ，１２２ｂの端部に対応し、セパレート銅箔１２２ａ，１２２ｂの端部よりも内側、つまり切断位置の間隔が、セパレート銅箔１２２ａ，１２２ｂの大きさよりも小さく設定される。したがって、図５（ａ）に示すように、支持板銅箔１２３ａ，１２３ｂを絶縁体１２１から分離する。これにより、２つの構造体１５１ａ，１５１ｂが得られる。構造体１５１ａは、コア基板３１ａと、コア基板３１ａの開口部３４ａに収容された電子部品４０ａと、コア基板３１ａの第１の面と第２の面を覆う絶縁層５２ａ，６２ａと、絶縁層５２ａ，６２ａを覆う銅箔１２３ａ，１４１ａを含む。同様に、構造体１５１ｂは、コア基板３１ｂと、コア基板３１ｂの開口部３４ｂに収容された電子部品４０ｂと、コア基板３１ｂの第１の面と第２の面を覆う絶縁層５２ｂ，６２ｂと、絶縁層５２ｂ，６２ｂを覆う銅箔１２３ｂ，１４１ｂを含む。

図４（ｃ）において、セパレート銅箔１２２ａ，１２２ｂと支持板銅箔１２３ａ，１２３ｂは、単に積層された状態にある。したがって、支持体１２０の絶縁体１２１に密着した支持板銅箔１２３ａ，１２３ｂの端部（周縁部）を切除することにより、支持板銅箔１２３ａ，１２３ｂは、セパレート銅箔１２２ａ，１２２ｂから容易に分離される。そして、コア基板３１ａの第１の面を覆う絶縁層５２ａと、コア基板３１ａの第２の面を覆う絶縁層６２ａは、硬化している。このため、コア基板３１ａにおいて、分離の際に反りは発生し難い。同様に、コア基板３１ｂの第１の面を覆う絶縁層５２ｂと、コア基板３１ｂの第２の面を覆う絶縁層６２ｂは、硬化している。このため、コア基板３１ｂにおいて、分離の際に反りは発生し難い。

次に、図５（ｂ）に示すように、構造体１５１ａについて、ビア５４ａ，６４ａを形成する。また、図５（ａ）に示す銅箔１２３ａ，１４１ａにカバーめっきを施し、パターニングして、図５（ｂ）に示す配線層５３ａ，６３ａを形成する。

なお、図５（ｂ）では、コア基板３１ａを含む構造体１５１ａについて説明したが、コア基板３１ｂを含む構造体１５１ｂ（図５（ａ）参照）についても同様にビアとカバーめっきが形成される。そして、ビルドアップ工程により、図１に示す配線部２２，２３が形成される。

以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）コア基板３１ａの第２の面にフィルム１００ａが貼着され、コア基板３１ａの開口部３４ａ内に配置された電子部品４０ａがフィルム１００ａに固定された構造体１１０ａを形成する。同様に、コア基板３１ｂの第２の面にフィルム１００ｂが貼着され、コア基板３１ｂの開口部３４ｂ内に配置された電子部品４０ｂがフィルム１００ｂに固定された構造体１１０ｂを形成する。これらの構造体１１０ａ，１１０ｂを、フィルム１００ａ，１００ｂが貼着されていないコア基板３１ａ，３１ｂの面を対向するように配置する。構造体１１０ａ，１１０ｂの間に支持体１２０を配置する。また、構造体１１０ａと支持体１２０の間に絶縁体１３１ａを配置し、構造体１１０ｂと支持体１２０の間に絶縁体１３１ｂを配置する。そして、それらを加圧して積層する。絶縁体１３１ａ，１３１ｂは、コア基板３１ａ，３１ｂの開口部３４ａ，３４ｂに入り、電子部品４０ａ，４０ｂを固定する。また、絶縁体１３１ａ，１３１ｂを硬化させてコア基板３１ａ，３１ｂの第１の面を覆う絶縁層５２ａ，５２ｂを形成する。そして、コア基板３１ａ，３１ｂからフィルム１００ａ，１００ｂを剥離する。

支持体１２０を中心として、コア基板３１ａ，３１ｂ及び絶縁層５２ａ，５２ｂが対称に配置されている。したがって、コア基板３１ａ，３１ｂにおいて、絶縁層５２ａ，５２ｂの収縮による応力は、支持体１２０を中心として対称に発生し、互いに打ち消し合うように作用する。このため、コア基板３１ａ，３１ｂにおける反りを抑制することができる。

