JP2014518592A - 薄膜光起電力装置および製作方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
s1:堆積プロセスの終了時に必要とされるB元素の総量の10%を超え、かつ90%未満の量で、前記基板のバックコンタクト層上に少なくとも1つのB元素を堆積するステップであって、1つまたは複数のB元素のこの堆積は、少なくとも1つのC元素の存在下で行われるステップと、
s2:少なくとも1つのB元素と組み合わせて、少なくとも1つのC元素の存在下で、少なくとも1つのA元素の初期量を堆積するステップであって、元素AおよびBの原子堆積速度の比Ar/Brは、
Ar/Br>1であり、
ステップ(s2)の終了時における堆積元素AおよびBの総量の原子比率A/Bは、
(1/(3+2R))2<A/B<1.0
であるステップと、
s3,r:少なくとも1つのB元素と組み合わせて、少なくとも1つのC元素の存在下で、少なくとも1つのA元素を堆積するステップであって、元素AおよびBの原子堆積速度の比Ar/Brは、
Ar/Brが前のステップにおけるAr/Brの比の1.2分の1未満であり、
ステップ(s3,r)の終了時における堆積元素AおよびBの総量の原子比率A/Bは、
((2+2r)/(3+2R))2<A/B<1+3((1+2r)/(2+2R))1/2
であるステップと、
s4,r:少なくとも1つのB元素と組み合わせて、少なくとも1つのC元素の存在下で、少なくとも1つのA元素を堆積するステップであって、元素AおよびBの原子堆積速度の比Ar/Brは、
Ar/Brが前のステップにおけるAr/Brの比よりも少なくとも1.2倍大きく、
ステップ(s4,r)の終了時における堆積元素AおよびBの総量の原子比率A/Bは、
((3+2r)/(3+2R))2<A/B<1+3((1+r)/(1+R))1/2
であるステップと、
s5:部分的に完成した吸収層上に、少なくとも1つのC元素の存在下で少なくとも1つのB元素の追加量を堆積することにより、ステップ(s5)の終了時における堆積元素AおよびBの総量の原子比率A/Bが、
0.6<A/B<0.99
に変更されるステップとである。
s1:Inを3.5Å/sの速度で堆積し、Gaの堆積は、1.1Å/sの速度で開始し、0.95Å/sにまで徐々に低下させ、
s2:Cuを2.1Å/sの速度で堆積し、Inを0.15Å/sの速度で堆積し、Gaを0.15Å/sの速度で堆積し、
s3,0:Cuを2.1Å/sの速度で堆積し、Inを0.15Å/sの速度で堆積し、Gaを0.6Å/sの速度で堆積し、
s4,0:Cuを2.1Å/sの速度で堆積し、Inを0.15Å/sの速度で堆積し、Gaを0.15Å/sの速度で堆積し、
s5:Inを0.9Å/sの速度で堆積し、Gaの堆積は、0.35Å/sの速度で開始し、0.45Å/sにまで徐々に増加させる。
a:Ga/(Ga+In)比が減少する前部傾斜領域であって、前記前部傾斜領域の光暴露側は、Ga/(Ga+In)値が0.5未満であり、前記前部傾斜領域におけるGa/(Ga+In)値の較差が0.25未満であり、かつ0.1を超える、前部傾斜領域と、
b:全体的にGa/(Ga+In)比が増加する、前記前部傾斜領域に隣接し、前記前部傾斜領域と、光暴露側とは反対側の吸収層の裏側との間に位置する後部傾斜領域であって、
(i)前記後部傾斜領域の半分の光暴露側にわたって、Ga/(Ga+In)値が0.20未満分増加し、
(ii)前記後部傾斜領域の半分の光暴露側は、Ga/(Ga+In)比が局所的に増加または減少する少なくとも1つのハンプを含み、前記ハンプは、Ga/(Ga+In)比曲線(500)において2つの変曲点によって囲まれる、
後部傾斜領域と、
を含む少なくとも2つの領域を含む。
・少なくとも5つの段階を含む多段階方法により、高効率光起電力装置に必要な、有利な前部および後部傾斜ABC吸収層組成を作り出すことが可能となる。前記方法は、必要な組成比の詳述および範囲の確定を有利に行い、本方法の微調整を有利に導く2つの繰り返し可能なステップを提供する。
・前記方法は、より厳密に言えば、350℃〜550℃の比較的低い堆積温度用に設計されており、従って、プラスチックまたは可撓性のある箔等の材料上への堆積に特に有利である。
・前記方法は、高効率光起電力装置の製造に必要な所要組成傾斜を有利に生じさせるために、堆積されたB元素中のGaの量をInの量に対して増加させるステップを含む。
・前記方法は、前記比較的低い堆積温度で高効率光起電力装置を製作することを目的とした堆積シーケンス例の材料フラックス速度の詳述および範囲の確定を有利に行う。
・前記方法により、厚さが100nm未満のさらなるB材料層の堆積も有利に可能となる。
・前記方法は、通常、結果的に得られる装置の光起電力変換効率を有利に増加させるために、基板、バックコンタクト層、またはアルカリ前駆体等の様々なソースに由来するアルカリ材料の添加で補完される。
・前記方法は、前記基板が、繰り出しロールと巻き取りロールとの間に取り付けられ、多くの有利な生産性の恩恵を伴って堆積用に配置されるロール・ツー・ロール製造装置内において有利に実施することもできる。
・結果的に得られる薄膜光起電力装置は、可撓性基板と、元素InおよびGaを含むABCカルコゲナイド材料から成る吸収層とを含む。前記吸収層の厚さにわたる組成分析は、所定の限界値間で展開される有利な前部および後部傾斜領域を含み、後部傾斜領域は、Ga/(Ga+In)比が局所的に増加または減少する少なくとも1つのハンプを含む点で、光起電力変換効率にとって有利なGa/(Ga+In)比曲線を示す。
・前記装置は、Cu(In,Ga)Se2から成る吸収層を有利に含み得る。
・前記装置は、装置が前記方法に従って製造されたか否かを決定するために、吸収層の組成の侵襲的測定に進む前に、120K〜300Kの様々な動作温度に関する曲線因子測定およびX線回折強度等の1組の非侵襲的分析によって有利にテストすることができる。
