JP2015032636A - 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明の一つの実施形態は、暗電流を低減することができる固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、固体撮像装置の製造方法が提供される。固体撮像装置の製造方法では、第1導電型の半導体層に第2導電型の半導体領域を行列状に2次元配列することによって複数の光電変換素子を形成する。半導体層を区画するように、平面視格子状のトレンチを形成することによって、光電変換素子を平面視矩形状に整形する。平面視矩形状に整形された光電変換素子を矩形よりも角数が多い平面視凸多角形状に整形する。トレンチの内周面を絶縁膜によって被覆した後、絶縁膜によって被覆されたトレンチに遮光部材を設けて素子分離領域を形成する。
【選択図】図4
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、固体撮像装置の製造方法が提供される。固体撮像装置の製造方法では、第1導電型の半導体層に第2導電型の半導体領域を行列状に2次元配列することによって複数の光電変換素子を形成する。半導体層を区画するように、平面視格子状のトレンチを形成することによって、光電変換素子を平面視矩形状に整形する。平面視矩形状に整形された光電変換素子を矩形よりも角数が多い平面視凸多角形状に整形する。トレンチの内周面を絶縁膜によって被覆した後、絶縁膜によって被覆されたトレンチに遮光部材を設けて素子分離領域を形成する。
【選択図】図4
Description
本発明の実施形態は、固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置に関する。
従来、デジタルカメラやカメラ機能付き携帯端末等の電子機器は、固体撮像装置を有するカメラモジュールを備える。固体撮像装置は、撮像画像の各画素に対応して行列状に2次元配列される複数の光電変換素子を備える。各光電変換素子は、入射光を受光量に応じた量の電荷へ光電変換し、各画素の輝度を示す信号電荷として蓄積する。
また、各光電変換素子の間には、光電変換素子同士を電気的に素子分離する素子分離領域が設けられる。素子分離領域は、例えば、複数の各光電変換素子が形成された半導体層に、各光電変換素子を平面視矩形状に囲む格子状のトレンチ(溝)を形成し、トレンチの内部に絶縁材料を埋め込むことによって形成される。
素子分離用のトレンチは、一般にRIE(Reactive Ion Etching)によって形成される。しかしながら、RIEによって形成されるトレンチの表面には、ダングリングボンドが生じることがあり、ダングリングボンドに起因して発生する電子は、入射する光の有無とは無関係に発生するため、撮像画像中に白傷となって現れて画質劣化の原因となる。
本発明の一つの実施形態は、暗電流を低減することができる固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置を提供することを目的とする。
本発明の一つの実施形態によれば、固体撮像装置の製造方法が提供される。固体撮像装置の製造方法では、第1導電型の半導体層に第2導電型の半導体領域を行列状に2次元配列することによって複数の光電変換素子を形成する。前記半導体層を区画するように、平面視格子状のトレンチを形成することによって、前記光電変換素子を平面視矩形状に整形する。平面視矩形状に整形された前記光電変換素子を矩形よりも角数が多い平面視凸多角形状に整形する。前記トレンチの内周面を絶縁膜によって被覆した後、該絶縁膜によって被覆されたトレンチに遮光部材を設けて素子分離領域を形成する。
以下に添付図面を参照して、実施形態に係る固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
図1は、実施形態に係る固体撮像装置14を備えるデジタルカメラ1の概略構成を示すブロック図である。図1に示すように、デジタルカメラ1は、カメラモジュール11と後段処理部12とを備える。
カメラモジュール11は、撮像光学系13と固体撮像装置14とを備える。撮像光学系13は、被写体からの光を取り込み、被写体像を結像させる。固体撮像装置14は、撮像光学系13によって結像される被写体像を撮像し、撮像によって得られた画像信号を後段処理部12へ出力する。かかるカメラモジュール11は、デジタルカメラ1以外に、例えば、カメラ付き携帯端末等の電子機器に適用される。
後段処理部12は、ISP(Image Signal Processor)15、記憶部16および表示部17を備える。ISP15は、固体撮像装置14から入力される画像信号の信号処理を行う。かかるISP15は、例えば、ノイズ除去処理、欠陥画素補正処理、解像度変換処理等の高画質化処理を行う。