（２）コア基板３１，３１ｂの第２の面を覆う絶縁層６２ａ，６２ｂを形成する際に、コア基板３１ａ，３１ｂの反りが抑制されているため、フラット（平坦）な状態で絶縁層６２ａ，６２ｂを形成するための絶縁体を積層することができ、積層を容易に行うことができる。

（３）コア基板３１ａ，３１ｂにおける反りが抑制されているため、反りが生じたコア基板を強制的に平坦状に整形する必要がなく、その整形において生じるクラック等の不具合の発生を防止することができる。

（４）コア基板３１ａ，３１ｂにおける反りが抑制されているため、コア基板３１ａ，３１ｂを互いに分離した以降の工程においてコア基板３１ａ，３１ｂの搬送（ハンドリング）を容易に行うことができ、作業性を向上することができる。

（５）絶縁層５２ａ，５２ｂを形成する絶縁体１３１ａ，１３１ｂは、コア基板３１ａ，３１ｂの開口部３４ａ，３４ｂを介して、絶縁体１３１ａ，１３１ｂを配置した面と反対側の面とフィルム１００ａの間であって、その面に形成された配線層６１ａ，６１ｂに含まれ開口部３４ａ，３４ｂを囲む配線パターンにより囲まれた空間に充填される。これにより、フィルム１００ａ，１００ｂを剥離する際に開口部３４ａ，３４ｂ内から電子部品４０ａ，４０ｂが抜け出すのを防止することができる。

尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
図１に示す配線基板２０は、コア基板３１に対して配線層５１側に半導体チップ１１を搭載するように形成されているが、コア基板３１に対して配線層６１側に半導体チップ１１を搭載するように配線基板を形成してもよい。

上記の製造工程は、適宜変更することができる。
例えば、図３（ｃ）に示す工程では、絶縁体１２１とセパレート銅箔１２２ａ，１２２ｂと支持板銅箔１２３ａ，１２３ｂを積層した支持体１２０を用いた。これに対し、構造体１１０ａ，１１０ｂと絶縁体１３１ａ，１３１ｂの積層と同時に、支持体１２０に含まれる絶縁体１２１とセパレート銅箔１２２ａ，１２２ｂと支持板銅箔１２３ａ，１２３ｂを積層してもよい。このようにすると、１回の積層で図４（ａ）に示す構造体を得ることができ、工程数を少なくすることができる。

また、図３（ｃ）に示す工程に関し、構造体１１０ａ，絶縁体１３１ａ，支持体１２０，絶縁体１３１ｂ，構造体１１０ｂをこの順番で順次積層してもよい。
また、絶縁体１３１ａ，１３１ｂを、構造体１１０ａ，１１０ｂ又は支持体１２０に貼り付けた後、これらを積層してもよい。

また、図３（ｃ）に示す工程において、支持板銅箔１２３ａ，１２３ｂを互いに接着材にて接着した支持体を用いてもよい。この場合、２枚の支持板銅箔１２３ａ，１２３ｂの外周部分を互いに接着材にて接着する。

また、電子部品を内蔵した後に貫通電極を形成するようにしてもよい。つまり、上記の方法と同様にして絶縁層５２ａ，６２ａ（たとえば、図５（ａ）参照）を形成したコア基板を支持体１２０から分離した後に、貫通電極を形成する。以下に、分離後の工程を説明する。なお、以下の説明において、図５（ａ）に示す構造体１５１ａと同じ符号（「ａ」は省略）を用いて説明する。

まず、図６（ａ）に示すように、分離した構造体１５１に対し、Ｘ線ドリル加工、基準穴・端面加工、刻印等を施す。次いで、図６（ｂ）に示すように、銅箔１２３，１４１に対して粗化処理（ＣＥ処理、黒化処理）を施す。そして、レーザ加工等によりビア穴１６１を形成する。これらのビア穴１６１により、電子部品４０の接続端子４２、配線層５１，６１を露出する。そして、図６（ｃ）に示すように、例えば、機械ドリル加工により貫通孔１６２を形成し、デスミア処理を施す。なお、貫通孔１６２を形成した後にビア穴１６１を形成してもよい。次いで、図６（ｄ）に示すように、表面に無電解めっきまたは蒸着により金属膜１６３を形成する。金属膜１６３は、例えば銅である。そして、図６（ｅ）に示すように、金属膜１６３を電極とする電解めっきによって、銅の金属めっき層１６４を形成する。なお、図６（ｂ）において、下面の銅箔１２３側からビア穴を形成して電子部品４０の接続端子４２を露出し、接続端子４２に接続されたビアを形成するようにしてもよい。なお、接続端子４２に接続されるビアは、コア基板３１の両面側に形成してもよい。

