JP2014160534A - 部分参照電圧を利用するメモリアクセス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】装置500は比較ロジック520を含む。比較ロジックは、メモリセルの閾値電圧を、少なくとも一対の部分参照電圧と比較して、比較結果を生成する。装置は、比較結果に少なくとも部分的に基づいて、メモリセルのビット値を求める読み出しロジック530を含む。前記比較ロジックは、第1参照電圧および第2参照電圧を含む前記少なくとも一対の部分参照電圧を生成し、前記ビット値は、第1値または第2値のいずれかに対応しており、第1閾値電圧範囲にある閾値電圧は、前記第1値に関連付けられ、第2閾値電圧範囲にある閾値電圧は、前記第2値に関連付けられ、前記第1閾値電圧範囲と前記第2閾値電圧範囲とは重複しない。
【選択図】図5
Description
[項目1]
メモリセルの閾値電圧を、少なくとも一対の部分参照電圧と比較することによって、前記少なくとも一対の部分参照電圧を利用して前記メモリセルの前記閾値電圧がビット境界に対応する電圧範囲内にあるか否かを検出し、全体参照電圧を利用せずに比較結果を生成する比較ロジックと、
前記比較結果に少なくとも部分的に基づいて、前記メモリセルのビット値を求める読み出しロジックと、
を備え、
前記読み出しロジックは、低密度パリティチェック(LDPC)復号器またはターボ復号器のいずれかである軟判定復号器と関連付けられた誤り訂正符号(ECC)復号器で復号されうる1ワードラインのデータの一部である前記メモリセルのビット値を求める、装置。
[項目2]
メモリセルの閾値電圧を、少なくとも一対の部分参照電圧と比較することによって、前記少なくとも一対の部分参照電圧を利用して前記メモリセルの前記閾値電圧がビット境界に対応する電圧範囲内にあるか否かを検出し、全体参照電圧を利用せずに比較結果を生成する比較ロジックと、
前記比較結果に少なくとも部分的に基づいて、前記メモリセルのビット値を求める読み出しロジックと、
を備え、
グレイコード化されたビット値を格納する前記メモリセルを読み出す、装置。
[項目3]
前記読み出しロジックは、前記メモリセルの前記閾値電圧がビット境界に対応する電圧範囲内にある場合に、軟判定復号器によって前記ビット値を復号する、項目2に記載の装置。
[項目4]
前記比較ロジックは、第1参照電圧および第2参照電圧を含む前記少なくとも一対の部分参照電圧を生成し、
前記ビット値は、第1値または第2値のいずれかに対応しており、
第1閾値電圧範囲にある閾値電圧は、前記第1値に関連付けられ、
第2閾値電圧範囲にある閾値電圧は、前記第2値に関連付けられ、
前記第1閾値電圧範囲と前記第2閾値電圧範囲とは重複しない、項目1から3のいずれか一項に記載の装置。
[項目5]
前記比較ロジックは、第1参照電圧を含む前記少なくとも一対の部分参照電圧を生成し、
前記比較ロジックは、前記第1参照電圧を前記メモリセル内のトランジスタのゲートに供給して前記トランジスタで電流が流れるか否かを判断することで、前記メモリセルの前記閾値電圧を前記第1参照電圧と比較し、
前記比較ロジックは、前記トランジスタで電流がドレインからソースへ流れている場合、前記閾値電圧が前記第1参照電圧より低いと判断する、項目1から3のいずれか一項に記載の装置。
[項目6]
前記メモリセルは、同時にアクセスされる1ワードラインのメモリセルのなかの1つのセルであり、
前記1ワードラインのメモリセルは、1ワードラインのデータを読み出すべくアクセスされ、
前記1ワードラインのデータは、誤り訂正符号(ECC)で符号化されている、項目1から5のいずれか一項に記載の装置。
[項目7]
前記少なくとも一対の部分参照電圧は、第2参照電圧より低い第1参照電圧を含む、項目1から6のいずれか一項に記載の装置。
[項目8]
前記少なくとも一対の部分参照電圧は、前記セル全体の閾値電圧範囲を、複数の互いに重複しない電圧範囲に分割し、
前記読み出しロジックは、前記比較結果に基づいて量子化値を求める、項目1から7のいずれか一項に記載の装置。
[項目9]
前記メモリセルは、シングルレベルセル(SLC)またはマルチレベルセル(MLC)のいずれかであり、
前記シングルレベルセル(SLC)は1データビットを格納し、
前記マルチレベルセル(MLC)は2以上のデータビットを格納する、項目1から8のいずれか一項に記載の装置。
[項目10]
前記比較ロジックは更に、前記メモリセルの前記閾値電圧を少なくとも一対の第2部分参照電圧と比較し、
