JP2014192514A

JP2014192514A - Method for manufacturing group iii nitride semiconductor light emitting element

Info

Publication number: JP2014192514A
Application number: JP2013069759A
Authority: JP
Inventors: Shingo Toya; 真悟戸谷
Original assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Current assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date: 2013-03-28
Filing date: 2013-03-28
Publication date: 2014-10-06
Anticipated expiration: 2033-03-28
Also published as: JP5900400B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate the manufacture of a group III nitride semiconductor light emitting element improved in external quantum efficiency.SOLUTION: In a method for manufacturing a group III nitride semiconductor light emitting element, when at least one of electrodes is defined as a shield electrode, the electrodes forming an orthogonal projection relative to the light emitting surface of a luminous layer in a first electrode for a first conductivity type contact layer and a second electrode for a second conductivity type contact layer, a soluble layer made of an etchable material is formed in an orthogonal projection region of the shield electrode, above the first conductivity type contact layer; a transparent conductive film covering the first conductivity type contact layer and the soluble layer and made of metal oxide is formed; the transparent conductive film is subjected to heat treatment to be crystallized; the transparent conductive film is exposed to an etching medium capable of etching the soluble layer to etch the soluble layer; and an air layer is formed in a region where the soluble layer is removed.

Description

本発明は、外部量子効率を向上させたIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法に関する。特に、本発明は、発光層からの光が電極により遮蔽されることによる外部量子効率の低下を防止するための構造を有した発光素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a group III nitride semiconductor light emitting device having improved external quantum efficiency. In particular, the present invention relates to a method for manufacturing a light emitting element having a structure for preventing a decrease in external quantum efficiency due to light from a light emitting layer being shielded by an electrode.

従来から、III 族窒化物半導体発光素子の外部量子効率を向上させるために、発光層から放射された光が遮蔽される電極の下方領域（発光層の電極による影の部分）での電流密度を低減するため各種の工夫が成されている。下記特許文献１には、電流が発光面の一部の領域に集中することを防止するために、電極の下方に空気層を形成することが開示されている。また、特許文献２には、ｐ型コンタクト層上に、一部に窓の空けられた金属膜を形成して、ｐ伝導型基板をこれに接合し、窓部分に空気層を形成することが開示されている。この空気層に対応する上部にｎ型コンタクト層に対する電極を形成することで、電流が電極直下に集中しないようにしている。 Conventionally, in order to improve the external quantum efficiency of the group III nitride semiconductor light-emitting device, the current density in the lower region of the electrode where the light emitted from the light-emitting layer is shielded (the shaded portion by the electrode of the light-emitting layer) Various ideas have been made to reduce this. Patent Document 1 below discloses that an air layer is formed below an electrode in order to prevent current from concentrating on a partial region of the light emitting surface. Further, in Patent Document 2, a metal film with a window opened in part is formed on a p-type contact layer, a p-conductivity type substrate is bonded thereto, and an air layer is formed in the window portion. It is disclosed. By forming an electrode for the n-type contact layer in the upper part corresponding to the air layer, current is prevented from being concentrated directly under the electrode.

特表２０１１−５１７０８５Special table 2011-517085 特開２００１−１４４３２１JP 2001-144321 A

しかしながら、特許文献１には、空気層を形成する方法については開示がない。また、特許文献２では、ｐ型コンタクト層上に一様に金属膜を形成して、ｎ電極の下方に相当する部分の金属膜に、エッチングにより窓を形成している。そして、特許文献２の方法は、金属膜を介してｐ型コンタクト層と導電性基板とを接合することにより、ｎ電極の下部に相当する窓部分に空気層を形成する方法である。 However, Patent Document 1 does not disclose a method for forming an air layer. In Patent Document 2, a metal film is uniformly formed on the p-type contact layer, and a window is formed by etching in the metal film corresponding to the lower part of the n-electrode. And the method of patent document 2 is a method of forming an air layer in the window part equivalent to the lower part of n electrode by joining a p-type contact layer and a conductive substrate through a metal film.

このため、特許文献２の方法では、ｐ型コンタクト層を導電性基板に接合することで空気層を形成する方法であるので、成長基板をエピタキシャル成長層から剥離させて、ｎ型コンタクト層側から光を出力させる基板リフトオフによる素子にしか用いることができない。
そこで、本発明の目的は、電流が電極の下方の発光層の領域に集中しないように、電極の下方に相当する部分に空気層を容易に形成することである。 For this reason, since the method of Patent Document 2 is a method of forming an air layer by bonding a p-type contact layer to a conductive substrate, the growth substrate is peeled from the epitaxial growth layer, and light is emitted from the n-type contact layer side. It can be used only for the element by the substrate lift-off which outputs.
Accordingly, an object of the present invention is to easily form an air layer in a portion corresponding to the lower part of the electrode so that current does not concentrate on the region of the light emitting layer below the electrode.

第１の発明は、III 族窒化物半導体から成る第１伝導型コンタクト層、発光層、第２伝導型コンタクト層を少なくとも有する積層体を有し、その積層体のうちの第１伝導型コンタクト層に接合した電流拡散のための透光性導電膜とを有するIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法において、第１伝導型コンタクト層に対する第１電極、第２伝導型コンタクト層に対する第２電極において、発光層の発光面に対して正射影を形成する電極のうち、少なくとも一方の電極を遮蔽電極とするとき、第１伝導型コンタクト層の上方であって、遮蔽電極の正射影領域の少なくとも一部の領域に、エッチング可能な材料による可溶解層を形成し、第１伝導型コンタクト層及び可溶解層を覆う金属酸化物から成る透明導電膜を形成し、透明導電膜を熱処理して、透明導電膜を結晶化し、可溶解層のエッチングが可能なエッチング媒体に、透明導電膜を晒して、可溶解層をエッチングして、可溶解層の除去された領域に空気層を形成することを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法である。 1st invention has the laminated body which has a 1st conductivity type contact layer which consists of a group III nitride semiconductor, a light emitting layer, and a 2nd conductivity type contact layer at least, The 1st conductivity type contact layer of the laminated body In a method for manufacturing a group III nitride semiconductor light emitting device having a translucent conductive film for current diffusion bonded to a first electrode, a first electrode for a first conductivity type contact layer and a second electrode for a second conductivity type contact layer When at least one of the electrodes forming an orthogonal projection with respect to the light emitting surface of the light emitting layer is used as a shielding electrode, it is above the first conductivity type contact layer and at least one of the orthogonal projection regions of the shielding electrode. Forming a dissolvable layer made of an etchable material in the region, forming a transparent conductive film made of a metal oxide covering the first conductive type contact layer and the dissolvable layer, and heat-treating the transparent conductive film Crystallizing the transparent conductive film, exposing the transparent conductive film to an etching medium capable of etching the soluble layer, etching the soluble layer, and forming an air layer in the area where the soluble layer has been removed. This is a method for producing a group III nitride semiconductor light emitting device.

ここにおいて、発光素子は、第１伝導型コンタクト層側から光を出力するフェースアップ型（ワイヤボンディング型）であっても、成長基板側から光を出力するフェースダウン型であっても、エピタキシャル成長層を成長基板上に成長させた後に、第１伝導型コンタクト層を支持基板に接合した後、成長基板を剥離させて、露出した第２伝導型コンタクト層側から光を出力する基板リフトオフ型であっても良い。 Here, the light-emitting element may be a face-up type (wire bonding type) that outputs light from the first conduction type contact layer side or a face-down type that outputs light from the growth substrate side. After the first conductive type contact layer is bonded to the support substrate, the growth substrate is peeled off, and light is output from the exposed second conductive type contact layer side. May be.

フェースアップ型の発光素子においては、第１伝導型コンタクト層から光を外部に出力するために、第１伝導型コンタクト層に対する第１電極が光を遮蔽する遮蔽電極となる。このために、透明導電性膜の遮蔽電極の下方部分に、空気層が形成される。また、フェースダウン型発光素子及び基板リフトオフ型発光素子においては、第１伝導型コンタクト層が透明導電膜と、絶縁膜とを介して、パッド電極や電極を兼ねる反射膜に接合される。そして、絶縁膜に形成された孔を介して、透明導電膜とパッド電極とを接続する、第１伝導型コンタクト層に対する第１電極が形成される。また、第１電極、第２電極は、単一面積の電極であっても、透明導電膜やコンタクト層との接触部分が、複数の島状であっても、線状や、櫛歯状のパターンであっても良い。 In the face-up type light emitting device, the first electrode with respect to the first conductivity type contact layer serves as a shielding electrode for shielding light in order to output light from the first conductivity type contact layer to the outside. For this reason, an air layer is formed in the lower part of the shielding electrode of the transparent conductive film. In the face-down light-emitting element and the substrate lift-off light-emitting element, the first conductive contact layer is bonded to the pad electrode and the reflective film that also serves as the electrode through the transparent conductive film and the insulating film. And the 1st electrode with respect to a 1st conductivity type contact layer which connects a transparent conductive film and a pad electrode through the hole formed in the insulating film is formed. In addition, the first electrode and the second electrode may be single-area electrodes, or the contact portions with the transparent conductive film or the contact layer may have a plurality of island shapes, linear shapes, or comb-like shapes. It may be a pattern.