そして、ISP15は、信号処理後の画像信号を記憶部16、表示部17およびカメラモジュール11内の固体撮像装置14が備える後述の信号処理回路21(図2参照)へ出力する。ISP15からカメラモジュール11へフィードバックされる画像信号は、固体撮像装置14の調整や制御に用いられる。
記憶部16は、ISP15から入力される画像信号を画像として記憶する。また、記憶部16は、記憶した画像の画像信号をユーザの操作等に応じて表示部17へ出力する。表示部17は、ISP15あるいは記憶部16から入力される画像信号に応じて画像を表示する。かかる表示部17は、例えば、液晶ディスプレイである。
次に、図2を参照してカメラモジュール11が備える固体撮像装置14について説明する。図2は、実施形態に係る固体撮像装置14の概略構成を示すブロック図である。図2に示すように、固体撮像装置14は、イメージセンサ20と、信号処理回路21とを備える。
ここでは、イメージセンサ20が、入射光を光電変換する光電変換素子の入射光が入射する面とは逆の面側に配線層が形成される所謂裏面照射型CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサである場合について説明する。
なお、本実施形態に係るイメージセンサ20は、裏面照射型CMOSイメージセンサに限定するものではなく、表面照射型CMOSイメージセンサや、CCD(Charge Coupled Device)イメージセンサ等といった任意のイメージセンサであってもよい。
イメージセンサ20は、周辺回路22と、画素アレイ23とを備える。また、周辺回路22は、垂直シフトレジスタ24、タイミング制御部25、CDS(相関二重サンプリング部)26、ADC(アナログデジタル変換部)27、およびラインメモリ28を備える。
画素アレイ23は、イメージセンサ20の撮像領域に設けられる。かかる画素アレイ23には、撮像画像の各画素に対応する複数の光電変換素子が、水平方向(行方向)および垂直方向(列方向)へ2次元アレイ状(マトリックス状)に配置されている。そして、画素アレイ23は、各画素に対応する各光電変換素子が入射光量に応じた信号電荷(例えば、電子)を発生させて蓄積する。
タイミング制御部25は、垂直シフトレジスタ24に対して動作タイミングの基準となるパルス信号を出力する処理部である。垂直シフトレジスタ24は、アレイ(行列)状に2次元配列された複数の光電変換素子の中から信号電荷を読み出す光電変換素子を行単位で順次選択するための選択信号を画素アレイ23へ出力する処理部である。
画素アレイ23は、垂直シフトレジスタ24から入力される選択信号によって行単位で選択される各光電変換素子に蓄積された信号電荷を、各画素の輝度を示す画素信号として光電変換素子からCDS26へ出力する。
CDS26は、画素アレイ23から入力される画素信号から、相関二重サンプリングによってノイズを除去してADC27へ出力する処理部である。ADC27は、CDS26から入力されるアナログの画素信号をデジタルの画素信号へ変換してラインメモリ28へ出力する処理部である。ラインメモリ28は、ADC27から入力される画素信号を一時的に保持し、画素アレイ23における光電変換素子の行毎に信号処理回路21へ出力する処理部である。
信号処理回路21は、ラインメモリ28から入力される画素信号に対して所定の信号処理を行って後段処理部12へ出力する処理部である。信号処理回路21は、画素信号に対して、例えば、レンズシェーディング補正、傷補正、ノイズ低減処理等の信号処理を行う。
このように、イメージセンサ20では、画素アレイ23に配置される複数の光電変換素子が入射光を受光量に応じた量の信号電荷へ光電変換して蓄積し、周辺回路22が各光電変換素子に蓄積された信号電荷を画素信号として読み出すことによって撮像を行う。
本実施形態では、かかるイメージセンサ20の画素アレイ23に配置される複数の光電変換素子の形状を最適化することによって、暗電流の低減を可能としている。次に、図3を参照して、画素アレイ23に配列される光電変換素子の平面視形状について説明する。
図3は、実施形態に係る画素アレイ23に配列される光電変換素子の平面視形状を示す説明図である。なお、図3では、光電変換素子の平面視形状を示すため、光電変換素子よりも光が入射する側に設けられる構成要素について図示を省略している。
図3に示すように、画素アレイ23は、複数の光電変換素子40が行列状に2次元配列される。各光電変換素子40は、矩形よりも角数が多い平面視凸多角形(ここでは、八角形)状の受光面を備える。
また、各光電変換素子40の間には、素子分離領域43が設けられる。素子分離領域43は、光電変換素子40との界面に設けられる絶縁膜41と、絶縁膜41によって被覆される遮光部材42とによって構成される。
