JP2014165320A - Ｌｅｄ装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 いわゆる集合工法を適用したセラミック基板を用いたＬＥＤ装置の製造方法において、加工時間が短く、断面の形状性の良い切断分離方法が求められていた。
【解決手段】 大判基板２Ｌの裏面に分割用の溝２ａを設ける分割溝形成工程と、大判基板２Ｌを被覆する蛍光樹脂４をカッター５により切断する樹脂切断工程と、カッター５を大判基板２Ｌに押し込んで大判基板２Ｌを分割する大判基板分割工程とを備えている。この樹脂切断工程と大判基板分割工程は連続して実施される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、大判のセラミック基板に複数のＬＥＤダイを実装し、樹脂封止した後に切断してＬＥＤ装置を量産するＬＥＤ装置の製造方法に関する。

近年、ＬＥＤ発光素子（以下ＬＥＤダイと略記する）は半導体素子であるため、長寿命で優れた駆動特性を有し、さらに小型で発光効率が良く、鮮やかな発光色を有することから、カラー表示装置のバックライトや照明等に広く利用されるようになってきた。

特に近年、ＬＥＤ発光装置としては、セラミック基板に実装したＬＥＤダイを透明樹脂や蛍光樹脂等の封止樹脂で被覆することによって白色発光装置やカラー発光装置を作成することがある。このＬＥＤ装置は、大判基板に多数のＬＥＤダイを実装し、実装した複数のＬＥＤダイの上面を樹脂封止して大判ＬＥＤ装置を構成し、この大判ＬＥＤ装置の樹脂封止された大判基板を単個に切断分離して多数のＬＥＤ装置を製造する方式（以後集合工法という）により量産化することが提案されている（例えば特許文献１、特許文献２）。

各特許文献１，２は、いずれもそれ以前から行われていたセラミック基板を用いたＬＥＤ装置の集合工法による製造方法が、集合基板（大判基板）をダイシングブレーにより切断し単個のＬＥＤ装置を得ていたため、セラミック基板を切断することによって生ずるダイシングブレードの激しい摩耗の問題、及びダイシングブレードの消耗や交換によるコストアップの問題を抱えていたことに対し、これらの問題を解決しようとしていた。

以下、セラミック基板を用いたＬＥＤ装置に対し適用された、従来の集合工法による製造方法に付いて説明する。なお、従来技術と後述する本発明実施形態において共通部材には同一番号を付し、重複する説明を省略する。
図８、図９により、特許文献１において示された従来のＬＥＤ装置の製造方法を説明する。図８は集合工法による製造方法を説明するための大判ＬＥＤ装置１００Ｌの断面図である。また、図９は図８に示す大判ＬＥＤ装置１００Ｌを切断分離し個片化したＬＥＤ装置１００の断面図である。

図８において大判ＬＥＤ装置１００Ｌでは、セラミックよりなる大判基板２Ｌ（セラミック基板）に実装した複数のＬＥＤダイ１の上面を熱硬化性のエポキシ樹脂（封止樹脂１０４）で被覆している。さらに大判基板２Ｌでは、ＬＥＤダイ１が実装された面の反対側の裏面において、複数のＬＥＤダイ１が実装されている位置の間に存在する分離位置Ｔ（点線で示す）に分割溝２ａが設けられている。また封止樹脂１０４の分離位置Ｔにも分割溝１０４ａが設けられている。なお、大判基板２Ｌの分割溝２ａはレーザー加工で形成し、封止樹脂１０４の分割溝１０４ａはレーザー加工やダイシングブレードによる切削加工で形成する。

次に図９により、大判ＬＥＤ装置１００Ｌを切断分離して単個のＬＥＤ装置１００を作成する工程を説明する。図９は切断分離により個片化したＬＥＤ装置１００の断面図である。すなわち図８に示す大判ＬＥＤ装置１００Ｌの分離位置Ｔに分割治具（図示せず）をセットして折り曲げることによって、大判基板２Ｌの分割溝２ａから封止樹脂１０４の分割溝１０４ａにかけて大判ＬＥＤ装置が割れる。この結果、単個のＬＥＤ装置１００が切断分離される。

次に図１０、図１１により特許文献２に記載された従来のＬＥＤ装置の集合工法による製造方法に付いて説明する。まず図１０により特許文献２における集合工法による製造方法を説明する。図１０は大判ＬＥＤ装置２００Ｌの断面図である。また、図１１は図１０に示す大判ＬＥＤ装置２００Ｌを切断分離し個片化したＬＥＤ装置２００の断面図である。