これらの型の発光素子では、発光層から反射膜に向かう光、及び反射膜で反射されて光出力面に向かう光に対して、第１電極が光を遮蔽する遮蔽電極となる。このために、第１伝導型コンタクト層の上方であって、この遮蔽電極の形成される領域の下方に、空気層が形成される。なお、「上方」、「下方」は、発光素子の使用状況、すなわち、光の出力する方向に対する定義ではなく、成長基板上にエピタキシャル層を成長させる方向を上方、逆方向を下方と定義する。したがって、フェースアップ型発光素子の場合には、光出力方向とエピタキシャル成長層の成長方向とが一致しており、第１伝導型コンタクト層の外側、すなわち、発光層とは逆の側が、上方となる。逆に、ファースダウン型発光素子と基板リフトフオ型発光素子の場合には、最初に成長させるエピタキシャル成長層の側から光が出力されるので、光取り出し方向と、エピタキシャル成長方向とは、逆向きになる。本発明では、発光素子の型にかかわらず、一様に定義するために、エピタキシャル成長方向、すなわち、第１伝導型コンタクト層の外向き（発光層と反対側の向き）を上方と定義している。 In these types of light-emitting elements, the first electrode serves as a shielding electrode that shields light from the light-emitting layer toward the reflection film and light reflected from the reflection film toward the light output surface. For this purpose, an air layer is formed above the first conductivity type contact layer and below the region where the shielding electrode is formed. “Upper” and “lower” are not defined with respect to the usage state of the light emitting element, that is, the light output direction, but the direction in which the epitaxial layer is grown on the growth substrate is defined as the upper direction and the reverse direction is defined as the lower direction. Therefore, in the case of the face-up type light emitting device, the light output direction and the growth direction of the epitaxial growth layer coincide with each other, and the outer side of the first conductivity type contact layer, that is, the side opposite to the light emitting layer is the upper side. . On the other hand, in the case of the first down type light emitting device and the substrate lift photo type light emitting device, light is output from the side of the epitaxial growth layer grown first, so that the light extraction direction and the epitaxial growth direction are opposite. In the present invention, the epitaxial growth direction, that is, the outward direction of the first conductivity type contact layer (the direction opposite to the light emitting layer) is defined as the upper direction in order to define it uniformly regardless of the type of the light emitting element. .

また、基板リフトオフ型発光素子の場合には、上述したように第１伝導型コンタクト層に対する第１電極が遮蔽電極となる場合の他、第２伝導型コンタクト層側から光が出力されるので、第２伝導型コンタクト層の面上に第２電極が形成される場合には、この第２電極も遮蔽電極となる。したがって、第１伝導型コンタクト層の上方であって、この第２電極の正射影領域（上方）に、空気層が形成されていても良い。なお、遮蔽電極の正射影領域の少なくとも一部の領域に、可溶解層が形成されるとは、可溶解層又は空気層の形成領域が遮蔽電極の正射影領域と完全に一致している場合の他、可溶解層又は空気層の形成領域が、正射影領域を内部に包含している場合、正射影領域の大部分を占める中心部を含んでいるが、少ない面積の周辺部は含んでいない場合、正射影領域の一部分に含まれている場合、正射影領域の一部分を含む場合をも含むものとする。 Further, in the case of the substrate lift-off type light emitting element, light is output from the second conductive type contact layer side in addition to the case where the first electrode with respect to the first conductive type contact layer is a shielding electrode as described above. When the second electrode is formed on the surface of the second conductivity type contact layer, this second electrode also becomes a shielding electrode. Therefore, an air layer may be formed above the first conductivity type contact layer and in the orthogonal projection region (above) of the second electrode. Note that a dissolvable layer is formed in at least a part of the orthogonal projection region of the shielding electrode when the formation region of the dissolvable layer or the air layer completely coincides with the orthogonal projection region of the shielding electrode. In addition, when the dissolvable layer or air layer formation region includes the orthographic projection region, it includes the central portion that occupies most of the orthographic projection region, but does not include the peripheral portion of a small area. If it is not included, it is included in a part of the orthographic projection area, and includes a case of including a part of the orthographic projection area.

空気層の存在により、発光層における遮蔽電極の正射影領域には、空気層により電流の流れが抑制されるので、この正射影領域での発光が抑制され、電流は他の領域に迂回して流れる。この結果、遮蔽電極で遮蔽される光の発光を抑制して、遮蔽されない光の強度を向上させることができる。また、空気層は、屈折率が最も小さいので、第１伝導型コンタクト層の空気層に対する屈折率比を大きくできる。この結果、全反射の臨界角を小さくでき、空気層側への光の透過を抑制することができる。これらの作用により、発光素子の外部量子効率を向上させることができる。 Due to the presence of the air layer, the current flow is suppressed by the air layer in the orthogonal projection region of the shielding electrode in the light emitting layer, so light emission in this orthogonal projection region is suppressed, and the current bypasses to other regions. Flowing. As a result, it is possible to suppress light emission shielded by the shielding electrode and improve the intensity of light not shielded. Further, since the air layer has the smallest refractive index, the refractive index ratio of the first conductive contact layer to the air layer can be increased. As a result, the critical angle of total reflection can be reduced, and light transmission to the air layer side can be suppressed. With these actions, the external quantum efficiency of the light emitting element can be improved.

可溶解層は、空気層を形成するための層である。この可溶解層は、第１伝導型コンタクト層の面上に接合して形成されることが望ましい。しかしながら、第１伝導型コンタクト層と可溶解層との間に、可溶解層に対してエッチング耐性の大きい絶縁膜が形成されていても良い。また、第１伝導型コンタクト層の面上に、空気層と第１伝導型コンタクト層との間の導電性を向上させない程度に薄い透明導電膜を形成した後に、可溶解層を形成し、さらに、全面に透明導電膜を形成しても良い。すなわち、可溶解層は、第１伝導型コンタクト層の面上に形成される透明導電膜の内部に形成されていても良い。また、第１伝導型コンタクト層と透明導電膜との間に透光性、導電性、耐エッチング性の高い薄膜が形成されていても良い。第１伝導型コンタクト層をエッチング媒体から保護するためである。透明導電膜の内部に可溶解層を形成する方法は、フォトリソグラフィ、透明導電膜の選択形成など、各種の方法を用いることができる。 The dissolvable layer is a layer for forming an air layer. The soluble layer is preferably formed on the surface of the first conductivity type contact layer by bonding. However, an insulating film having high etching resistance with respect to the soluble layer may be formed between the first conductivity type contact layer and the soluble layer. Moreover, after forming a thin transparent conductive film on the surface of the first conductivity type contact layer so as not to improve the conductivity between the air layer and the first conductivity type contact layer, a soluble layer is formed, A transparent conductive film may be formed on the entire surface. That is, the dissolvable layer may be formed inside the transparent conductive film formed on the surface of the first conductivity type contact layer. In addition, a thin film having high translucency, conductivity, and etching resistance may be formed between the first conductivity type contact layer and the transparent conductive film. This is to protect the first conductivity type contact layer from the etching medium. Various methods, such as photolithography and selective formation of a transparent conductive film, can be used as a method for forming a soluble layer in the transparent conductive film.

また、遮蔽電極の形成は、空気層を形成した後に形成することが、望ましい。可溶解層のエッチングが容易であるためである。しかし、遮蔽電極にエッチング耐性があれば、遮蔽電極を形成した後に、可溶解層をエッチングして空気層を形成しても良い。 The shield electrode is preferably formed after the air layer is formed. This is because the soluble layer can be easily etched. However, if the shield electrode has etching resistance, the soluble layer may be etched to form the air layer after the shield electrode is formed.

透明導電膜は、発光層からの発光の波長に対して、透過率が高く、導電率が高い材料であれば、任意である。透明導電膜は、一般的には、金属酸化物を採用することができる。例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルニミウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、フッ素錫酸化物（ＦＴＯ）、ニオブチタン酸化物（ＴＮＯ）、カドミニウム錫酸化物（ＣＴＯ）である。金属酸化物の場合には、熱処理による結晶化を行うことで、粒界を形成して、この粒界で形成される経路を通して、エッチング媒体を可溶解層まで浸透させることができる。透明導電膜の熱処理の温度は、６００℃以上、７５０℃以下が望ましい。この温度範囲の時には、粒界の形成を効果的に行うことができる。 The transparent conductive film is optional as long as it has a high transmittance and a high conductivity with respect to the wavelength of light emitted from the light emitting layer. Generally, a metal oxide can be adopted for the transparent conductive film. For example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), fluorine tin oxide (FTO), niobium titanium oxide (TNO), cadmium tin oxide (CTO). In the case of a metal oxide, by performing crystallization by heat treatment, a grain boundary can be formed, and the etching medium can penetrate into the soluble layer through a path formed by the grain boundary. The heat treatment temperature of the transparent conductive film is preferably 600 ° C. or higher and 750 ° C. or lower. In this temperature range, grain boundaries can be formed effectively.

可溶解層の材料は、透明導電膜に比較して、容易にエッチングされる材料であれば良い。例えば、可溶解層には、二酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、金属のうち少なくとも１種を用いることができる。また、エッチング媒体は、可溶解層を容易にエッチングでき、透明導電膜をエッチングし難い材料を用いることができる。可溶解層のエッチングは、フッ化水素（ＨＦ）によるウエットエッチング、又は、少なくともフッ化炭素系ガスを含むガス（望ましくは酸素ガスを含む）によるプラズマエッチングを採用することができる。 The material of the dissolvable layer may be any material that can be etched more easily than the transparent conductive film. For example, at least one of silicon dioxide (SiO ₂ ), silicon nitride (SiN), and metal can be used for the soluble layer. As the etching medium, a material that can easily etch the soluble layer and hardly etch the transparent conductive film can be used. Etching of the soluble layer can employ wet etching with hydrogen fluoride (HF) or plasma etching with a gas containing at least a fluorocarbon-based gas (preferably containing oxygen gas).

上記発明において、第１伝導型コンタクト層は、ｐ型コンタクト層であり、遮蔽電極は、第１伝導型コンタクト層に対する電極とすることができる。また、第１伝導型コンタクト層は、ｐ型コンタクト層であり、第２伝導型コンタクト層はｎ型コンタクト層であり、遮蔽電極は、第２伝導型コンタクト層に対する電極とすることができる。 In the above invention, the first conductive contact layer may be a p-type contact layer, and the shielding electrode may be an electrode for the first conductive contact layer. The first conductivity type contact layer may be a p-type contact layer, the second conductivity type contact layer may be an n-type contact layer, and the shielding electrode may be an electrode for the second conductivity type contact layer.