・前記装置は、放射照度1,000W/m2、太陽スペクトルAM1.5G、およびセル温度25℃によって定義される試験条件下で16%を超える光起電力変換効率を持つ少なくとも1つの光起電力セルを含む点で特に有利である。
・前記装置は、ポリイミド、被覆ポリイミド、ステンレス鋼、被覆ステンレス鋼、軟鋼、被覆軟鋼、アルミニウム、被覆アルミニウム、ガラス、またはセラミック材料等の多様な可撓性または硬質基板上に有利に製造される。
s1:半導体光起電力層130の堆積は、少なくとも1つのB材料の堆積で開始される。このステップにおける堆積は、約350℃の最も好ましい温度以下の温度で行われ得る。開始温度が350℃の最も好ましい温度未満である場合には、開始最小値は、約150℃、好ましくは200℃であり、例えばセグメント212に従って直線的に増加し、点213によって印を付けられたステップ(s1)の終了時に350℃に達する必要がある。
s2:材料Aが加えられ、材料Bの堆積速度が低下する。ステップ(s2)は、点213から開始され、温度が上昇して、約450℃および少なくとも直線セグメント214に沿った温度に達する。セグメント214は、点213から温度が約450℃である点215まで伸びる。点215の横座標は、図2B中ではステップ(s4,0)、あるいは図2C中では(s4,1)に割り当てられた時間内に位置付けられる。当業者は、材料が反応し、所望の結晶相を形成するのに十分な時間を持てるように、ステップ(s4,0)または(s4,1)の終了前に点215が位置付けられることを決定するであろう。
s3,r:材料AおよびBは、他にも制約はあるが、前のステップが(s2)または(s4,r)のいずれであろうと、元素AおよびBの堆積速度の比Ar/Brが、前のステップのAr/Brの1.2分の1(約0.83倍)未満であるようなAr/Brを用いて堆積される。
s4,r:材料AおよびBは、他にも上記の制約はあるが、元素AおよびBの堆積速度の比Ar/Brが、前のステップの1.2倍を超え、1を超えるような比Ar/Brを用いて堆積される。
s5:材料Bは、堆積されたB元素に対する堆積されたA元素の原子比率が0.6<A/B<0.99となるまで堆積される。
ステップ(s1)〜(s5)は、これらのステップの前、間、および後にも存在し得る少なくとも1つのC元素の存在下で行われる。
FF=(VMP×IMP)/(VOC×ISC)
として定義され、VMPは最大出力点における電圧であり、IMPは最大出力点における電流であり、VOCは開放電圧であり、ISCは短絡電流である。効率が約16%のセルに関する曲線710は、どのように、283Kから123Kへの装置温度の低下が0.72から0.34へのFFの低下を引き起こすかを示す。効率が18.7%のセルに関する曲線700は、どのように、298Kから123Kへの装置温度の低下が約0.76のエンドポイント値および0.78の最大中間値を持つFFにほとんど全く変動を生じさせないかを示す。
Claims (20)
- 薄膜光起電力装置(100)の少なくとも1つの吸収層(130)の製作方法において、前記吸収層(130)は、ABCカルコゲナイド材料の四元、五元、または多元バリエーションを含む、ABCカルコゲナイド材料から成り、Aは、CuおよびAgを含む国際純正応用化学連合によって定義される化学元素の周期表の第11族の元素を表し、Bは、In、Ga、およびAlを含む前記周期表の第13族の元素を表し、Cは、S、Se、およびTeを含む前記周期表の第16族の元素を表し、前記吸収層(130)は、基板(110)によって支えられるバックコンタクト層(120)上に堆積され、前記方法は、以下の逐次ステップ(s1)〜(s5)を含み、前記2つのステップ(s3,r)および(s4,r)は、少なくとも一度実行され、0から最大R回数連続して繰り返されてもよく、rは、前記連続ステップ(s3,r)および(s4,r)を特定する0からRまでの値を持つ繰り返しカウントインデックスであり、ステップ(s2)〜(s5)の基板(110)の温度は、350℃を超え、
s1:堆積プロセスの終了時に必要とされるB元素の総量の10%を超え、かつ90%未満の量で、前記基板(110)の前記バックコンタクト層(120)上に少なくとも1つのB元素を堆積するステップであって、この堆積は、少なくとも1つのC元素の存在下で行われるステップと、
s2:少なくとも1つのB元素と組み合わせて、少なくとも1つのC元素の存在下で、少なくとも1つのA元素の初期量を堆積するステップであって、元素AおよびBの原子堆積速度の比Ar/Brは、
Ar/Br>1であり、
ステップ(s2)の終了時における堆積元素AおよびBの総量の原子比率A/Bは、
(1/(3+2R))2<A/B<1.0
であるステップと、
s3,r:少なくとも1つのB元素と組み合わせて、少なくとも1つのC元素の存在下で、少なくとも1つのA元素を堆積するステップであって、元素AおよびBの原子堆積速度の比Ar/Brは、
Ar/Brが前のステップにおけるAr/Brの比の1.2分の1未満であり、
ステップ(s3,r)の終了時における堆積元素AおよびBの総量の原子比率A/Bは、
((2+2r)/(3+2R))2<A/B<1+3((1+2r)/(2+2R))1/2
であるステップと、
s4,r:少なくとも1つのB元素と組み合わせて、少なくとも1つのC元素の存在下で、少なくとも1つのA元素を堆積するステップであって、元素AおよびBの原子堆積速度の比Ar/Brは、
Ar/Brが前のステップにおけるAr/Brの比よりも少なくとも1.2倍大きく、
ステップ(s4,r)の終了時における堆積元素AおよびBの総量の原子比率A/Bは、
((3+2r)/(3+2R))2<A/B<1+3((1+r)/(1+R))1/2
であるステップと、
s5:前記部分的に完成した吸収層(130)上に、少なくとも1つのC元素の存在下で少なくとも1つのB元素の追加量を堆積することにより、ステップ(s5)の終了時における堆積元素AおよびBの総量の原子比率A/Bが、