図１０において大判ＬＥＤ装置２００Ｌは、セラミックよりなる大判基板２Ｌと、大判基板２Ｌに実装した複数のＬＥＤダイ１と、これらの上面を被覆するエポキシ樹脂（封止樹脂２０４）からなっている。また大判基板２Ｌは、ＬＥＤダイ１の実装面の反対側である裏面に、ＬＥＤダイ１を実装した位置の間に存在する分離位置Ｔ（点線でします）に分割溝２ａが設けられている。

次に図１１により、大判ＬＥＤ装置２００Ｌを切断分離して単個のＬＥＤ装置２００を作成する工程を説明する。図１１は切断分離されて個片化したＬＥＤ装置２００の断面図である。この工程では、まず図１０に示す大判ＬＥＤ装置２００Ｌの大判基板２Ｌを加熱する。これによって図１１に示すように大判基板２Ｌの分割溝２ａの部分にクラックが入り、同時に封止樹脂２０４にもクラックが入る。この結果、大判基板２Ｌが不完全ながら切断分離され、これに伴って封止樹脂２０４も不完全ながら切断分離される。つづいて図１１に示すように分離位置Ｔの部分に凹部２０６ａを有する加工台２０６の上に大判ＬＥＤ装置２００Ｌを載置し、この状態で封止樹脂２０４の分離位置Ｔに押圧治具２０５で押圧力を加える。この結果、大判基板２Ｌの分割溝２ａの部分に応力が集中し、完全な切断分離が行われる。

特開２００３−１３３２６２号公報 特開２０００−１５０７２６号公報

上記特許文献１の提案では、封止樹脂１０４自体を折り曲げ、割るようにして切断分離するので、封止樹脂１０４として熱硬化性のエポキシ樹脂のような硬質樹脂を使用することが必要であった。これに対し耐光性が高く寿命の長いシリコン樹脂のような軟質樹脂を採用するＬＥＤ装置には、この手法は適さないという問題がある。また、特許文献２の提案は、セラミック基板の加熱によるクラックを利用して切断分離を行う方法であるが、この方法では封止樹脂まで適切なクラックをいれること自体が難しくなっている。またこの特許文献２の方法も、クラックの入りにくい軟質樹脂を採用するＬＥＤ装置には適さないという問題がある。さらに特許文献１、特許文献２ともに樹脂を破断する方法であるため封止樹脂の断面にバリや欠けが発生するという問題もある。

本発明の目的は上記問題点を解決しようとするものであり、セラミック基板を軟質の樹脂により被覆したＬＥＤ装置の集合工法において、加工時間が短く、切断面の形状の整ったＬＥＤ装置を量産することが可能な製造方法を提供することである。

上記目的を達成するため本発明の製造方法は、上面に複数の素子実装部を有する大判基板を用意し、前記大判基板の素子実装部に複数のＬＥＤダイを実装すると共に、前記ＬＥＤダイが実装された上面を樹脂で被覆した大判ＬＥＤ装置を、切断分離して単個のＬＥＤ装置を作成するＬＥＤ装置の製造方法において、
前記大判基板の裏面であって前記上面の素子実装部を取り囲む位置に分割用の溝を設ける分割溝形成工程と、
前記樹脂をカッターにより、前記分割用の溝の位置で切断する樹脂切断工程と、
前記樹脂切断工程の後に前記カッターを前記大判基板に押し込んで前記分割用の溝の位置で大判基板を分割する大判基板分割工程と
を有することを特徴とする。

上記製造方法は、いわゆる集合工法と呼ばれる工法にもとづいている。集合工法では、大判基板の上面に複数のＬＥＤダイを実装したら、上面を樹脂で被覆し、最後に樹脂ごと大判基板を切断分離して短冊状の基板又は個別のＬＥＤ装置を得る。このとき本発明の製造方法は、大判基板の裏面に分割用の溝を形成してから、カッターにより樹脂を切断し、このままカッターを大判基板に押し込んで大判基板を分割している。すなわちセラミック基板を軟質の樹脂により被覆したＬＥＤ装置の製造に集合工法を適用するのに際し、カッターによる軟質樹脂の切断と、セラミック基板の押圧による切断分離の両方を連続して行わせることによって、加工時間が短く、切断面の形状の整ったＬＥＤ装置を量産することが可能となる。