前記読み出しロジックは更に、前記メモリセルの前記閾値電圧と前記少なくとも一対の第2部分参照電圧との第2の比較結果に少なくとも部分的に基づいて、前記メモリセルの第2のビット値を求める、項目1から8のいずれか一項に記載の装置。
[項目11]
前記比較ロジックは更に、前記メモリセルの第2のビット値を求めるための第1の一対の第2部分参照電圧および第2の一対の第2部分参照電圧の中から、前記比較結果に少なくとも部分的に基づき求められた前記ビット値に基づいて選択された1つの一対の第2部分参照電圧と、前記メモリセルの前記閾値電圧を比較し、
前記読み出しロジックは更に、前記メモリセルの前記閾値電圧と前記選択された前記1つの前記一対の第2部分参照電圧との比較結果に少なくとも部分的に基づいて、前記メモリセルの第2のビット値を求める、項目1から8のいずれか一項に記載の装置。
[項目12]
メモリセルの閾値電圧を、少なくとも一対の部分参照電圧と比較することによって、前記少なくとも一対の部分参照電圧を利用して前記メモリセルの前記閾値電圧がビット境界に対応する電圧範囲内にあるか否かを検出し、全体参照電圧を利用せずに比較結果を生成する比較ロジックと、
前記比較結果に少なくとも部分的に基づいて、前記メモリセルのビット値を求める読み出しロジックと、
を備え、
前記読み出しロジックは、少なくとも部分的に、前記メモリセルの前記閾値電圧に対応するログ尤度比(LLR)に応じて前記ビット値を求める、装置。
[項目13]
方法であって、
メモリセルの閾値電圧を、一対の部分参照電圧と比較することによって、前記一対の部分参照電圧を利用して前記メモリセルの前記閾値電圧がビット境界に対応する電圧範囲内にあるか否かを検出し、前記メモリセルの前記閾値電圧を全体参照電圧と比較することなく比較結果を生成する段階と、
前記比較結果に少なくとも部分的に基づいて、前記メモリセルで表されるビット値を求める段階と、
を備え、
前記方法は、
前記メモリセルの前記閾値電圧に対応し、前記ビット値に関連付けられたログ尤度比(LLR)を生成する段階
をさらに備える、方法。
[項目14]
前記ビット値が関連付けられた1メモリページを生成する段階と、
前記1メモリページを、前記1メモリページからデータを要求した要求ロジックへ転送する段階と、
をさらに備える、項目13に記載の方法。
[項目15]
互いに異なるメモリ値同士は、互いに異なり重複しないメモリセル閾値電圧範囲に対応しており、
前記一対の部分参照電圧は、互いに異なるメモリセル閾値電圧範囲にある互いに異なる電圧値である第1参照電圧と第2参照電圧とを含み、
前記互いに異なるメモリセル閾値電圧範囲に少なくとも部分的に基づいて前記ビット値を求める、項目13または14に記載の方法。
[項目16]
前記ビット値を求める段階は、
前記ログ尤度比を軟判定復号器へ送る段階を有し、
前記軟判定復号器は、少なくとも部分的に、前記ビット値を前記ログ尤度比に応じて求める、項目13から15のいずれか一項に記載の方法。
[項目17]
前記ビット値を求める段階は、前記メモリセルの前記閾値電圧がビット境界に対応する電圧範囲内にある場合に、軟判定復号器によって前記ビット値を復号する、項目13から15のいずれか一項に記載の方法。
[項目18]
前記メモリセルの前記閾値電圧を少なくとも一対の第2の部分参照電圧と比較して、前記メモリセルで表される第2のビット値を求めるよう、前記メモリセルを制御する段階
をさらに備え、
前記ビット値はメモリの第1ページ内のビットの値を表し、前記第2のビット値は前記メモリの第2ページ内のビットの値を表す、項目13から17のいずれか一項に記載の方法。
[項目19]
前記メモリセルの第2のビット値を求めるための第1の一対の第2部分参照電圧および第2の一対の第2部分参照電圧の中から、前記比較結果に少なくとも部分的に基づき求められた前記ビット値に基づいて、1つの一対の第2部分参照電圧を選択する段階と、
前記メモリセルの前記閾値電圧を、前記選択された前記1つの一対の第2部分参照電圧と比較する段階と、
前記メモリセルの前記閾値電圧と前記選択された前記1つの前記一対の第2部分参照電圧との比較結果に少なくとも部分的に基づいて、前記メモリセルで表される第2のビット値を求める段階と、
をさらに備える項目13から17のいずれか一項に記載の方法。
[項目20]
一対の部分参照電圧を生成する部分電圧生成器と、
