JP2014192181A - 金属支持フレキシブル基板ならびにそれを用いたテープオートメーテッドボンディング用金属支持キャリアテープ、ｌｅｄ実装用金属支持フレキシブル回路基板、放熱性金属支持フレキシブル回路基板および回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】リールｔｏリールで加工可能な搬送強度や低反り性を維持しつつ、折り曲げ形成、放熱設計等のパッケージング設計を容易にする金属支持フレキシブル基板を提供すること。
【解決手段】（１）接着剤層および（２）支持体を有する金属支持フレキシブル基板であって、前記（２）支持体が伸度５％以上かつＭＩＴ曲げ耐力回数が３５回以上のアルミニウム箔であることを特徴とする金属支持フレキシブル基板。
【選択図】なし

Description

本発明は金属支持フレキシブル基板に関する。より詳しくは、半導体集積回路（ＩＣ）を実装する際に用いられる、テープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）や、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージ用インターポーザー等の半導体装置接続用基板、その他、ＬＥＤやパワー系デバイスの実装用基板、各種引き回し回路基板、特に、折り曲げ形成を施してデバイス形状に沿った配線基板を作製するために適した金属支持フレキシブル基板に関する。

フレキシブル基板は、支持体・接着剤等から構成される屈曲性に優れた回路形成用基板であり、接着剤層上に形成された回路形成用導体層に目的の機能部品等を実装した後、ソルダーレジストやカバーレイフィルムによって回路保護を施し、電子機器の各種配線引き回しやＩＣ実装用のインターポーザーとして幅広く利用されている。

電子機器の普及に伴い多様な電子部品が開発されている今日において、小型化、高密度化に伴い回路基板の体積当たり消費電力は上昇し続けている。またフレキシブル基板に対しても、適用部位に応じた数多くの特性と安全性の両立が求められている。

特に、プラズマディスプレイ駆動用のドライバＩＣを実装するためのフレキシブル基板の場合、駆動電圧が高いために発熱量が多く、さらに高い絶縁性能が要求されるため、耐熱性・放熱設計性を向上させ、かつ絶縁性能や低カール性が維持されるフレキシブル基板が求められていた。またＬＥＤ素子や受動部品を実装するためのフレキシブル基板においても、局所発熱量の多い箇所があるため、上記と同様なフレキシブル基板が求められていた。

このため、高い放熱性を有する金属基板を用いた可堯性基板製造用複合積層体として、金属と樹脂の両方を支持体に配してフレキシブル性を確保可能な基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、フィルム状の樹脂から形成された支持体樹脂層を有するためバネ性が強く、折り曲げ形成による形状保持が困難であり、組み立て性に劣るという問題があった。また支持体樹脂層は樹脂から形成されるため厚くする必要があるが、これにより厚み方向の熱伝導率が低下してしまい、パッケージング性が不十分となるという問題があった。

また、金属支持層を利用する方法として、ベース基体である基体金属上に接着剤が塗布され、その上に銅パターンが形成されていることを特徴とする液晶表示素子用ＴＡＢテープキャリヤが提案されている（例えば、特許文献２参照）。

しかしながら、このようなＴＡＢテープキャリヤの場合、バネ性が不十分なため回路加工が困難となる問題があった。またリールｔｏリールによる加工を行おうとしても、ＴＡＢテープキャリヤ自体が硬すぎて、折り曲げた際に配線にクラックを生じてしまうという問題があった。

特開２００８−１３０７７２号公報 特開平８−０５５８８０号公報

リールｔｏリールで加工可能な搬送強度や低反り性を維持しつつ、折り曲げ形成、放熱設計等のパッケージング設計を容易にする金属支持フレキシブル基板を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の金属支持フレキシブル基板は、（１）接着剤層および（２）支持体を有する金属支持フレキシブル基板であって、前記（２）支持体が伸度５％以上かつＭＩＴ曲げ耐力回数が３５回以上のアルミニウム箔であることを特徴としている。

本発明によれば、リールｔｏリールでの優れた加工生産性を確保しつつ、折り曲げ形成による立体的な配線形成と放熱設計の両立が可能な金属支持フレキシブル基板を提供することが可能となる。本発明の金属支持フレキシブル基板を用いた電子部品は、小型化が進む電子機器の立体配線形成における設計や加工を容易とし、併せて小型化によって困難となる放熱設計を低コストで実現することが可能となる。