本発明は、第１伝導型コンタクト層の上に、可溶解層と透明導電膜を形成して、熱処理をすることで透明導電膜を結晶化した後に、エッチング媒体に、透明導電膜を晒すことで、結晶化により透明導電膜に生じた粒界を介して、エッチング媒体を可溶解層に導入することができる。これにより、可溶解層を容易にエッチングして除去して、可溶解層の形成された領域を空気層とすることができる。この空気層は、発光層からの光を遮蔽する遮蔽電極の正射影領域に形成されていることから、発光層のこの部分での電流密度を低減でき、この領域で発光強度を低下できる。また、電流は発光層の他の領域に迂回するので、同一駆動電流に対しては、発光出力を向上させることかできる。また、空気層は、屈折率が小さいので、全反射臨界角を小さくでき、第１伝導型コンタクト層からの光が遮蔽電極によって吸収される前に空気層により第１伝導型コンタクト層側に反射させることができる。これらの結果として、発光素子の外部量子効率を向上させる構造を、容易に製造することができる。 In the present invention, a soluble layer and a transparent conductive film are formed on the first conductive type contact layer, and after the transparent conductive film is crystallized by heat treatment, the transparent conductive film is exposed to an etching medium. Thus, the etching medium can be introduced into the dissolvable layer through the grain boundary generated in the transparent conductive film by crystallization. Thereby, the dissolvable layer can be easily etched and removed, and the region where the dissolvable layer is formed can be used as an air layer. Since the air layer is formed in the orthogonal projection region of the shielding electrode that shields light from the light emitting layer, the current density in this portion of the light emitting layer can be reduced, and the light emission intensity can be reduced in this region. Further, since the current is diverted to the other region of the light emitting layer, the light emission output can be improved for the same driving current. In addition, since the air layer has a small refractive index, the total reflection critical angle can be reduced, and the light from the first conductive contact layer is reflected by the air layer toward the first conductive contact layer before being absorbed by the shielding electrode. Can be made. As a result, a structure that improves the external quantum efficiency of the light-emitting element can be easily manufactured.

本発明の具体的な実施例に係る実施例１のIII 族窒化物半導体発光素子の縦断面図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a group III nitride semiconductor light emitting device of Example 1 according to a specific example of the invention. 実施例１のIII 族窒化物半導体発光素子の平面図。FIG. 3 is a plan view of the group III nitride semiconductor light-emitting device of Example 1. 同実施例の発光素子の製法を示す発光素子の断面図。Sectional drawing of the light emitting element which shows the manufacturing method of the light emitting element of the Example. 同実施例の発光素子の製法を示す発光素子の断面図。Sectional drawing of the light emitting element which shows the manufacturing method of the light emitting element of the Example. 同実施例の発光素子の製法を示す発光素子の断面図。Sectional drawing of the light emitting element which shows the manufacturing method of the light emitting element of the Example. 本発明の具体的な実施例に係る実施例２のIII 族窒化物半導体発光素子の平面図。The top view of the group III nitride semiconductor light-emitting device of Example 2 which concerns on the specific Example of this invention. 実施例２のIII 族窒化物半導体発光素子の縦断面図。FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a group III nitride semiconductor light-emitting device of Example 2. 本発明の具体的な実施例に係る実施例２の変形例のIII 族窒化物半導体発光素子の平面図。The top view of the group III nitride semiconductor light-emitting device of the modification of Example 2 which concerns on the specific Example of this invention. 実施例２の変形例のIII 族窒化物半導体発光素子の縦断面図。FIG. 6 is a longitudinal sectional view of a group III nitride semiconductor light-emitting device according to a modification of Example 2. 本発明の具体的な実施例に係る実施例３の発光素子の断面図。Sectional drawing of the light emitting element of Example 3 which concerns on the specific Example of this invention. 本発明の具体的な実施例に係る実施例５の発光素子の断面図。Sectional drawing of the light emitting element of Example 5 which concerns on the specific Example of this invention.

以下、本発明の具体的な実施例について図を参照して説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, specific examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the examples.

本実施例は、フェースアップ型の発光素子である。図１は、本実施例１の半導体発光素子１を示す断面図であり、図２はその平面図である。厚さ１００μｍのサファイヤ基板１０１の上には窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成る膜厚約２０ｎｍのバッファ層１０２が設けられ、その上にシリコン（Ｓｉ）ドープのＧａＮから成る膜厚約８．０μｍの高キャリア濃度ｎ⁺層であるｎ型コンタクト層１０４（第２伝導型コンタクト層）が形成されている。このｎ型コンタクト層１０４の電子濃度は５×１０¹⁸／ｃｍ³である。この層の電子濃度は、高い程、望ましいが、２×１０¹⁹／ｃｍ³まで、増加可能である。そして、ｎ型コンタクト層１０４の上にＩｎ_0.03Ｇａ_0.97Ｎからなる歪み緩和層１０５が２００ｎｍの厚さに形成されている。そして、その歪み緩和層１０５の上に、膜厚２０ｎｍのノンドープのＧａＮと膜厚３ｎｍのノンドープのＧａ_0.8Ｉｎ_0.2Ｎからなる３周期分積層した多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の発光層１０６が形成されている。発光層１０６の上にはマグネシウム（Ｍｇ）ドープのＡｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎから成る膜厚約６０ｎｍのクラッド層に相当するｐ型層１０７が形成されている。さらに、ｐ型層１０７の上にはマグネシウム（Ｍｇ）ドープのＧａＮから成る膜厚約１３０ｎｍのｐ型コンタクト層１０８（第１伝導型コンタクト層）が形成されている。 This embodiment is a face-up type light emitting element. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a semiconductor light emitting device 1 of Example 1, and FIG. 2 is a plan view thereof. A buffer layer 102 made of aluminum nitride (AlN) and having a film thickness of about 20 nm is provided on a sapphire substrate 101 having a thickness of 100 μm, and a high film thickness of about 8.0 μm made of silicon (Si) -doped GaN. An n-type contact layer 104 (second conductivity type contact layer) which is a carrier concentration n ⁺ layer is formed. The n-type contact layer 104 has an electron concentration of 5 × 10 ¹⁸ / cm ³ . The higher the electron concentration of this layer, the better, but it can be increased to 2 × 10 ¹⁹ / cm ³ . A strain relaxation layer 105 made of In _0.03 Ga _0.97 N is formed on the n-type contact layer 104 to a thickness of 200 nm. Then, on the strain relaxation layer 105, a light emitting layer 106 having a multiple quantum well structure (MQW) formed by stacking three periods of non-doped GaN having a thickness of 20 nm and non-doped Ga _0.8 In _0.2 N having a thickness of 3 nm is formed. Has been. On the light emitting layer 106, a p-type layer 107 corresponding to a clad layer having a film thickness of about 60 nm made of magnesium (Mg) -doped Al _0.15 Ga _0.85 N is formed. Further, on the p-type layer 107, a p-type contact layer 108 (first conductivity type contact layer) made of magnesium (Mg) -doped GaN and having a thickness of about 130 nm is formed.

また、ｐ型コンタクト層１０８の上にはスパッタ法により形成されたＩＴＯから成る透明導電膜１０が形成されている。ｐ型コンタクト層１０８の平面上周辺部には、環状に幅３μｍの露出部５が形成されている。この露出部５の幅は、発光効率から言えば、狭い程望ましいが、段差の側壁におけるｐｎ接合の短絡の防止を考慮すると、最低、１μｍ設けるのが望ましい。透明導電膜１０の上には、ＳｉＯ₂から成る透光性絶縁膜２０が形成されている。透明導電膜１０の厚さは、７０ｎｍ、透光性絶縁膜２０は、厚さ、２００ｎｍである。透光性絶縁膜２０に開けられた窓に形成されたｐパッド電極４０（第１電極）は、厚さ０．０１μｍのチタン（Ｔｉ）と、厚さ０．５μｍの金（Ａｕ）との２重構造で構成されている。また、ｐ電極パッド４０は、ＴｉとＡｕの合金で構成されていても良い。発光層１０６から放射された光は、ｐ型コンタクト層１０８の側から出力される。したがって、このｐパッド電極４０は、この光に対しては、外部への光の放出を遮ることになる。したがって、本実施例では、ｐ電極パッド４０が遮蔽電極となる。 A transparent conductive film 10 made of ITO formed by sputtering is formed on the p-type contact layer 108. An exposed portion 5 having a width of 3 μm is formed in the periphery of the p-type contact layer 108 on the plane. The width of the exposed portion 5 is preferably as narrow as possible in terms of light emission efficiency, but it is desirable to provide at least 1 μm in consideration of prevention of a short circuit of the pn junction on the side wall of the step. A transparent insulating film 20 made of SiO ₂ is formed on the transparent conductive film 10. The transparent conductive film 10 has a thickness of 70 nm, and the translucent insulating film 20 has a thickness of 200 nm. The p-pad electrode 40 (first electrode) formed in the window opened in the translucent insulating film 20 is made of titanium (Ti) having a thickness of 0.01 μm and gold (Au) having a thickness of 0.5 μm. It is composed of a double structure. The p electrode pad 40 may be made of an alloy of Ti and Au. Light emitted from the light emitting layer 106 is output from the p-type contact layer 108 side. Therefore, the p pad electrode 40 blocks the light from being emitted to the outside. Therefore, in this embodiment, the p-electrode pad 40 becomes a shielding electrode.

