JP2014227544A - Resin composition for sealing optical semiconductor element, and optical semiconductor device using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光半導体素子封止用樹脂組成物及びそれを用いた光半導体装置に関する。 The present invention relates to an optical semiconductor element sealing resin composition and an optical semiconductor device using the same.
光半導体素子封止用樹脂組成物としては、接着性や機械的強度に優れるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と、ＵＶ吸収の無いエポキシ樹脂、例えば、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂或いは脂環式エポキシ樹脂と、硬化剤および硬化触媒を含む組成物が多用されている。しかし、ＬＥＤ素子の輝度及び出力が高くなるのに伴い、ＬＥＤ素子からの光、熱等によって、変色及びクラックの問題が起きている。 Examples of the resin composition for sealing an optical semiconductor element include a bisphenol A type epoxy resin excellent in adhesiveness and mechanical strength, and an epoxy resin having no UV absorption, such as a hydrogenated bisphenol A type epoxy resin or an alicyclic epoxy resin. A composition containing a curing agent and a curing catalyst is frequently used. However, as the luminance and output of the LED element increase, there are problems of discoloration and cracking due to light, heat, etc. from the LED element.
これらの問題を解決するものとして、ＵＶ吸収が無く且つ可撓性のある硬化物を与えるシリコーン樹脂にエポキシ基を導入した樹脂が知られており、例えば、グリシジル基、エポキシシクロヘキシル基等の環状エーテル含有基を１個以上有するシリコーン樹脂（特許文献１）やエポキシアルコキシシランとシラノールとの反応生成物（特許文献２）、及び、脂環式エポキシ変性シリコーン樹脂と脂環式エポキシ樹脂を併用したもの（特許文献３）などが知られている。しかし、シリコーン樹脂はエポキシ樹脂に比べてガス透過性が非常に高いため、シリコーン含有量が増えるにつれて、低ガス透過性が必要な用途に用いることが困難になる。そこで、低ガス透過性を有する樹脂組成物として付加反応型フェニル系シリコーン樹脂組成物が開示されている(特許文献４)が、低ガス透過性、接着性と言う面ではまだ満足の行くものではない。 As a solution to these problems, a resin in which an epoxy group is introduced into a silicone resin that does not absorb UV and gives a flexible cured product is known. For example, a cyclic ether such as a glycidyl group or an epoxycyclohexyl group. Silicone resin having at least one containing group (Patent Document 1), reaction product of epoxyalkoxysilane and silanol (Patent Document 2), and a combination of alicyclic epoxy-modified silicone resin and alicyclic epoxy resin (Patent Document 3) is known. However, since the silicone resin has a very high gas permeability as compared with the epoxy resin, it becomes difficult to use the silicone resin for an application requiring low gas permeability as the silicone content increases. Thus, an addition reaction type phenyl silicone resin composition has been disclosed as a resin composition having low gas permeability (Patent Document 4), but it is still not satisfactory in terms of low gas permeability and adhesiveness. Absent.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、耐熱性、耐ＵＶ性及び低ガス透過性に優れた硬化物を与える光半導体素子封止用樹脂組成物及び該光半導体素子封止用樹脂組成物の硬化物によって封止された光半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a resin composition for encapsulating an optical semiconductor element that provides a cured product excellent in heat resistance, UV resistance and low gas permeability, and the resin for encapsulating the optical semiconductor element An object of the present invention is to provide an optical semiconductor device sealed with a cured product of the composition.
本発明は、
光半導体素子封止用樹脂組成物であって、
（Ａ）下記一般式（１）
Ｒ４は下記式（２）：
で示される一価の基であり、
Ｒ６はＲ１から選ばれる基または下記式（３）：
で示される基であり、ｌ、ｍは０〜１００の整数であり、ｎは１〜１００の整数である。
ただし、式中で少なくとも１つはＲ１を有する。〕
で表される脂環式エポキシ基および芳香族炭化水素基を含有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、
（Ｂ）エポキシ基との反応性官能基を有する硬化剤：（Ａ）成分中のエポキシ基の合計１モルに対して、エポキシ基と反応性を有する官能基が０．３〜１．０モルとなる量、
（Ｃ）硬化触媒：（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して０．０１〜３質量部、
（Ｄ）酸化防止剤：（Ａ）成分と（Ｃ）成分の合計１００質量部に対して０．１〜０．５質量部、
を含有するものであることを特徴とする光半導体素子封止用樹脂組成物を提供する。
The present invention
A resin composition for sealing an optical semiconductor element,
(A) The following general formula (1)
R 4 represents the following formula (2):
A monovalent group represented by
R 6 is a group selected from R 1 or the following formula (3):
Wherein l and m are integers of 0 to 100, and n is an integer of 1 to 100.
However, at least one in the formula has R 1 . ]
An organopolysiloxane containing an alicyclic epoxy group and an aromatic hydrocarbon group represented by: 100 parts by mass,
(B) Curing agent having functional group reactive with epoxy group: 0.3 to 1.0 mol of functional group reactive with epoxy group with respect to 1 mol of epoxy group in component (A) The amount,
(C) Curing catalyst: 0.01 to 3 parts by mass with respect to 100 parts by mass in total of the components (A) and (B),
(D) Antioxidant: 0.1 to 0.5 parts by mass with respect to 100 parts by mass in total of the components (A) and (C),
The resin composition for optical semiconductor element sealing characterized by containing this.
このような、上記（Ａ）〜（Ｄ）成分を全て含有する光半導体素子封止用樹脂組成物を採用することによって、耐熱性、耐ＵＶ性及び低ガス透過性に優れた硬化物を提供することができる。 By adopting such a resin composition for encapsulating an optical semiconductor element containing all the components (A) to (D), a cured product excellent in heat resistance, UV resistance and low gas permeability is provided. can do.
また前記（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンが有する、芳香族炭化水素基が、フェニル基であることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the aromatic hydrocarbon group which the organopolysiloxane of the said (A) component has is a phenyl group.