以下、本発明について詳細に説明する。

本発明の金属支持フレキシブル基板は、（１）接着剤層および（２）支持体を有する金属支持フレキシブル基板であって、前記（２）支持体が伸度５％以上かつＭＩＴ曲げ耐力回数が３５回以上のアルミニウム箔であることを特徴とする。ここでいう伸度とは、ＪＩＳ規格Ｚ２２４１（２０１１）の３．４に定義される伸び（％）であり、ＭＩＴ曲げ耐力とは、ＪＩＳ規格Ｐ８１１５（２００１）に準じたＭＩＴ型自動屈曲試験機によって、曲率半径０．５ｍｍ、折り曲げ速度６回／秒、縦加重２．５Ｎ／ｃｍ、折り曲げ角度両側９０°にて計測された破断までの屈曲回数を指す。

本発明の金属支持フレキシブル基板は（１）接着剤層を有する。（１）接着剤層の成分は特に限定されないが、（Ａ）ダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂および（Ｂ）フェノール樹脂を含有することが好ましい。

（Ａ）ダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂におけるダイマー酸は、工業的には最高分子量領域の二塩基酸であり、嵩高い炭化水素基を有するため疎水性が大きい。よって、ダイマー酸から誘導されるダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂は、結晶性が小さく強靱で柔軟性に富み、低吸水率性を維持することができる。さらに有機溶剤への溶解性も優れているため好ましい。さらに、アミド結合の強い結合力に由来する耐加水分解性や難燃性を有するため好ましい。したがって、ダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂を用いることにより、フレキシブル基板として要求される耐薬品性、難燃性および低カール性を維持しつつ、テープオートメーテッドボンディング工法及びその類似工法における打ち抜き性をより良好に維持することができる。

また、回路形成用金属層を配してから接着剤層を硬化させる際に、樹脂吸湿水分による発泡が生じる場合があるが、ダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂を用いることにより、発泡をより良好に抑制することができる。

またダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂の中でも、炭素数３６のジカルボン酸残基を有するポリアミド樹脂が、強靱性や製膜性および加工性の点で好ましい。またダイマー酸残基を有するポリアミド樹脂であれば、公知の種々のものを使用することができ、２種以上用いてもよい。

ダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂は、常法によるダイマー酸とジアミンの重縮合により得られるが、この際に、ダイマー酸以外のアジピン酸、アゼライン酸およびセバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分として含有してもよい。ジアミンとしては、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンおよびピペラジン等の公知のものを使用することができ、２種以上用いてもよい。

（Ｂ）フェノール樹脂は、１分子内に２個以上のフェノール性水酸基を含有するものであれば特に限定されず、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公知のフェノール樹脂がいずれも使用できる。具体的には、例えば、フェノール、クレゾール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、ノニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール等のアルキル置換フェノール、テルペン、ジシクロペンタジエン等の環状アルキル変性フェノール、ニトロ基、ハロゲン基、シアノ基、アミノ基等のヘテロ原子を含む官能基を有するもの、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有するもの、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能性フェノールからなる樹脂が挙げられる。また、上記を２種以上用いても良く、絶縁信頼性の観点からレゾール型フェノール樹脂を用いることが好ましい。

本発明において、接着剤層は（Ｃ）エポキシ樹脂を含有してもよい。エポキシ樹脂としては、２つ以上のエポキシ基を有するものが好ましく、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、レゾルシノール、ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエンジフェノール、ジシクロペンタジエンジキシレノール等のジグリシジルエーテル、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、トリスフェニロールメタン、エポキシ化テトラフェニロールエタン、エポキシ化メタキシレンジアミン、シクロヘキセンオキシド、ビシクロヘプテンオキシド、シクロペンテンオキシド等の化学構造をもつものが好ましい。また、エポキシ基の他にアリル基、メタリル基、アミノ基、水酸基およびカルボキシル基からなる群より選ばれる化学反応部位を計３個以上有するものも好ましい。２種以上の異なった化学反応部位を含む場合は、単位分子内に有する全種類の化学反応部位数を総計したものが３個以上あればよい。化学反応部位の位置は特に制限されることはないが、少なくとも側鎖に化学反応部位を有していることが好ましい。また、上記エポキシ樹脂を２種以上用いてもよい。

本発明において、（１）接着剤層は（Ｄ）硬化促進剤を含有してもよい。例えば、芳香族ポリアミン、２−アルキル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−アルキルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、ジシアンジアミド、トリフェニルフォスフィン、ジアザビシクロウンデセン等公知のものが例示できる。これらを２種以上用いてもよい。

本発明において、（１）接着剤層は（Ｅ）充填剤を含有してもよい。充填剤は接着剤の特性を損なうものでなければ特に限定されないが、無機充填剤としては、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウムなどの金属微粒子、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、カルシウム・アルミネート水和物等の金属水酸化物、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化クロム、タルク等の金属酸化物、炭化珪素、炭化チタンシリカ、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化珪素、あるいは炭酸カルシウム等の無機塩、カーボンブラック、シリカ、ガラス等が挙げられる。中でも、シリカ、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム等が好ましく用いられる。