一方、ｐ型コンタクト層１０８からエッチングして、露出したｎ型コンタクト層１０４上には、ｎパッド電極３０（第２電極）が形成されている。ｎパッド電極３０は２重構造をしており、膜厚約１８ｎｍのバナジウム（Ｖ）層３１と、膜厚約１．８μｍのアルミニウム（Ａｌ）層３２とをｎ型コンタクト層１０４の一部露出された部分である電極形成部１６に、順次積層させることにより構成されている。 On the other hand, an n-pad electrode 30 (second electrode) is formed on the exposed n-type contact layer 104 by etching from the p-type contact layer 108. The n-pad electrode 30 has a double structure, and a vanadium (V) layer 31 having a thickness of about 18 nm and an aluminum (Al) layer 32 having a thickness of about 1.8 μm are partially exposed from the n-type contact layer 104. It is configured by sequentially laminating the electrode forming portion 16 which is the formed portion.

そして、ｐパッド電極４０の下方のｐ型コンタクト層１０８の上面において、透明導電膜１０とｐ型コンタクト層１０８との間に厚さ１４０ｎｍの空気層５０が形成されている。この空気層５０は、ｐパッド電極４０のｐ型コンタクト層１０８上の正射影領域に形成される。したがって、空気層５０の平面形状は、ｐパッド電極４０の平面形状と同一である。 An air layer 50 having a thickness of 140 nm is formed between the transparent conductive film 10 and the p-type contact layer 108 on the upper surface of the p-type contact layer 108 below the p-pad electrode 40. The air layer 50 is formed in an orthogonal projection region on the p-type contact layer 108 of the p-pad electrode 40. Therefore, the planar shape of the air layer 50 is the same as the planar shape of the p-pad electrode 40.

次に、本実施例に係る半導体発光素子の製法について説明する。まず、サファイア基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法により、４００℃において、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の低温成長によるバッファ層１０２が形成される。次に、それぞれのIII 族窒化物半導体のエピタキシャル成長の最適温度に調整しつつ、ＭＯＣＶＤ法によってIII 族窒化物半導体からなるｎ型コンタクト層１０４、歪み緩和層１０５、発光層１０６、ｐ型層１０７、ｐ型コンタクト層１０８を順に積層させた。ＭＯＣＶＤ法において用いる原料ガスは、窒素源として、アンモニア（ＮＨ₃）、Ｇａ源として、トリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ₃）₃）、Ｉｎ源として、トリメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ₃）₃）、Ａｌ源として、トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ₃）₃）、ｎ型ドーピングガスとして、シラン（ＳｉＨ₄）、ｐ型ドーピングガスとしてシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｍｇ（Ｃ₅Ｈ₅）₂）、キャリアガスとしてＨ₂またはＮ₂である。 Next, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device according to this example will be described. First, the buffer layer 102 is formed on the sapphire substrate 101 by the low temperature growth of aluminum nitride (AlN) at 400 ° C. by MOCVD. Next, an n-type contact layer 104 made of a group III nitride semiconductor, a strain relaxation layer 105, a light emitting layer 106, a p-type layer 107, while adjusting to the optimum temperature for epitaxial growth of each group III nitride semiconductor by MOCVD. The p-type contact layer 108 was laminated in order. Raw material gas used in the MOCVD method, as the nitrogen source, ammonia (NH _3), as a Ga source, trimethyl gallium _{_{(Ga (CH 3) 3)}} , as an In source, trimethylindium _{_{(In (CH 3) 3)}} , Al source Trimethylaluminum (Al (CH ₃ ) ₃ ), silane (SiH ₄ ) as an n-type doping gas, cyclopentadienylmagnesium (Mg (C ₅ H ₅ ) ₂ ) as a p-type doping gas, and H as a carrier gas ₂ or N ₂ .

以上の半導体層のエピタキシャル成長については、良く知られた方法である。図３に示すように、ｐ型コンタクト層１０８の上面の、後に形成されるｐパッド電極４０の正射影領域にＳｉＯ₂から成る可溶解層６１が１４０ｎｍの厚さに形成された。この可溶解層６１の形成は、次のように行った。ｐ型コンタクト層１０８の全面にＳｉＯ₂膜を厚さ１４０ｎｍにＣＶＤ法により形成した。その後、ＳｉＯ₂膜の全面に、フォトレジスト膜を形成して、フォトリソグラフィにより、フォトレジスト膜を、ｐパッド電極４０の正射影領域に残した。次に、残されたフォトレジスト膜をマスクとして、フォトレジスト膜で覆われていないＳｉＯ₂膜の領域を希フッ化水素酸液でエッチングして除去した。これにより、ｐ型コンタクト層１０８上のｐパッド電極４０の正射影領域に厚さ１４０ｎｍのＳｉＯ₂から成る可溶解層６１が形成された。次に、図４に示すように、ＩＴＯを、スパッタリングにより、厚さ７０ｎｍに、可溶解層６１及びｐ型コンタクト層１０８の上面に、一様に堆積させて透明導電膜１２を形成した。 The above-described epitaxial growth of the semiconductor layer is a well-known method. As shown in FIG. 3, a dissolvable layer 61 made of SiO ₂ was formed to a thickness of 140 nm on the upper surface of the p-type contact layer 108 in the orthogonal projection region of the p-pad electrode 40 to be formed later. The soluble layer 61 was formed as follows. A SiO ₂ film having a thickness of 140 nm was formed on the entire surface of the p-type contact layer 108 by a CVD method. Thereafter, a photoresist film was formed on the entire surface of the SiO ₂ film, and the photoresist film was left in the orthogonal projection region of the p pad electrode 40 by photolithography. Next, using the remaining photoresist film as a mask, the region of the SiO ₂ film not covered with the photoresist film was removed by etching with a diluted hydrofluoric acid solution. As a result, a dissolvable layer 61 made of SiO ₂ having a thickness of 140 nm was formed in the orthogonal projection region of the p-pad electrode 40 on the p-type contact layer 108. Next, as shown in FIG. 4, ITO was uniformly deposited on the upper surfaces of the soluble layer 61 and the p-type contact layer 108 to a thickness of 70 nm by sputtering to form the transparent conductive film 12.

次に、その透明導電膜１２の上の全面に、フォトレジスト膜１３を塗布し、フォトリソグラフィにより、ｎパッド電極３０の形成領域に、フォトレジスト膜１３に窓を開けた。次に、この状態で、ウエットエッチングを行い、ｎパッド電極３０の形成領域の透明導電膜１２が除去された。そして、フォトレジスト膜１３と透明導電膜１２との２重膜をマスクとして、塩素プラズマによりドライエッチングを行った。この結果、図５に示すように、ｎ型コンタクト層１０４が露出して、電極形成部１６が形成された。次に、フォトレジスト膜１３が除去され、この状態の透明導電膜１２が、図１に示す半導体発光素子１の透明導電膜１０となる。 Next, a photoresist film 13 was applied on the entire surface of the transparent conductive film 12, and a window was opened in the photoresist film 13 in the formation region of the n-pad electrode 30 by photolithography. Next, wet etching was performed in this state, and the transparent conductive film 12 in the region where the n pad electrode 30 was formed was removed. Then, dry etching was performed by chlorine plasma using the double film of the photoresist film 13 and the transparent conductive film 12 as a mask. As a result, as shown in FIG. 5, the n-type contact layer 104 was exposed, and the electrode forming portion 16 was formed. Next, the photoresist film 13 is removed, and the transparent conductive film 12 in this state becomes the transparent conductive film 10 of the semiconductor light emitting device 1 shown in FIG.

次に、この状態で、素子は、減圧（１Ｐａ）、窒素雰囲気中、７００℃で、３分間、加熱処理されて、透明導電膜１０は結晶化された。この時、結晶粒界が現れた。次に、ｎ型コンタクト層１０４の露出部である電極形成部１６と段差の側壁１８と透明導電膜１０の外周部及び、その他の必要な箇所をフォトレジストでマスクして、素子を５０℃に保持し、透明導電膜１０を、四フッ化炭素ガス（ＣＦ₄）と酸素ガスとの混合ガスのプラズマ中に、１５分間晒した。エッチングガスは、透明導電膜１０に形成された結晶粒界による微小隙間を介し、又は、粒界をエッチングしつつ、透明導電膜１０の内部に浸透し、可溶解層６１に至り、可溶解層６１がエッチングされた。この結果、この領域に、図１に示す空気層５０が形成された。この状態を、光学顕微鏡で観察したところ、可溶解層６１が除去されて、空気層５０が形成されたことが確認された。なお、比較列として、透明導電膜１０の熱処理をせずに、同一エッチングガスのプラズマ雰囲気中に、透明導電膜１０を晒したが、この場合には可溶解層６１は除去されず、空気層５０は形成されなかったことが確認された。 Next, in this state, the device was subjected to heat treatment at 700 ° C. for 3 minutes in a reduced pressure (1 Pa) and nitrogen atmosphere, and the transparent conductive film 10 was crystallized. At this time, a grain boundary appeared. Next, the electrode forming portion 16 which is the exposed portion of the n-type contact layer 104, the side wall 18 of the step, the outer peripheral portion of the transparent conductive film 10 and other necessary portions are masked with a photoresist, and the device is heated to 50 ° C. The transparent conductive film 10 was held in a plasma of a mixed gas of carbon tetrafluoride gas (CF ₄ ) and oxygen gas for 15 minutes. The etching gas permeates into the transparent conductive film 10 through a minute gap due to the crystal grain boundary formed in the transparent conductive film 10 or while etching the grain boundary, reaches the soluble layer 61, and is dissolved in the soluble layer. 61 was etched. As a result, the air layer 50 shown in FIG. 1 was formed in this region. When this state was observed with an optical microscope, it was confirmed that the soluble layer 61 was removed and the air layer 50 was formed. As a comparison row, the transparent conductive film 10 was exposed to the plasma atmosphere of the same etching gas without heat treatment of the transparent conductive film 10, but in this case, the soluble layer 61 was not removed and the air layer It was confirmed that 50 was not formed.

