JP2014520749A - 金属窒化物の高圧窒素アニールのためのプロセス - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2011年6月28日出願の米国特許出願第13/171,042号、表題「Process for High−Pressure Nitrogen Annealing of Metal Nitrides」への利益を主張するものであり、その内容は、参照によりその全体が本明細書に完全に組み込まれる。
アニール容器202は、低速アニールプロセス100の一実施形態が行われる密閉容器である。一態様において、アニール容器202は、高温および高圧に耐えるのに好適なハウジングを含む。例えば、アニール容器は、高圧オートクレーブであり得る。アニール容器202は、高温高圧に耐えるように構成される結晶成長反応炉等の反応炉であり得る。
真空システム204は、アニール容器202から、その中に設置されたIII‐V族金属窒化物をアニールする前に、雰囲気ガスを除去する。一態様において、真空システム204は、高真空を生成することができる任意のポンプシステムであり得る。本明細書で使用される「高真空」とは、約1×10−5〜1×10−9トールの圧力を意味する。
加熱システム206は、成長後のIII‐V族金属窒化物のアニールのために、アニール容器202内に高温を提供し、それを維持する。熱を生成する任意のプロセスが、加熱システム206内で使用され得る。一例であって、限定するものではなく、加熱システム206は、アニール容器内のグラファイト成分の誘導加熱、抵抗加熱、および/または集束マイクロ波加熱によってアニール容器202を加熱し得る。他の加熱システムまたはデバイスを使用してもよい。
圧力制御システム208は、アニール容器が真空システム204によって排気された後、アニール容器202に窒素ガスの超過圧力を提供する。一態様において、圧力制御システム208は、アニール容器202および窒素ガスシステム210に接続される1つ以上のガス供給管を含み得る。圧力制御システム208は、アニール容器202に入る窒素ガスの流量を制御するために、手動または電気的に制御可能な圧力弁を更に含み得る。圧力制御システム208は、窒素ガスをアニール容器202から抽気して所望の超過圧力を維持するために、別の手動または電気的に制御可能な圧力弁も含み得る。ガス供給管および圧力弁は、任意の好適な材料で構成され得る。
窒素ガスシステム210は、圧力制御システム208を介してアニール容器202に送達される窒素ガスを供給する。一例であって、限定するものではなく、ガス供給源システム208には、窒素を周囲空気から単離することができる窒素ガス発生器、圧縮窒素ガスのタンクもしくはシリンダ、および/または貯蔵された液体窒素を窒素ガスに変換するための任意の好適なシステムが含まれ得る。
フィードバック制御システム212は、アニール装置200の他のシステム204〜210を監視し、それと対話する。フィードバック制御システム212は、アニール容器202内の1つ以上の測定可能なパラメータを監視する1つ以上のセンサを含む。一例であって、限定するものではなく、パラメータには、温度、圧力、窒素ガス流量、加熱期間、およびアニール期間が含まれる。熱電対、高温計、サーミスタ、および圧電式圧力センサが含まれるが、これらに限定されない任意の好適なセンサを用いて、HTHPアニールプロセス100のパラメータを監視することができる。
Claims (19)
- 約0.0001Ωcm〜約100Ωcmの範囲のp型導電性を有する金属窒化物を形成するためのプロセスであって、
成長後の金属窒化物をアニール容器内に設置することと、
雰囲気ガスを排気して真空を提供することと、
大気圧を超える圧力である窒素種を含む窒素ガスの超過圧力を前記排気された容器に加えることと、
前記窒素種を前記金属窒化物中に拡散するのに十分な温度まで前記金属窒化物を加熱することと、
前記金属窒化物を少なくとも1時間アニールして、アニールされた金属窒化物を形成することと、
を含む、プロセス。 - 前記金属窒化物が、ウエハ、ブール、エピタキシャル膜、表面に配置された少なくとも1つのエピタキシャル層を有するウエハからなる群から選択される、請求項1に記載のプロセス。
- 前記金属窒化物が、III‐V族金属窒化物化合物から本質的になる、請求項1に記載のプロセス。
- 前記金属窒化物が、二元、三元、および四元III−V族金属窒化物からなる群から選択される、請求項3に記載のプロセス。
- 前記金属窒化物が、p型ドープされたAlNである、請求項1に記載のプロセス。
- 前記金属窒化物が、p型ドープされたAl富化AlGaN合金である、請求項1に記載のプロセス。
- 前記III‐V族金属窒化物が、AXB1−XNの形態であり、AまたはBが、III族元素である、請求項6に記載のプロセス。
- 前記雰囲気ガスが排気されて、約大気圧〜約1×10−9トールの範囲の真空を提供する、請求項1に記載のプロセス。
- 窒素ガスの前記超過圧力が、約大気圧〜約3.8×108トールの範囲である、請求項1に記載のプロセス。
- 窒素ガスの前記超過圧力が、約1400トール〜約10100トールの範囲である、請求項1に記載のプロセス。
- 窒素ガスの前記超過圧力が、約3800トールを超える、請求項1に記載のプロセス。
- 前記金属窒化物が、約1000℃〜約2200℃の範囲の温度まで加熱される、請求項1に記載のプロセス。
- 前記金属窒化物が、1時間〜100時間アニールされる、請求項1に記載のプロセス。
- 前記金属窒化物の温度が、前記プロセスを通して一定している、請求項13に記載のプロセス。
- 前記アニールされた金属窒化物が、1018cm−2未満の窒素空孔密度を有する、請求項1に記載のプロセス。
- 前記アニールされたIII‐V族金属窒化物が、最大1020cm−3のp型導電性濃度を有する、請求項1に記載のプロセス。
- 窒素空孔を減少させることによって成長後のIII‐V族金属窒化物のp型導電性を改善するプロセスであって、
前記III‐V族金属窒化物を窒素ガスの環境下で少なくとも1時間加熱することを含み、前記窒素ガスが、大気圧を超える超過圧力を形成する、プロセス。 - 成長後のIII‐V族金属窒化物のp型導電性を改善するプロセスであって、
前記III‐V族金属窒化物を窒素ガス環境下で1000℃を超える温度まで加熱することと、
前記窒素ガス環境を少なくとも3800トールまで加圧することと、
前記III‐V族金属窒化物を1〜48時間アニールして、前記金属窒化物の窒素空孔密度を減少させることと、
を含む、プロセス。 - 窒素空孔を減少させることによって成長後のIII‐V族金属窒化物のp型導電性を改善するプロセスであって、
前記III‐V族金属窒化物を窒素ガス環境下で約2000℃の温度まで加熱することと、
前記窒素ガス環境を約7000トールまで加圧することと、
前記III‐V族金属窒化物を少なくとも24時間アニールして、前記金属窒化物の窒素空孔密度を減少させ、かつ前記金属窒化物の抵抗率を約0.0001Ωcm〜約100Ωcmまで減少させることと、を含む、プロセス。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8707844B2 (en) * | 2011-04-04 | 2014-04-29 | Alliant Techsystems Inc. | Case annealer |
US9012315B2 (en) * | 2013-08-09 | 2015-04-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Methods and systems for dopant activation using microwave radiation |
