JP2014165320A - Led装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 大判基板2Lの裏面に分割用の溝2aを設ける分割溝形成工程と、大判基板2Lを被覆する蛍光樹脂4をカッター5により切断する樹脂切断工程と、カッター5を大判基板2Lに押し込んで大判基板2Lを分割する大判基板分割工程とを備えている。この樹脂切断工程と大判基板分割工程は連続して実施される。
【選択図】 図1
Description
図8、図9により、特許文献1において示された従来のLED装置の製造方法を説明する。図8は集合工法による製造方法を説明するための大判LED装置100Lの断面図である。また、図9は図8に示す大判LED装置100Lを切断分離し個片化したLED装置100の断面図である。
前記大判基板の裏面であって前記上面の素子実装部を取り囲む位置に分割用の溝を設ける分割溝形成工程と、
前記樹脂をカッターにより、前記分割用の溝の位置で切断する樹脂切断工程と、
前記樹脂切断工程の後に前記カッターを前記大判基板に押し込んで前記分割用の溝の位置で大判基板を分割する大判基板分割工程と
を有することを特徴とする。
図1〜図4により本発明の第1実施形態におけるLED装置の製造方法を説明する。図1は製造工程を示すための大判LED装置の断面図、図2は図1に示す大判LED装置の部分拡大断面図、図3、図4はLED装置を切断分離加工する加工装置の断面図である。
図7により本発明の第2実施形態におけるLED発光装置の製造方法を説明する。図7は大判LED装置10Lを切断分離する加工装置と大判LED装置10Lの断面図である。図7において加工台6、ゴムシート7、樹脂シート8及び大判LED装置10Lの積層関係は、図3に示す第1実施形態における加工装置及び大判LED装置10Lの積層関係と基本的に同じ構成である。従って図3に示す第1実施形態と同一部材には同一番号を付し、重複する説明を省略する。なお図7では、図3に対し樹脂シート8にテンションを与える機構を省略しているのに加え、大判ED装置10Lを図3に比べ簡略化して描いている。
2 基板
2L 大判基板
2a 分割溝
4 蛍光樹脂
5、5A、5B、5C、206 カッター
6、16、206 加工台
7 ゴムシート
8 樹脂シート
9 支持リング
10、100、200 LED装置
10L、100L、200L 大判LED装置
16a、206a 凹部
104、204 封止樹脂
Claims (5)
- 上面に複数の素子実装部を有する大判基板を用意し、前記大判基板の素子実装部に複数のLEDダイを実装すると共に、前記LEDダイが実装された上面を樹脂で被覆した大判LED装置を、切断分離して単個のLED装置を作成するLED装置の製造方法において、
前記大判基板の裏面であって前記上面の素子実装部を取り囲む位置に分割用の溝を設ける分割溝形成工程と、
前記樹脂をカッターにより、前記分割用の溝の位置で切断する樹脂切断工程と、
前記樹脂切断工程の後に前記カッターを前記大判基板に押し込んで前記分割用の溝の位置で前記大判基板を分割する大判基板分割工程と
を有することを特徴とするLED装置の製造方法。 - 前記大判基板がセラミック基板であることを特徴とする請求項1に記載のLED装置の製造方法。
- 前記樹脂は蛍光粒子を混入した透光性樹脂であることを特徴とする請求項1又は2のいずれか一項に記載のLED装置の製造方法。
- 前記樹脂切断工程と大判基板分割工程は、前記大判基板をゴムシート上に載置した状態で行うことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のLED装置の製造方法。
- 前記樹脂切断工程と大判基板分割工程とは、前記大判基板を樹脂シートに被着し、前記樹脂シートにテンションを加えた状態で行うことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のLED装置の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016146465A (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2017174909A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 豊田合成株式会社 | 発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10229220A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-08-25 | Stanley Electric Co Ltd | チップマウント型発光ダイオードの製造方法 |
JP2000124537A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Sharp Corp | 半導体レーザチップの製造方法とその方法に用いられる製造装置 |
JP2003163376A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 波長変換材料及び発光素子 |
JP2004221392A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 板状物の分割装置、板状物の分割方法および半導体レーザー |
JP2005159311A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-06-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子用の支持体及びその製造方法並びに半導体装置 |
WO2009145298A1 (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | シャープ株式会社 | 発光装置、面光源、液晶表示装置および発光装置の製造方法 |
JP2012119673A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Samsung Led Co Ltd | 半導体発光素子に蛍光体を塗布する方法 |
-
2013
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10229220A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-08-25 | Stanley Electric Co Ltd | チップマウント型発光ダイオードの製造方法 |
JP2000124537A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Sharp Corp | 半導体レーザチップの製造方法とその方法に用いられる製造装置 |
JP2003163376A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 波長変換材料及び発光素子 |
JP2004221392A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 板状物の分割装置、板状物の分割方法および半導体レーザー |
JP2005159311A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-06-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子用の支持体及びその製造方法並びに半導体装置 |
WO2009145298A1 (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | シャープ株式会社 | 発光装置、面光源、液晶表示装置および発光装置の製造方法 |
JP2012119673A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Samsung Led Co Ltd | 半導体発光素子に蛍光体を塗布する方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016146465A (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2017174909A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 豊田合成株式会社 | 発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法 |
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