前記大判基板がセラミック基板であると良い。

前記樹脂は蛍光粒子を混入した透光性樹脂であると良い。

前記樹脂切断工程と大判基板分割工程は、前記大判基板をゴムシート上に載置した状態で行うと良い。

上記製造方法によれば、ゴムシートのクッション効果によって大判基板分割工程において、大判基板の望まない部分への応力集中を緩和することが出来るため、大判基板の分離位置以外での切断又は破壊を防止することが出来る。

前記樹脂切断工程と大判基板分割工程とは、前記大判基板を樹脂シートに被着し、前記樹脂シートにテンションを加えた状態で行うと良い。

上記製造方法によれば、樹脂シートはテンションを加えられているためしっかりと固定される。この結果、大判基板を切断分離しても、大判基板から切断分離した部分が樹脂シートに被着したまま位置規制され大判基板分割工程でのピッチずれ不良を防止することが出来る。

上記の如く本発明によれば、セラミック基板を軟質の樹脂で被覆したＬＥＤ装置を集合工法により製造する際、カッターによる軟質樹脂の切断とセラミック基板の切断分離を連続して行わせることによって、加工時間が短く、切断面の形状の整ったＬＥＤ装置を量産することが出来る。

本発明の第１実施形態における大判ＬＥＤ装置の断面図である。 図１に示す大判ＬＥＤ装置の部分拡大断面図である。 図１に示す大判ＬＥＤ装置を切断分離する加工装置と大判ＬＥＤ装置との断面図である。 図１に示す大判ＬＥＤ装置を切断分離する加工装置と大判ＬＥＤ装置の断面図である。 本発明に対する参考例で使う加工装置と大判基板の断面図である。 本発明の第１実施形態で使う加工装置と大判基板の断面図である。 本発明の第２実施形態で使う加工装置と大判ＬＥＤ装置の断面図である。 従来例の大判ＬＥＤ装置の断面図である。 図８に示す従来例の大判ＬＥＤ装置を切断分離した状態を示すＬＥＤ装置の断面図である。 従来例の大判ＬＥＤ装置の断面図である。 図１０に示す従来例の大判ＬＥＤ装置を切断分離した状態を示すＬＥＤ装置の断面図である。

以下図面により、本発明の実施形態を説明する。

（第１実施形態）
図１〜図４により本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ装置の製造方法を説明する。図１は製造工程を示すための大判ＬＥＤ装置の断面図、図２は図１に示す大判ＬＥＤ装置の部分拡大断面図、図３、図４はＬＥＤ装置を切断分離加工する加工装置の断面図である。

図１（ａ）は本発明の第１実施形態において切断分離加工の対象となる大判ＬＥＤ装置１０Ｌの断面図である。大判ＬＥＤ装置１０Ｌにおいて、セラミックよりなる大判基板２Ｌは、上面にＬＥＤダイ１をフリップチップ実装した複数の素子実装部を有し、裏面にはＬＥＤダイ１の実装部の間に存在する分離位置Ｔに分割溝２ａが設けられている。すなわち大判基板２Ｌは、素子実装部に複数のＬＥＤダイ１を実装すると共に、大判基板２Ｌの上面をシリコン樹脂に蛍光粒子を混入した蛍光樹脂４（透光性樹脂）で被覆し、大判ＬＥＤ装置１０Ｌを構成している。なおＬＥＤダイ１は大判基板２Ｌにフリップ実装されているが、ＬＥＤダイ１を大判基板２Ｌにダイボンディングし、ワイヤでＬＥＤダイ１の電極と大判基板２Ｌの電極を接続しても良い。

また本実施形態では、大判ＬＥＤ装置１０Ｌを製造する際、大判基板２Ｌの裏面に分割溝２ａを設ける工程（分割溝形成工程）は、大判基板２Ｌの上面にＬＥＤダイ１を実装し、さらに蛍光樹脂４で被覆して大判ＬＥＤ装置１０Ｌを完成させた後、分割溝２ａの形成を行った。しかしながら分割溝２ａを形成する段階は、大判ＬＥＤ装置１０Ｌの完成後に限られず、大判基板２Ｌ単体の状態で行って良いし、さらに大判基板２Ｌの上面にＬＥＤダイ１を実装した直後に行っても良い。

図１（ｂ）は樹脂切断工程を示す。この工程では、大判ＬＥＤ装置１０Ｌの分離位置Ｔに切断用のカッター５を降下させることにより、蛍光樹脂４を切断する。樹脂切断工程は、カッター５の先端が大判基板２Ｌの表面に達する位置、すなわち蛍光樹脂４を完全に切断するまでである。なお、本実施形態においては、カッター５としては蛍光樹脂４に対する切断性とセラミックよりなる大判基板２Ｌへの押圧性を考慮して刃厚が０．２ｍｍの金属カッター（合金工具鋼）を採用した。このカッター５は切断する樹脂の種類や基板材質に従って任意に選定することができる。