0.6<A/B<0.99
に変更されるステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、少なくとも1つのC元素は、ステップ(s1)、(s2)、(s3,r)、(s4,r)、および(s5)の何れかの前、間、または後に前記吸収層(130)に添加されることを特徴とする方法。
- 請求項1または2に記載の方法において、前記基板温度は、ステップ(s2)、(s3,r)、(s4,r)、および(s5)に関して、350℃を超え、かつ550℃未満であることを特徴とする方法。
- 請求項1乃至3の何れか1項に記載の方法において、ステップ(s1)で材料が堆積される際の前記基板温度は200℃を超え、かつ450℃未満であり、ステップ(s2)、(s3,r)、および(s4,r)の何れかまたはそれらの組み合わせの期間中に上昇し、350℃を超え、かつ550℃未満の温度に達することを特徴とする方法。
- 請求項1乃至4の何れか1項に記載の方法において、ステップ(s1)で材料が堆積される際の前記基板温度は、約350℃であり、ステップ(s2)で上昇し、r=0であるステップ(s3,r)で約450℃の温度に達し、r=Rであるステップ(s4,r)および(s5)の終了時まで実質的に一定に維持されることを特徴とする方法。
- 請求項1乃至5の何れか1項に記載の方法において、Aが元素Cuを表し、Bが元素Inおよび/またはGaを表し、Cが元素Seを表すABC材料を製作することを特徴とする方法。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の方法において、前記堆積された1つまたは複数のB元素は、Gaを含み、ステップ(s2)、(s3,r)、および(s4,r)にわたって堆積されるGaの総量が、プロセス全体にわたって堆積されるGaの総量の10%〜50%を構成することを特徴とする方法。
- 請求項1乃至7の何れか1項に記載の方法において、前記堆積された1つまたは複数のB元素は、Gaを含み、ステップ(s3,r)にわたって堆積されるGaの総量が、プロセス全体にわたって堆積されるGaの総量の10%〜25%を構成することを特徴とする方法。
- 請求項1乃至8の何れか1項に記載の方法において、請求項1の堆積ステップ(s1)〜(s5)が、±20%誤差の範囲内の材料堆積速度を持つ以下の各ステップシーケンス:
s1 Inを3.5Å/sの速度で堆積し、Gaの堆積は、1.1Å/sの速度で開始し、0.95Å/sにまで徐々に低下させる;
s2 Cuを2.1Å/sの速度で堆積し、Inを0.15Å/sの速度で堆積し、Gaを0.15Å/sの速度で堆積する;
s3,0 Cuを2.1Å/sの速度で堆積し、Inを0.15Å/sの速度で堆積し、Gaを0.6Å/sの速度で堆積する;
s4,0 Cuを2.1Å/sの速度で堆積し、Inを0.15Å/sの速度で堆積し、Gaを0.15Å/sの速度で堆積する;
s5 Inを0.9Å/sの速度で堆積し、Gaの堆積は、0.35Å/sの速度で開始し、0.45Å/sにまで徐々に増加させる;
に対応することを特徴とする方法。 - 請求項1乃至9の何れか1項に記載の方法において、前記逐次ステップ(s1)〜(s5)の後に、350℃未満の温度で少なくとも1つのC元素の存在下で少なくとも1つのB元素を堆積し、100nm未満の厚さの補足層が堆積されるさらなるステップが続くことを特徴とする方法。
- 請求項1乃至10の何れか1項に記載の方法において、前記基板(110)、前記バックコンタクト層(120)、および/または前記吸収層(130)の堆積中および/または後に堆積されるアルカリ含有前駆体の何れかによってアルカリ元素が前記吸収層(130)に与えられることを特徴とする方法。
- 請求項1乃至11の何れか1項に記載の方法において、前記基板(110)は、ロール・ツー・ロール製造装置の繰り出しロールと巻き取りロールとの間に取り付けられることを特徴とする方法。
- 請求項1乃至12の何れか1項に記載の方法によって得られる少なくとも1つの吸収層(130)を含むことを特徴とする薄膜光起電力装置。
- 可撓性基板(110)および吸収層(130)を含む薄膜光起電力装置(100)において、前記吸収層(130)は、ABCカルコゲナイド材料の四元、五元、または多元バリエーションを含む、ABCカルコゲナイド材料から成り、Aは、CuおよびAgを含む国際純正応用化学連合によって定義される化学元素の周期表の第11族の元素を表し、Bは、In、Ga、およびAlを含む前記周期表の第13族の元素を表し、Cは、S、Se、およびTeを含む前記周期表の第16族の元素を表し、前記ABCカルコゲナイド材料は、元素InおよびGaを含み、前記吸収層の厚さにわたる実質的に平滑化したGa/(Ga+In)比データの組成分析は、Ga/(Ga+In)比曲線(500)を形成し、前記Ga/(Ga+In)比曲線(500)は、前記吸収層の光暴露側から開始して、
a:Ga/(Ga+In)比が減少する前部傾斜領域(501)であって、前記前部傾斜領域の光暴露側は、Ga/(Ga+In)値が0.5未満であり、前記前部傾斜領域における前記Ga/(Ga+In)値の較差は、0.25未満であり、かつ0.1を超える、前部傾斜領域(501)と、
b:Ga/(Ga+In)比が全体的に増加する、前記前部傾斜領域(501)に隣接し、前記前部傾斜領域(501)と、前記光暴露側とは反対側の前記吸収層の裏側との間に位置する後部傾斜領域(502)であって、
(i)前記後部傾斜領域(502)の半分の前記光暴露側にわたって、Ga/(Ga+In)値が0.20未満分増加し、
(ii)前記後部傾斜領域(502)の前記半分の光暴露側は、Ga/(Ga+In)比が局所的に増加または減少する少なくとも1つのハンプ(505)を含み、前記ハンプは、前記Ga/(Ga+In)比曲線(500)で2つの変曲点によって囲まれる、
後部傾斜領域(502)と、