この後、最表面上に一様にフォトレジストを塗布し、露光及び現像により、透明導電膜１０上のｐパッド電極４０の形成領域に窓を形成して、厚さ０．０１μｍにＴｉと、厚さ０．５μｍにＡｕを堆積して、フォトレジストをリフトオフして、ｐパッド電極４０を形成した。その後、同様に、最表面上に一様にフォトレジストを塗布し、露光及び現像により、ｎ型コンタクト層１０４の電極形成部１６に対応する部分に窓を開けて、厚さ１８ｎｍにＶと、厚さ１．８μｍにＡｌを堆積して、ｎパッド電極３０を形成した。その後、最表面上に一様にＳｉＯ₂を２００ｎｍの厚さに堆積して、さらに面上に一様に、フォトレジストを塗布し、露光及び現像により、所定領域に窓を開けて、フッ素系のエッチングガスによりドライエッチングを行い、その後、レジストを除去して、透光性絶縁膜２０を形成した。このようにして、ｐ型コンタクト層１０８の上面であって、ｐパッド電極４０の下方の正射影領域に空気層５０を有した透明導電膜１０が形成された。 Thereafter, a photoresist is uniformly applied on the outermost surface, and a window is formed in the formation region of the p pad electrode 40 on the transparent conductive film 10 by exposure and development, and Ti is formed to a thickness of 0.01 μm. Au was deposited to a thickness of 0.5 μm, the photoresist was lifted off, and the p-pad electrode 40 was formed. Thereafter, similarly, a photoresist is uniformly applied on the outermost surface, and a window is opened in a portion corresponding to the electrode forming portion 16 of the n-type contact layer 104 by exposure and development, and a thickness of 18 nm is obtained. Al was deposited to a thickness of 1.8 μm to form an n-pad electrode 30. Thereafter, SiO ₂ is uniformly deposited on the outermost surface to a thickness of 200 nm, a photoresist is uniformly coated on the surface, a window is opened in a predetermined region by exposure and development, and a fluorine-based material is applied. Then, dry etching was performed with the etching gas, and then the resist was removed to form a light-transmitting insulating film 20. Thus, the transparent conductive film 10 having the air layer 50 in the orthogonal projection region on the upper surface of the p-type contact layer 108 and below the p-pad electrode 40 was formed.

本実施例は、フェースアップ型の発光素子であり、ｐ電極（第１電極）とｎ電極（第２電極とが、配線状に形成された発光素子である。実施例１と同一機能を果たす部分については、同一の符号が付されている。図６は、発光素子２の平面図、図７は、図６における、Ａ−Ａ矢視の断面図である。透明導電膜１０の上面に透光性絶縁膜２１が形成され、その上にｐ配線電極４１が形成されている。ｐ配線電極４１は、透光性絶縁膜２１に形成された窓を介して、透明導電膜１０に接続されている。また、透光性絶縁膜２１に形成された窓を介して、透明導電膜１０上に伸びたｐ配線電極４１上にｐパッド電極４０が形成されている。また、透光性絶縁膜２１の上に、直線状のｎ配線電極３３が設けられている。そして、ｎ配線電極３３は透光性絶縁膜２１に設けられた複数の孔を介して、ｎ型コンタクト層１０４に接合している。また、ｎパッド電極３０が形成されるｎ型コンタクト層１０４の露出面上にも、ｎ配線電極３３は延設されており、その露出面上に延設されたｎ配線電極３３上に、ｎパッド電極３０が設けられている。そして、ｐパッド電極４０とｎパッド電極３０を除く、素子の全表面上に透光性絶縁膜２０が形成されている。本発光素子２は、透明導電膜１０との接続部と、ｎ型コンタクト１０４との接続部とを除いて、ｐ配線電極４１とｎ配線電極３３とが、透明導電膜１０の上方に透光性絶縁膜２１を介して、同一面上に形成されていることが特徴である。 The present embodiment is a face-up type light emitting device, and is a light emitting device in which a p-electrode (first electrode) and an n-electrode (second electrode) are formed in a wiring shape. 6 are plan views of the light-emitting element 2 and FIG.7 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. A translucent insulating film 21 is formed, and a p-wiring electrode 41 is formed on the translucent insulating film 21. The p-wiring electrode 41 is connected to the transparent conductive film 10 through a window formed in the translucent insulating film 21. A p pad electrode 40 is formed on the p wiring electrode 41 extending on the transparent conductive film 10 through a window formed in the light transmissive insulating film 21. A linear n-wiring electrode 33 is provided on the insulating film 21. The n-wiring electrode 33 is transparent. The n-type contact layer 104 is joined to the n-type contact layer 104 through a plurality of holes provided in the insulating film 21. An n-wiring electrode is also formed on the exposed surface of the n-type contact layer 104 where the n-pad electrode 30 is formed. 33 is extended, and the n pad electrode 30 is provided on the n wiring electrode 33 extended on the exposed surface of the element, excluding the p pad electrode 40 and the n pad electrode 30. A translucent insulating film 20 is formed on the entire surface of the light-emitting element 2 except for a connection portion with the transparent conductive film 10 and a connection portion with the n-type contact 104. The n-wiring electrode 33 is characterized in that it is formed on the same surface above the transparent conductive film 10 with the translucent insulating film 21 interposed therebetween.

本実施例は、第１電極と第２電極とが、櫛歯状に配設されたものである。そして、ｐパッド電極４０とｐ配線電極４１とｎ配線電極３３の、ｐ型コンタクト層１０８上の正射影領域に、空気層５０が形成されている。空気層５０の形成は、実施例１と同一である。すなわち、ｐ型コンタクト層１０８が形成された後に、ｐ型コンタクト層１０８の面上のｐ配線電極４１とｐパッド電極４０とｎ配線電極３３の正射影領域に、実施例１と同様にＳｉＯ₂から成る可溶解層を形成した。ただし、ｎ配線電極３３のｎ型コンタクト層１０４との接続部（円形の孔）には、可溶解層は形成されていない。次に、その可溶解層及び残部のｐ型コンタクト層１０８面上に、一様な厚さの透明導電膜１０を形成し、実施例１と同一条件（減圧、７００℃）で、熱処理を行った。次に、四フッ化炭素ガス（ＣＦ₄）と酸素との混合ガスのプラズマ中に、透明導電膜１０を晒すことで、可溶解層を除去して、空気層５０を形成した。その次に、透光性絶縁膜２１を形成し、透光性絶縁膜２１に透明導電膜１０とｎ型コンタクト層１０４に対するコンタクトのための孔を形成して、ｐ配線電極４１とｎ配線電極３３と、ｐパッド電極４０と、ｎパッド電極３０とを形成した。その後、ｐパッド電極４０と、ｎパッド電極３０を除き、素子２の上面の全面を覆うように、透光性絶縁膜２０を形成した。本願発明は、このような発光素子にも用いることができる。
このフェースアップ素子において、ｎ配線電極３３の形成部分にｐ型コンタクト層１０８からｎ型コンタクト層１０４の表面までエッチングして、露出したｎコンタク層１０４上にｎ配線電極３３を接合するように形成しても良い。この場合には、ｎ配線電極３３は遮蔽電極とはならないので、ｎ配線電極３３の下方には空気層５０は形成されず、ｐ配線電極４１の下方にのみ空気層５０が形成れれる。
上記実施例では、ｐ配線電極４１、ｎ配線電極３３の正射影領域と一致する領域に空気層５０を形成したが、正射影領域の一部に形成されていても良い。
例えば、図８、９に示すように、ｐ配線電極４１と透明導電膜１０との接触部分の直下に同一形状又は一回り大きい形状の空気層５０を形成しても良い。透明導電膜１０が７０ｎｍと薄いため、この接触部分はｐ型コンタクト層１０８に極めて近くなり、光を強く遮蔽することになるので、この接触部分の直下に空気層５０を形成すると効果的である。 In this embodiment, the first electrode and the second electrode are arranged in a comb shape. An air layer 50 is formed in the orthogonal projection region on the p-type contact layer 108 of the p pad electrode 40, the p wiring electrode 41, and the n wiring electrode 33. The formation of the air layer 50 is the same as in the first embodiment. That is, after the p-type contact layer 108 is formed, SiO ₂ is projected onto the orthographic regions of the p-wiring electrode 41, the p-pad electrode 40, and the n-wiring electrode 33 on the surface of the p-type contact layer 108 as in the first embodiment. A dissolvable layer was formed. However, a dissolvable layer is not formed in the connection portion (circular hole) of the n wiring electrode 33 with the n-type contact layer 104. Next, a transparent conductive film 10 having a uniform thickness is formed on the surface of the soluble layer and the remaining p-type contact layer 108, and heat treatment is performed under the same conditions as in Example 1 (reduced pressure, 700 ° C.). It was. Next, the dissolvable layer was removed by exposing the transparent conductive film 10 to plasma of a mixed gas of carbon tetrafluoride gas (CF ₄ ) and oxygen, and the air layer 50 was formed. Next, a translucent insulating film 21 is formed, a hole for contact with the transparent conductive film 10 and the n-type contact layer 104 is formed in the translucent insulating film 21, and the p wiring electrode 41 and the n wiring electrode are formed. 33, a p-pad electrode 40, and an n-pad electrode 30 were formed. After that, the translucent insulating film 20 was formed so as to cover the entire upper surface of the element 2 except for the p pad electrode 40 and the n pad electrode 30. The present invention can also be used for such a light emitting element.
In this face-up element, etching is performed from the p-type contact layer 108 to the surface of the n-type contact layer 104 in the formation portion of the n-wiring electrode 33 so that the n-wiring electrode 33 is bonded onto the exposed n-contact layer 104. You may do it. In this case, since the n wiring electrode 33 is not a shielding electrode, the air layer 50 is not formed below the n wiring electrode 33, and the air layer 50 is formed only below the p wiring electrode 41.
In the above embodiment, the air layer 50 is formed in a region that coincides with the orthogonal projection regions of the p wiring electrode 41 and the n wiring electrode 33, but may be formed in a part of the orthogonal projection region.
For example, as shown in FIGS. 8 and 9, an air layer 50 having the same shape or a slightly larger shape may be formed immediately below the contact portion between the p wiring electrode 41 and the transparent conductive film 10. Since the transparent conductive film 10 is as thin as 70 nm, this contact portion is very close to the p-type contact layer 108 and shields light strongly. Therefore, it is effective to form the air layer 50 immediately below this contact portion. .