このように、芳香族炭化水素基が、フェニル基であれば、耐熱性、耐ＵＶ性及び低ガス透過性をより向上することができる。 Thus, if the aromatic hydrocarbon group is a phenyl group, the heat resistance, UV resistance and low gas permeability can be further improved.
また、本発明では、本発明の光半導体素子封止用樹脂組成物の硬化物によって封止された光半導体装置を提供する。 Moreover, in this invention, the optical semiconductor device sealed with the hardened | cured material of the resin composition for optical semiconductor element sealing of this invention is provided.
本発明の光半導体素子封止用樹脂組成物は耐熱性、耐ＵＶ性及び低ガス透過性に優れた硬化物を提供することができることから、この硬化物により光半導体素子が封止された光半導体装置は、良好な耐熱性、耐ＵＶ性及び低ガス透過性を有するものとなる。 Since the resin composition for sealing an optical semiconductor element of the present invention can provide a cured product excellent in heat resistance, UV resistance and low gas permeability, light in which the optical semiconductor element is sealed with the cured product. The semiconductor device has good heat resistance, UV resistance and low gas permeability.
本発明の光半導体素子封止用樹脂組成物は、耐熱性、耐ＵＶ性及び低ガス透過性に優れるため、様々な用途の光半導体の封止に利用可能である。即ち、本発明の光半導体素子封止用樹脂組成物は光半導体素子封止材として好適に利用することができ、耐熱性、耐ＵＶ性及び低ガス透過性に優れた光半導体装置を提供することができる。 Since the resin composition for sealing an optical semiconductor element of the present invention is excellent in heat resistance, UV resistance and low gas permeability, it can be used for sealing optical semiconductors for various purposes. That is, the optical semiconductor element sealing resin composition of the present invention can be suitably used as an optical semiconductor element sealing material, and provides an optical semiconductor device excellent in heat resistance, UV resistance and low gas permeability. be able to.
以下、本発明をより詳細に説明する。
上記のように、耐熱性、耐ＵＶ性及び低ガス透過性に優れた硬化物を与える光半導体素子封止用樹脂組成物及び該光半導体素子封止用樹脂組成物の硬化物によって封止された光半導体装置が求められている。
The present invention will be described in detail below.
As described above, the resin composition for sealing an optical semiconductor element that gives a cured product excellent in heat resistance, UV resistance and low gas permeability, and the cured product of the resin composition for sealing an optical semiconductor element are sealed. There is a need for an optical semiconductor device.
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、脂環式エポキシ基及び芳香族炭化水素基を含有するオルガノポリシロキサンを用いることにより、上記課題を達成できることを見出した。 As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that the above problems can be achieved by using an organopolysiloxane containing an alicyclic epoxy group and an aromatic hydrocarbon group. .
以下、本発明について詳細に説明する。
＜（Ａ）オルガノポリシロキサン＞
本発明の（Ａ）のオルガノポリシロキサンは一般式（１）：
Ｒ４は下記式（２）：
で示される一価の基であり、
Ｒ６はＲ１から選ばれる基または下記式（３）：
で示される基であり、ｌ、ｍは０〜１００の整数であり、ｎは１〜１００の整数である。
ただし、式中で少なくとも１つはＲ１を有する。〕
で表される脂環式エポキシ基および芳香族炭化水素基を含有するオルガノポリシロキサンである。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
<(A) Organopolysiloxane>
The organopolysiloxane (A) of the present invention has the general formula (1):
R 4 represents the following formula (2):
A monovalent group represented by
R 6 is a group selected from R 1 or the following formula (3):
Wherein l and m are integers of 0 to 100, and n is an integer of 1 to 100.
However, at least one in the formula has R 1 . ]
An organopolysiloxane containing an alicyclic epoxy group and an aromatic hydrocarbon group represented by the formula:
また前記（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンが有する、芳香族炭化水素基が、フェニル基であることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the aromatic hydrocarbon group which the organopolysiloxane of the said (A) component has is a phenyl group.
ここで、Ｒ１は炭素数６〜１２の一価芳香族炭化水素基である。具体的には、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基や、ベンジル基、２−フェニルエチル基、２−フェニルプロピル基等のアラルキル基であり、好ましくはフェニル基、ベンジル基、２−フェニルエチル基、２−フェニルプロピル基であり、更に好ましくはフェニル基である。 Here, R 1 is a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms. Specifically, aryl groups such as phenyl group, tolyl group, xylyl group and naphthyl group, and aralkyl groups such as benzyl group, 2-phenylethyl group and 2-phenylpropyl group, preferably phenyl group and benzyl group. 2-phenylethyl group and 2-phenylpropyl group, more preferably a phenyl group.
Ｒ２は炭素数１〜１２の一価脂肪族炭化水素基から選ばれる基であり、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等のアルキル基などの飽和一価脂肪族炭化水素基、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基等のアルケニル基などの不飽和一価脂肪族炭化水素基などが挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル基であり、更に好ましくはメチル基である。 R 2 is a group selected from monovalent aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 12 carbon atoms, specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group. Group, heptyl group, 2-ethylhexyl group, heptyl group, octyl group and other saturated monovalent aliphatic hydrocarbon groups such as alkyl group, vinyl group, allyl group, isopropenyl group, butenyl group and other unsaturated groups such as alkenyl group And monovalent aliphatic hydrocarbon groups, preferably methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, t-butyl, heptyl, and more preferably methyl. .