を含む少なくとも2つの領域(501、502)を含むことを特徴とする装置。 - 請求項14に記載の装置において、前記吸収層(130)は、Cu(In,Ga)Se2を含むことを特徴とする装置。
- 請求項14または15に記載の装置において、前記吸収層(130)の厚さは、0.5μm〜4.0μmであることを特徴とする装置。
- 請求項14乃至16の何れか1項に記載の装置において、最大出力点における電圧および電流の積を開放電圧および短絡電流の積で除算したものとして定義される曲線因子が、120K〜300Kの温度範囲で、0.60を超える曲線因子値で基本的に一定であることを特徴とする装置。
- 請求項14乃至17の何れか1項に記載の装置において、反射(220)/(240)のX線回折強度対散乱角2θの曲線(900)の基部から測定したFWQM(905)が、0.6°未満の幅を持つことを特徴とする装置。
- 請求項14乃至18の何れか1項に記載の装置において、放射照度1,000W/m2、太陽スペクトルAM1.5G、およびセル温度25℃によって定義される試験条件下で16%を超える光起電力変換効率を持つアクティブ領域を備えた少なくとも1つの光起電力セル(100)を含むことを特徴とする装置。
- 請求項14乃至19の何れか1項に記載の装置において、前記基板(110)は、ポリイミド、被覆ポリイミド、ステンレス鋼、被覆ステンレス鋼、軟鋼、被覆軟鋼、アルミニウム、被覆アルミニウム、ガラス、またはセラミック材料の何れかであることを特徴とする装置。
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US9837565B2 (en) * | 2012-12-21 | 2017-12-05 | Flison Ag | Fabricating thin-film optoelectronic devices with added potassium |
CN104051569B (zh) * | 2013-03-12 | 2017-09-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 薄膜太阳能电池及其制造方法 |
US10333850B2 (en) * | 2015-06-25 | 2019-06-25 | Tracfone Wireless, Inc. | Device and process for data throttling for wireless device |
WO2018114379A1 (en) | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Flisom Ag | Roll-to roll vapor deposition system |
EP3559306B1 (en) | 2016-12-22 | 2022-10-05 | Flisom AG | Linear source for vapor deposition with at least three electrical heating elements |
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EP3559302A1 (en) | 2016-12-22 | 2019-10-30 | Flisom AG | Linear source for vapor deposition with heat shields |
CN110176517B (zh) * | 2019-04-22 | 2021-03-26 | 云南师范大学 | 结构优化的银掺杂铜锌锡硫薄膜太阳电池及其制备方法 |
CN111342184A (zh) * | 2020-02-24 | 2020-06-26 | 西安交通大学 | 一种可调的柔性微波器件及其制备方法 |
CN113540288B (zh) * | 2021-07-07 | 2022-09-20 | 南开大学 | 一种室温硫化的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法 |
KR102584673B1 (ko) * | 2021-08-30 | 2023-10-06 | 재단법인대구경북과학기술원 | 유연 박막태양전지 및 이의 제조방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1074966A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-03-17 | Moririka:Kk | 薄膜太陽電池の製造方法 |
JP2011057455A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法及び供給装置 |
Family Cites Families (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2709094C2 (de) | 1977-03-02 | 1984-11-22 | Boehringer Mannheim Gmbh, 6800 Mannheim | Adsorbens für die affinitätsspezifische Trennung von Nukleinsäuren, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
US4332880A (en) | 1979-09-04 | 1982-06-01 | Energy Conversion Devices, Inc. | Imaging film with improved passivating layers |
US4335266A (en) | 1980-12-31 | 1982-06-15 | The Boeing Company | Methods for forming thin-film heterojunction solar cells from I-III-VI.sub.2 |