図１（ｃ）は大判基板分割工程を示す。図１（ｂ）に示した樹脂切断工程の終了後、カッター５をさらに降下させて大判基板２Ｌの表面に押し込むことによって、大判基板２Ｌに押圧力を加える。この結果、分割溝２ａに応力が集中し、大判基板２Ｌが分離位置Ｔにおいて割れることにより切断分離する。なお、樹脂切断工程と大判基板分割工程とからなる一連の作業を繰り返すので、図１（ｂ）（ｃ）にカッター５を点線で示した。すなわち、第１の分離位置Ｔ１での分割動作が終了すると第２の分離位置Ｔ２にカッター５が移動して分割動作を行う。そしてこれを繰り返すことにより大判ＬＥＤ装置１０Ｌの全ての分割動作を行う。

図１（ｄ）は大判ＬＥＤ装置１０Ｌの全ての分割動作が終了して、それぞれ単個に分離された複数のＬＥＤ装置１０を示している。

図２は図１に示す大判ＬＥＤ装置１０Ｌの部分拡大断面図であり、図１（ｃ）の点線円Ａの部分を示している。すなわち図２は基板分割工程を示しており、図１（ｂ）に示す樹脂切断工程の終了後、カッター５をさらに降下させて大判基板２Ｌの表面に押し込んだ状態である。前述の如く樹脂切断工程の終了後、カッター５をさらに降下させて大判基板２Ｌの表面に押し込むことによって、大判基板２Ｌに押圧力を加えて分割溝２ａに応力を集中し、大判基板２Ｌを分離位置Ｔにおいて切断分離する。このときのカッター５の大判基板２Ｌへの押し込み量は、カッター５の摩耗を少なくして寿命を延ばす観点から出来るだけ少なくしたい。ここで分割溝２ａに応力集中を行って大判基板２Ｌを切断分離するためには、図２に示す如く所定の押し込み量ｔが必要である。

例えば、大判基板２Ｌに０．４ｍｍ厚さのアルミナセラミック基板を用い、レーザー加工によって深さが０．０５ｍｍの分割溝２ａを形成し、カッターの押し込み量ｔを０．０５〜０．２ｍｍの範囲に設定したところ、大判基板２Ｌを切断分離することが出来た。なお、ダイシングブレードを用いた加工やグリーンシートでの型押し等の加工法を用いても分割溝２ａを形成できる。しかしながらセラミック基板の分割溝２ａの加工にダイシングブレードを用いるのは、製造工数の増加やダイシングブレードの摩耗交換の必要があるので望ましくない。またグリーンシートへの型押しは、焼結時の収縮の影響を受けるため精度が悪い。そこで本実施形態では作業性の良いレーザー加工を採用した。なお分割溝２ａを深くすれば、カッター５の押し込み量ｔを少なくすることができる。

次に図３、図４により加工装置を図示し大判ＬＥＤ装置１０Ｌの切断分離方法をさらに詳しく説明する。図３は大判ＬＥＤ装置１０Ｌを切断分離する加工装置と大判ＬＥＤ装置１０Ｌの断面図であり、樹脂切断工程を示している。加工装置は加工台６の上面にゴムシート７を載置し、さらにゴムシート７上に載置された樹脂シート８の周囲を支持リング９で下方に押圧して樹脂シート８に所定のテンションをかけている。この加工装置において樹脂シート８は粘着シートであり、大判ＬＥＤ装置１０Ｌの大判基板２Ｌの裏面は樹脂シート８の上面に粘着している。

次に図３、図４により大判ＬＥＤ装置１０Ｌの切断分離方法を説明する。図３は図１（ｂ）に示す樹脂切断工程と同じ工程であり、加工装置を描き加えている。ここで蛍光樹脂４はカッター５によって切断され、カッター５の先端は大判基板２Ｌの上面まで達している。さらに図４は図１（ｃ）に示す基板分割工程と同じ工程であり、加工装置を描き加えている。図３に示した樹脂切断工程の終了後、カッター５をさらに降下させて大判基板２Ｌの表面に押し込む。これで大判基板２Ｌの分割溝２ａに応力集中を行い、大判基板２Ｌを切断分離する。この基板分割工程においてカッター５の押し込み力は加工装置のゴムシート７の弾力によって緩和され、後述するように大判基板２Ｌの異常分割等のトラブルを防止することができる。さらに切断分離される大判ＬＥＤ装置１０Ｌの各部分は、テンションがかかり、しっかり固定された樹脂シート８に粘着されていることによって、ピッチずれ等の位置変動を防止することができる。