このように、本実施形態では、各光電変換素子40の形状を平面視凸多角形状に整形することによって、暗電流を低減している。具体的には、光電変換素子40を形成する場合、まず、図3に点線で示す平面視矩形状の光電変換素子を形成する。なお、かかる平面視矩形状の光電変換素子の形状は、一般的な固体撮像素子で採用されている形状である。
平面視矩形状の光電変換素子を形成する場合、例えば、第1導電型(ここでは、P型とする)の半導体層における光電変換素子の形成位置へ、第2導電型(ここでは、N型とする)の不純物をイオン注入してN型の半導体領域を形成し、P型の半導体層とN型の半導体領域とのPN接合からなる複数のフォトダイオードを形成する。これにより、行列状に2次元配列される複数のフォトダイオードが形成される。
続いて、例えば、各フォトダイオードを矩形状に囲むように、例えば、RIE(Reactive Ion Etching)によって、半導体層に格子状のトレンチを形成し、トレンチを絶縁部材によって埋める。これにより、図3に点線で示すような平面視矩形状の光電変換素子が形成される。
こうして形成された平面視矩形状の光電変換素子の側面には、RIEを行ったことによって表面荒れが生じ、ダングリングボンドが発生する。かかるダングリングボンドに起因して発生する電子は、入射する光の有無とは無関係に発生するため、撮像画像中に白傷となって現れて画質劣化の原因となる。そして、ダングリングボンドに起因して発生する電子数は、光電変換素子の面積に比例して増大する。
そこで、本実施形態では、光電変換素子における側面の面積を低減することによって、ダングリングボンドに起因して発生する電子数を低減することにより、暗電流を低減可能な光電変換素子40とした。
具体的には、図3に点線で示す平面視矩形状の光電変換素子を形成した後、かかる平面視矩形状の光電変換素子における四隅の角を面取りすることによって、平面視八角形の光電変換素子40を形成する。なお、かかる光電変換素子40の具体的な形成工程については、図6を参照して後述する。
ここで、光電変換素子40の平面視における各部位の長さを、図3に示すように、L1、L2、L3とした場合、図3に点線で示す光電変換素子の平面視における外周の長さは、(L1+2×L2)×4となる。
一方、光電変換素子40の平面視における外周の長さは、(L1+L3)×4となる。L3=L2×√2であるため、光電変換素子40の平面視における外周の長さは、図3に点線で示す光電変換素子の平面視における外周の長さよりも(2−√2)×L2×4だけ短くなる。
そして、光電変換素子40の半導体層における深さと、図3に点線で示す光電変換素子の半導体層における深さとは等しい。したがって、光電変換素子40は、側面の面積が図3に点線で示す平面視矩形状の光電変換素子における側面の面積よりも小さくなる。
このように、光電変換素子40は、図3に点線で示す光電変換素子よりも側面の面積を低減することができるので、ダングリングボンドに起因して発生する電子数を低減することにより、暗電流を低減することができる。
しかも、光電変換素子40は、平面視における外周を構成する各辺のうち、一対の対向する辺の距離が、図3に点線で示す光電変換素子の外周を構成する一対の対向する辺の距離と等しい。したがって、光電変換素子40は、図3に点線で示す光電変換素子に対して受光面積が大きく低減されることがないので、図3に点線で示す光電変換素子と同等の受光感度を確保することができる。
次に、図4を参照して、実施形態に係る画素アレイ23の断面構造について説明する。図4は、図3に示すA−A´線による断面を模式的に示す説明図である。なお、図4には、光電変換素子40よりも光が入射する側に設けられる構成要素についても図示している。
図4に示すように、画素アレイ23は、光が入射する側から順に、マイクロレンズ31、カラーフィルタ32、導波路33、第1導電型(P型)の半導体(ここでは、Si:シリコンとする)層34、絶縁層35、接着層36、支持基板37を備える。
マイクロレンズ31は、入射する光を集光する平凸レンズである。カラーフィルタ32は、赤、緑、青、もしくは白のいずれかの色光を選択的に透過させるフィルタである。導波路33は、カラーフィルタ32を透過した光をP型のSi層34側へ導く領域であり、例えば、窒化Siによって形成される。導波路33の周囲には、例えば、酸化Siによって形成される保護膜38が設けられる。
P型のSi層34は、例えば、ボロン等のP型の不純物がドープされたSiをエピタキシャル成長させて形成される領域である。なお、P型のSi層34は、SiウェハへP型の不純物をイオン注入して形成されたものであってもよい。
P型のSi層34の内部における光電変換素子40の形成位置には、第2導電型(N型)のSi領域39が設けられる。画素アレイ23では、P型のSi層34とN型のSi領域39とのPN接合によって形成されるフォトダイオードが、光電変換素子40となる。