US4465575A (en) * | 1981-09-21 | 1984-08-14 | Atlantic Richfield Company | Method for forming photovoltaic cells employing multinary semiconductor films |
US5141564A (en) | 1988-05-03 | 1992-08-25 | The Boeing Company | Mixed ternary heterojunction solar cell |
US4961829A (en) | 1988-09-30 | 1990-10-09 | Semi-Conductor Devices, A Tadiran-Rafael Partnership | Passivation of semiconductor surfaces |
US5441897A (en) | 1993-04-12 | 1995-08-15 | Midwest Research Institute | Method of fabricating high-efficiency Cu(In,Ga)(SeS)2 thin films for solar cells |
SE508676C2 (sv) | 1994-10-21 | 1998-10-26 | Nordic Solar Energy Ab | Förfarande för framställning av tunnfilmssolceller |
EP0743686A3 (en) | 1995-05-15 | 1998-12-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Precursor for semiconductor thin films and method for producing semiconductor thin films |
CA2184667C (en) | 1996-09-03 | 2000-06-20 | Bradley Trent Polischuk | Multilayer plate for x-ray imaging and method of producing same |
JP3249408B2 (ja) * | 1996-10-25 | 2002-01-21 | 昭和シェル石油株式会社 | 薄膜太陽電池の薄膜光吸収層の製造方法及び製造装置 |
US6258620B1 (en) | 1997-10-15 | 2001-07-10 | University Of South Florida | Method of manufacturing CIGS photovoltaic devices |
WO2001037324A1 (en) * | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Midwest Research Institute | A NOVEL PROCESSING APPROACH TOWARDS THE FORMATION OF THIN-FILM Cu(In,Ga)Se¿2? |
US6441301B1 (en) | 2000-03-23 | 2002-08-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solar cell and method of manufacturing the same |
EP1291932A3 (en) | 2001-09-05 | 2006-10-18 | Konica Corporation | Organic thin-film semiconductor element and manufacturing method for the same |
AU2003275239A1 (en) | 2002-09-30 | 2004-04-23 | Miasole | Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells |
DE10259258B4 (de) | 2002-12-11 | 2006-03-16 | Würth Solar Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung einer Verbindungshalbleiterschicht mit Alkalimetallzusatz |
CN1853282B (zh) * | 2003-08-14 | 2010-09-29 | 约翰内斯堡大学 | Ⅰb-ⅲa-ⅵa族四元或更多元合金半导体薄膜的制备方法 |
WO2005089330A2 (en) | 2004-03-15 | 2005-09-29 | Solopower, Inc. | Technique and apparatus for depositing thin layers of semiconductors for solar cell fabricaton |
CN101443929A (zh) | 2004-11-10 | 2009-05-27 | 德斯塔尔科技公司 | 使用含碱层的过程和光电装置 |
US20060145190A1 (en) | 2004-12-31 | 2006-07-06 | Salzman David B | Surface passivation for III-V compound semiconductors |
WO2006076788A1 (en) | 2005-01-18 | 2006-07-27 | University Of Saskatchewan | Dark current reduction in metal/a-se/metal structures for application as an x-ray photoconductor layer in digital image detectors |