Ｒ３は炭素数１〜１２の一価脂肪族炭化水素基又は炭素数６〜１２の一価芳香族炭化水素基であり、炭素数１〜１２の一価脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等のアルキル基などの飽和一価脂肪族炭化水素基、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基等のアルケニル基などの不飽和一価脂肪族炭化水素基などが挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル基であり、更に好ましくはメチル基である。また、炭素数６〜１２の一価芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基や、ベンジル基、２−フェニルエチル基、２−フェニルプロピル基等のアラルキル基であり、好ましくはフェニル基、ベンジル基、２−フェニルエチル基、２−フェニルプロピル基であり、更に好ましくはフェニル基である。 R 3 is a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms or a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms. Specific examples of the monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms are as follows. Is a saturated monovalent aliphatic such as alkyl group such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, heptyl group, 2-ethylhexyl group, heptyl group, octyl group, etc. Examples thereof include unsaturated monovalent aliphatic hydrocarbon groups such as hydrocarbon groups, vinyl groups, allyl groups, isopropenyl groups, butenyl groups and the like, preferably methyl groups, ethyl groups, n-propyl groups, isopropyl groups. Group, n-butyl group, t-butyl group and heptyl group, more preferably methyl group. Specific examples of the monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms include aryl groups such as phenyl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, benzyl group, 2-phenylethyl group, 2-phenylpropylene. An aralkyl group such as an alkyl group, preferably a phenyl group, a benzyl group, a 2-phenylethyl group, or a 2-phenylpropyl group, and more preferably a phenyl group.
Ｒ４は下記式（２）
Ｒ６はＲ１から選ばれる基または下記式（３）
ｌ、ｍは独立して０〜１００の整数であり、好ましくは１〜５０の整数である。ｎは１〜１００の整数、好ましくは１〜５０の整数である。式（３）中のｐは、０〜１０の整数であり、好ましくは０〜５の整数である。 l and m are each independently an integer of 0 to 100, preferably an integer of 1 to 50. n is an integer of 1 to 100, preferably an integer of 1 to 50. P in Formula (3) is an integer of 0-10, Preferably it is an integer of 0-5.
（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンの具体的な例としては、下記式（４）〜（６）で示されるポリシロキサンが挙げられる。（下記式において、Ｍｅはメチル基を示す。）
また、（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンは、例えば、下記一般式（７）
で示される基である。〕
示される分子中の全ての末端にＳｉＨ基を有する有機ケイ素化合物の１種以上と、
下記式（９）
で示される末端アルケニル基を有する化合物とを、白金触媒存在下、ヒドロシリル化反応によって製造することができる。
The organopolysiloxane of component (A) is, for example, the following general formula (7)
It is group shown by these. ]
One or more organosilicon compounds having SiH groups at all terminals in the molecule shown;
Following formula (9)
Can be produced by a hydrosilylation reaction in the presence of a platinum catalyst.
ここで、Ｒ７は炭素数２〜１８の末端アルケニル基を有するアルキレン基であり、具体的には、ビニル基、アリル基、３−ブテニル基、４−ペンチル基などであり、好ましくはビニル基、アリル基であり、更に好ましくはビニル基である。 Here, R 7 is an alkylene group having a terminal alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms, specifically a vinyl group, an allyl group, a 3-butenyl group, a 4-pentyl group, etc., preferably a vinyl group. , An allyl group, and more preferably a vinyl group.
この場合、末端にＳｉＨ基を有する有機ケイ素化合物と末端アルケニル基を有する化合物との反応割合としては、末端アルケニル基を有する化合物のアルケニル基１個に対して末端にＳｉＨ基を有する有機ケイ素化合物中のＳｉＨ基が０．２５〜１．０個、特に０．５〜０．８個となる割合で反応させることが好ましい。なお、ヒドロシリル化反応は、従来公知の方法に従えばよい。 In this case, the reaction ratio between the organosilicon compound having a terminal SiH group and the compound having a terminal alkenyl group is as follows. It is preferable to react at a ratio of 0.25 to 1.0, particularly 0.5 to 0.8 SiH groups. The hydrosilylation reaction may be performed according to a conventionally known method.
＜（Ｂ）硬化剤＞
硬化剤としては、エポキシ基と反応性の官能基を有する硬化剤が使用される。例えば、アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤が挙げられ、そのうち酸無水物系硬化剤が好ましい。酸無水物系硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸、４−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸と４−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物、テトラヒドロ無水フタル酸、無水ナジック酸、無水メチルナジック酸、ノルボルナン−２，３−ジカルボン酸無水物、メチルノルボルナン−２，３−ジカルボン酸無水物、２，４−ジエチルグルタル酸無水物などを挙げることができ、これらのうち、ヘキサヒドロ無水フタル酸及びその誘導体が好ましい。
<(B) Curing agent>
As the curing agent, a curing agent having a functional group reactive with an epoxy group is used. For example, amine-based curing agents, phenol-based curing agents, and acid anhydride-based curing agents are exemplified, and acid anhydride-based curing agents are preferred. Examples of the acid anhydride curing agent include phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, 3-methyl-hexahydrophthalic anhydride, 4-methyl-hexahydrophthalic anhydride, A mixture of 3-methyl-hexahydrophthalic anhydride and 4-methyl-hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, nadic anhydride, methyl nadic anhydride, norbornane-2,3-dicarboxylic anhydride, methylnorbornane-2 , 3-dicarboxylic acid anhydride, 2,4-diethylglutaric acid anhydride, etc., among which hexahydrophthalic anhydride and its derivatives are preferred.
（Ｂ）成分の硬化剤の配合量は、（Ａ）成分中のエポキシ基の合計１モルに対して、エポキシ基と反応性を有する官能基（酸無水物系硬化剤の場合には−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で表される酸無水物基）が０．３〜１．０モルとなる量、好ましくは０．４〜０．８モルとなる量である。エポキシ基と反応性を有する官能基が０．３モル以上であれば、硬化物の耐熱性、透明性が向上するため、望ましく、１．０モル以下であれば硬化物の機械特性が向上するため、好ましい。ここで、「エポキシ基と反応性を有する官能基」とは、アミン系硬化剤が有するアミノ基、フェノール系硬化剤が有するフェノール性水酸基、酸無水物系硬化剤が有する酸無水物基である。 The blending amount of the curing agent of the component (B) is a functional group reactive with the epoxy group (-CO in the case of an acid anhydride curing agent) with respect to a total of 1 mol of the epoxy groups in the component (A) The amount of the acid anhydride group represented by —O—CO— is 0.3 to 1.0 mol, preferably 0.4 to 0.8 mol. If the functional group having reactivity with the epoxy group is 0.3 mol or more, the heat resistance and transparency of the cured product are improved, and if it is 1.0 mol or less, the mechanical properties of the cured product are improved. Therefore, it is preferable. Here, the “functional group having reactivity with an epoxy group” means an amino group possessed by an amine curing agent, a phenolic hydroxyl group possessed by a phenol curing agent, and an acid anhydride group possessed by an acid anhydride curing agent. .