次に図５、図６により、大判ＬＥＤ装置１０Ｌの切断分離方法に対し、加工装置にとり付けられたゴムシート７及び樹脂シート８の効果を説明する。図５は、大判ＬＥＤ装置１０Ｌの切断分離方法について本発明と対比するための参考例を示し、加工装置と大判基板２Ｌの断面図である。一方、図６は、本発明の大判ＬＥＤ装置１０Ｌの切断分離方法で使用する加工装置と大判基板２Ｌの断面図である。なお、大判ＬＥＤ装置１０Ｌの切断分離方法に対し、ゴムシート７及び樹脂シート８の効果は、主に大判基板２Ｌを切断分離する基板分割工程において顕著である。そこで説明を解り易くするため、図５及び図６では切断分離対象として大判ＬＥＤ装置１０Ｌではなく大判基板２Ｌだけを示している。また、切断分離後、各ＬＥＤ装置１０（図１参照）をばらばらにしないため大判基板の下面には樹脂シート８（図３，４参照）が貼り付けられているが、図５及び図６では図示を省略した。

まず図５により参考例の切断分離方法を説明する。前述のように図５は参考例における加工装置と大判基板２Ｌの部分断面図であり、図５（ａ）がカッター５による基板分割工程の開始時点を示し、図５（ｂ）が基板分割工程の終了時点を示している。図５（ａ）において加工台１６は、従来技術の図１１に示した加工台２０６の凹部２０６ａと同様に加工用の凹部１６ａを有し、さらに大判基板２Ｌ（実際は図示していない樹脂シート８）を吸着するための吸引孔１６ｂを有している。このときカッター５は加工台１６が備える加工用の凹部１６ａの位置にセットされている。また加工台１６の上面には、大判基板２Ｌが吸引孔１６ｂの吸着力によって載置されている。そして図示しない移送装置によって大判基板２Ｌの加工部分（分離位置Ｔ）が、加工台１６の加工用の凹部１６ａの位置に順次移動してくる。

次に図５により大判基板２Ｌの切断分離動作における問題点を説明する。図５（ａ）に示すようにカッター５が大判基板２Ｌの分離位置Ｔにおいて、大判基板２Ｌの上面に押し込み量ｔだけ押圧すると、大判基板２Ｌの非切断部分が加工台１６からカッター５の押圧力に対する抗力を受ける。このとき大判基板２Ｌは、僅かに湾曲するため加工台１６の凹部１６ａの角部（点線丸Ｂで示す）に強く押し付けられる。この結果、この部分に応力が集中し、図５（ｂ）に示す様に大判基板２Ｌの分離位置Ｔ以外での割れが発生する、という問題があった。

そこで図６によりゴムシート７及び樹脂シート８の効果を説明する。前述のように図６は、大判ＬＥＤ装置１０Ｌについて本発明の切断分離方法で使用する加工装置と大判基板２Ｌの断面図である。図６（ａ）は、加工台６とゴムシート７が積層された加工装置の上に大判基板２Ｌが載置され、カッター５が大判基板２Ｌの分離位置Ｔにおいて大判基板２Ｌの上面に押し込み量ｔだけ入り込むように押圧されている様子を示している。このようにして大判基板２Ｌの切断分離が行われる時に、ゴムシート７の弾力性により、押圧力により大判基板２Ｌが撓んでも大判基板２Ｌの裏面全体で抗力を受けることになり、図５（ａ）に示す参考例に比べて大判基板２Ｌの非切断部分に応力が集中しない。すなわち図５（ａ）で示した加工台１６の凹部１６ａの角部に相当するものが存在しないため、大判基板２Ｌの分離位置Ｔ以外での割れの発生がなくなる。さらに図６（ｂ）に示す様に基板分割工程の終了時点において、切断分割が終わったとき粘着性のある樹脂シート８（図３，４参照）があるため、個々の基板２がずれることなく正しく整列する。