本発明の金属支持フレキシブル基板は（２）支持体を有する。また（２）支持体は、伸度５％以上、ＭＩＴ曲げ耐力回数が３５回以上のアルミニウム箔であることを特徴とする。また伸度は、１０％以上であることが好ましく、ＭＩＴ曲げ耐力回数は７０回以上であることが好ましい。伸度５％以上のアルミニウム箔であることにより、（１）接着剤を配した際の基板反りを防止し、接着剤硬化処理後の工程通過性を確保する事が可能となる。またＭＩＴ曲げ耐力回数が３５回以上のアルミニウム箔であることにより、永久折り曲げを要する立体形成部位への適用が可能となるだけでなく、工程内におけるリペア性にも優れた金属支持フレキブル基板を得る事が可能となる。

（２）支持体として、伸度５％以上かつＭＩＴ曲げ耐力回数が３５回以上のアルミニウム箔であれば特に限定されず、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｍｎ系、Ａｌ−ＳＩ系、Ａｌ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｚｎ系、Ａｌ−Ｌｉ系等を好ましく用いることができる。なかでもＪＩＳ−Ｈ４１６０（１９９４）「アルミニウム及びアルミニウム合金はく」で示される各アルミニウム合金箔が好ましく、特に３００３、１Ｎ３０、８０２１が好ましい。

これらのアルミニウム箔はより十分なコシを有しているため、搬送性を損なうことがより少なくなる。また折り曲げ性に優れているため、立体形成する際の追随性や配線破断の抑止性能に優れるため好ましい。

本発明の金属支持フレキシブル基板の（２）支持体に用いられるアルミニウム箔は、調質によって（２）支持体に好適な材質に調整することが必要である。調質方法としては、冷間加工、溶体化処理、時効硬化処理、焼きなまし処理などを挙げることができる。これらの調質によって、伸度５％以上かつＭＩＴ曲げ耐力回数が３５回以上のアルミニウム箔を得ることができる。

調質方法については特に限定はされないが、ＪＩＳ−Ｈ０００１（１９９８）において質別記号で示されているＨ１処理またはＨ２処理が好ましく、質別がＨ１８、Ｈ２２またはＨ２４またはＨ２６であることがより好ましい。これにより回路加工工程における接着剤硬化処理や、その他熱処理工程を経るプロセスを利用して、追加焼なまし処理効果をより効果的に得ることができる。そのためリールｔｏリール加工搬送性を保つための強度を保持しつつ、加工後は柔軟で良好な折り曲げ形成性を得ることができる。

また上記追加焼なまし処理による調質状態は、回路加工工程通過後に伸度を５〜３０％向上させ、ＭＩＴ曲げ耐力回数を５回以上向上させる範囲に整えておくことが好ましい。これにより、加工搬送性と折り曲げ形成後の組み立て時のリペア性の両立もより向上させることができる。

また、本発明の金属支持フレキブル基板で用いられる伸度５％以上かつＭＩＴ曲げ耐力回数が３５回以上のアルミニウム箔は、ＪＩＳ−Ｚ２２４１（２０１１）３．１０．１に定義される引張強度が３０ＭＰａ以上２５０ＭＰａ以下であることがより好ましい。この範囲であれば、金属支持フレキシブル回路基板の反りをより低減することができ、また金型による精密打ち抜き加工性や折り曲げ形成性をより向上させることができる。

また本発明の本発明の金属支持フレキブル基板で用いられる（２）支持体の厚みは、１２μｍ〜１５０μｍであることが好ましく、１２μｍ〜７５μｍであることより好ましい。（２）支持体の厚みについては、求めるフレキシブル性、引き裂き強度に合わせて適宜選択することが好ましい。また、（２）支持体が銅箔で構成されているため、回路基板の熱伝導性が向上し、放熱板サイズを極小化したりすることが可能である。さらに、本発明の金属支持フレキシブル基板は、金型での打ち抜き加工等によるデバイスホールの形成が容易であることから、ＩＣやＬＥＤ素子等の被実装部品を、デバイスホールを用いて回路形成面の裏面から実装することにより、（２）支持体そのものを放熱板として用いたり、ヒートシンクへの熱伝導性を向上させたりすることが可能である。

本発明の本発明の金属支持フレキブル基板は、（２）支持体の（１）接着剤層側および／またはその反対側に（３）支持体被覆層が構成されていることが好ましい。（３）支持体被覆層は、有機・無機カップリング処理や、鍍金、樹脂被覆、セラミック層形成等の表面処理を施して得ることが好ましい。