本実施例は、フェースダウン型（フリップチップ型）発光素子に関するものである。図１０は、発光素子３の縦断面図である。ｐバンプ電極６５とｎパンプ電極６０とを除いた平面図は、図２と同一である。実施例１と同一の構成部分には、同一の符号が付されている。透明導電膜１０の上に、ＳｉＯ₂から成る透光性絶縁膜２０が形成されており、その透光性絶縁膜２０の上に、Ａｇから成る反射膜７０が形成されている。そして、反射膜７０と、露出している透光性絶縁膜２０の上及び発光素子２の上面に、ＳｉＯ₂から成る透光性絶縁膜２１が形成されている。すなわち、透光性絶縁膜２０と透光性絶縁膜２１は一体となり、その内部に反射膜７０が存在している。また、ｐパッド電極４０には、ｐバンプ電極６５が、ｎパッド電極３０には、ｎバンプ電極６０が接合している。このような半導体発光素子２において、ｐパッド電極４０のｐ型コンタクト層１０８上の正射影領域における、透明導電膜１０とｐ型コンタクト層１０８との界面上に空気層５０が形成されている。透明導電膜１０とオーミック接触が得られるｐパッド電極４０の反射率が低い場合に、発光層１０６におけるｐパッド電極４０の正射影領域の電流密度を低減させることができる。また、空気層５０の存在により、空気層５０とｐ型コンタクト層１０８との間の屈折率差により、全反射の臨界角を小さくして、発光層１０６から放射された光を、より多く、ｐ型コンタク層１０８側に反射させることができる。空気層５０の製造方法は、実施例１と同一である。すなわち、ｐ型コンタクト層１０８が形成された後に、ｐ型コンタクト層１０８の面上のｐパッド電極４０の正射影領域に、実施例１と同様にＳｉＯ₂から成る可溶解層を形成した。次に、その可溶解層及び残部のｐ型コンタクト層１０８面上に、一様な厚さの透明導電膜１０を形成し、実施例１と同一条件（減圧、７００℃）で、熱処理を行った。次に、四フッ化炭素ガス（ＣＦ₄）と酸素との混合ガスのプラズマ中に、透明導電膜１０を晒すことで、可溶解層を除去して、空気層５０を形成した。本願発明は、このような発光素子にも用いることができる。 The present embodiment relates to a face-down type (flip chip type) light emitting element. FIG. 10 is a longitudinal sectional view of the light emitting element 3. A plan view excluding the p-bump electrode 65 and the n-pump electrode 60 is the same as FIG. The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals. A translucent insulating film 20 made of SiO ₂ is formed on the transparent conductive film 10, and a reflective film 70 made of Ag is formed on the translucent insulating film 20. A light-transmitting insulating film 21 made of SiO ₂ is formed on the reflective film 70, the exposed light-transmitting insulating film 20, and the upper surface of the light emitting element 2. That is, the translucent insulating film 20 and the translucent insulating film 21 are integrated, and the reflective film 70 is present in the inside. A p bump electrode 65 is bonded to the p pad electrode 40, and an n bump electrode 60 is bonded to the n pad electrode 30. In such a semiconductor light emitting device 2, the air layer 50 is formed on the interface between the transparent conductive film 10 and the p-type contact layer 108 in the orthogonal projection region on the p-type contact layer 108 of the p-pad electrode 40. When the reflectance of the p pad electrode 40 that can make ohmic contact with the transparent conductive film 10 is low, the current density in the orthogonal projection region of the p pad electrode 40 in the light emitting layer 106 can be reduced. Further, due to the presence of the air layer 50, the critical angle of total reflection is reduced due to the difference in refractive index between the air layer 50 and the p-type contact layer 108, so that more light is emitted from the light emitting layer 106. The light can be reflected to the p-type contact layer 108 side. The manufacturing method of the air layer 50 is the same as that of the first embodiment. That is, after the p-type contact layer 108 was formed, a soluble layer made of SiO ₂ was formed in the orthogonal projection region of the p-pad electrode 40 on the surface of the p-type contact layer 108 as in the first embodiment. Next, a transparent conductive film 10 having a uniform thickness is formed on the surface of the soluble layer and the remaining p-type contact layer 108, and heat treatment is performed under the same conditions as in Example 1 (reduced pressure, 700 ° C.). It was. Next, the dissolvable layer was removed by exposing the transparent conductive film 10 to plasma of a mixed gas of carbon tetrafluoride gas (CF ₄ ) and oxygen, and the air layer 50 was formed. The present invention can also be used for such a light emitting element.

実施例４の発光素子は、図６、７、又は、図８、９に示す配線電極を用いた発光素子を、フェースダウン型発光素子としたものである。すなわち、図７に示す構造の素子の最上層の透光性絶縁膜２０の上に、Ａｇから成る反射膜、さらに、この反射膜を覆う透光性絶縁膜を形成したのち、ｎパンプ電極３０とｐバンプ電極４０とを、給電基板にフェースダウンで接合した発光素子としても良い。この場合も、実施例３と同様に、ｐ配線電極４１は、導電率が高いが、反射率の低い材料で構成された場合に、空気層５０により、発光層１０６のｐ配線電極４１とｎ配線電極３３の正射影領域での電流密度を低減させて、電流を他の領域に迂回させることができる。図８、９の場合には、大きく遮光される、ｐ配線電極４１と透明導電膜１０との接触部分のみの正射影領域での電流密度を低減させて、電流を他の領域に迂回させることができる。また、空気層５０で、光をｐ型コンタクト層１０８側に反射させることができ、外部量子効率を向上させることができる。 In the light-emitting element of Example 4, the light-emitting element using the wiring electrode shown in FIGS. 6 and 7 or FIGS. 8 and 9 is a face-down light-emitting element. That is, a reflective film made of Ag and a translucent insulating film covering the reflective film are formed on the uppermost translucent insulating film 20 of the element having the structure shown in FIG. And the p-bump electrode 40 may be a light-emitting element in which the power supply substrate is bonded face down. Also in this case, similarly to Example 3, when the p wiring electrode 41 is made of a material having high conductivity but low reflectance, the p wiring electrode 41 and n of the light emitting layer 106 are formed by the air layer 50. The current density in the orthogonal projection region of the wiring electrode 33 can be reduced, and the current can be diverted to another region. In the case of FIGS. 8 and 9, the current density is reduced in the orthogonal projection region of only the contact portion between the p-wiring electrode 41 and the transparent conductive film 10 which is largely shielded, and the current is bypassed to another region. Can do. In addition, the air layer 50 can reflect light to the p-type contact layer 108 side, and the external quantum efficiency can be improved.

