JP2014231636A - プラズマcvd装置及びプラズマcvd膜の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】排気手段38,40により真空とされる反応室22内に開口する吹出口54を備えたトーチ管50と、トーチ管50と同軸的に延びるように配置されて、高周波電源手段46から供給される高周波電流にてトーチ管50内に高周波電磁界を発生させる誘導コイル52と、トーチ管50内に、プラズマCVD膜を形成するための原料ガスと反応ガスのうちの何れか一方を供給するトーチ用ガス供給手段48,62とを有する誘導結合型プラズマトーチユニット24を反応室22に設けると共に、反応室22内に、原料ガスと反応ガスのうちの何れか他方を供給する反応室用ガス供給手段66,70を設けて構成した。
【選択図】図2
Description
14 アンダーコート層 16 トップコート層
18 中間製品 20,74,76,78 プラズマCVD装置
22 真空チャンバ 24 誘導結合型プラズマトーチユニット
38 排気パイプ 40 真空ポンプ
44 誘導結合型プラズマトーチ 46 高周波電源装置
48 第一ガス供給パイプ 50 トーチ管
52 誘導コイル 54 吹出口
62 第一ガスボンベ 66 第二ガス供給パイプ
70 第二ガスボンベ
Claims (10)
- プラズマガスを利用して、基材の表面上にプラズマCVD膜を積層形成するプラズマCVD装置であって、
前記基材を収容する反応室と、
該反応室内の空気を排出して、該反応室内を真空状態とする排気手段と、
前記反応室内に開口する吹出口を備えたトーチ管と、該トーチ管と同軸的に延びるように配置された誘導コイルと、該誘導コイルに高周波電流を供給する高周波電源手段と、該トーチ管内に、前記プラズマCVD膜の主成分を含む原料ガスと、該原料ガス中の成分と反応する成分を含む反応ガスのうちの何れか一方を供給するトーチ管用ガス供給手段とを有し、該高周波電源手段から該誘導コイルへの通電によって該トーチ管内に生じる高周波電磁界により、該トーチ管内に供給された該一方のガスをプラズマ化して、前記プラズマガスを発生させると共に、該プラズマガスを、該トーチ管の前記吹出口を通じて前記反応室内に吹き出させる誘導結合型プラズマトーチユニットと、
前記原料ガスと前記反応ガスのうちの何れか他方を前記反応室内に供給する反応室用ガス供給手段と、
を含んで構成したことを特徴とするプラズマCVD装置。 - プラズマガスを利用して、基材の表面上にプラズマCVD膜を積層形成するプラズマCVD装置であって、
前記基材を収容する反応室と、
該反応室内の空気を排出して、該反応室内を真空状態とする排気手段と、
前記反応室内に開口する吹出口を備えたトーチ管と、該トーチ管と同軸的に延びるように配置された誘導コイルと、該誘導コイルに高周波電流を供給する高周波電源手段と、該トーチ管内に、前記プラズマCVD膜の主成分を含む原料ガスと、該原料ガス中の成分と反応する成分を含む反応ガスの両方を供給するトーチ管用ガス供給手段とを有し、該高周波電源手段から該誘導コイルへの通電によって該トーチ管内に生じる高周波電磁界により、該トーチ管内に供給された該原料ガスと該反応ガスとをプラズマ化して、該原料ガスがプラズマ化したプラズマガスと該反応ガスがプラズマ化したプラズマガスとを発生させると共に、それらのプラズマガスを、該トーチ管の前記吹出口を通じて該反応室内に吹き出させる誘導結合型プラズマトーチユニットと、
を含んで構成したことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 前記吹出口を通じて、前記トーチ管内から吹き出される前記プラズマガスの単位時間当たりの吹出量が、前記トーチ管用ガス供給手段にて該トーチ管内に供給される前記原料ガスや前記反応ガスの単位時間あたりの供給量よりも小さくなるように、該吹出口の大きさが設定されて、該トーチ管内に該原料ガスや該反応ガスが供給されたときの該トーチ管の内圧が、真空状態とされた前記チャンバの内圧よりも高くなるように構成されている請求項1又は請求項2に記載のプラズマCVD装置。
- 前記誘導結合型プラズマトーチユニットが、複数設けられている請求項1乃至請求項3のうちの何れか1項に記載のプラズマCVD装置。
- 前記高周波誘導コイルの全体を外側から覆う筒状の電磁シールド部材が、前記複数の誘導結合型プラズマトーチユニットのそれぞれに設けられている請求項4に記載のプラズマCVD装置。
- プラズマガスを利用して、基材の表面上にプラズマCVD膜を積層形成する方法であって、
前記基材を反応室内に収容する工程と、
該反応室内の空気を排出して、該反応室内を真空状態とする工程と、
該反応室内に開口する吹出口を備えたトーチ管と、該トーチ管と同軸的に延びるように配置された誘導コイルとを有する誘導結合型プラズマトーチを用いて、該トーチ管内に、前記プラズマCVD膜の主成分を含む原料ガスと、該原料ガス中の成分と反応する成分を含む反応ガスのうちの何れか一方を供給する一方、該誘導コイルに高周波電流を供給して、該トーチ管内に高周波電磁界を発生させることにより、該トーチ管内に供給された該一方のガスをプラズマ化し、前記プラズマガスを発生させて、該プラズマガスを、該トーチ管の前記吹出口を通じて前記反応室内に吹き出させる工程と、