＜（Ｃ）硬化触媒＞
硬化触媒としては、テトラブチルホスホニウム・Ｏ，Ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの第四級ホスホニウム塩、トリフェニルフォスフィン、ジフェニルフォスフィン等の有機フォスフィン系硬化触媒、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエタノールアミン、ベンジルジメチルアミン等の三級アミン系硬化触媒、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７ フェノール塩、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７ オクチル酸塩、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７ ｐ−トルエンスルホン酸塩、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７ ギ酸塩等の第四級アンモニウム塩、オクチル酸亜鉛、ナフチル酸亜鉛等の有機カルボン酸塩、アルミニウムビスエチルアセトアセテート・モノアセチルアセトネート、アルミニウムエチルアセトアセテート・ジイソプロピレート等のアルミキレート化合物、２−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類などを挙げられ、望ましくは第四級ホスホニウム塩、第四級アンモニウム塩である。
<(C) Curing catalyst>
Examples of the curing catalyst include quaternary phosphonium salts such as tetrabutylphosphonium / O, O-diethyl phosphorodithioate and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, and organic phosphine-based curing catalysts such as triphenylphosphine and diphenylphosphine. , 8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7, tertiary amine-based curing catalyst such as triethanolamine, benzyldimethylamine, 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 phenol salt, 1 , 8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 octylate, 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 p-toluenesulfonate, 1,8-diazabicyclo (5,4 0) Undecene-7 quaternary ammonium salts such as formate, zinc octylate, sodium Organic carboxylates such as zinc phthalate, aluminum chelate compounds such as aluminum bisethyl acetoacetate / monoacetylacetonate, aluminum ethyl acetoacetate / diisopropylate, 2-methylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, etc. Examples thereof include imidazoles, and preferred are quaternary phosphonium salts and quaternary ammonium salts.
（Ｃ）硬化触媒の配合量は（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して０．０１〜３質量部、好ましくは０．０５〜１．５質量部である。硬化触媒の配合量が前記下限値より少ないと、エポキシ樹脂と硬化剤との反応を促進させる効果が十分ではないおそれがある。逆に、硬化触媒の配合量が前記上限値より多いと、硬化時やリフロー試験時の変色の原因となるおそれがある。 (C) The compounding quantity of a curing catalyst is 0.01-3 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of (A) component and (B) component, Preferably it is 0.05-1.5 mass parts. If the amount of the curing catalyst is less than the lower limit, the effect of promoting the reaction between the epoxy resin and the curing agent may not be sufficient. On the contrary, if the amount of the curing catalyst is larger than the upper limit value, it may cause discoloration during curing or reflow test.
＜（Ｄ）酸化防止剤＞
酸化防止剤としては、亜リン酸化合物、ヒンダードフェノール系酸化防止剤等があり、ヒンダードフェノール系酸化防止剤が好ましい。また、紫外線吸収剤としては、ヒンダードアミン系紫外線吸収剤が好ましい。（Ｄ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１〜０．５質量部、好ましくは０．１〜０．３質量部である。酸化防止剤の配合量が前期上限値を超えると、残存した酸化防止剤が硬化後の樹脂の表面に析出するため好ましくなく、前期下限値未満では耐熱性、透明性が低下する。
<(D) Antioxidant>
Antioxidants include phosphorous acid compounds and hindered phenol antioxidants, with hindered phenol antioxidants being preferred. Moreover, as an ultraviolet absorber, a hindered amine type ultraviolet absorber is preferable. (D) The compounding quantity of a component is 0.1-0.5 mass part with respect to 100 mass parts of (A) component, Preferably it is 0.1-0.3 mass part. When the blending amount of the antioxidant exceeds the upper limit of the previous period, the remaining antioxidant is not preferable because it is deposited on the surface of the cured resin, and when it is less than the lower limit of the previous period, the heat resistance and transparency are lowered.
＜その他の成分＞
上記各成分に加えて、慣用の添加剤、例えば、紫外線吸収剤、劣化防止剤、蛍光体、熱可塑剤、希釈剤などを必要に応じて併用しても差し支えない。
<Other ingredients>
In addition to the above components, conventional additives such as ultraviolet absorbers, deterioration inhibitors, phosphors, thermoplastic agents, diluents and the like may be used together as necessary.
本発明の光半導体素子封止用樹脂組成物は、上記各成分および必要により各種の添加剤を配合して、溶解または溶融混合することで製造することができる。溶融混合は、公知の方法でよく、例えば、上記の成分をリアクターに仕込み、バッチ式にて溶融混合してもよく、また上記の各成分をニーダーや熱三本ロールなどの混練機に投入して、連続的にて溶融混合することができる。（Ｃ）硬化触媒は、（Ｂ）硬化剤に予め加熱溶解混合し、混合の最終段階で（Ａ）成分、（Ｄ）成分等と分散混合することが好ましい。 The resin composition for sealing an optical semiconductor element of the present invention can be produced by blending the above-mentioned components and various additives as required, and dissolving or melt-mixing them. Melt mixing may be a known method. For example, the above components may be charged into a reactor and melt-mixed in a batch manner, or each of the above components may be charged into a kneader such as a kneader or a heat triple roll. And can be continuously melt-mixed. It is preferable that the (C) curing catalyst is previously heated and dissolved and mixed in the (B) curing agent, and dispersed and mixed with the component (A), the component (D), and the like at the final stage of mixing.
