JP2014525982A5 - - Google Patents

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  1. 基材から炭素層を反応性層除去する方法、特にコンポーネント表面や工具表面からta−C層を反応性層除去する方法であって、層除去されるべき基材が真空室の中の基材ホルダの上に配置され、気体形状での炭素の運び出しを促進する少なくとも1つの反応性ガスが真空室に装填され、コーティングされた基材の層除去のために必要な1つまたは複数の化学反応を促進するためにプラズマ放電が真空室内で点火され、反応性層除去が1つまたは複数のステップで実施される、そのような方法において、プラズマ放電は20Aから1000Aの間の、好ましくは50Aから300Aの間の放電電流と、最大120Vの、好ましくは20Vから80Vの間の放電電圧とを有する直流低電圧アーク放電として生成され、そして、炭素コーティングの少なくとも1つの部分を基材から除去するために、反応性層除去の少なくとも1つのステップのあいだ、好ましくは反応性層除去の最後のステップのあいだ、窒素ガスを含んだガスが反応性ガスとして利用され、好ましくは、使用される窒素ガスを含んだ反応性ガスは主として窒素ガスを含んでおり、特に好ましくは、使用される窒素ガスを含んだ反応性ガスは実質的に窒素ガスを含んでいることを特徴とする方法。
  2. 基材は直流低電圧アーク放電のための陽極として配線され、それにより基材表面は、質量が小さいためにスパッタを起こし得ない電子でのみ実質的に衝撃されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  3. 基材は絶縁をするように直流低電圧アーク放電に投入され、それにより基材に当たるイオンは実質的に20eVよりも低いエネルギーを有しており、したがってスパッタ閾値を下回っていることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  4. 直流低電圧アーク放電のために基材ホルダおよび室壁とは区別される電極が陽極として利用され、基材は浮動電位に保たれることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  5. 炭素コーティングの少なくとも1つの部分を基材から除去するために、反応性層除去の少なくとも1つのステップのあいだ、ただし反応性層除去の最後のステップのあいだにではなく、好ましくは反応性層除去の最初のステップのあいだ、酸素ガスを含んだガスが反応性ガスとして利用され、好ましくは、使用される酸素ガスを含んだ反応性ガスは主として酸素ガスを含んでおり、特に好ましくは、使用される酸素ガスを含んだ反応性ガスは実質的に酸素ガスを含んでいることを特徴とする、請求項1から4のうちいずれか1項に記載の方法。
  6. 酸素ガスを含んだ反応性ガスの流れは、炭素層が何らかの基材個所で酸素との反応により完全に除去される前にオフにされ、そのようにして、層除去された基材表面が酸素との反応により酸化され始めるのが防止されることを特徴とする、請求項に記載の方法。
  7. 酸素ガスを含んだ反応性ガスの流れがオフになった後で水素ガスがコーティング除去室に導入され、それにより層中の酸素成分が低減されるだけでなく、基材表面上の望ましくない残留酸素も低減されることを特徴とする、請求項に記載の方法。
  8. 炭素層でコーティングされた基材を層除去するための、請求項1から7のうちいずれか1項に記載の方法の利用法において、炭素層は炭素以外に特に水素(H)、ホウ素(B)、ケイ素(Si)、および/またはゲルマニウム(Ge)のようなその他の非金属元素も含んでいる利用法。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6381984B2 (ja) * 2014-06-13 2018-08-29 学校法人 芝浦工業大学 脱膜方法及び脱膜装置
KR101864877B1 (ko) * 2015-04-08 2018-06-07 신메이와 고교 가부시키가이샤 이온 조사에 의한 피복재의 탈막 방법 및 탈막 장치
ES2896182T3 (es) * 2015-08-18 2022-02-24 Tata Steel Nederland Tech Bv Método y aparato para la limpieza y recubrimiento de flejes de metal
RU2632702C1 (ru) * 2016-10-28 2017-10-09 Арчил Важаевич Цискарашвили Антиадгезивное антибактериальное покрытие для ортопедических имплантатов из титана и нержавеющей стали
US10347463B2 (en) * 2016-12-09 2019-07-09 Fei Company Enhanced charged particle beam processes for carbon removal
CN108987255A (zh) * 2018-06-19 2018-12-11 广东先导先进材料股份有限公司 类金刚石膜表面处理工艺
CN108754520A (zh) * 2018-06-29 2018-11-06 四川大学 硬质合金表面涂层去除方法和设备
CN114207178B (zh) * 2019-07-31 2024-06-04 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔 涂覆于基材上的梯级无氢碳基硬材料层
JP7422540B2 (ja) * 2019-12-26 2024-01-26 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
CN111871973A (zh) * 2020-07-30 2020-11-03 成都光明光电股份有限公司 Dlc膜的脱膜方法及脱膜机
CN114645281B (zh) * 2022-04-06 2023-11-24 岭南师范学院 一种褪除金属工件表面碳膜的方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU375326A1 (ru) * 1971-02-01 1973-03-23 ПОТОЧНАЯ ЛИНИЯ ДЛЯ очистки ДЕТАЛЕЙ
SU1227280A1 (ru) * 1984-06-26 1986-04-30 Магнитогорский горно-металлургический институт им.Г.И.Носова Способ очистки поверхности металлических изделий