前記原料ガスと前記反応ガスのうちの何れか他方を、前記反応室内に導入して、前記誘導結合型プラズマトーチから該反応室内に吹き出された前記プラズマガスと接触させることによって、該他方のガスをプラズマ化する一方、該反応室内で、該原料ガスがプラズマ化したプラズマガスと該反応ガスがプラズマ化したプラズマガスとを反応させて、生成物を生成すると共に、該反応室内に収容された前記基材の表面上に、該生成物を堆積させることにより、前記プラズマCVD膜を積層形成する工程と、
を含むことを特徴とするプラズマCVD膜の形成方法。 - プラズマガスを利用して、基材の表面上にプラズマCVD膜を積層形成する方法であって、
前記基材を反応室内に収容する工程と、
該反応室内の空気を排出して、該反応室内を真空状態とする工程と、
該反応室内に開口する吹出口を備えたトーチ管と、該トーチ管と同軸的に延びるように配置された誘導コイルとを有する誘導結合型プラズマトーチを用いて、該トーチ管内に、前記プラズマCVD膜の主成分を含む原料ガスと、該原料ガス中の成分と反応する成分を含む反応ガスの両方を供給する一方、該誘導コイルに高周波電流を供給して、該トーチ管内に高周波電磁界を発生させることにより、該トーチ管内に供給された該原料ガスと該反応ガスとをそれぞれプラズマ化し、該原料ガスがプラズマ化したプラズマガスと該反応ガスがプラズマ化したプラズマガスとを発生させて、それらのプラズマガスを、該トーチ管の前記吹出口を通じて前記反応室内に吹き出させる工程と、
前記反応室内で、前記原料ガスのプラズマガスと前記反応ガスのプラズマガスとを反応させて、生成物を生成すると共に、該反応室内に収容された前記基材の表面に、該生成物を堆積させることにより、前記プラズマCVD膜を積層形成する工程と、
を含むことを特徴とするプラズマCVD膜の形成方法。 - 基材の表面にプラズマCVD膜が積層形成されてなる積層品の製造方法であって、
前記基材を準備する工程と、
該基材の表面に対して、前記プラズマCVD膜を、前記請求項6又は7に記載の形成方法によって積層形成する工程と、
を含むことを特徴とする積層品の製造方法。 - ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材の表面上にアンダーコート層が積層形成されると共に、該アンダーコート層上に、珪素化合物からなるプラズマCVD層が更に積層形成されてなる樹脂製品の製造方法であって、
前記樹脂基材を準備する工程と、
該樹脂基材の表面に、前記アンダーコート層を積層形成する工程と、
該アンダーコート層が積層形成された前記樹脂基材を反応室内に収容した後、該反応室内を真空状態とする工程と、
該反応室内に開口する吹出口を備えたトーチ管と、該トーチ管と同軸的に延びるように配置された誘導コイルとを有する誘導結合型プラズマトーチを用いて、該トーチ管内に、珪素を含む原料ガスと、該原料ガス中の珪素と反応する成分を含む反応ガスのうちの何れか一方を供給する一方、該誘導コイルに高周波電流を供給して、該トーチ管内に高周波電磁界を発生させることにより、該トーチ管内に供給されたガスをプラズマ化し、前記プラズマガスを発生させて、該プラズマガスを、該トーチ管の前記吹出口を通じて前記反応室内に吹き出させる工程と、
前記原料ガスと前記反応ガスのうちの何れか他方を、前記反応室内に導入して、前記誘導結合型プラズマトーチから該反応室内に吹き出された前記プラズマガスと接触させることにより、該他方のガスをプラズマ化する一方、該反応室内で、該原料ガスがプラズマ化したプラズマガスと該反応ガスがプラズマ化したプラズマガスとを反応させて、前記珪素化合物を生成すると共に、該反応室内に収容される前記基材表面に積層された前記アンダーコート層上に、該珪素化合物を堆積させることにより、該珪素化合物からなる前記プラズマCVD膜を積層形成する工程と、
を含むことを特徴とする樹脂製品の製造方法。 - ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材の表面上にアンダーコート層が積層形成されると共に、該アンダーコート層上に、珪素化合物からなるプラズマCVD膜が更に積層形成されてなる樹脂製品の製造方法であって、
前記樹脂基材を準備する工程と、
該樹脂基材の表面に、前記アンダーコート層を積層形成する工程と、
該アンダーコート層が積層形成された前記樹脂基材を反応室内に収容した後、該反応室内を真空状態とする工程と、
該反応室内に開口する吹出口を備えたトーチ管と、該トーチ管と同軸的に延びるように配置された誘導コイルとを有する誘導結合型プラズマトーチを用いて、該トーチ管内に、珪素を含む原料ガスと、該原料ガス中の珪素と反応する成分を含む反応ガスの両方を供給する一方、該誘導コイルに高周波電流を供給して、該トーチ管内に高周波電磁界を発生させることにより、該トーチ管内に供給された該原料ガスと該反応ガスとをそれぞれプラズマ化し、該原料ガスがプラズマ化したプラズマガスと該反応ガスがプラズマ化したプラズマガスとを発生させて、それらのプラズマガスを、該トーチ管の前記吹出口を通じて前記反応室内に吹き出させる工程と、
前記反応室内で、前記原料ガスのプラズマガスと前記反応ガスのプラズマガスとを反応させて、前記珪素化合物を生成すると共に、該反応室内に収容される前記基材表面に積層された前記アンダーコート層上に、該珪素化合物を堆積させることにより、該珪素化合物からなる前記プラズマCVD膜を積層形成する工程と、
を含むことを特徴とする樹脂製品の製造方法。
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