また、本発明では、光半導体素子封止用樹脂組成物の硬化物によって封止された光半導体装置を提供する。 Moreover, in this invention, the optical semiconductor device sealed with the hardened | cured material of the resin composition for optical semiconductor element sealing is provided.
本発明の光半導体素子封止用樹脂組成物の硬化物による光半導体装置の製造方法は、光半導体素子の種類に応じた公知の方法を採用することができる。本発明の光半導体素子封止用樹脂組成物の硬化条件は装置に応じて適宜設定することが好ましいが、通常、１００℃で１〜２時間程度加熱し、さらに１５０〜２００℃で０．１〜２時間加熱する。 The manufacturing method of the optical semiconductor device by the hardened | cured material of the resin composition for optical semiconductor element sealing of this invention can employ | adopt the well-known method according to the kind of optical semiconductor element. The curing conditions of the resin composition for encapsulating an optical semiconductor element of the present invention are preferably set as appropriate according to the apparatus. Heat for ~ 2 hours.
以下、実施例および比較例を示して本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。下記中の「部」は質量部を意味し、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基を表す。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are shown and this invention is demonstrated, this invention is not restrict | limited to these Examples. "Part" in the following means a part by mass, Me represents a methyl group, and Ph represents a phenyl group.
−（Ａ）成分の合成−
以下の合成例において、生成物を示す平均組成式におけるｎの平均値は、ＧＰＣ測定による分子量分布のチャートにおいて、各ｎと各ｎにおけるピーク面積との積の総和を、全ピーク面積の総和で除して求めた値である。例えば、ある生成物のｎが２〜２０の整数の場合、［２×（ｎ＝２のピーク面積）＋３×（ｎ＝３のピーク面積）＋ … ＋２０×（ｎ＝２０のピーク面積）］／［（ｎ＝２のピーク面積）＋（ｎ＝３のピーク面積）＋ … ＋（ｎ＝２０のピーク面積）］の計算から求めた値である。
-Synthesis of component (A)-
In the following synthesis examples, the average value of n in the average composition formula showing the product is the sum of the products of each n and the peak area at each n in the molecular weight distribution chart by GPC measurement. The value obtained by dividing. For example, when n of a product is an integer of 2 to 20, [2 × (peak area of n = 2) + 3 × (peak area of n = 3) +... + 20 × (peak area of n = 20)] / [(Peak area of n = 2) + (peak area of n = 3) +... + (Peak area of n = 20)]].
［合成例１］
［ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサン１の合成］
ジフェニルジメトキシシラン（１．０ｍоｌ、２４４．３６ｇ）、アセトニトリル７ｇを混合し、内温を１０℃以下に冷却した。そして硫酸１４ｇを３０分かけて滴下し、その後、水４３ｇを１時間かけて滴下した。次に１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジシロキサン（０．７５ｍоｌ、１００．７３ｇ）を３０分かけて滴下し、終夜攪拌した。廃酸分離した後、トルエン５００ｇを添加し、熱水で３回、熱純水で２回洗浄した。得られたトルエン溶液を減圧蒸留することにより、下記式（１０）で示される化合物を主成分とするオルガノポリシロキサン１を得た。
[Synthesis of organopolysiloxane 1 having SiH group]
Diphenyldimethoxysilane (1.0 mol, 244.36 g) and 7 g of acetonitrile were mixed, and the internal temperature was cooled to 10 ° C. or lower. And 14 g of sulfuric acid was added dropwise over 30 minutes, and then 43 g of water was added dropwise over 1 hour. Next, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-disiloxane (0.75 mol, 100.73 g) was added dropwise over 30 minutes and stirred overnight. After separation of the waste acid, 500 g of toluene was added and washed 3 times with hot water and 2 times with hot pure water. The obtained toluene solution was distilled under reduced pressure to obtain organopolysiloxane 1 having a compound represented by the following formula (10) as a main component.
［合成例２］
［ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサン２の合成］
ジフェニルジメトキシシラン（１．０ｍоｌ、２４４．３６ｇ）、ジメチルジメトキシシラン（２．２ｍоｌ、２６８．７７ｇ）を混合し、内温を１０℃以下に冷却した。そして硫酸２１ｇを３０分かけて滴下し、その後、水１１５ｇを１時間かけて滴下した。次に１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジシロキサン（０．１ｍоｌ、１３．４ｇ）を３０分かけて滴下し、終夜攪拌した。廃酸分離した後、トルエン８００ｇを添加し、熱水で３回、熱純水で２回洗浄した。得られたトルエン溶液を減圧蒸留することにより、下記式で示される化合物（１１）を主成分とするオルガノポリシロキサン２を得た。
[Synthesis of organopolysiloxane 2 having SiH group]
Diphenyldimethoxysilane (1.0 mol, 244.36 g) and dimethyldimethoxysilane (2.2 mol, 268.77 g) were mixed, and the internal temperature was cooled to 10 ° C. or lower. Then, 21 g of sulfuric acid was dropped over 30 minutes, and then 115 g of water was dropped over 1 hour. Next, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-disiloxane (0.1 mole, 13.4 g) was added dropwise over 30 minutes and stirred overnight. After separation of the waste acid, 800 g of toluene was added and washed 3 times with hot water and 2 times with hot pure water. The obtained toluene solution was distilled under reduced pressure to obtain organopolysiloxane 2 mainly composed of the compound (11) represented by the following formula.