（３）支持体被覆層の厚みは、被覆強度とリール取り扱い性のバランスや、（２）支持体と回路導体層の絶縁信頼性強化の観点から下限として２μｍ以上が好ましく２．５μｍ以上であることがより好ましい。また上限としては１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましい。また（３）支持体被覆層の層構成は単一層であっても複数層で構成されていても良い。

（３）支持体被覆層に樹脂を用いる場合、特に限定されるものではないが、耐熱性・耐薬品性に優れたポリイミド樹脂やポリアミドイミド樹脂が好ましく用いられ、特にポリアミドイミド樹脂が耐薬品性付与や易接着性付与の点から好ましく用いられる。（３）支持体被覆層に用いられるポリアミドイミド樹脂は、耐熱性・耐薬品性の点からＴｇ（ガラス転移温度）が３００℃以上であること、硬化後の重量平均分子量が１００００以上であること、（１）接着剤層の易接着性付与の点からエポキシ樹脂が５重量％以上混合硬化されていることが好ましい。

また、（３）支持体被覆層は目的に応じて接着剤層側およびその反対側のどちらにでも必要に応じて配することができ、そのどちらか一方または両方に、剥離性を付与してもよい。剥離性とは、（３）支持体被覆層を配した（２）支持体から、（２）支持体の一部が剥がれたり、逆に（２）支持体の表面に（３）支持体被覆層の一部が残ったり、また他の界面での剥離を起こすことなく、（３）支持体被覆層を剥離できることを言う。接着剤層側の（３）支持体被覆層に剥離性を付与した場合は、加工後製品の基材レス化が可能となり、接着剤層側の反対側の（３）支持体被覆層に剥離性を付与した場合には、既存の回路加工ラインに対する薬液耐性を保持したまま、金属支持体を生かした高放熱性基板を得ることが可能となる。この場合、（３）支持体被覆層が二層以上の層構造を有し、（２）支持体に接する第一の層が粘着材および／または熱可塑性樹脂であって、第一の層以外の少なくとも１つの層がポリエステル、ポリオレフィン、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミドおよびポリメチルメタクリレートから選ばれた１以上であることが好ましい。これにより第一の層は剥離性を有し、また上記第一の層以外の少なくとも１つの層は、回路加工時の薬液耐性を確保しつつ剥離時の引張り強度を確保し易剥離化することができる。

また、上記（３）支持体被覆層の他、打ち抜き等によってデバイスホールやスプロケットホール等を形成した際のホール断面に、絶縁保護等を目的とした被覆層を更に追加で施しても良い。

本発明の金属支持フレキシブル基板における（１）接着剤層は、（２）支持体の反対側に（４）保護フィルムを配して、金属支持キャリアテープとすることが好ましい。これにより（１）接着剤層を半硬化状態で維持することができる。

保護フィルムは、接着剤層の形態および機能を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリフェニレンスルフィド、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート等のプラスチックフィルム、これらにシリコーンあるいはフッ素化合物等の離型剤のコーティング処理を施したフィルムおよびこれらのフィルムをラミネートした紙、離型性のある樹脂を含浸あるいはコーティングした紙等が挙げられる。

金属支持キャリアテープは、打ち抜き加工等によって、必要なデバイスホールを形成した後に保護フィルムを剥離し、回路形成用金属層をラミネート法やプレス法によって配することにより、デバイスホール内に中空配線（フライングリード）を形成することが可能となる。フライングリードを用いた実装であれば、ＩＣやＬＥＤ素子等を金属支持キャリアテープの表裏どちらからでも実装することが可能となる為、被実装部品のレイアウト性・放熱設計性が向上するだけでなく、ワイヤーボンディング法で課題となる絶縁層の圧縮破壊による支持体金属層−回路形成層の絶縁破壊を更に避けることが出来る。

次に、本発明の金属支持フレキシブル基板を製造する方法について、例を挙げて説明する。

（ａ）（１）接着剤層を構成する樹脂組成物を溶剤に溶解して接着剤塗料とし、（２）支持体上に塗布、乾燥し接着剤層を形成することで本発明の金属支持フレキシブル基板を得る。接着剤層の膜厚は、接着性・絶縁性・熱伝導性等の各要求機能を満たせば特に限定はされないが、フレキシブル性を維持する為に２〜２００μｍとなるように塗布することが好ましく、２〜５０μｍとなる様に塗布することがより好ましい。塗布方法は特に限定されないが、コンマ方式、リップ方式、ロール方式、メイヤーバー方式、グラビア方式等の一般的な塗布設備を塗料性状に合わせて用いれば良い。また接着剤厚みを増すために、接着剤塗料を重ねて塗工しても良いし、形成した接着剤層を複数回積層してもよい。