JPS63211630A (ja) * 1988-01-29 1988-09-02 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP3513811B2 (ja) * 1988-08-11 2004-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法
JP2763172B2 (ja) * 1990-03-19 1998-06-11 株式会社神戸製鋼所 ダイヤモンド薄膜のエッチング方法
EP0510340B1 (de) 1991-04-23 1995-05-10 Balzers Aktiengesellschaft Verfahren zur Abtragung von Material von einer Oberfläche in einer Vakuumkammer
JPH0598412A (ja) * 1991-10-07 1993-04-20 Nippon Steel Corp 被溶射材料の前処理方法
JPH05339758A (ja) * 1992-06-08 1993-12-21 Nachi Fujikoshi Corp ダイヤモンド被覆工具の再研磨・再被覆方法
US5401543A (en) 1993-11-09 1995-03-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method for forming macroparticle-free DLC films by cathodic arc discharge
DE4401986A1 (de) 1994-01-25 1995-07-27 Dresden Vakuumtech Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vakuumlichtbogenverdampfers und Stromversorgungseinrichtung dafür
US5993680A (en) * 1996-08-15 1999-11-30 Citizen Watch Co., Ltd. Method of removing hard carbon film formed on inner circumferential surface of guide bush
DE19831914A1 (de) 1998-07-16 2000-01-20 Laser & Med Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Säuberung und Entschichtung transparenter Werkstücke
US6605175B1 (en) * 1999-02-19 2003-08-12 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Process for manufacturing component parts, use of same, with air bearing supported workpieces and vacuum processing chamber
CN1138020C (zh) 1999-09-29 2004-02-11 永源科技股份有限公司 阴极电弧蒸镀方式淀积类金刚石碳膜的制备方法
JP3439423B2 (ja) * 2000-04-11 2003-08-25 オーエスジー株式会社 ダイヤモンド被膜除去方法およびダイヤモンド被覆部材の製造方法
JP3997084B2 (ja) 2001-12-27 2007-10-24 株式会社不二越 硬質炭素被覆膜の脱膜方法及び再生方法並びに再生基材
US6902774B2 (en) 2002-07-25 2005-06-07 Inficon Gmbh Method of manufacturing a device
US7381311B2 (en) 2003-10-21 2008-06-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Filtered cathodic-arc plasma source
WO2005074016A1 (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Tokyo Electron Limited 基板処理装置の処理室清浄化方法、基板処理装置、および基板処理方法
EP1725700B1 (de) 2004-01-29 2009-12-30 Oerlikon Trading AG, Trübbach Entschichtungsverfahren
JP2008513225A (ja) * 2004-09-23 2008-05-01 コムコン・アーゲー 切削工具、およびこれを製造する方法
JP2007134425A (ja) * 2005-11-09 2007-05-31 Sony Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
DE102006032568A1 (de) * 2006-07-12 2008-01-17 Stein, Ralf Verfahren zur plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidung an der Innenwand eines Hohlkörpers
US7914692B2 (en) * 2006-08-29 2011-03-29 Ngk Insulators, Ltd. Methods of generating plasma, of etching an organic material film, of generating minus ions, of oxidation and nitriding
CN101308764B (zh) 2007-05-15 2011-03-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 消除蚀刻工序残留聚合物的方法
WO2008149824A1 (ja) * 2007-06-01 2008-12-11 Onward Ceramic Coating Co., Ltd. Dlc被覆工具
SG188875A1 (en) 2008-05-02 2013-04-30 Oerlikon Trading Ag Process for the stripping of workpieces and stripping solution
DE102008053254A1 (de) 2008-10-25 2010-04-29 Ab Solut Chemie Gmbh Verfahren zum substratschonenden Entfernen von Hartstoffschichten

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