［合成例３］
［ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサン３の合成］
フェニルトリメトキシシラン（１．０ｍоｌ、１９８．４４ｇ）、アセトニトリル３０ｇを混合し、内温を１０℃以下に冷却した。そして硫酸１６ｇを３０分かけて滴下し、その後、水８１ｇを１時間かけて滴下した。次に１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジシロキサン（１．５ｍоｌ、２０１．４８ｇ）を３０分かけて滴下し、終夜攪拌した。廃酸分離した後、トルエン５００ｇを添加し、熱水で３回、熱純水で２回洗浄した。得られたトルエン溶液を減圧蒸留することにより、下記式（１２）で示される化合物を主成分とするオルガノポリシロキサン３を得た。
[Synthesis of organopolysiloxane 3 having SiH group]
Phenyltrimethoxysilane (1.0 mol, 198.44 g) and 30 g of acetonitrile were mixed, and the internal temperature was cooled to 10 ° C. or lower. Then, 16 g of sulfuric acid was added dropwise over 30 minutes, and then 81 g of water was added dropwise over 1 hour. Next, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-disiloxane (1.5 mol, 201.48 g) was added dropwise over 30 minutes and stirred overnight. After separation of the waste acid, 500 g of toluene was added and washed 3 times with hot water and 2 times with hot pure water. The obtained toluene solution was distilled under reduced pressure to obtain organopolysiloxane 3 containing a compound represented by the following formula (12) as a main component.
［合成例４］
［ＳｉＨ基を有するオルガノポリシロキサン４の合成］
フェニルトリメトキシシラン（１．０ｍоｌ、１９８．４４ｇ）、アセトニトリル３０ｇを混合し、内温を１０℃以下に冷却した。そして硫酸１９ｇを３０分かけて滴下し、その後、水８１ｇを１時間かけて滴下した。次に１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジシロキサン（２．０ｍоｌ、２６８．６４ｇ）を３０分かけて滴下し、終夜攪拌した。廃酸分離した後、トルエン７００ｇを添加し、熱水で３回、熱純水で２回洗浄した。得られたトルエン溶液を減圧蒸留することにより、下記式（１３）で示される化合物を主成分とするオルガノポリシロキサン４を得た。
[Synthesis of organopolysiloxane 4 having SiH group]
Phenyltrimethoxysilane (1.0 mol, 198.44 g) and 30 g of acetonitrile were mixed, and the internal temperature was cooled to 10 ° C. or lower. Then, 19 g of sulfuric acid was dropped over 30 minutes, and then 81 g of water was dropped over 1 hour. Next, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-disiloxane (2.0 mole, 268.64 g) was added dropwise over 30 minutes and stirred overnight. After separation of the waste acid, 700 g of toluene was added and washed 3 times with hot water and 2 times with hot pure water. The obtained toluene solution was distilled under reduced pressure to obtain organopolysiloxane 4 containing a compound represented by the following formula (13) as a main component.
［合成例５］
１Ｌのセパラブルフラスコに０．５質量％塩化白金酸トルエン溶液０．３０ｇ、トルエン２００ｇ、１，２−エポキシ−４−ビニルシクロヘキサン（２．４ｍоｌ、２９８ｇ）を入れ、攪拌した後、内温を８０℃まで上昇させた。その後、上記で得られたオルガノポリシロキサン１（１ｍоｌ、５３０．７６ｇ）を１時間かけて滴下し、１００℃で２時間反応させた。得られたトルエン溶液を減圧蒸留することで下記化合物（１４）を主成分とするポリオルガノシロキサン５を得た。ポリオルガノシロキサン５のエポキシ当量は３９９ｇ／ｅｑであった。
A 1 L separable flask was charged with 0.30 g of a 0.5 mass% toluene chloroplatinate solution, 200 g of toluene, and 1,2-epoxy-4-vinylcyclohexane (2.4 mol, 298 g). The temperature was raised to 80 ° C. Thereafter, the organopolysiloxane 1 (1 mol, 530.76 g) obtained above was added dropwise over 1 hour and reacted at 100 ° C. for 2 hours. The obtained toluene solution was distilled under reduced pressure to obtain polyorganosiloxane 5 having the following compound (14) as a main component. The epoxy equivalent of polyorganosiloxane 5 was 399 g / eq.
［合成例６］
１Ｌのセパラブルフラスコに０．５質量％塩化白金酸トルエン溶液０．３５ｇ、トルエン２００ｇ、１，２−エポキシ−４−ビニルシクロヘキサン（０．２５ｍоｌ、３１ｇ）を入れ、攪拌した後、内温を８０℃まで上昇させた。その後、上記で得られたオルガノポリシロキサン２（０．１ｍоｌ、６３２ｇ）を１時間かけて滴下し、１００℃で２時間反応させた。得られたトルエン溶液を減圧蒸留することで下記化合物（１５）を主成分とするポリオルガノシロキサン６を得た。ポリオルガノシロキサン６のエポキシ当量は３１００ｇ／ｅｑであった。
Into a 1 L separable flask was placed 0.35 g of 0.5 mass% chloroplatinic acid toluene solution, 200 g of toluene, 1,2-epoxy-4-vinylcyclohexane (0.25 mol, 31 g), and after stirring, the internal temperature was reduced. The temperature was raised to 80 ° C. Thereafter, the organopolysiloxane 2 (0.1 mol, 632 g) obtained above was added dropwise over 1 hour and reacted at 100 ° C. for 2 hours. The obtained toluene solution was distilled under reduced pressure to obtain polyorganosiloxane 6 mainly composed of the following compound (15). The epoxy equivalent of polyorganosiloxane 6 was 3100 g / eq.
［合成例７］
１Ｌのセパラブルフラスコに０．５質量％塩化白金酸トルエン溶液０．３８ｇ、トルエン２００ｇ、１，２−エポキシ−４−ビニルシクロヘキサン（３．６ｍоｌ、４４７ｇ、）を入れ、攪拌した後、内温を８０℃まで上昇させた。その後、上記で得られたオルガノポリシロキサン３（１ｍоｌ、３３０．７６ｇ）を１時間かけて滴下し、１００℃で２時間反応させた。得られたトルエン溶液を減圧蒸留することで下記化合物（１６）を主成分とするポリオルガノシロキサン７を得た。ポリオルガノシロキサン７のエポキシ当量は３００ｇ／ｅｑであった。
A 1 L separable flask was charged with 0.38 g of a 0.5 mass% chloroplatinic acid toluene solution, 200 g of toluene, and 1,2-epoxy-4-vinylcyclohexane (3.6 mol, 447 g). Was raised to 80 ° C. Thereafter, the organopolysiloxane 3 (1 mol, 331.76 g) obtained above was added dropwise over 1 hour and reacted at 100 ° C. for 2 hours. The obtained toluene solution was distilled under reduced pressure to obtain polyorganosiloxane 7 having the following compound (16) as a main component. The epoxy equivalent of polyorganosiloxane 7 was 300 g / eq.