乾燥条件は、通常１００〜２００℃、１〜５分である。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族系、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎメチルピロリドン等の非プロトン系、エタノール、メタノール、イソプロピルアルコール、Ｎブタノール、ベンジルアルコール等のアルコール系溶剤が好適であり、これらを２種以上用いてもよい。また、溶剤に不溶な（Ｄ）硬化促進剤や（Ｅ）充填剤を用いる場合には、ホモミキサーや、ビーズミル、サンドミル、キャビテーション方式による分散装置等を用いて、予め溶剤に分散しておく方法や、（１）接着剤層を構成する各樹脂のいずれか一つ以上に、エクストルーダーやバンバリーミキサー等を用いて混練・分散しておく方法などを好適に用いることが出来る。

（ｂ）（ａ）に記載の方法で形成した接着剤層に、必要により離型性を有する（４）保護フィルムをラミネートして本発明の金属支持フレキシブル基板を得ても良い。また、予め（４）保護フィルム上に接着剤層を形成しておき、（２）支持体をラミネートして本発明の金属支持フレキシブル基板を得てもよい。（２）支持体に（３）支持体被覆層を配する場合には、予め（３）支持体被覆層となる樹脂を有機溶剤に溶解または分散した塗料を作成し、（２）支持体に所定の厚みで塗布・乾燥して（３）支持体被覆層を形成しておくことが好ましく、また、剥離性を有する（３）支持体被覆層を配する場合には、剥離性樹脂層を剥離に必要な引張り強度を保持する為のフィルムに塗布・乾燥して得た複層構成体を、予め（２）支持体にラミネート法などで貼り合わせておくことが好ましい。

また本発明の金属支持フレキシブル基板は、（２）支持体へ（１）接着剤層をラミネートして得ることもできる。（２）支持体への（１）接着剤層のラミネート条件は、通常温度５０〜１６０℃、押圧０．１〜０．５ＭＰａである。ラミネート温度は１４０℃以下であることが好ましく、１２０℃以下であれば良好、１００℃以下であれば極めて良好と判断できる。また（２）支持体の（１）接着剤層側に（３）支持体被覆層が構成されている場合は、（２）支持体に（３）支持体被覆層が配されたものに（１）接着剤層をラミネートすることになるが、その場合も（２）支持体へ（１）接着剤層を直接ラミネートする場合と同様の条件でラミネートすることが好ましい。

本発明の金属支持フレキシブル基板を得た後に、例えば４０〜１００℃で２０〜３００時間程度熱処理して接着剤層の硬化度を調節してもよい。硬化度を調節することにより、金属支持フレキシブル基板に回路形成用金属層を配する際の接着剤のフロー過多を防止するとともに、加熱硬化時の水分による発泡を防止する効果がある。

また本発明の回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル回路基板は、本発明の金属支持フレキシブル基板を用いて得ることができ、回路形成用の金属層によって形成された回路が、フライングリード構造を有していることを特徴とする。これにより、発熱体であるチップやＭＥＭＳ、ＬＥＤ素子などの被実装デバイスを、表裏どちらからでも実装する事が可能となる。また、放熱部品を実装デバイス反対面にレイアウトしても、基板によるデバイス−放熱部品間の熱伝達阻害を抑制する事が可能となる為、放熱設計上のレイアウト自由度が増し、さらに小型化を進めることが可能となる。

本発明の金属支持フレキシブル基板は、これを用いてテープオートメーテッドボンディング用金属支持キャリアテープ、ＬＥＤ実装用金属支持フレキシブル回路基板、放熱性金属支持フレキシブル回路基板などに好適に用いることができる。

また本発明の金属支持フレキシブル基板を用いた電子部品は、回路加工に必要な耐薬品性や金属支持基板に必要な絶縁性を有するだけでなく、小型化が進む電子機器の立体配線形成における設計や加工を容易とし、併せて小型化によって困難となる放熱設計を低コストで実現することが可能となる。

以下に、本発明の実施形態の一例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。まず、実施例および比較例における評価方法を説明する。

（１）引張強度（支持体、金属支持フレキシブル基板、金属支持フレキシブル回路基板）
ＪＩＳ規格Ｚ２２４１（２０１１）の３．４に定義される伸び（％）である。各実施例および比較例で用いた支持体および得られた金属支持フレキシブル基板、金属支持フレキシブル回路基板について測定を行った。なお支持体および金属支持フレキシブル回路基板についてはそのまま用いたが、金属支持フレキシブル基板については、加工工程における印加熱履歴として、１６０℃／４時間の接着剤硬化処理を経たものを測定に用いた。