本実施例は、成長基板上にエピタキシャル層を形成した後、最上層のｐ型コンタクト層を低融点金属で支持基板に接合した後、成長基板を剥離させる基板リフトオフ型の発光素子にも用いることができる。基板リフトオフ型の発光素子４の縦断面を図１１に示す。光は、ｎ型コンタクト層１０４側から出力される。ｎ型コンタクト層１０４上には、櫛歯状又は、格子状のｎ配線電極３３と、矩形発光面の角の部分にｎ配線電極３３に接続するｎパッド電極（図示略）が形成されている。そして、ｐ型コンタクト層１０８上には、透明導電膜１０が形成され、その上にＡｇから成る反射膜７０が形成されている。そして、ｐ型コンタクト層１０８は、バリア層とハンダ層の複層から成る接合層７２を介して導電性の支持基板７４に接合されている。その支持基板７４の裏面の全面に、ｐ電極４２が形成されている。ｎ配線電極３３は、発光層１０６からの光を遮蔽する遮蔽電極となる。本実施例では、透明導電膜１０とｐ型コンタクト層１０８との界面上の、ｎ配線電極３３の正射影領域に、空気層５０が形成されている。空気層５０の形成方法は、実施例１と同一である。すなわち、ｐ型コンタクト層１０８が形成された後に、ｐ型コンタクト層１０８面上の、後に形成されるｎ配線電極３３の正射影領域に、実施例１と同様にＳｉＯ₂から成る可溶解層を形成した。次に、その可溶解層及び残部のｐ型コンタクト層１０８面上に、一様な厚さの透明導電膜１０を形成し、実施例１と同一条件（減圧、７００℃）で、熱処理を行った。次に、四フッ化炭素ガス（ＣＦ₄）と酸素との混合ガスのプラズマ中に、透明導電膜１０を晒すことで、可溶解層を除去して、空気層５０を形成した。次に、反射膜７０、接合層７２を介して、支持基板７４と透明導電膜１０とを接合し、成長基板を除去して、ｎ型コンタクト層１０４を露出させた。その後に、支持基板５０の裏面にｐ電極４２を形成し、ｎ型コンタクト層１０４の表面上であって、空気層５０の直上に該当する部分にｎ配線電極３３を形成した。本願発明は、このような発光素子にも用いることができる。この場合にも、発光層１０６におけるｎ配線電極３３の正射影領域の電流密度は、空気層５０の存在により小さくして、電流を他の領域に迂回させることができる。したがって、この発光素子においても、外部量子効率を向上させることができる。 In this embodiment, an epitaxial layer is formed on a growth substrate, and then the uppermost p-type contact layer is bonded to a support substrate with a low melting point metal, and then used for a substrate lift-off type light emitting device in which the growth substrate is peeled off. Can do. A longitudinal section of the substrate lift-off type light emitting element 4 is shown in FIG. Light is output from the n-type contact layer 104 side. On the n-type contact layer 104, comb-shaped or lattice-shaped n-wiring electrodes 33 and n-pad electrodes (not shown) connected to the n-wiring electrodes 33 are formed at the corners of the rectangular light emitting surface. . A transparent conductive film 10 is formed on the p-type contact layer 108, and a reflective film 70 made of Ag is formed thereon. The p-type contact layer 108 is bonded to the conductive support substrate 74 via a bonding layer 72 composed of a multilayer of a barrier layer and a solder layer. A p-electrode 42 is formed on the entire back surface of the support substrate 74. The n wiring electrode 33 serves as a shielding electrode that shields light from the light emitting layer 106. In this embodiment, the air layer 50 is formed in the orthogonal projection region of the n wiring electrode 33 on the interface between the transparent conductive film 10 and the p-type contact layer 108. The formation method of the air layer 50 is the same as that of the first embodiment. That is, after the p-type contact layer 108 is formed, a dissolvable layer made of SiO ₂ is formed in the orthogonal projection region of the n-wiring electrode 33 to be formed later on the surface of the p-type contact layer 108 as in the first embodiment. Formed. Next, a transparent conductive film 10 having a uniform thickness is formed on the surface of the soluble layer and the remaining p-type contact layer 108, and heat treatment is performed under the same conditions as in Example 1 (reduced pressure, 700 ° C.). It was. Next, the dissolvable layer was removed by exposing the transparent conductive film 10 to plasma of a mixed gas of carbon tetrafluoride gas (CF ₄ ) and oxygen, and the air layer 50 was formed. Next, the support substrate 74 and the transparent conductive film 10 were bonded via the reflective film 70 and the bonding layer 72, the growth substrate was removed, and the n-type contact layer 104 was exposed. Thereafter, a p-electrode 42 was formed on the back surface of the support substrate 50, and an n-wiring electrode 33 was formed on the surface of the n-type contact layer 104 and corresponding to the portion directly above the air layer 50. The present invention can also be used for such a light emitting element. Also in this case, the current density in the orthogonal projection region of the n wiring electrode 33 in the light emitting layer 106 can be reduced due to the presence of the air layer 50, and the current can be bypassed to another region. Therefore, also in this light emitting element, the external quantum efficiency can be improved.

また、基板リフトオフ型の発光素子においても、支持基板をセラミックスなどの絶縁性材料とした場合には、ｐ型コンタクト層に対する電極も光出力面側に形成する必要がある。この場合に、実施例４のように、ｐ型コンタクト層に対する一様給電のために透明導電膜が用いられるが、この透明導電膜に対して櫛歯状や格子状のｐ配線電極を形成して、素子の側部でそのｐ配線電極を露出してｐパッド電極を形成することも行われている。この場合に、ｐ型コンタクト層上の、ｐ配線電極の正射影領域に、可溶解層を形成して、透明導電膜を形成して、実施例１と同一の条件で熱処理した後に、四フッ化炭素ガス（ＣＦ₄）と酸素との混合ガスのプラズマに、透明導電膜を晒して、可溶解層を除去して、空気層を形成しても良い。この場合の空気層の作用は、実施例４と同一である。この場合には、ｎ配線電極３３とｐ配線電極とが、共に、遮蔽電極となる。 Also in the substrate lift-off type light emitting element, when the support substrate is made of an insulating material such as ceramics, it is necessary to form an electrode for the p-type contact layer on the light output surface side. In this case, as in Example 4, a transparent conductive film is used for uniform power supply to the p-type contact layer. A comb-like or lattice-shaped p wiring electrode is formed on the transparent conductive film. Thus, the p-pad electrode is formed by exposing the p-wiring electrode at the side of the element. In this case, a soluble layer is formed in the orthogonal projection region of the p wiring electrode on the p-type contact layer, a transparent conductive film is formed, and after heat treatment under the same conditions as in Example 1, The air layer may be formed by exposing the transparent conductive film to plasma of a mixed gas of carbon fluoride gas (CF ₄ ) and oxygen to remove the soluble layer. The action of the air layer in this case is the same as in the fourth embodiment. In this case, both the n wiring electrode 33 and the p wiring electrode are shielding electrodes.

上記の全実施例において、半導体発光素子のエピタキシャル成長層の層構成は一例であって、任意の構成を採用することができる。発光層を構成する単一量子井戸構造や多重量子井戸構造は、少なくともインジウム（Ｉｎ）を含むIII族窒化物系化合物半導体Ａｌ_yＧａ_1-y-zＩｎ_zＮ（０≦ｙ＜１，０＜ｚ≦１）から成る井戸層を含むものが望ましい。発光層の構成は、例えばドープされた、又はアンドープのＧａ_1-zＩｎ_zＮ（０＜ｚ≦１）から成る井戸層と、当該井戸層よりもバンドギャップが大きい任意の組成のIII族窒化物系化合物半導体ＡｌＧａＩｎＮから成る障壁層が挙げられる。好ましい例としてはアンドープのＧａ_1-zＩｎ_zＮ（０＜ｚ≦１）の井戸層とアンドープのＧａＮから成る障壁層である。ここでドープは、ドーパントを意図的に原料ガスに含ませて目的とする層に添加していることを意味し、アンドープは、原料ガスにドーパントを含ませないで、意図的にドーパントを添加しないものを意味する。したがって、アンドープは、近接の層から拡散して自然にドーピングされている場合をも含む。 In all the above embodiments, the layer structure of the epitaxial growth layer of the semiconductor light emitting device is an example, and any structure can be adopted. The single quantum well structure and the multiple quantum well structure constituting the light emitting layer have a group III nitride compound semiconductor Al _y Ga _1-yz In _z N (0 ≦ y <1, 0 <z) containing at least indium (In). Those including a well layer of ≦ 1) are desirable. The structure of the light emitting layer includes, for example, a well layer made of doped or undoped Ga _1-z In _z N (0 <z ≦ 1), and a group III nitride having an arbitrary composition having a larger band gap than the well layer. Examples thereof include a barrier layer made of a physical compound semiconductor AlGaInN. Preferable examples are a well layer of undoped Ga _1-z In _z N (0 <z ≦ 1) and a barrier layer made of undoped GaN. Here, doping means that a dopant is intentionally included in the source gas and added to the target layer, and undoping does not intentionally add a dopant without including the dopant in the source gas. Means things. Therefore, undoped includes a case where it is naturally doped by diffusing from the adjacent layer.

III 族窒化物半導体層を結晶成長させる方法としては、分子線気相成長法（ＭＢＥ）、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）、液相成長法等が有効である。半導体発光素子を構成する各層のIII−Ｖ族窒化物半導体は、少なくともＡｌ_xＧａ_yＩｎＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）にて表される２元系、３元系若しくは４元系の半導体から成るIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体で形成することができる。また、これらのIII族元素の一部は、ボロン（Ｂ）、タリウム（Ｔｌ）で置き換えても良く、また、窒素（Ｎ）の一部をリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）で置き換えても良い。 Effective methods for crystal growth of group III nitride semiconductor layers include molecular beam vapor deposition (MBE), metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), and liquid phase epitaxy. It is. The group III-V nitride semiconductor of each layer constituting the semiconductor light emitting element is at least a binary system represented by Al _x Ga _y InN (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). It can be formed of a III-V nitride compound semiconductor composed of a ternary or quaternary semiconductor. Some of these group III elements may be replaced by boron (B) and thallium (Tl), and part of nitrogen (N) may be phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb ) Or bismuth (Bi).

更に、これらの半導体を用いてｎ型の層を形成する場合には、ｎ型不純物として、ＳｉＧｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を添加し、ｐ型の層を形成する場合には、ｐ型不純物としては、、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等を添加することができる。成長基板は、サファイアの他、炭化珪素、酸化亜鉛などを用いることができる。支持基板には、導電性シリコン基板、銅などの金属基板を用いることができる。 Further, when forming an n-type layer using these semiconductors, SiGe, Se, Te, C, etc. are added as n-type impurities, and when forming a p-type layer, a p-type impurity is formed. For example, Be, Ca, Sr, Ba, or the like can be added. As the growth substrate, silicon carbide, zinc oxide, or the like can be used in addition to sapphire. As the support substrate, a conductive silicon substrate or a metal substrate such as copper can be used.

また、上記実施例では、可溶解層は、ＳｉＯ₂を用いたが、その他、窒化シリコン（ＳｉＮ）、金属など、ドライ、ウエットのエッチング媒体により溶解できる材料であれば、任意である。可溶解層の厚さは、８０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下が望ましい。８０ｎｍよりも薄いと、反射機能が低下するので望ましくない。また、２００ｎｍ以上とすると、透明性導電膜で覆う場合に段差が大きくなるために、望ましくない。 In the above embodiment, the soluble layer is made of SiO ₂ , but any other material that can be dissolved by a dry or wet etching medium such as silicon nitride (SiN) or metal can be used. The thickness of the soluble layer is desirably 80 nm or more and 200 nm or less. If it is thinner than 80 nm, the reflection function is lowered, which is not desirable. On the other hand, if the thickness is 200 nm or more, the step becomes large when covered with a transparent conductive film, which is not desirable.

