JP2015023292A - 反応性イオンエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
第1のエッチング段階において、第1の形体のみを所定の深さにエッチングするように前記基板をエッチングするステップと、
その後、第2のエッチング段階において、第1および前記第2の形体の両方をそれぞれの深さにエッチングするように基板をエッチングするステップと、
を備える方法が本明細書に開示される。
12…支持部
12a、12b…支持部12の上部および下部
14…プルーフマス
16…装着用脚部
18、20…第1および第2の質量要素
22…横断支柱
24、26…上方および下方の可動キャパシタフィンガーのグループ
28、30…上方および下方の固定されたキャパシタフィンガーのグループ
32、34…上方および下方の可動キャパシタフィンガーのグループ
36、38…上方および下方の固定されたキャパシタフィンガーのグループ
40…マスク
43、45…開口部
42、44…エッチングされた形体
46…シリコンウェハ基板
48…ベースウェハ
50…第2のマスキング材料
52…マスキング材料
Claims (17)
- 少なくとも第1および第2のエッチングされた形体を形成する、基板の反応性イオンエッチング方法であって、前記第1のエッチングされた形体が、前記第2のエッチングされた形体よりも大きいアスペクト比(深さ:幅)を有し、前記方法は、
第1のエッチング段階において、前記第1の形体のみを所定の深さにエッチングするように前記基板をエッチングするステップと、
その後、第2のエッチング段階において、前記第1および前記第2の形体の両方をそれぞれの深さにエッチングするように前記基板をエッチングするステップと、
を備えることを特徴とする、基板の反応性イオンエッチング方法。 - 前記基板の表面にマスキング材料を施して、前記第1および第2の形体の形状に対応する第1および第2の開口部を画定することと、
前記第1のエッチング段階において、前記第1の開口部のみを介して前記基板を選択的にエッチングして、前記第1のエッチングされた形体を所定の深さにエッチングすることと、
その後、前記第2のエッチング段階において、両方の前記開口部を介して前記基板をエッチングして、前記第1および第2の形体の両方をそれぞれの深さにエッチングすることと、
を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。 - それぞれの形体が、実質的に同じ深さにエッチングされることを特徴とする請求項1または請求項2記載の方法。
- それぞれの形体が、前記基板の深さ全域を貫いてエッチングされることを特徴とする請求項3記載の方法。
- 前記第1のエッチング段階が、前記第2の開口部を閉塞するステップを備え、その後、前記マスキングされた基板を反応性エッチングプロセスに露出させ、それによって、前記第1の開口部のみを介してエッチングが起こるようにすることを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の方法。
- 前記閉塞するステップが、前記第2の開口部を被覆するために、さらなるマスキング材料を施すことを含むことを特徴とする請求項5記載の方法。
- 前記第1の段階のエッチングプロセスの後、および前記第2の段階のエッチングプロセスの前に、前記さらなるマスキング材料を前記第2の開口部から除去することを含むことを特徴とする請求項6記載の方法。
- 前記さらなるマスキング材料が、前記エッチングプロセスに応じて、次第に薄くなり、次いで、前記第2の段階のエッチングが始まると、前記第2の開口部を露出することを特徴とする請求項6記載の方法。
- 前記反応性イオンエッチングプロセスが、交互に繰り返すエッチング段階とパッシベーション段階とを備える異方性の反応性イオンプロセスであることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 前記第1および第2の形体が、前記基板に形成されたスロットであり、これが、隣接するフィンガー間の間隔が異なる状態で、隣接し、互いに組み合わされるフィンガーを画定することを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
- 前記基板がMEMSセンサ用のウェハであることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の方法。
- 請求項1〜11のいずれかに記載された方法によってエッチングされた基板を備えることを特徴とするMEMSセンサ。
- 第1および第2の形体を内部にエッチングされた基板を備えるMEMSセンサであって、前記第1のエッチングされた形体が、前記第2のエッチングされた形体よりも大きいアスペクト比(深さ:幅)を有し、前記第2の形体のその頂部からその底部までの幅の変動の比が、0.015以下、例えば0.01以下であることを特徴とするMEMSセンサ。
- 前記第1および第2の形体が、前記基板に形成されたスロットであり、これが、隣接するフィンガー間の間隔が異なる状態で、隣接し、互いに組み合わされるフィンガーを画定することを特徴とする請求項13記載のMEMSセンサ。
- 前記形体が前記基板を貫通して延在することを特徴とする請求項1〜14のいずれかに記載の方法またはMEMSセンサ。
- 前記基板が少なくとも90μm、例えば100μmの深さを有することを特徴とする請求項1〜15のいずれかに記載の方法またはMEMSセンサ。
- 前記より大きいアスペクト比の前記より小さいアスペクト比に対する比は、2.0および3.5の間、例えば2.25から3.25、例えば2.5から3.0、例えば2.6から2.7であることを特徴とする請求項1〜16のいずれかに記載の方法またはMEMSセンサ。
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