JP2014160870A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光装置は、第1の主面と第1の主面の反対側の第2の主面とを有し、発光層を含み、第1の主面側に基板を含まない半導体層と、半導体層に設けられたn側電極16及びp側電極17と、n側電極16に接続され、外部接続可能な端部を有するn側配線層41と、p側電極17に接続され、外部接続可能な端部を有するp側配線層42と、n側配線層41とp側配線層42との間に設けられ、n側配線層41とp側配線層42を支え、n側配線層41とp側配線層42とともに半導体層を保つことが可能な樹脂51と、半導体層における第1の主面に続く側面の外側に設けられた金属膜35と、第1の主面側に、基板を介することなく設けられた蛍光体層61と、を備えている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図である。
Claims (25)
- 第1の主面と前記第1の主面の反対側の第2の主面とを有し、発光層を含み、前記第1の主面側に基板を含まない半導体層と、
前記半導体層に設けられたn側電極及びp側電極と、
前記n側電極に接続され、外部接続可能な端部を有するn側配線層と、
前記p側電極に接続され、外部接続可能な端部を有するp側配線層と、
前記n側配線層と前記p側配線層との間に設けられ、前記n側配線層と前記p側配線層を支え、前記n側配線層と前記p側配線層とともに前記半導体層を保つことが可能な樹脂と、
前記半導体層における前記第1の主面に続く側面の外側に設けられた金属膜と、
前記第1の主面側に、基板を介することなく設けられた蛍光体層と、
を備えた半導体発光装置。 - 前記金属膜の側面は前記樹脂から露出している請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記樹脂は、前記発光層が発する光に対して不透明である請求項1または2に記載の半導体発光装置。
- 前記樹脂は、前記発光層が発する光に対して不透明であり、前記金属膜を覆っている請求項1または3に記載の半導体発光装置。
- 前記n側配線層は、前記n側電極上に設けられたn側配線と、前記n側配線上に設けられたn側金属ピラーとを有し、
前記p側配線層は、前記p側電極上に設けられたp側配線と、前記p側配線上に設けられたp側金属ピラーとを有する請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 - 前記n側配線の一部が、前記半導体層の前記側面にまで延在して前記金属膜として設けられている請求項5記載の半導体発光装置。
- 前記n側配線層及び前記p側配線層は、前記半導体層側に設けられたシード金属を有し、前記シード金属が前記金属膜の一部として前記半導体層の前記側面にも設けられている請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 第1の主面と前記第1の主面の反対側の第2の主面とを有し、発光層を含む第1の半導体部と、
前記第1の半導体部に設けられたn側電極及びp側電極と、
前記n側電極に接続され、外部接続可能な端部を有するn側配線層と、
前記p側電極に接続され、外部接続可能な端部を有するp側配線層と、
前記n側配線層と前記p側配線層との間に設けられた樹脂と、
前記第1の半導体部における前記第1の主面に続く側面の外側に設けられた金属膜と、
前記第1の半導体部の外側において、前記金属膜によって前記第1の半導体部と分離され、前記金属膜の側面に設けられた第2の半導体部と、
を備えた半導体発光装置。 - 前記第1の半導体部は前記第1の主面側に基板を含まず、
前記第1の主面側に、基板を介することなく設けられた蛍光体層をさらに備えた請求項8記載の半導体発光装置。 - 前記樹脂は、前記n側配線層と前記p側配線層を支え、前記n側配線層と前記p側配線層とともに前記第1の半導体部を保つことが可能である請求項9記載の半導体発光装置。
- 第1の主面と前記第1の主面の反対側の第2の主面とを有し、発光層を含み、前記第1の主面側に基板を含まない半導体層と、
前記半導体層に設けられたn側電極及びp側電極と、
前記n側電極に接続され、外部接続可能な端部を有するn側配線層と、
前記p側電極に接続され、外部接続可能な端部を有するp側配線層と、
前記n側配線層と前記p側配線層との間に設けられるとともに、前記半導体層における前記第1の主面に続く側面に設けられ、前記発光層が発する光に対して不透明な樹脂であって、前記n側配線層と前記p側配線層を支え、前記n側配線層と前記p側配線層とともに前記半導体層を保つことが可能な樹脂と、