また、透明導電膜には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いたが、熱処理により結晶化して結晶粒界が現れる材料であれば任意である。透光性の金属酸化物は、この傾向を有するので望ましい。ＩＴＯの他、これに属する材料として、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルニミウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、フッ素錫酸化物（ＦＴＯ）、ニオブチタン酸化物（ＴＮＯ）、カドミニウム錫酸化物（ＣＴＯ）のうちの少なくとも１種を用いても良い。可溶解層の形成は、ＣＶＤ法を用いたが、この他、スパッタリング、電子ビーム蒸着法などを用いることができる。また、透明導電膜の形成は、非晶質となれば、任意の方法を用いることができる。実施例では、スパッタリングを用いたが、ＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法などを用いることができる。透明導電膜の熱処理温度は、７００℃で行ったが、６００℃以上、７５０℃とすることができる。６００℃より低いと透明導電膜の結晶化が起こらないので望ましくない。７５０℃より高くすると、半導体層にダメージを与えるので望ましくない。また、透明導電膜の厚さは、３０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下が望ましい。３０ｎｍよりも薄いと、電流拡散機能が低下し、又は、可溶解層を覆うことが困難となるので、望ましくない。また、２００ｎｍよりも厚いと、光透過率が低下するので望ましくない。透明導電膜に形成された粒界を介して、可溶解層のエッチングは、四フッ化炭素ガスと酸素ガスとの混合ガスによる反応性プラズマを用いたが、その他のフッ素系ガスのプラズマ、フッ化水素酸などのフッ酸系の液によるウェットエッチングを用いることができる。 In addition, although indium tin oxide (ITO) is used for the transparent conductive film, any material can be used as long as it is crystallized by heat treatment and a crystal grain boundary appears. A translucent metal oxide is desirable because it has this tendency. In addition to ITO, materials belonging to this include indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), fluorine tin oxide (FTO), niobium titanium oxide At least one of a material (TNO) and cadmium tin oxide (CTO) may be used. The meltable layer was formed by CVD, but other methods such as sputtering and electron beam evaporation can be used. The transparent conductive film can be formed by any method as long as it is amorphous. In the embodiment, sputtering is used, but a CVD method, an electron beam evaporation method, or the like can be used. Although the heat treatment temperature of the transparent conductive film was 700 ° C., it can be 600 ° C. or higher and 750 ° C. If the temperature is lower than 600 ° C., crystallization of the transparent conductive film does not occur, which is not desirable. If the temperature is higher than 750 ° C., the semiconductor layer is damaged, which is not desirable. The thickness of the transparent conductive film is preferably 30 nm or more and 200 nm or less. If it is thinner than 30 nm, the current spreading function is lowered, or it is difficult to cover the dissolvable layer, which is not desirable. On the other hand, if it is thicker than 200 nm, the light transmittance is undesirably lowered. For the etching of the soluble layer through the grain boundary formed in the transparent conductive film, reactive plasma using a mixed gas of carbon tetrafluoride gas and oxygen gas was used. Wet etching using a hydrofluoric acid-based liquid such as hydrofluoric acid can be used.

本発明は、外部量子効率を向上させた半導体発光素子の容易な製造方法に用いることができる。 The present invention can be used in an easy manufacturing method of a semiconductor light emitting device with improved external quantum efficiency.

１、２、３、４…発光素子
１０…透明導電膜
２０，２１、２２…透光性絶縁膜
３０…ｎパッド電極
３３…ｎ配線電極
４０…ｐパッド電極
４１…ｐ配線電極
５０…空気層
６１…可溶解層
１０１…サファイア基板
１０２…バッファ層
１０４…ｎ型コンタクト層（第２伝導型コンタクト層）
１０６…発光層
１０８…ｐ型コンタクト層（第１伝導型コンタクト層）
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 2, 3, 4 ... Light emitting element 10 ... Transparent electrically conductive film 20, 21, 22 ... Translucent insulating film 30 ... n pad electrode 33 ... n wiring electrode 40 ... p pad electrode 41 ... p wiring electrode 50 ... Air layer 61 ... Dissolvable layer 101 ... Sapphire substrate 102 ... Buffer layer 104 ... n-type contact layer (second conductivity type contact layer)
106... Light emitting layer 108... P-type contact layer (first conductivity type contact layer)

Claims

III 族窒化物半導体から成る第１伝導型コンタクト層、発光層、第２伝導型コンタクト層を少なくとも有する積層体を有し、その積層体のうちの第１伝導型コンタクト層に接合した電流拡散のための透光性導電膜とを有するIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法において、
前記第１伝導型コンタクト層に対する第１電極、前記第２伝導型コンタクト層に対する第２電極において、前記発光層の発光面に対して正射影を形成する電極のうち、少なくとも一方の電極を遮蔽電極と定義するとき、
前記第１伝導型コンタクト層の上方であって、前記遮蔽電極の正射影領域の少なくとも一部の領域に、エッチング可能な材料による可溶解層を形成し、
前記第１伝導型コンタクト層及び前記可溶解層を覆う金属酸化物から成る透明導電膜を形成し、
前記透明導電膜を熱処理して、前記透明導電膜を結晶化し、
前記可溶解層のエッチングが可能なエッチング媒体に、前記透明導電膜を晒して、前記可溶解層をエッチングして、前記可溶解層の除去された領域に空気層を形成する
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 A layered body including at least a first conductive contact layer, a light emitting layer, and a second conductive type contact layer made of a group III nitride semiconductor, and a current diffusion bonded to the first conductive type contact layer of the stacked body; In a manufacturing method of a group III nitride semiconductor light-emitting device having a light-transmitting conductive film for
In the first electrode for the first conduction type contact layer and the second electrode for the second conduction type contact layer, at least one of the electrodes forming an orthogonal projection with respect to the light emitting surface of the light emitting layer is a shielding electrode. When defining
Forming a dissolvable layer of an etchable material above the first conductivity type contact layer and in at least a part of the orthogonal projection region of the shielding electrode;
Forming a transparent conductive film made of a metal oxide covering the first conductive type contact layer and the dissolvable layer;
Heat-treating the transparent conductive film to crystallize the transparent conductive film;
The transparent conductive film is exposed to an etching medium capable of etching the dissolvable layer, the dissolvable layer is etched, and an air layer is formed in a region where the dissolvable layer is removed. A method for manufacturing a group III nitride semiconductor light emitting device.

前記可溶解層は、前記第１伝導型コンタクト層の面上に接合して形成されることを特徴とする請求項１に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 2. The method for manufacturing a group III nitride semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the dissolvable layer is formed on the surface of the first conductivity type contact layer by bonding.

前記可溶解層は、前記第１伝導型コンタクト層の面上に形成される前記透明導電膜の内部に形成されることを特徴とする請求項１に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 2. The group III nitride semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the dissolvable layer is formed in the transparent conductive film formed on a surface of the first conductivity type contact layer. Method.

前記透明導電膜の面上であって、前記空気層に対応する部分に、前記空気層を形成した後に、前記遮蔽電極を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 4. The shielding electrode is formed on the surface of the transparent conductive film after forming the air layer in a portion corresponding to the air layer. A method for producing a Group III nitride semiconductor light-emitting device according to Item.

前記透明導電膜を形成した後に、前記透明導電膜の上面であって、前記可溶解層の上部に、前記遮蔽電極を形成し、
前記遮蔽電極の形成の後に、前記可溶解層をエッチングして前記空気層を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 After forming the transparent conductive film, forming the shielding electrode on the upper surface of the transparent conductive film and on the soluble layer,
4. The Group III nitride semiconductor light-emitting element according to claim 1, wherein the air layer is formed by etching the soluble layer after the formation of the shielding electrode. 5. Production method.

前記透明導電膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルニミウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、フッ素錫酸化物（ＦＴＯ）、ニオブチタン酸化物（ＴＮＯ）、カドミニウム錫酸化物（ＣＴＯ）のうちの少なくとも１種から成ることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 The transparent conductive film includes indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), and fluorine tin oxide (FTO). ), Niobium titanium oxide (TNO), cadmium tin oxide (CTO), and the group III nitride semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 5 Device manufacturing method.

前記可溶解層は、二酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、金属のうち少なくとも１種であることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか１項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 The group III nitride according to any one of claims 1 to 6, wherein the soluble layer is at least one of silicon dioxide (SiO ₂ ), silicon nitride (SiN), and metal. For manufacturing a semiconductor light emitting device.

前記第１伝導型コンタクト層は、ｐ型コンタクト層であり、前記遮蔽電極は、前記第１伝導型コンタクト層に対する電極であることを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか１項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 The first conductive contact layer is a p-type contact layer, and the shielding electrode is an electrode for the first conductive contact layer. The manufacturing method of the group III nitride semiconductor light-emitting device of description.

前記第１伝導型コンタクト層は、ｐ型コンタクト層であり、前記第２伝導型コンタクト層はｎ型コンタクト層であり、前記遮蔽電極は、前記第２伝導型コンタクト層に対する電極であることを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか１項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 The first conductivity type contact layer is a p-type contact layer, the second conductivity type contact layer is an n-type contact layer, and the shielding electrode is an electrode for the second conductivity type contact layer. The method for producing a group III nitride semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 8.

前記透明導電膜の熱処理の温度は、６００℃以上、７５０℃以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項９の何れか１項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 10. The method for manufacturing a group III nitride semiconductor light-emitting element according to claim 1, wherein a temperature of the heat treatment of the transparent conductive film is 600 ° C. or higher and 750 ° C. or lower.

前記可溶解層のエッチングは、フッ化水素（ＨＦ）によるウエットエッチング、又は、少なくともフッ化炭素系ガスを含むガスによるプラズマエッチングであることを特徴とする請求項１乃至請求項１０の何れか１項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 The etching of the dissolvable layer is wet etching with hydrogen fluoride (HF) or plasma etching with a gas containing at least a fluorocarbon-based gas. A method for producing a Group III nitride semiconductor light-emitting device according to Item.