US9401274B2 (en) | 2013-08-09 | 2016-07-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Methods and systems for dopant activation using microwave radiation |
TWI684680B (zh) * | 2013-09-04 | 2020-02-11 | 奈瑞德解決方案公司 | 體擴散長晶法 |
CN103578977B (zh) * | 2013-11-19 | 2016-08-24 | 中国科学院半导体研究所 | 提高AlN外延薄膜荧光强度的方法 |
CN106486357B (zh) * | 2015-09-02 | 2020-03-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构的形成方法 |
CN107275187B (zh) * | 2017-06-26 | 2020-06-05 | 镓特半导体科技(上海)有限公司 | 自支撑氮化镓层及其制备方法、退火方法 |
EP3731260A4 (en) * | 2017-12-19 | 2021-12-22 | Sumco Corporation | GROUP III SEMICONDUCTOR NITRIDE SUBSTRATE PRODUCTION PROCESS |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5786233A (en) * | 1996-02-20 | 1998-07-28 | U.S. Philips Corporation | Photo-assisted annealing process for activation of acceptors in semiconductor compound layers |
US20030183828A1 (en) * | 2002-03-20 | 2003-10-02 | Pohang University Of Science And Technology Foundation | p-Type ohmic electrode in gallium nitride based optical device and fabrication method thereof |
JP2004161604A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-06-10 | General Electric Co <Ge> | 結晶中の欠陥濃度低減方法 |
JP2006519159A (ja) * | 2003-02-28 | 2006-08-24 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | ハロゲン化物結晶のアニール処理方法 |
JP2009526405A (ja) * | 2006-02-10 | 2009-07-16 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | (Al,In,Ga,B)Nの伝導性制御方法 |
JP2009532313A (ja) * | 2006-03-30 | 2009-09-10 | クリスタル・イズ,インコーポレイテッド | 窒化アルミニウムバルク結晶を制御可能にドーピングする方法 |
JP2010168226A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Ngk Insulators Ltd | 高抵抗材料 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020157596A1 (en) * | 2001-04-30 | 2002-10-31 | Stockman Stephen A. | Forming low resistivity p-type gallium nitride |
JP3622200B2 (ja) * | 2001-07-02 | 2005-02-23 | ソニー株式会社 | 窒化物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 |
US7638346B2 (en) * | 2001-12-24 | 2009-12-29 | Crystal Is, Inc. | Nitride semiconductor heterostructures and related methods |
US7261775B2 (en) * | 2003-01-29 | 2007-08-28 | Ricoh Company, Ltd. | Methods of growing a group III nitride crystal |
JP4451811B2 (ja) * | 2005-05-09 | 2010-04-14 | ローム株式会社 | 窒化物半導体素子の製法 |
WO2007065018A2 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Crystal Is, Inc. | Doped aluminum nitride crystals and methods of making them |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5786233A (en) * | 1996-02-20 | 1998-07-28 | U.S. Philips Corporation | Photo-assisted annealing process for activation of acceptors in semiconductor compound layers |
US20030183828A1 (en) * | 2002-03-20 | 2003-10-02 | Pohang University Of Science And Technology Foundation | p-Type ohmic electrode in gallium nitride based optical device and fabrication method thereof |
JP2004161604A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-06-10 | General Electric Co <Ge> | 結晶中の欠陥濃度低減方法 |
JP2006519159A (ja) * | 2003-02-28 | 2006-08-24 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | ハロゲン化物結晶のアニール処理方法 |
JP2009526405A (ja) * | 2006-02-10 | 2009-07-16 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | (Al,In,Ga,B)Nの伝導性制御方法 |
JP2009532313A (ja) * | 2006-03-30 | 2009-09-10 | クリスタル・イズ,インコーポレイテッド | 窒化アルミニウムバルク結晶を制御可能にドーピングする方法 |
JP2010168226A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Ngk Insulators Ltd | 高抵抗材料 |
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