JP2014197709A - 接合装置、接合方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 重ね合わされた複数の半導体基板を、それらを挟持する一対の基板ホルダを介して加熱することにより接合する接合装置であって、
前記複数の半導体基板が接合される際に、前記一対の基板ホルダの内部と外周部との温度差を減少させるべく前記一対の基板ホルダを温調する温度調整部を含み、
前記温度調整部は、
前記内部の温度を調整するホルダ温度調整部と、
前記外周部の温度を調整する外周温度調整部と、
前記ホルダ温度調整部および前記外周温度調整部の少なくとも一方を制御する制御部と
を有し、
前記外周温度調整部は、前記一対の基板ホルダの前記外周部の外方に配置された発熱部および冷却部を有し、
前記制御部は、前記外周部の温度が前記内部の温度と同じになるように、前記発熱部および前記冷却部を制御することを特徴とする接合装置。 - 前記温度調整部は、前記一対の基板ホルダを加熱するときは、前記内部の加熱温度よりも高い温度で前記外周部を加熱し、前記一対の基板ホルダを冷却するときは、前記外周部より先に前記内部を冷却する請求項1に記載の接合装置。
- 前記一対の基板ホルダの温度を検出する温度センサーを備え、
前記制御部は、前記温度センサーによる検出結果に基づいて前記発熱部および前記冷却部を制御する請求項1または2に記載の接合装置。 - 前記発熱部の熱量は、前記ホルダ温度調整部による熱量よりも大きい請求項1から3のいずれか一項に記載の接合装置。
- 前記一対の基板ホルダを挟む一対のステージを備え、
前記外周温度調整部は、前記一対のステージの少なくとも一方の外周から前記一対の基板ホルダの前記外周部を覆うように延伸する延伸部を有し、
前記発熱部および前記冷却部は前記延伸部に設けられている請求項1から4のいずれか一項に記載の接合装置。 - 前記一対のステージの少なくとも一方は他方に対して近接および離間し、
前記外周温度調整部は、前記一対のステージの両方に配され、
前記一対のステージが前記一対の基板ホルダを挟むべく近接した場合に、前記一対のステージの前記一方の前記延伸部と、前記一対のステージの前記他方の前記延伸部とが重なり合う請求項5に記載の接合装置。 - 前記一対のステージの少なくとも一方は、基板ホルダを仮置きするリフトピンを有し、
前記延伸部は、前記リフトピンが前記基板ホルダを仮置きする高さよりも低い請求項5または6に記載の接合装置。 - 前記延伸部において前記一対の基板ホルダに向いた内周面は、前記一対の基板ホルダの前記外周部からの輻射熱を反射する請求項5から7のいずれか一項に記載の接合装置。
- 前記ホルダ温度調整部による加熱および冷却の少なくとも一方が開始された後に、前記外周温度調整部による加熱および冷却の少なくとも一方が開始される請求項1から8のいずれか一項に記載の接合装置。
- 前記ホルダ温度調整部による加熱が停止された後に、前記外周温度調整部による加熱が停止される請求項1から9のいずれか一項に記載の接合装置。
- 互いに積層された複数の基板を挟んで保持し、前記複数の基板を保持する一対の基板ホルダの内部と外側の外周部との温度を調整する接合装置であって、
前記一対の基板ホルダを加熱および冷却の少なくとも一方を行う温度調整部と、
前記一対の基板ホルダの前記外周部の外方に配置され、前記一対の基板ホルダの前記外周部からの輻射熱を反射する反射部とを備え、
前記反射部は、反射する輻射熱が前記一対の基板ホルダに集中する曲面を有する接合装置。 - 重ね合わされた複数の半導体基板を、それらを挟持する一対の基板ホルダを介して加熱することにより接合する接合方法であって、
前記複数の半導体基板が接合される際に、前記一対の基板ホルダの基板内部とその外周部との温度差を減少させるべく前記一対の基板ホルダを温調する温度調整段階を含み、
前記温度調整段階は、
前記内部の温度を調整するホルダ温度調整段階と、
前記外周部の温度を調整する外周温度調整段階と、
を含み、
前記外周温度調整段階は、前記外周部の温度が前記内部の温度と同じになるように、前記一対の基板ホルダの前記外周部の外方に配置された発熱部および冷却部を制御することを特徴とする接合方法。 - 温度調整段階は、前記一対の基板ホルダを加熱するときは、前記内部の加熱温度よりも高い温度で前記外周部を加熱し、前記一対の基板ホルダを冷却するときは、前記外周部より先に前記内部を冷却する請求項12に記載の接合方法。
- 請求項12または13に記載の接合方法により前記一対の基板ホルダの温度を調整する段階と、
前記一対の基板ホルダを介して加熱された一対の基板を取り出して個片化する段階と
を含む半導体装置の製造方法。 - 加熱された前記一対の基板ホルダを冷却する段階と、
加熱された前記一対の基板ホルダの前記外周部を冷却する段階と、
をさらに含む請求項14に記載の半導体装置の製造方法。 - 重ね合わされた複数の半導体基板を加熱することにより接合する接合装置であって、
前記複数の半導体基板が接合される際に、前記複数の半導体基板の内部と外周部との温度差を減少させるべく前記複数の半導体基板を温調する温度調整部を含み、
前記温度調整部は、
前記内部の温度を調整する内部温度調整部と、
前記外周部の温度を調整する外周温度調整部と、
前記内部温度調整部および前記外周温度調整部の少なくとも一方を制御する制御部と
を有し、
前記外周温度調整部は、前記複数の半導体基板の前記外周部の外方に配置された発熱部および冷却部を有し、
前記制御部は、前記外周部の温度が前記内部の温度と同じになるように、前記発熱部および前記冷却部を制御することを特徴とする接合装置。 - 互いに積層された複数の基板の内部と外側の外周部との温度を調整する接合装置であって、
前記複数の基板を加熱および冷却の少なくとも一方を行う温度調整部と、
前記複数の基板の前記外周部の外方に配置され、前記複数の基板の前記外周部からの輻射熱を反射する反射部とを備え、
前記反射部は、反射する輻射熱が前記複数の基板に集中する曲面を有する接合装置。 - 重ね合わされた複数の半導体基板を加熱することにより接合する接合方法であって、
前記複数の半導体基板が接合される際に、前記複数の半導体基板の基板内部とその外周部との温度差を減少させるべく前記複数の半導体基板を温調する温度調整段階を含み、
前記温度調整段階は、
前記内部の温度を調整する内部温度調整段階と、
前記外周部の温度を調整する外周温度調整段階と、
を含み、
前記外周温度調整段階は、前記外周部の温度が前記内部の温度と同じになるように、前記複数の半導体基板の前記外周部の外方に配置された発熱部および冷却部を制御することを特徴とする接合方法。
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WO2018159907A1 (ko) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 주성엔지니어링(주) | 접합장치 및 이를 포함하는 라미네이터 |
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2014
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