［合成例８］
１Ｌのセパラブルフラスコに０．５質量％塩化白金酸トルエン溶液０．４５ｇ、トルエン２００ｇ、１，２−エポキシ−４−ビニルシクロヘキサン（２．４ｍоｌ、２９８ｇ、）を入れ、攪拌した後、内温を８０℃まで上昇させた。その後、上記で得られたオルガノポリシロキサン４（０．５ｍоｌ、２６４ｇ）を１時間かけて滴下し、１００℃で２時間反応させた。得られたトルエン溶液を減圧蒸留することで下記化合物（１７）を主成分とするポリオルガノシロキサン８を得た。ポリオルガノシロキサン８のエポキシ当量は４００ｇ／ｅｑであった。
Into a 1 L separable flask was added 0.45 g of 0.5 mass% chloroplatinic acid toluene solution, 200 g of toluene, 1,2-epoxy-4-vinylcyclohexane (2.4 mol, 298 g), and after stirring, the internal temperature Was raised to 80 ° C. Thereafter, the organopolysiloxane 4 (0.5 mol, 264 g) obtained above was added dropwise over 1 hour and reacted at 100 ° C. for 2 hours. The obtained toluene solution was distilled under reduced pressure to obtain polyorganosiloxane 8 containing the following compound (17) as a main component. The epoxy equivalent of polyorganosiloxane 8 was 400 g / eq.
−比較例で使用のシリコーン樹脂の合成−
［合成例９］
ジメチルジメトキシシラン（２ｍоｌ、２４０．４８ｇ）、アセトニトリル１５ｇを混合し、内温を１０℃以下に冷却した。そして硫酸２１ｇを３０分かけて滴下し、その後、水１３０ｇを１時間かけて滴下した。次に１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジシロキサン（０．２５ｍоｌ、３２ｇ）を３０分かけて滴下し、終夜攪拌した。廃酸分離した後、トルエン８００ｇを添加し、熱水で３回、熱純水で２回洗浄した。得られたトルエン溶液を減圧蒸留することにより、下記式（１８）で示される化合物を主成分とするオルガノポリシロキサン９を得た。
[Synthesis Example 9]
Dimethyldimethoxysilane (2 mol, 240.48 g) and acetonitrile 15 g were mixed, and the internal temperature was cooled to 10 ° C. or lower. Then, 21 g of sulfuric acid was dropped over 30 minutes, and then 130 g of water was dropped over 1 hour. Next, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-disiloxane (0.25 mol, 32 g) was added dropwise over 30 minutes and stirred overnight. After separation of the waste acid, 800 g of toluene was added and washed 3 times with hot water and 2 times with hot pure water. The obtained toluene solution was distilled under reduced pressure to obtain organopolysiloxane 9 mainly composed of a compound represented by the following formula (18).
［合成例１０］
１Ｌのセパラブルフラスコに０．５質量％塩化白金酸トルエン溶液０．３４ｇ、トルエン２００ｇ、１，２−エポキシ−４−ビニルシクロヘキサン（１．２ｍоｌ、１６０ｇ、）を入れ、攪拌した後、内温を８０℃まで上昇させた。その後、上記で得られたオルガノポリシロキサン９（０．５ｍоｌ、３６４ｇ）を１時間かけて滴下し、１００℃で２時間反応させた。得られたトルエン溶液を減圧蒸留することで下記化合物（１９）を主成分とするポリオルガノシロキサン１０を得た。ポリオルガノシロキサン１０のエポキシ当量は５００ｇ／ｅｑであった。
A 1 L separable flask was charged with 0.34 g of a 0.5 mass% chloroplatinic acid toluene solution, 200 g of toluene, 1,2-epoxy-4-vinylcyclohexane (1.2 mol, 160 g), and the internal temperature was stirred. Was raised to 80 ° C. Thereafter, the organopolysiloxane 9 (0.5 mol, 364 g) obtained above was added dropwise over 1 hour and reacted at 100 ° C. for 2 hours. The obtained toluene solution was distilled under reduced pressure to obtain polyorganosiloxane 10 containing the following compound (19) as a main component. The epoxy equivalent of polyorganosiloxane 10 was 500 g / eq.
−組成物の調製−
下記表１に示す配合（質量部）で樹脂組成物を調製した。その結果、実施例１〜４、比較例１〜３の光半導体素子封止用樹脂組成物を得た。これらの表中の各成分は以下のとおりである。また、表中、空欄は「０」を意味する。
（Ｂ）硬化剤：４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（新日本理化（株）製、リカシッドＭＨ）
（Ｃ）硬化触媒：第四級ホスホニウム塩（サンアプロ（株）製、Ｕ−ＣＡＴ５００３）
（Ｄ）酸化防止剤：ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオナート］（株式会社ＡＤＥＫＡ社製、アデカスタブＡＯ−６０）
-Preparation of composition-
A resin composition was prepared with the formulation (parts by mass) shown in Table 1 below. As a result, the resin composition for optical semiconductor element sealing of Examples 1-4 and Comparative Examples 1-3 was obtained. Each component in these tables is as follows. In the table, a blank column means “0”.
(B) Curing agent: 4-methylhexahydrophthalic anhydride (manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd., Ricacid MH)
(C) Curing catalyst: quaternary phosphonium salt (manufactured by San Apro Co., Ltd., U-CAT5003)
(D) Antioxidant: Pentaerythritol tetrakis [3- (3 ′, 5′-di-t-butyl-4′-hydroxyphenyl) propionate] (manufactured by ADEKA Corporation, ADK STAB AO-60)
比較例で使用のエポキシ樹脂は以下のとおりである。
・水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）社製、ＹＸ８０００）
・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）社製、ｊＥＲ８２８）
The epoxy resins used in the comparative examples are as follows.