なお、絶縁層35の内部には、光電変換素子40から信号電荷を読み出す読み出しゲート44や多層配線45等が設けられる。接着層36および支持基板37については、後述する。
また、各光電変換素子40の間には、素子分離領域43が設けられる。素子分離領域43は、光電変換素子40毎に、P型のSi層34を区画するように設けられ、光電変換素子40との界面が絶縁膜41によって被覆される遮光部材42を有する。
より具体的には、素子分離領域43は、光電変換素子40を平面視において矩形よりも角数が多い凸多角形状に囲むように設けられる(図3参照)。かかる素子分離領域43は、各光電変換素子40の間におけるP型のSi層34に、平面視格子状のトレンチを形成し、アルカリ性の薬液を用いた異方性ウェットエッチング処理を施した後、トレンチの内周を絶縁膜41で被覆してから遮光部材42を埋めることで形成される。
次に、かかる素子分離領域43の形成方法を含む固体撮像装置14の製造方法について、図5〜図7を参照して説明する。なお、固体撮像装置14における画素アレイ23以外の部分の製造方法は、一般的なCMOSイメージセンサと同様である。このため、以下では、固体撮像装置14における画素アレイ23部分の製造方法について説明する。
図5〜図7は、実施形態に係る固体撮像装置14の製造工程を示す断面模式図である。なお、図5〜図7には、画素アレイ23における図4に示す部分の製造工程を選択的に示している。
図5の(a)に示すように、画素アレイ23を製造する場合には、Siウェハ等の半導体基板4上にP型のSi層34を形成する。このとき、例えば、半導体基板4上にボロン等のP型の不純物がドープされたSi層をエピタキシャル成長させることにより、P型のSi層34を形成する。なお、かかるP型のSi層34は、Siウェハの内部へP型の不純物をイオン注入してアニール処理を行うことにより形成されてもよい。
続いて、P型のSi層34における光電変換素子40の形成位置へ、例えば、リン等のN型の不純物をイオン注入してアニール処理を行うことによって、P型のSi層34にN型のSi領域39を行列状に2次元配列する。これにより、画素アレイ23には、P型のSi層34とN型のSi領域39とのPN接合によってフォトダイオードである光電変換素子40が形成される。
その後、図5の(b)に示すように、P型のSi層34上に読み出しゲート44や多層配線45等とともに、絶縁層35を形成する。かかる工程では、P型のSi層34の上面に読み出しゲート44等を形成した後、酸化Si層を形成する工程と、酸化Si層に所定の配線パターンを形成する工程と、配線パターン内にCu等を埋め込んで多層配線45を形成する工程とを繰り返す。これにより、内部に読み出しゲート44や多層配線45等が設けられた絶縁層35が形成される。
続いて、図5の(c)に示すように、絶縁層35の上面に接着剤を塗布して接着層36を設け、接着層36の上面に、例えば、Siウェハ等の支持基板37を貼着する。その後、図5の(d)に示す構造体の天地を反転させた後、例えば、グラインダ等の研磨装置によって半導体基板4を裏面側(ここでは、上面側)から研磨し、半導体基板4を所定の厚さになるまで薄化する。
さらに、例えば、CMP(Chemical Mechanical Polishing)によって半導体基板4の裏面側をさらに研磨し、図5の(d)に示すように、P型のSi層34の受光面となる裏面(ここでは、上面)を露出させる。
その後、図6の(a)に示すように、P型のSi層34における素子分離領域43(図4参照)の形成位置、つまり、各N型のSi領域39の間の位置に、例えば、RIEによって素子分離用のトレンチ5を形成する。
このとき、光電変換素子40毎にP型のSi層34を区画するように、平面視格子状のトレンチ5を形成することによって(図3参照)、図6の(b)に示すように、各光電変換素子40を平面視矩形状に整形する。これにより、各光電変換素子40におけるミラー指数が[100]の面40a、および、ミラー指数が[100]の面と等価な面40b、40c、40dが露出する。なお、ここで形成されるトレンチ5の底面は、ミラー指数が[111]の面である。
その後、光電変換素子40に対して、アルカリ性の薬液を用いた異方性ウェットエッチングを行う。アルカリ性の薬液を用いた異方性ウェットエッチングでは、Siにおけるミラー指数が[100]の面40aにおけるエッチングレートに比べて、ミラー指数が[110]の面におけるエッチングレートの方が非常に高い。
このため、光電変換素子40に対して、上記異方性ウェットエッチングを行うと、図6の(c)に示すように、各光電変換素子40におけるミラー指数が[110]の面40e、および、ミラー指数が[110]と等価な面40f、40g、40hが露出する。つまり、トレンチ5を形成した段階では、平面視矩形状であった各光電変換素子40が、矩形よりも角数が多い平面視凸多角形(ここでは、八角形)状に整形される。