前記第1の主面側に、基板を介することなく設けられた蛍光体層と、
を備えた半導体発光装置。 - 前記樹脂は、カーボンブラックを含む請求項11記載の半導体発光装置。
- 前記n側配線層は、前記n側電極上に設けられたn側配線と、前記n側配線上に設けられたn側金属ピラーとを有し、
前記p側配線層は、前記p側電極上に設けられたp側配線と、前記p側配線上に設けられたp側金属ピラーとを有する請求項11または12に記載の半導体発光装置。 - 前記n側配線の一部が、前記発光層の下の領域まで延びている請求項8または13に記載の半導体発光装置。
- 前記n側配線、前記p側配線、前記n側金属ピラー及び前記p側金属ピラーは、銅を含む請求項8または13に記載の半導体発光装置。
- 前記n側金属ピラーの厚さ、前記p側金属ピラーの厚さ、および前記n側金属ピラーと前記p側金属ピラーとの間に設けられた前記樹脂の厚さは、前記半導体層の厚さよりも厚い請求項8または13に記載の半導体発光装置。
- 前記樹脂は、前記n側配線層の周囲及び前記p側配線層の周囲を覆っている請求項1〜16のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記半導体層は、基板の上に形成され、前記基板が除去された請求項1、4または11に記載の半導体発光装置。
- 前記n側電極上及び前記p側電極上に設けられ、前記n側電極に達する第1の開口と前記p側電極に達する第2の開口とを有する絶縁膜をさらに備え、
前記第1の開口内には前記n側配線層が設けられ、前記第2の開口内には前記p側配線層が設けられた請求項1〜18のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 - 発光層を含む半導体層と、前記半導体層上に設けられたn側電極及びp側電極と、をそれぞれが有する複数の発光素子を、基板上に形成する工程と、
前記発光素子上に、前記n側電極に接続されたn側配線層を形成する工程と、
前記発光素子上に、前記p側電極に接続されたp側配線層を形成する工程と、
前記n側配線層と前記p側配線層との間に樹脂を形成する工程と、
前記半導体層における前記基板側の面に続く側面に金属膜を形成する工程と、
前記n側配線層、p側配線層および前記樹脂に前記半導体層が支えられた状態で前記基板を除去する工程と、
前記半導体層の前記基板が除去された面側に蛍光体層を形成する工程と、
を備えた半導体発光装置の製造方法。 - 前記半導体層を、第1の半導体部と、前記第1の半導体部よりも外側に設けられた第2の半導体部と、に分離する工程をさらに備えた請求項20記載の半導体発光装置の製造方法。
- 前記金属膜は、前記複数の発光素子の間にも形成され、
前記複数の発光素子の間の前記金属膜の領域でダイシングされて複数の半導体発光装置に個片化され、
前記個片化された半導体発光装置の側面に、前記金属膜の側面が露出する請求項20記載の半導体発光装置の製造方法。 - 発光層を含む半導体層と、前記半導体層上に設けられたn側電極及びp側電極と、をそれぞれが有する複数の発光素子を、基板上に形成する工程と、
前記発光素子上に、前記n側電極に接続されたn側配線層を形成する工程と、
前記発光素子上に、前記p側電極に接続されたp側配線層を形成する工程と、
前記n側配線層と前記p側配線層との間、および前記半導体層における前記基板側の面に続く側面に、前記発光層が発する光に対して不透明な樹脂を形成する工程と、
前記n側配線層、p側配線層および前記樹脂に前記半導体層が支えられた状態で前記基板を除去する工程と、
前記半導体層の前記基板が除去された面側に蛍光体層を形成する工程と、
を備えた半導体発光装置の製造方法。 - 前記樹脂は、前記複数の発光素子の間にも形成され、
前記複数の発光素子の間の前記樹脂の領域でダイシングされて複数の半導体発光装置に個片化される請求項20、21または23に記載の半導体発光装置の製造方法。 - 前記n側配線層を形成する工程は、前記n側電極上にn側配線を形成する工程と、前記n側配線上にn側金属ピラーを形成する工程と、を有し、
前記p側配線層を形成する工程は、前記p側電極上にp側配線を形成する工程と、前記p側配線上にp側金属ピラーを形成する工程と、を有する請求項20〜24のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。
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