・ Hydrogenated bisphenol A type epoxy resin (YX8000, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)
・ Bisphenol A type epoxy resin (Japan Epoxy Resin Co., Ltd., jER828)
−組成物及び硬化物の特性評価−
得られた組成物及び硬化物の特性評価を以下の方法で行なった。硬化は、組成物を１００℃で１時間、次いで１５０℃で２時間加熱して行なった。結果を表１に示す。
（１）粘度
東機産業製Ｅ型回転粘度計にて、２３℃で測定した。
（２）硬度
ＪＩＳ Ｋ６３０１に準拠して棒状硬化物について測定した（タイプＤ）。
（３）耐ＵＶ性
１ｍｍ厚のシート状硬化物の、波長４５０ｎｍにおける光透過率（Ｔ０）を分光光度計Ｕ−４１００（日立ハイテック社製）にて測定した。該硬化物を、３６５ｎｍバンドパスフィルターを装備したＵＶ照射装置（照度１００ｍＷ／ｃｍ２）で、２４時間照射後の光透過率（Ｔ１）を同様にして測定し、Ｔ１／Ｔ０（％）を求めた。
（４）耐熱性
１ｍｍ厚のシート状硬化物の、波長４５０ｎｍにおける光透過率（Ｔ０）を分光光度計Ｕ−４１００（日立ハイテック社製）にて測定した。該硬化物を、１５０℃×４００時間加熱した後の光透過率（Ｔ１）を同様にして測定し、Ｔ１／Ｔ０（％）を求めた。
（５）水蒸気透過率
厚さ１ｍｍを有する各硬化物の水蒸気透過率をＪＩＳ Ｋ ７１２９に準拠して測定した。
-Characterization of composition and cured product-
The characteristics evaluation of the obtained composition and hardened | cured material was performed with the following method. Curing was performed by heating the composition at 100 ° C. for 1 hour and then at 150 ° C. for 2 hours. The results are shown in Table 1.
(1) Viscosity Viscosity was measured at 23 ° C with an E-type rotational viscometer manufactured by Toki Sangyo.
(2) Hardness It measured about the rod-shaped hardened | cured material based on JISK6301 (type D).
(3) The light transmittance (T 0 ) at a wavelength of 450 nm of the sheet-like cured product having a UV resistance of 1 mm was measured with a spectrophotometer U-4100 (manufactured by Hitachi High-Tech). The cured product was measured with a UV irradiation device (illuminance: 100 mW / cm 2 ) equipped with a 365 nm bandpass filter in the same manner as described above, and the light transmittance (T 1 ) after irradiation for 24 hours was measured in the same manner, and T 1 / T 0 (% )
(4) Heat resistance The light transmittance (T 0 ) at a wavelength of 450 nm of a 1 mm thick sheet-like cured product was measured with a spectrophotometer U-4100 (manufactured by Hitachi High-Tech). The cured product was measured for light transmittance (T 1 ) after heating at 150 ° C. for 400 hours in the same manner, and T 1 / T 0 (%) was determined.
(5) Water vapor transmission rate The water vapor transmission rate of each cured product having a thickness of 1 mm was measured in accordance with JIS K 7129.
表１の結果から明らかなように実施例１〜４の組成物は耐熱性、耐ＵＶ性および低ガス透過性に優れる。一方、比較例１の組成物は耐熱性、耐ＵＶ性に優れているものの、低ガス透過性では劣る。また、比較例２、３ではエポキシ樹脂であるため、低ガス透過性に優れているものの、耐ＵＶ性、耐熱性が劣る。 As is apparent from the results in Table 1, the compositions of Examples 1 to 4 are excellent in heat resistance, UV resistance and low gas permeability. On the other hand, the composition of Comparative Example 1 is excellent in heat resistance and UV resistance, but inferior in low gas permeability. Moreover, since it is an epoxy resin in the comparative examples 2 and 3, although it is excellent in low gas permeability, it is inferior in UV resistance and heat resistance.
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に含有される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. It is contained in the technical range.
Claims (3)
（Ａ）下記一般式（１）
Ｒ４は下記式（２）：
で示される一価の基であり、
Ｒ６はＲ１から選ばれる基または下記式（３）：
で示される基であり、ｌ、ｍは独立して０〜１００の整数であり、ｎは１〜１００の整数である。
ただし、式中で少なくとも１つはＲ１を有する。〕
で表される脂環式エポキシ基および芳香族炭化水素基を含有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、
（Ｂ）エポキシ基との反応性官能基を有する硬化剤：（Ａ）成分中のエポキシ基の合計１モルに対して、エポキシ基と反応性を有する官能基が０．３〜１．０モルとなる量、
（Ｃ）硬化触媒：（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して０．０１〜３質量部、
（Ｄ）酸化防止剤：（Ａ）成分と（Ｃ）成分の合計１００質量部に対して０．１〜０．５質量部、
を含有するものであることを特徴とする光半導体素子封止用樹脂組成物。 A resin composition for sealing an optical semiconductor element,
(A) The following general formula (1)
R 4 represents the following formula (2):
A monovalent group represented by
R 6 is a group selected from R 1 or the following formula (3):
Wherein l and m are each independently an integer of 0 to 100, and n is an integer of 1 to 100.
However, at least one in the formula has R 1 . ]
An organopolysiloxane containing an alicyclic epoxy group and an aromatic hydrocarbon group represented by: 100 parts by mass,
(B) Curing agent having functional group reactive with epoxy group: 0.3 to 1.0 mol of functional group reactive with epoxy group with respect to 1 mol of epoxy group in component (A) The amount,
(C) Curing catalyst: 0.01 to 3 parts by mass with respect to 100 parts by mass in total of the components (A) and (B),
(D) Antioxidant: 0.1 to 0.5 parts by mass with respect to 100 parts by mass in total of the components (A) and (C),
A resin composition for sealing an optical semiconductor element, comprising:
Priority Applications (1)
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