これにより、本実施形態では、各光電変換素子40における有効な受光面の面積を大きく縮小することなく、各光電変換素子40の側面(周面)の面積を低減することができる。このように、画素アレイ23では、各光電変換素子40においてダングリングボンドの生じる恐れがある側面(周面)の面積を低減することができるので、ダングリングボンドに起因して入射光の有無とは無関係に発生する電子数を低減することができる。したがって、画素アレイ23によれば、暗電流を低減することができる。
また、アルカリ性の薬液を用いた異方性ウェットエッチングでは、Siにおけるミラー指数が[110]の面40eにおけるエッチングレートに比べて、ミラー指数が[111]の面におけるエッチングレートの方が非常に低い。このため、異方性ウェットエッチングによって、トレンチ5の深さが必要以上に深く形成されることを抑制することができる。
また、本実施形態では、RIEによるドライエッチングによってトレンチ5を形成した後に、ウェットエッチングを行うので、RIEによって生じたトレンチ5の表面荒れを修復することができる。これにより、画素アレイ23では、ダングリングボンドが低減されるので、暗電流を低減することができる。
続いて、図7の(a)に示すように、トレンチ5の内周面に、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)やスパッタ等を用いて酸化Si等の絶縁膜41を形成し、絶縁膜41によって内周面が被覆されたトレンチ5の内部へ、例えば、CVDを用いてアルミ等の遮光部材42を埋め込む。これにより、素子分離領域43が形成される。
このように、本実施形態では、トレンチ5の内周面を絶縁膜41によって被覆した後に、トレンチ5の内部に遮光部材42を埋め込んで素子分離領域43を形成するので、各光電変換素子40間を電気的および光学的に素子分離することができる。
したがって、画素アレイ23によれば、光電変換素子40へ隣設される光電変換素子40側から光や電子の侵入を防止することができるので、撮像画像に混色が発生することを抑制することができる。
また、素子分離領域43によって囲まれる光電変換素子40におけるP型のSi層34は、光の屈折率が4程度であり、素子分離領域43の周面を構成する酸化Siからなる絶縁膜41は、光の屈折率が1.5程度である。
さらに、上述したように、素子分離領域43は、平面視八角形状に光電変換素子40を囲む。このため、光電変換素子40へ入射する光は、素子分離領域43の周面で全反射する。したがって、実施形態の素子分離領域43によれば、受光感度を向上させることができる。
続いて、図7の(b)に示すように、P型のSi層34の上面に、例えば、CVDを用い、酸化Siを積層することによって保護膜38を形成し、図7の(c)に示すように、光電変換素子40上における保護膜38を選択的に除去する。
そして、図7の(c)に示すように、保護膜38が選択的に除去されてできた開口の内部へ、例えば、CVDを用い、窒化Siを積層することによって、導波路33を形成する。この後、導波路33の上面にカラーフィルタ32およびマイクロレンズ31を順次形成することによって、図4に示す画素アレイ23が形成される。
なお、これまで、実施形態に係るイメージセンサ20が裏面照射型のイメージセンサである場合について説明したが、上記した光電変換素子40および素子分離領域43の構成は、表面照射型のイメージセンサに採用することもできる。
図8は、実施形態に係る光電変換素子40および素子分離領域43の構成を表面照射型のイメージセンサに採用した場合の説明図である。図8には、表面照射型のイメージセンサにおける画素アレイ23aの模式的な断面の一部を示している。なお、図8に示す構成要素のうち、図4に示す構成要素と同様の機能を有する構成要素については、図4に示す符号と同一の符号を付することにより、その説明を省略する。
図8に示すように、画素アレイ23aは、P型のSi層34が半導体基板4上に設けられる点、および、読み出しゲート44や多層配線45が設けられる絶縁層35がP型のSi層34の受光面(上面)側に配置される点を除き、図4に示す画素アレイ23と同様の構成である。
このように、実施形態に係る光電変換素子40および素子分離領域43の構成を表面照射型のイメージセンサに採用する場合にも、光電変換素子40および素子分離領域43の形成方法および構成は、図4に示す画素アレイ23と同様である。
したがって、図8に示す画素アレイ23aによっても、各光電変換素子40における有効な受光面の面積を大きく縮小することなく、各光電変換素子40の側面(周面)の面積を低減することができるので、暗電流を低減することができる。