JP5662001B2 (ja) | 2005-12-21 | 2015-01-28 | クロメック リミテッド | 半導体デバイス及びその製造方法 |
EP1997150A2 (en) * | 2006-02-23 | 2008-12-03 | Van Duren, Jeroen K.J. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic nanoflake particles |
WO2008088570A1 (en) | 2006-04-18 | 2008-07-24 | Itn Energy Systems, Inc. | Reinforcing structures for thin-film photovoltaic device substrates, and associated methods |
US7528448B2 (en) | 2006-07-17 | 2009-05-05 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Thin film transistor comprising novel conductor and dielectric compositions |
WO2008013911A1 (en) | 2006-07-26 | 2008-01-31 | Solopower, Inc. | Technique for doping compound layers used in solar cell fabrication |
US7867551B2 (en) | 2006-09-21 | 2011-01-11 | Solopower, Inc. | Processing method for group IBIIIAVIA semiconductor layer growth |
US20080169025A1 (en) | 2006-12-08 | 2008-07-17 | Basol Bulent M | Doping techniques for group ibiiiavia compound layers |
WO2009041658A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
US8771419B2 (en) | 2007-10-05 | 2014-07-08 | Solopower Systems, Inc. | Roll to roll evaporation tool for solar absorber precursor formation |
CN101785112A (zh) | 2007-12-13 | 2010-07-21 | 第一太阳能有限公司 | 光伏模块的并联互连接的***和方法 |
JP4384237B2 (ja) | 2008-05-19 | 2009-12-16 | 昭和シェル石油株式会社 | Cis系薄膜太陽電池の製造方法 |
US8003430B1 (en) | 2008-10-06 | 2011-08-23 | Stion Corporation | Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
JP5229901B2 (ja) | 2009-03-09 | 2013-07-03 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子、及び太陽電池 |
WO2010106534A1 (en) | 2009-03-16 | 2010-09-23 | Brightview Systems Ltd. | Measurement of thin film photovoltaic solar panels |
JP5185171B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2013-04-17 | 本田技研工業株式会社 | 薄膜太陽電池の光吸収層の形成方法 |
US7785921B1 (en) | 2009-04-13 | 2010-08-31 | Miasole | Barrier for doped molybdenum targets |
US8134069B2 (en) | 2009-04-13 | 2012-03-13 | Miasole | Method and apparatus for controllable sodium delivery for thin film photovoltaic materials |
EP2463929A4 (en) | 2009-08-04 | 2013-10-02 | Mitsubishi Chem Corp | PHOTOELECTRIC CONVERTER ELEMENT AND SOLAR CELL THEREWITH |
TW201112438A (en) | 2009-09-25 | 2011-04-01 | Zhi-Huang Lai | Target, manufacturing process of manufacturing thin film solar cell and the products thereof |
WO2011040645A1 (en) | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Fujifilm Corporation | Photoelectric conversion device, method for producing the same, and solar battery |
