JP2014517543A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】
図1
Description
11:発光構造物 111:n型窒化物半導体層
112:活性層 113:p型窒化物半導体層
114:n側電極 115:p側電極
Claims (18)
- サファイア基板と、
前記サファイア基板の上面に積層され、光を生成する活性層を含む複数の窒化物エピタキシャル層からなる発光構造物とを含み、
前記発光構造物の少なくとも一側面が前記サファイア基板の上面と鋭角を形成する傾斜面に形成されたことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記サファイア基板の上面は、凸凹パターンが形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記傾斜面に形成された前記発光構造物の側面は、垂直方向に形成された溝を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記サファイア基板の少なくとも一側面には、水平方向に形成された帯状を有する少なくとも一つ以上の改質領域が形成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記改質領域は、
前記半導体発光素子の上部または下部から水平方向に沿って所定の間隔離隔して照射されるレーザーによって形成されたことを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子。 - 前記改質領域は、
前記窒化物構造物が形成された基板の上面から少なくとも30μm離隔した位置に形成されたことを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子。 - 前記改質領域が複数個形成される場合、各改質領域間の間隔は40〜90μm離隔して形成されたことを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子。
- 前記レーザーは、赤外線ソースを用いたフェムト秒またはピコ秒パルスレーザーであることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子。
- 前記発光構造物は、前記サファイア基板の上面から順次に積層されたn型窒化物半導体層、前記活性層、p型窒化物半導体層及び前記n型窒化物半導体層の上面の一部を露出するように、前記発光構造物の側面から離隔して形成された溝を含み、
前記溝によって露出されたn型窒化物半導体層の上面に形成されたn側電極をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - サファイア基板の上面に光を生成する活性層を含む複数の窒化物エピタキシャル層からなる発光構造物を形成し、
前記発光構造物の一部領域を除去して前記サファイア基板の一部領域を露出し、及び
前記サファイア基板の露出された領域によって形成された前記発光構造物の側面をウェットエッチングして、前記サファイア基板の上面と鋭角を形成する傾斜面を形成する、
ことを含む半導体発光素子の製造方法。 - 前記サファイア基板を個別の素子単位で分割して個別の半導体発光素子を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記個別の半導体発光素子を形成することは、
前記サファイア基板の内部の少なくとも一つの高さにフォーカシングされたレーザーを、前記サファイア基板の上面または下面から個別の素子の分離面に沿って所定の間隔離隔させて複数回照射して前記サファイア基板を分割することを特徴とする請求項11に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記レーザーのフォーカシング高さは、
前記複数の窒化物エピタキシャル層が形成された前記サファイア基板の上面から少なくとも30μm離隔した位置であることを特徴とする請求項12に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記レーザーのフォーカシングの高さが複数の場合、各フォーカシングの高さの間の間隔は、40〜90μm離隔して形成されたことを特徴とする請求項12に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記レーザーは、赤外線ソースを用いたフェムト秒またはピコ秒パルスレーザーであることを特徴とする請求項12に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記サファイア基板の上面は、凸凹パターンが形成されたことを特徴とする請求項10に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記除去することは、
前記発光構造物の一部領域をドライエッチングまたはレーザー照射により除去することを特徴とする請求項10に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記発光構造物を形成することは、前記サファイア基板の上面から、順次に、n型窒化物半導体層、前記活性層及びp型窒化物半導体層を積層して前記発光構造物を形成し、
前記n型窒化物半導体層の上面の一部を露出するように、前記発光構造物の側面から離隔した領域の前記活性層及び前記p型窒化物半導体層の一部を除去して溝を形成し、及び
前記溝によって露出されたn型窒化物半導体層の上面にn側電極を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体発光素子の製造方法。
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