上述したように、実施形態に係る固体撮像装置の製造方法では、素子分離用のトレンチを平面視格子状に形成することによって、光電変換素子を平面視矩形状にした後、光電変換素子に対して、アルカリ性の薬液を用いた異方性ウェットエッチングを行う。
これにより、光電変換素子が矩形よりも角数が多い平面視凸多角形状に整形されるので、光電変換素子の側面(周面)の面積を低減することができる。このように、各光電変換素子においてダングリングボンドの生じる恐れがある側面(周面)の面積を低減することができるので、ダングリングボンドに起因して入射光の有無とは無関係に発生する電子数を低減することができる。したがって、暗電流を低減することができる。
また、実施形態に係る矩形よりも角数が多い平面視凸多角形状の光電変換素子によれば、外周を構成する一対の対向する辺の距離が同じ平面視矩形状の光電変換素子と、略同等の受光感度を確保することができる。
なお、上述した実施形態では、光電変換素子を平面視八角形状にする場合を例に挙げて説明したが、矩形よりも角数が多い任意の平面視凸多角形状に整形してもよく、平面視円形状にしてもよい。かかる場合には、例えば、所望の平面視形状となる開口が各光電変換素子上に設けられるマスクを用いたエッチングを行うことによって形成する。
これにより、光電変換素子は、平面視凸多角形状の角数が多いほど、また、平面視円形に近い形状になるほど、側面の面積を図3に示す光電変換素子よりも狭くすることができるので、より一層暗電流を低減することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 デジタルカメラ、 11 カメラモジュール、 12 後段処理部、 13 撮像光学系、 14 固体撮像装置、 15 ISP、 16 記憶部、 17 表示部、 20 イメージセンサ、 21 信号処理回路、 22 周辺回路、 23 画素アレイ、 24 垂直シフトレジスタ、 25 タイミング制御部、 26 CDS、 27 ADC、 28 ラインメモリ、 31 マイクロレンズ、 32 カラーフィルタ、 33 導波路、 34 P型のSi層、 35 絶縁層、 36 接着層、 37 支持基板、 38 保護膜、 39 N型のSi領域、 40 光電変換素子、 41 絶縁膜、 42 遮光部材、 43 素子分離領域、 44 読み出しゲート、 45 多層配線、 4 半導体基板、 5 トレンチ、 40a ミラー指数が[100]の面、 40e ミラー指数が[110]の面
Claims (5)
- 第1導電型の半導体層に第2導電型の半導体領域を行列状に2次元配列することによって複数の光電変換素子を形成する工程と、
前記半導体層を区画するように、平面視格子状のトレンチを形成することによって、前記光電変換素子を平面視矩形状に整形する工程と、
平面視矩形状に整形された前記光電変換素子を矩形よりも角数が多い平面視凸多角形状に整形する工程と、
前記トレンチの内周面を絶縁膜によって被覆した後、該絶縁膜によって被覆されたトレンチに遮光部材を設けて素子分離領域を形成する工程と
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - アルカリ性の薬液を用いた異方性ウェットエッチングによって、前記光電変換素子を前記平面視凸多角形状に整形する工程
を含むことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記トレンチを形成することによって、前記光電変換素子におけるミラー指数が[100]の面、および、ミラー指数が[100]と等価な面を露出させる工程と、
前記異方性ウェットエッチングを行うことによって、前記光電変換素子におけるミラー指数が[110]の面、および、ミラー指数が[110]と等価な面を露出させる工程と
を含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 第1導電型の半導体層と、前記半導体層に行列状に2次元配列される第2導電型の半導体領域とによって形成され、矩形よりも角数が多い平面視凸多角形状に形成される複数の光電変換素子と、
前記半導体層を区画するように設けられ、前記光電変換素子との界面が絶縁膜によって被覆される遮光部材を有する素子分離領域と
を備えることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記光電変換素子は、
上面視八角形状に形成され、配線層が設けられる側とは逆側の受光面から入射する光を光電変換する
ことを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。
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