JP2011100976A (ja) | 2009-10-09 | 2011-05-19 | Fujifilm Corp | 光電変換素子とその製造方法、及び太陽電池 |
US20120258567A1 (en) | 2009-12-07 | 2012-10-11 | Solopower, Inc. | Reaction methods to form group ibiiiavia thin film solar cell absorbers |
US8889469B2 (en) | 2009-12-28 | 2014-11-18 | Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. | Multi-nary group IB and VIA based semiconductor |
JP2011155237A (ja) | 2009-12-28 | 2011-08-11 | Hitachi Ltd | 化合物薄膜太陽電池、化合物薄膜太陽電池の製造方法、および化合物薄膜太陽電池モジュール |
US8088224B2 (en) | 2010-01-15 | 2012-01-03 | Solopower, Inc. | Roll-to-roll evaporation system and method to manufacture group IBIIAVIA photovoltaics |
JP2011176287A (ja) | 2010-02-01 | 2011-09-08 | Fujifilm Corp | 光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法 |
US20120006395A1 (en) | 2010-07-08 | 2012-01-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Coated stainless steel substrate |
EP2408023A1 (en) | 2010-07-16 | 2012-01-18 | Applied Materials, Inc. | Thin-film Solar Fabrication Process, Deposition method for TCO layer, and Solar cell precursor layer stack |
WO2012037242A2 (en) | 2010-09-14 | 2012-03-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Glass-coated flexible substrates for photovoltaic cells |
US20120064352A1 (en) | 2010-09-14 | 2012-03-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Articles comprising a glass - flexible stainless steel composite layer |
KR101075873B1 (ko) | 2010-10-04 | 2011-10-25 | 한국에너지기술연구원 | 페이스트 또는 잉크를 이용한 구리인듐셀렌계 또는 구리인듐갈륨셀렌계 박막의 제조 방법 |
US20120214293A1 (en) | 2011-02-22 | 2012-08-23 | Serdar Aksu | Electrodepositing doped cigs thin films for photovoltaic devices |
US8404512B1 (en) | 2011-03-04 | 2013-03-26 | Solopower, Inc. | Crystallization methods for preparing group IBIIIAVIA thin film solar absorbers |
US20130160831A1 (en) | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Miasole | Reactive Sputtering of ZnS(O,H) and InS(O,H) for Use as a Buffer Layer |
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2012
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1074966A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-03-17 | Moririka:Kk | 薄膜太陽電池の製造方法 |
JP2011057455A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-24 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法及び供給装置 |
Non-Patent Citations (1)
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---|
JPN6015043429; A. CHIRILA: 'CIGS SOLAR CELLS GROWN BY A THREE-STAGE PROCESS WITH DIFFERENTEVAPORATION RATES' Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2009 34th IEEE , 20090612, Pages 000812-000816 * |
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