JP2015015326A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光装置は、発光層と開口部と凹部と電極を含む。発光層は、第一半導体層と第二半導体層および第一半導体層と第二半導体の間に形成される発光層を有し、第一半導体層は、第一表面と第一表面に連結する第一部分と第一部分に連結する第二部分を含み、開口部は、上部表面から第一半導体層の第一部分を突き抜き、凹部は、開口部に連結し、第二半導体層と発光層と第一半導体層の第二部分を突き抜き、且つその底部が第一半導体層の第一表面の反対側に第二表面を露出するよう開口部より広い幅を有し、電極は、凹部に配置され、開口部と対応する。
【選択図】図1H
Description
101 成長基板
102 第一半導体層
102a 第一表面
102b 第一部分
102c 第二部分
102d 第二表面
103 バッファ層
104 発光層
105 凹部
106 第二半導体層
108 発光層
110 電極
110a 上部表面
110b 接触エリア
110c 露出エリア
112 導電層
114 絶縁構造
114a 上部表面
115 ワイヤボンディング用電極
116 バリア層
116a 上部表面
117 導電構造
118 反射層
120 接合構造
122 導電性基板
124 開口部
126 粗面化構造
200 発光装置
204 開口部
210 電極
211 ワイヤボンディング用電極
300 発光装置
322 導電性基板
320 接合構造
318 反射層
308 導電層
311 電極
314 絶縁構造
314a 絶縁層
314b 絶縁部
316 導電通路
111a 第二延伸電極
111b 第一延伸電極
500 発光装置
510 ワイヤボンディング用電極
511 延伸電極
517 導電構造
522 導電性基板
600 発光装置
610 ワイヤボンディング用電極
611 延伸電極
617 導電構造
622 導電性基板
700 発光装置
710 ワイヤボンディング用電極
711 延伸電極
717 導電構造
722 導電性基板
800 発光装置
810a ワイヤボンディング用電極
810b ワイヤボンディング用電極
811 延伸電極
811a 放射状枝
811b 放射状枝
811c 放射状枝
811d 放射状枝
822 導電性基板
817 導電構造
900 発光装置
922 導電性基板
910a ワイヤボンディング用電極
910b ワイヤボンディング用電極
911 延伸電極
911a 放射状枝
911b 放射状枝
917 導電構造
1000 発光装置
1022 導電性基板
1011 延伸電極
1010a ワイヤボンディング用電極
1010b ワイヤボンディング用電極
1011a 第一放射状枝
1011b 第二放射状枝
W1、W2、W3 幅
Claims (10)
- 発光層と開口部と凹部と電極を含む発光装置であって、
前記発光層は、第一半導体層と第二半導体層および前記第一半導体層と前記第二半導体の間に形成される発光層を有し、前記第一半導体層は、第一表面と前記第一表面に連結する第一部分と前記第一部分に連結する第二部分を含み、
前記開口部は、上部表面から前記第一半導体層の第一部分を突き抜き、
前記凹部は、前記開口部に連結し、前記第二半導体層と前記発光層と前記第一半導体層の第二部分を突き抜き、且つその底部が前記第一半導体層の前記第一表面の反対側に第二表面を露出するよう前記開口部より広い幅を有し、
前記電極は、前記凹部に配置され、前記開口部と対応する、
ことを特徴とする発光装置。 - 前記凹部に充填され前記電極を覆う絶縁構造をさらに有する請求項1に記載の発光装置。
- 前記電極は、前記開口部の幅より広い幅を有し、且つ前記第二表面に連結する請求項2に記載の発光装置。
- 前記開口部内に配置され、前記電極と連結するワイヤボンディング用電極をさらに有する請求項3に記載の発光装置。
- 前記絶縁構造は、前記電極と、前記発光層および前記第二半導体層を隔離する請求項3に記載の発光装置。
- 前記第二半導体層と電気的に接続する導電層と前記第二半導体層を覆うバリア層とを備える導電構造をさらに有する請求項2に記載の発光装置。
- 前記絶縁構造は前記第二半導体層の下に形成され、前記絶縁層を貫通し且つ第二半導体層に接続する複数の導電通路を有する請求項6に記載の発光装置。
- 前記導電構造と前記絶縁構造の下に形成される金属反射層と、前記金属反射層の下に形成される導電接合層と、前記導電接合層の下に形成される導電性基板とを有する請求項6に記載の発光装置。
- 前記電極は、少なくともワイヤボンディング用電極と前記ワイヤボンディング用電極から延伸する延伸電極を有する請求項1に記載の発光装置。
- 前記第一半導体層の第一表面には、前記発光層から発した光を遮光する構造を有さない。請求項1に記載の発光装置。
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JP2013140255A JP2015015326A (ja) | 2013-07-04 | 2013-07-04 | 発光装置 |
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JP2013140255A JP2015015326A (ja) | 2013-07-04 | 2013-07-04 | 発光装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN113921679A (zh) * | 2020-07-08 | 2022-01-11 | 隆达电子股份有限公司 | 发光装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003044872A1 (en) * | 2001-11-19 | 2003-05-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Compound semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
JP2006148087A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-06-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子とその製造方法 |
JP2009260316A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置 |
JP2012084779A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP2012216753A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2013098516A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-20 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
WO2013092304A1 (de) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung einer anzeigevorrichtung |
JP2013201411A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-10-03 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
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2013
- 2013-07-04 JP JP2013140255A patent/JP2015015326A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003044872A1 (en) * | 2001-11-19 | 2003-05-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Compound semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
JP2006148087A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-06-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子とその製造方法 |
JP2009260316A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置 |
JP2012084779A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP2012216753A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2013098516A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-20 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
WO2013092304A1 (de) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung einer anzeigevorrichtung |
JP2013201411A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-10-03 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113921679A (zh) * | 2020-07-08 | 2022-01-11 | 隆达电子股份有限公司 | 发光装置 |
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