これらのサンプルについて、それぞれ１３Ａ試験片を作成し、上降伏点・下降伏点まで：応力増加速度３０Ｎ／（ｍｍ^２・ｓ）以下、降伏点以降：歪速度５０％／ｍｉｎ以下の測定条件で引張強度を測定した。

（２）伸度（支持体、金属支持フレキシブル基板、金属支持フレキシブル回路基板）
ＪＩＳ規格Ｚ２２４１（２０１１）３．１０．１に定義される引張強度である。各実施例および比較例で用いた支持体および得られた金属支持フレキシブル基板、金属支持フレキシブル回路基板について、上記（１）のとおり引張強度を測定し、測定後の試験片につき、試験後の試験片を突き合わせて、標点距離を測定し、原標点で割って百分率で表した値を伸度とした。
（３）ＭＩＴ曲げ耐力回数（支持体、金属支持フレキシブル基板、金属支持フレキシブル回路基板）
各実施例および比較例において用いた支持体、および得られた金属支持フレキシブル基板、金属支持フレキシブル回路基板について、ＪＩＳ規格Ｐ８１１５（２００１）に準じたＭＩＴ型自動屈曲試験機（東洋精機社製 ＭＩＴ−Ｄ）によって、曲率半径０．５ｍｍ、折り曲げ速度６回／秒、縦加重２．５Ｎ／ｃｍ、折り曲げ角度両側９０°にて計測された破断までの屈曲回数を計測し、ＭＩＴ曲げ耐力回数とした。破断は、形成された配線破断もしくは（２）支持体の破断のいずれか早い方とした。破断までの屈曲回数は３５回以上であれば良好、１００回以上であればなお良い。また、金属支持フレキシブル基板のＭＩＴ曲げ耐力回数に比べて、金属支持フレキシブル回路基板のＭＩＴ曲げ耐力回数が２０回以上多い場合はさらに良い。

（４）反り（回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル基板）
各実施例および比較例において得られた回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル基板を、３５ｍｍ×１９０ｍｍに裁断しカール量評価用金属支持フレキシブル基板とした。カール量評価用金属支持フレキシブル基板を２３℃／５５％ＲＨにて２４時間調湿を行った後、カールした基板の端部を上向きにガラスプレート上に静置した状態でガラスプレートからの最高高さ位置を計測しカール量とした。カール量は７ｍｍ以下であれば良好、３ｍｍ以下であれば極めて良好と判断できる。

（５）回路加工流動性
各実施例および比較例において得られた金属支持フレキシブル基板から金属支持フレキシブル回路基板を得る工程における回路加工流動性を、以下の基準で評価した。
◎：金属支持フレキシブル基板のコシ不足による搬送時のスプロケットホールの脱落や破壊、パスライン中での引っかかり等は無く、端部折れの発生も無かった。通常のフィルムベースフレキシブル基板の標準的な搬送速度３ｍ／ｍｉｎの加工ラインにおいて、３ｍ／ｍｉｎでの搬送が可能であった。
○：搬送が可能であり、金属支持フレキシブル基板のコシ不足による搬送性低下はあったが流動可能で、ライン速度や張力の調整で通常のフィルムベースフレキシブル基板の標準的な搬送速度３ｍ／ｍｉｎの加工ラインにおいて、２ｍ／ｍｉｎ以上で問題なく加工可能であった。
△：搬送は困難で、スプロケット搬送以外の手法を用いる必要と、それに応じた設備改造を行なうことで通常のフィルムベースフレキシブル基板の標準的な搬送速度３ｍ／ｍｉｎの加工ラインにおいて、２ｍ／ｍｉｎ未満の低速流動が可能であった。
×：金属支持フレキシブル基板のコシが強すぎて、搬送パスラインを通すことが出来ないもしくは搬送グリップのチャッキングミスやスプロケットホールからの脱落で、流動出来なかった。もしくは、コシが弱すぎて基板が変形・破損してしまい搬送することができなかった。

