JP5834109B2 - 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法、発光装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図である。
Claims (9)
- 第1の主面と前記第1の主面の反対側の第2の主面とを有し、発光層を含む第1の半導体部と、
前記第1の半導体部に設けられたn側電極及びp側電極と、
前記n側電極に接続され、外部接続可能な端部を有するn側金属と、
前記p側電極に接続され、外部接続可能な端部を有するp側金属と、
前記n側金属と前記p側金属との間に設けられた樹脂と、
前記第1の主面側に設けられた蛍光体層と、
前記第1の半導体部の外側に設けられた第2の半導体部と、
前記第1の半導体部と前記第2の半導体部とを分離し、前記第1の半導体部における前記第1の主面に続く側面から、前記第2の半導体部の前記第1の半導体部の前記側面側の側面に連続して設けられた金属膜と、
を備えた半導体発光装置。 - 前記第1の半導体部の前記第1の主面側に基板が設けられず、
前記蛍光体層は、前記第1の主面側に、基板を介することなく設けられた請求項1記載の半導体発光装置。 - 前記樹脂は、前記n側金属と前記p側金属を支え、前記n側金属と前記p側金属とともに前記第1の半導体部を保つことが可能である請求項2記載の半導体発光装置。
- 前記樹脂は、前記n側金属の周囲及び前記p側金属の周囲を覆っている請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記n側電極上及び前記p側電極上に設けられ、前記n側電極に達する第1の開口と前記p側電極に達する第2の開口とを有する絶縁膜をさらに備え、
前記第1の開口内には前記n側金属が設けられ、前記第2の開口内には前記p側金属が設けられた請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 - 発光層を含む半導体層と、前記半導体層上に設けられたn側電極及びp側電極と、をそれぞれが有し、分離された複数の発光素子を、基板上に形成する工程と、
前記半導体層を、第1の半導体部と、前記第1の半導体部よりも外側に設けられた第2の半導体部と、に分離する工程と、
第1の半導体部と前記第2の半導体部とを分離する溝の側面および底面に金属膜を形成する工程と、
前記発光素子上に、前記n側電極に接続されたn側金属を形成する工程と、
前記発光素子上に、前記p側電極に接続されたp側金属を形成する工程と、
前記n側金属の周囲と前記p側金属の周囲に樹脂を形成する工程と、
前記n側金属、前記p側金属および前記樹脂に前記半導体層が支えられた状態で前記基板を除去する工程と、
前記半導体層の前記基板が除去された面側に蛍光体層を形成する工程と、
を備えた半導体発光装置の製造方法。 - 前記樹脂は、前記複数の発光素子の間にも形成され、
前記複数の発光素子の間の前記樹脂の領域でダイシングされて複数の半導体発光装置に個片化される請求項6記載の半導体発光装置の製造方法。 - 前記n側金属を形成する工程は、前記n側電極上にn側配線を形成する工程と、前記n側配線上にn側金属ピラーを形成する工程と、を有し、
前記p側金属を形成する工程は、前記p側電極上にp側配線を形成する工程と、前記p側配線上にp側金属ピラーを形成する工程と、を有する請求項6または7に記載の半導体発光装置の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体発光装置の前記端部を外部回路に接続させる発光装置の製造方法。
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