次いで、図７（ａ）に示すように、内壁が金属膜１６３及びめっき層１６４で覆われた貫通孔１６２内に絶縁材１６５を充填する。絶縁材１６５の材料は、例えばエポキシ樹脂、またはアクリル樹脂及びエポキシ樹脂である。絶縁材１６５の充填には、例えば、減圧か（例えば真空雰囲気）において、マスクスクリーンとスキージを用いた印刷法が用いられる。そして、絶縁材１６５を硬化させた後、研磨によって絶縁材１６５の表面を、金属めっき層１６４と略面一とする。絶縁材１６５の研磨には、バフ研磨、ブラスト処理が用いられる。なお、貫通孔１６２内に導電材（たとえば、はんだ等）を充填するようにしてもよい。

次に、図７（ｂ）に示すように、デスミア処理を行い、表面の残留物を除去する。次いで、無電解銅めっきにより、上面及び下面に導電層１６６を形成する。次いで、図７（ｃ）に示すように、電解銅めっきにより導電層１６６の表面にカバーめっき１６７を形成する。次に、図７（ｄ）に示すように、銅箔１２３，１４１、金属膜１６３、金属めっき層１６４，導電層１６６、カバーめっき１６７を例えばエッチングによって所定形状にパターニングして配線層１６８、１６９を形成する。この後、ビルドアップ工程により配線部が形成される。

コア部２１を適宜変更してもよい。例えば、図１に示す貫通電極３３を、貫通孔３２の内面に形成された筒状の導電部と、導電部内に充填された絶縁材と、導電部の端部を閉塞するランド部を含む、樹脂充填電極としてもよい。

図４（ａ）に示す工程では、例えば絶縁体１３１ａをコア基板３１ａの開口部３４ａに充填して電子部品４０ａを固定したが、フィルム１００ａを剥離したときに電子部品４０ａが移動しなければよく、電子部品４０ａの一部が絶縁体１３１ａに覆われるようにしてもよい。そして、図４（ｃ）に示すように、絶縁層６２ａを形成する工程において、絶縁体を開口部３４ａ内に充填するようにしてもよい。

２０配線基板
３１，３１ａ，３１ｂコア基板
３４，３４ａ，３４ｂ開口部
４０，４０ａ，４０ｂ電子部品
５２，５２ａ，５２ｂ第１の絶縁層
６２，６２ａ，６２ｂ第２の絶縁層
１００，１００ａ，１００ｂフィルム
１２０支持体
１３１ａ，１３１ｂ第１の絶縁体

Claims

配線基板の製造方法であって、
第１の面と対向する第２の面との間を貫通する開口部を有し、前記第２の面に前記開口部を覆うようにフィルムが貼着され、前記開口部に露出する前記フィルム上に電子部品が貼着された一対のコア基板を形成する工程と、
前記一対のコア基板を支持体を介して対向配置し、前記支持体と前記一対のコア基板の間にそれぞれ第１の絶縁体を配置する工程と、
前記一対のコア基板と前記支持体と前記第１の絶縁体とを積層し、前記第１の絶縁体により前記一対のコア基板の前記第１の面に第１の絶縁層を形成するとともに、前記第１の絶縁体が前記開口部内を充填して前記電子部品を固定する工程と、
前記一対のコア基板から前記フィルムをそれぞれ剥離する工程と、
前記一対のコア基板の第２の面のそれぞれに積層した第２の絶縁体により第２の絶縁層を形成する工程と、
前記一対のコア基板を互いに分離する工程と、
を有する配線基板の製造方法。
前記コア基板を形成する工程は、前記第２の面に前記開口部を囲む配線を含む第２の配線層を形成する工程を含み、
前記電子部品を固定する工程において、前記第１の絶縁体は、前記コア基板の前記第１の面と前記支持体との間の空間と、前記開口部内と、前記第２の面と前記フィルムの間であって前記第２の配線層に囲まれた空間に充填され、
前記第２の絶縁層は、前記第２の配線層を被覆するように形成されること、
を特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
前記支持体は、支持板と、前記支持板の両面のセパレート銅箔と、前記セパレート銅箔の表面に配置された支持板銅箔と、を含み、
前記支持板銅箔を前記セパレート銅箔から分離して前記一対のコア基板と前記支持板銅箔を含む一対の構造体を前記支持板から分離すること、
を特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
前記支持体は、外周部分が互いに接着された２枚の支持板銅箔を含み、前記２枚の銅箔の外周部分を切断して前記一対のコア基板と前記支持板銅箔を含む一対の構造体を互いに分離すること、
を特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
前記分離した構造体において、前記支持板銅箔を用いて配線層を形成すること、
を特徴とする請求項３または４に記載の配線基板の製造方法。