（実施例１）
（ａ）接着剤層シートの作製
（Ａ）ダイマー酸ポリエーテルアミド樹脂（“トーマイド”（登録商標）ＰＡ−２００、富士化成工業社製、アミン価３、溶融粘度４０．０Ｐａ・ｓ）１００重量部、（Ｂ）レゾールフェノール樹脂（ＣＫＭ１６３４ 昭和高分子社製）５０重量部、（Ｃ）エポキシ樹脂（“エピコート”（登録商標）ＹＬ９８０、ジャパンエポキシレジン社製）８０重量部、（Ｄ）硬化促進剤（２エチル−４メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ）、東京化成社製）２重量部に、エタノール／トルエン混合溶剤（混合重量比率 エタノール１：トルエン４）を加え、３０℃で撹拌、混合して固形分濃度２５重量％接着剤組成物を作製した。この接着剤組成物をバーコータで、（４）保護フィルム（シリコーン離型剤付きの厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（藤森工業（株）製“フィルムバイナ”（登録商標）ＧＴ））に約１２μｍの乾燥厚さとなるように塗布し、１５０℃で４分間乾燥した後、形成された接着剤層面に別の（４）保護フィルムを貼り合わせることで両側を（４）保護フィルムでサンドされた接着剤層シートを作製した。

（ｂ）金属支持フレキシブル基板、回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル基板および金属支持フレキシブル回路基板の作製
上記（ａ）で得られた接着剤層シートにおける片側の（４）保護フィルムを剥離した。次に（２）支持体として用いるアルミニウム箔（３００３ 質別Ｈ１８ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））の両面に、ポリアミドイミド樹脂（ＨＲ−１１ＮＮ、東洋紡社製、Ｔｇ３００℃）に、エポキシ樹脂を混合比率１０％で添加したものを乾燥後の厚み３．０μｍとなるようにして塗布し、これを３００℃で５分処理して乾燥させて（３）支持体被覆層を作製した。次にこれの一方の面に、上記片側の保護フィルムを剥離した接着剤層シートの（１）接着剤層側の面を合わせて１００℃、０．３ＭＰａの条件でラミネートし、金属支持フレキシブル基板を得た。

金属支持フレキシブル基板の（４）保護フィルムを剥離し、１８μｍの電解銅箔を、１４０℃、０．３ＭＰａ圧力、３ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートした。続いてエアオーブン中で、８０℃で３時間、１００℃で５時間、１５０℃で５時間の順次加熱処理を行い、回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル基板を作製した。得られた回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル基板の回路形成用銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥離を行い、配線ピッチ１００μｍ（導体幅５０μｍ）の対向電極回路を形成した後、ホウフッ酸系（ロームアンドハース社製 スズメッキ液（商品名）“ＴＩＮＰＯＳＩＴ”（登録商標）ＬＴ−３４）の無電解スズメッキ液に７０℃、５分浸漬処理し、０．５μｍ厚のメッキを施して、金属支持フレキシブル回路基板を作製した。なお上記の金属支持フレキシブル基板から金属支持フレキシブル回路基板を得る工程において搬送する際の速度はレジスト膜形成から剥離工程間を３ｍ／ｍｉｎで行った。

上記方法によって得られた金属支持フレキシブル基板、回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル基板、金属支持フレキシブル回路基板を用いて、前記（１）〜（５）の評価を行った。

（実施例２）
金属支持フレキシブル基板および金属支持フレキシブル回路基板の作成に当たり、（２）支持体としてアルミニウム箔（３００３ 質別Ｈ１８ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））の代わりにアルミニウム箔（（３００３ 質別Ｈ２６ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））を用いた以外は実施例１と同様の方法で作製し、前記（１）〜（５）記載の評価を行った。

（実施例３）
金属支持フレキシブル基板および金属支持フレキシブル回路基板の作成に当たり、（２）支持体としてアルミニウム箔（３００３ 質別Ｈ１８ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））の代わりにアルミニウム箔（（３００３ 質別Ｈ２２ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））を用いた以外は実施例１と同様の方法で作製し、前記（１）〜（５）記載の評価を行った。

（実施例４）
金属支持フレキシブル基板および金属支持フレキシブル回路基板の作成に当たり、（２）支持体としてアルミニウム箔（３００３ 質別Ｈ１８ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））の代わりにアルミニウム箔（（３００３ 質別Ｏ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））を用いた以外は実施例１と同様の方法で作製し、前記（１）〜（５）記載の評価を行った。

（実施例５）
金属支持フレキシブル基板および金属支持フレキシブル回路基板の作成に当たり、（２）支持体としてアルミニウム箔（３００３ 質別Ｈ１８ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））の代わりにアルミニウム箔（（１Ｎ３０ 質別Ｈ１８ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））を用いた以外は実施例１と同様の方法で作製し、前記（１）〜（５）記載の評価を行った。

（実施例６）
金属支持フレキシブル基板および金属支持フレキシブル回路基板の作成に当たり、（２）支持体としてアルミニウム箔（３００３ 質別Ｈ１８ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））の代わりにアルミニウム箔（（１Ｎ３０ 質別Ｈ２６ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））を用いた以外は実施例１と同様の方法で作製し、前記（１）〜（５）記載の評価を行った。