（第２実施形態）
図７により本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ発光装置の製造方法を説明する。図７は大判ＬＥＤ装置１０Ｌを切断分離する加工装置と大判ＬＥＤ装置１０Ｌの断面図である。図７において加工台６、ゴムシート７、樹脂シート８及び大判ＬＥＤ装置１０Ｌの積層関係は、図３に示す第１実施形態における加工装置及び大判ＬＥＤ装置１０Ｌの積層関係と基本的に同じ構成である。従って図３に示す第１実施形態と同一部材には同一番号を付し、重複する説明を省略する。なお図７では、図３に対し樹脂シート８にテンションを与える機構を省略しているのに加え、大判ＥＤ装置１０Ｌを図３に比べ簡略化して描いている。

図３に示す第１実施形態の加工装置と図７に示す第２実施形態の加工装置で異なるところは、第１実施形態の加工装置が１個のカッター５を用いて順次ＬＥＤ装置１０（図１（ｄ）参照）の切断分離を行っていたのに対し、第２実施形態の加工装置は複数のカッターを使用し、同時に複数箇所の切断分離を行っていることである。図７の第２実施形態では、３本のカッター５Ａ，５Ｂ，５Ｃが等間隔で設けられている。この３本のカッター５Ａ，５Ｂ，５Ｃにより大判ＬＥＤ装置１０Ｌは３箇所同時に切断分離される。その後、矢印Ｋ方向にカッター５Ａ，５Ｂ，５Ｃと大判ＬＥＤ装置１０ＬをＫだけ相対的に移動させ、再び大判ＬＥＤ装置１０Ｌの３箇所を切断分離する（これを繰り返す）。すなわちカッターを複数にして大判ＬＥＤ装置１０Ｌを複数同時に切断分離を行うことによって、１つの大判ＬＥＤ装置１０Ｌの切断分離（樹脂切断工程と大判基板分割工程）全体を短時間に行うことができる。つまり本実施形態における３個のカッター５Ａ，５Ｂ，５Ｃの場合、大判ＬＥＤ装置１０Ｌ全体の切断分離の時間を３分の１に短縮することができる。

上記の如く本発明においては、カッターを用いて封止樹脂の切断とセラミック基板の切断分離とを連続的に行うことで、製造設備の簡素化及び加工時間の短縮を行うことができる。また、製造装置の一部にゴムシートと樹脂シートを用いることによって、切断分離作業での不良発生を少なくし、また切断後の各ＬＥＤ装置間のピッチずれを少なくすることができる。また本実施形態においては、セラミック基板２を被覆する材料として軟質の蛍光樹脂４を事例として示したが、これに限定されるものではない。セラミック基板を被覆する樹脂が硬質であっても、カッターの種類や、ゴムシートの硬さ等を適宜選択することによって本発明の製造方法を適用することができる。さらに、本発明による製造方法はＬＥＤ装置以外の他の半導体装置の製造方法にも適用することができる。

１ ＬＥＤダイ
２ 基板
２Ｌ 大判基板
２ａ 分割溝
４ 蛍光樹脂
５、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、２０６ カッター
６、１６、２０６ 加工台
７ ゴムシート
８ 樹脂シート
９ 支持リング
１０、１００、２００ ＬＥＤ装置
１０Ｌ、１００Ｌ、２００Ｌ 大判ＬＥＤ装置
１６ａ、２０６ａ 凹部
１０４、２０４ 封止樹脂

Claims (5)

1. 上面に複数の素子実装部を有する大判基板を用意し、前記大判基板の素子実装部に複数のＬＥＤダイを実装すると共に、前記ＬＥＤダイが実装された上面を樹脂で被覆した大判ＬＥＤ装置を、切断分離して単個のＬＥＤ装置を作成するＬＥＤ装置の製造方法において、
   前記大判基板の裏面であって前記上面の素子実装部を取り囲む位置に分割用の溝を設ける分割溝形成工程と、
   前記樹脂をカッターにより、前記分割用の溝の位置で切断する樹脂切断工程と、
   前記樹脂切断工程の後に前記カッターを前記大判基板に押し込んで前記分割用の溝の位置で前記大判基板を分割する大判基板分割工程と
   を有することを特徴とするＬＥＤ装置の製造方法。
2. 前記大判基板がセラミック基板であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
3. 前記樹脂は蛍光粒子を混入した透光性樹脂であることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一項に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
4. 前記樹脂切断工程と大判基板分割工程は、前記大判基板をゴムシート上に載置した状態で行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
5. 前記樹脂切断工程と大判基板分割工程とは、前記大判基板を樹脂シートに被着し、前記樹脂シートにテンションを加えた状態で行うことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のＬＥＤ装置の製造方法。

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