JP2014164089A - マスクパターン補正プログラム、及びフォトマスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 上記課題は、記憶部に記憶された、回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて該評価点の補正順を変更し、前記補正順に従って評価点の光強度を計算し、前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正する処理をコンピュータに実行させるマスクパターン補正プログラムにより達成される。
【選択図】 図5
Description
(付記1)
記憶部に記憶された、回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて該評価点の補正順を変更し、
前記補正順に従って評価点の光強度を計算し、
前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正する
処理をコンピュータに実行させるマスクパターン補正プログラム。
(付記2)
各評価点に対する前記マスクパターンの補正後ごとに、前記補正順を変更して、前記光強度の計算及び前記マスクパターンの補正を繰り返すことを特徴とした付記1記載のマスクパターン補正プログラム。
(付記3)
前記評価点と該評価点に対向する前記マスクパターンのエッジまでの距離を測定し、前記距離を降順にソーティングすることによって、前記補正順を変更することを特徴とした付記2記載のマスクパターン補正プログラム。
(付記4)
前記マスクパターンは複数のパターンを有し、
少なくとも前記評価点からの前記評価点を有する第1のパターンと前記第1のパターンと対向する第2のパターンとの間隔又は、該評価点からの前記第1のパターンの線幅のいずれか一方を、前記距離として測定することを特徴とする付記3記載のマスクパターン補正プログラム。
(付記5)
前記マスクパターンの補正の繰り返しが第1の回数を超えた場合に、前記補正順の変更を有効とすることを特徴とする付記2乃至4のいずれか一項記載のマスクパターン補正プログラム。
(付記6)
前記光近接効果による欠陥が発生し易い評価点ほど、他の評価点より後で補正されるように、前記補正順が変更されることを特徴とする付記1乃至5のいずれか一項記載のマスクパターン補正プログラム。
(付記7)
回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを記憶した記憶部と、
前記マスクパターンを補正する補正部とを有し、
前記補正部は、更に、
前記記憶部から前記評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて補正順を変更する補正順変更部と、
前記補正順に従って評価点の光強度を計算する光強度計算部と、
前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正するマスクパターン補正部とを有するマスクパターン補正装置。
(付記8)
コンピュータによって実行されるマスクパターン補正方法であって、
記憶部に記憶された、回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて該評価点の補正順を変更し、
前記補正順に従って評価点の光強度を計算し、
前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正する
ことを特徴とするマスクパターン補正方法。
(付記9)
コンピュータが、
記憶部に記憶された、回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて該評価点の補正順を変更し、
前記補正順に従って評価点の光強度を計算し、
前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正する
マスクパターン補正方法によって補正された前記マスクパターンを用いて前記基板に前記回路パターンが転写されたフォトマスク。
1h ホットスポット
2a パターン
2h ホットスポット
7 ガラス基板
11 CPU
12 主記憶装置
13 補助記憶装置
14 入力装置
15 表示装置
16 出力装置
17 通信I/F
18 ドライブ
19 記憶媒体
31 設計データ
32 ルールテーブル
33 モデル
34 OPC後回路マスクパターン
41 回路マスクパターン
42 目的回路パターン
43 エッジ辺分割パターン
44 評価点設定パターン
51 プレバイアス補正部
52 エッジ分割部
53 評価点設定部
54 OPC処理部
100 マルクパターン補正装置
130 記憶部
Claims (6)
- 記憶部に記憶された、回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて該評価点の補正順を変更し、
前記補正順に従って評価点の光強度を計算し、
前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正する
処理をコンピュータに実行させるマスクパターン補正プログラム。 - 各評価点に対する前記マスクパターンの補正後ごとに、前記補正順を変更して、前記光強度の計算及び前記マスクパターンの補正を繰り返すことを特徴とした請求項1記載のプログラム。
- 前記評価点と該評価点に対向する前記マスクパターンのエッジまでの距離を測定し、前記距離を降順にソーティングすることによって、前記補正順を変更することを特徴とした請求項2記載のプログラム。
- 前記マスクパターンの補正の繰り返しが第1の回数を超えた場合に、前記補正順の変更を有効とすることを特徴とする請求項2乃至3のいずれか一項記載のプログラム。
- 回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを記憶した記憶部と、
前記マスクパターンを補正する補正部とを有し、
前記補正部は、更に、
前記記憶部から前記評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて補正順を変更する補正順変更部と、
前記補正順に従って評価点の光強度を計算する光強度計算部と、
前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正するマスクパターン補正部とを有するマスクパターン補正装置。 - コンピュータが、
記憶部に記憶された、回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて該評価点の補正順を変更し、
前記補正順に従って評価点の光強度を計算し、
前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正する
マスクパターン補正方法によって補正された前記マスクパターンを用いて前記基板に前記回路パターンが転写されたフォトマスク。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109061999A (zh) * | 2018-09-12 | 2018-12-21 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 预估潜在热点的方法及增大热点工艺窗口的方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09319067A (ja) * | 1995-12-22 | 1997-12-12 | Toshiba Corp | 光近接効果補正方法 |
JPH1069058A (ja) * | 1996-05-30 | 1998-03-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光学的近接補正方法 |
JP2004341159A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Seiko Epson Corp | 露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラム |
JP2004354919A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Toshiba Microelectronics Corp | 光近接効果補正の検証方法および検証装置 |
JP2008103377A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Sharp Corp | 半導体集積回路の製造方法及び製造プログラム |
JP2008122948A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-29 | Toshiba Corp | 設計レイアウト作成方法、半導体装置の製造方法、及びコンピュータ読み取り可能な媒体 |
JP2012150410A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Fujitsu Semiconductor Ltd | マスクパターンの補正方法、マスクパターンの補正装置、回路設計装置及びマスクパターンを補正するプログラム |
JP2013003162A (ja) * | 2011-06-10 | 2013-01-07 | Renesas Electronics Corp | マスクデータ検証装置、設計レイアウト検証装置、それらの方法およびそれらのコンピュータ・プログラム |
-
2013
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09319067A (ja) * | 1995-12-22 | 1997-12-12 | Toshiba Corp | 光近接効果補正方法 |
JPH1069058A (ja) * | 1996-05-30 | 1998-03-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光学的近接補正方法 |
JP2004341159A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Seiko Epson Corp | 露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラム |
JP2004354919A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Toshiba Microelectronics Corp | 光近接効果補正の検証方法および検証装置 |
JP2008103377A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Sharp Corp | 半導体集積回路の製造方法及び製造プログラム |
JP2008122948A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-29 | Toshiba Corp | 設計レイアウト作成方法、半導体装置の製造方法、及びコンピュータ読み取り可能な媒体 |
JP2012150410A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-09 | Fujitsu Semiconductor Ltd | マスクパターンの補正方法、マスクパターンの補正装置、回路設計装置及びマスクパターンを補正するプログラム |
JP2013003162A (ja) * | 2011-06-10 | 2013-01-07 | Renesas Electronics Corp | マスクデータ検証装置、設計レイアウト検証装置、それらの方法およびそれらのコンピュータ・プログラム |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109061999A (zh) * | 2018-09-12 | 2018-12-21 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 预估潜在热点的方法及增大热点工艺窗口的方法 |
CN109061999B (zh) * | 2018-09-12 | 2022-03-18 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 预估潜在热点的方法及增大热点工艺窗口的方法 |
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