（実施例７）
金属支持フレキシブル基板および金属支持フレキシブル回路基板の作成に当たり、（２）支持体としてアルミニウム箔（３００３ 質別Ｈ１８ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））の代わりにアルミニウム箔（（１Ｎ３０ 質別Ｈ２２ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））を用いた以外は実施例１と同様の方法で作製し、前記（１）〜（５）記載の評価を行った。

（実施例８）
金属支持フレキシブル基板および金属支持フレキシブル回路基板の作成に当たり、（２）支持体としてアルミニウム箔（３００３ 質別Ｈ１８ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））の代わりにアルミニウム箔（（１Ｎ３０ 質別Ｏ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））を用いた以外は実施例１と同様の方法で作製し、前記（１）〜（５）記載の評価を行った。

（実施例９）
金属支持フレキシブル基板および金属支持フレキシブル回路基板の作成に当たり、（２）支持体としてアルミニウム箔（３００３ 質別Ｈ１８ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））の代わりにアルミニウム箔（（８０２１ 質別Ｈ１８ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））を用いた以外は実施例１と同様の方法で作製し、前記（１）〜（５）記載の評価を行った。

（実施例１０）
金属支持フレキシブル基板および金属支持フレキシブル回路基板の作成に当たり、（２）支持体としてアルミニウム箔（３００３ 質別Ｈ１８ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））の代わりにアルミニウム箔（（８０２１ 質別Ｈ２６ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））を用いた以外は実施例１と同様の方法で作製し、前記（１）〜（５）記載の評価を行った。

（実施例１１）
金属支持フレキシブル基板および金属支持フレキシブル回路基板の作成に当たり、（２）支持体としてアルミニウム箔（３００３ 質別Ｈ１８ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））の代わりにアルミニウム箔（（８０２１ 質別Ｈ２２ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））を用いた以外は実施例１と同様の方法で作製し、前記（１）〜（５）記載の評価を行った。

（実施例１２）
金属支持フレキシブル基板および金属支持フレキシブル回路基板の作成に当たり、（２）支持体としてアルミニウム箔（３００３ 質別Ｈ１８ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））の代わりにアルミニウム箔（（８０２１ 質別Ｏ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））を用いた以外は実施例１と同様の方法で作製し、前記（１）〜（５）記載の評価を行った。

（比較例１）
金属支持フレキシブル基板および金属支持フレキシブル回路基板の作成に当たり、（２）支持体としてアルミニウム箔（３００３ 質別Ｈ１８ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））の代わりにアルミニウム箔（（３００４ 質別Ｈ１８ ５０μｍ厚（住軽アルミ株式会社製））を用いた以外は実施例１と同様の方法で作製し、前記（１）〜（５）記載の評価を行った。

各実施例、比較例で使用した（２）支持体を表１に示した。各実施例の評価項目（１）〜（５）の結果を表２に示した。

Claims (9)

1. （１）接着剤層および（２）支持体を有する金属支持フレキシブル基板であって、前記（２）支持体が伸度５％以上かつＭＩＴ曲げ耐力回数が３５回以上のアルミニウム箔であることを特徴とする金属支持フレキシブル基板。
2. 前記（２）支持体の前記（１）接着剤層側および／またはその反対側に（３）支持体被覆層が構成されていることを特徴とする請求項１に記載の金属支持フレキシブル基板。
3. 前記（２）支持体が、３００３、１Ｎ３０または８０２１アルミニウム箔であることを特徴とする請求項１または２に記載の金属支持フレキシブル基板。
4. 前記（２）支持体の質別がＨ１８、Ｈ２２、Ｈ２４またはＨ２６であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の金属支持フレキシブル基板。
5. 前記（１）接着剤層が、（Ａ）ダイマー酸残基を含むポリアミド樹脂および（Ｂ）フェノール樹脂を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の金属支持フレキシブル基板。
6. 請求項１〜５のいずれか記載の金属支持フレキシブル基板を用いた、テープオートメーテッドボンディング用金属支持キャリアテープ。
7. 請求項１〜５のいずれか記載の金属支持フレキシブル基板を用いた、ＬＥＤ実装用金属支持フレキシブル回路基板。
8. 請求項１〜５のいずれか記載の金属支持フレキシブル基板を用いた、放熱性金属支持フレキシブル回路基板。
9. 請求項１〜５のいずれか記載の金属支持フレキシブル基板を用いた回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル回路基板であって、回路形成用の金属層によって形成された回路が、フライングリード構造を有していることを特徴とする、回路形成用銅箔積層済み金属支持フレキシブル回路基板。