フラッシュメモリに関連付けられたメモリセルの電圧レベルを前記一対の部分参照電圧と比較することによって、前記一対の部分参照電圧を利用して前記メモリセルの電圧レベルがビット値間の境界を含む電圧範囲内にあるか否かを検出するとともに、前記メモリセルの前記電圧レベルと全体参照電圧とを比較することなく、前記メモリセルで表される電圧値を求め、ログ尤度比(LLR)を前記電圧値に応じて生成するアクセスロジックと、
前記ログ尤度比(LLR)に少なくとも部分的に基づいて、ビット値を生成する結果生成ロジックと、
を備える、装置。
[項目21]
前記メモリセルの前記ビット値間の境界は、前記全体参照電圧に対応しており、
前記一対の部分参照電圧の電圧値は、前記全体参照電圧とは異なる電圧値である、項目20に記載の装置。
[項目22]
前記結果生成ロジックは、前記メモリセルの前記電圧レベルを量子化して、量子化電圧を生成し、前記量子化電圧に少なくとも部分的に基づいて前記ビット値を生成する、項目20または21に記載の装置。
[項目23]
前記結果生成ロジックは、前記メモリセルの前記電圧レベルがビット境界に対応する電圧範囲内にある場合に、軟判定復号器で誤り訂正により前記ビット値を求める、項目20から22のいずれか一項に記載の装置。
[項目24]
前記メモリセルは、シングルレベルセル(SLC)またはマルチレベルセル(MLC)のいずれかであるフラッシュメモリセルであり、
前記シングルレベルセル(SLC)は1データビットを格納し、
前記マルチレベルセル(MLC)は2以上のデータビットを格納する、項目20から23のいずれか一項に記載の装置。
[項目25]
前記部分電圧生成器は更に、一対の第2部分参照電圧を生成し、
前記アクセスロジックは、前記メモリセルの前記電圧レベルを前記少なくとも一対の第2部分参照電圧と更に比較することによって、前記メモリセルで表される電圧値を求め、第2のログ尤度比(LLR)を前記電圧値に応じて生成し、
前記結果生成ロジックは更に、前記第2のログ尤度比(LLR)に少なくとも部分的に基づいて、第2のビット値を生成する、項目20から23のいずれか一項に記載の装置。
Claims (25)
- メモリセルの閾値電圧を、少なくとも一対の部分参照電圧と比較することによって、前記少なくとも一対の部分参照電圧を利用して前記メモリセルの前記閾値電圧がビット境界に対応する電圧範囲内にあるか否かを検出し、全体参照電圧を利用せずに比較結果を生成する比較ロジックと、
前記比較結果に少なくとも部分的に基づいて、前記メモリセルのビット値を求める読み出しロジックと、
を備え、
前記読み出しロジックは、低密度パリティチェック(LDPC)復号器またはターボ復号器のいずれかである軟判定復号器と関連付けられた誤り訂正符号(ECC)復号器で復号されうる1ワードラインのデータの一部である前記メモリセルのビット値を求める、装置。 - メモリセルの閾値電圧を、少なくとも一対の部分参照電圧と比較することによって、前記少なくとも一対の部分参照電圧を利用して前記メモリセルの前記閾値電圧がビット境界に対応する電圧範囲内にあるか否かを検出し、全体参照電圧を利用せずに比較結果を生成する比較ロジックと、
前記比較結果に少なくとも部分的に基づいて、前記メモリセルのビット値を求める読み出しロジックと、
を備え、
グレイコード化されたビット値を格納する前記メモリセルを読み出す、装置。 - 前記読み出しロジックは、前記メモリセルの前記閾値電圧がビット境界に対応する電圧範囲内にある場合に、軟判定復号器によって前記ビット値を復号する、請求項2に記載の装置。
- 前記比較ロジックは、第1参照電圧および第2参照電圧を含む前記少なくとも一対の部分参照電圧を生成し、
前記ビット値は、第1値または第2値のいずれかに対応しており、
第1閾値電圧範囲にある閾値電圧は、前記第1値に関連付けられ、
第2閾値電圧範囲にある閾値電圧は、前記第2値に関連付けられ、
前記第1閾値電圧範囲と前記第2閾値電圧範囲とは重複しない、請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。 - 前記比較ロジックは、第1参照電圧を含む前記少なくとも一対の部分参照電圧を生成し、
前記比較ロジックは、前記第1参照電圧を前記メモリセル内のトランジスタのゲートに供給して前記トランジスタで電流が流れるか否かを判断することで、前記メモリセルの前記閾値電圧を前記第1参照電圧と比較し、
前記比較ロジックは、前記トランジスタで電流がドレインからソースへ流れている場合、前記閾値電圧が前記第1参照電圧より低いと判断する、請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。 - 前記メモリセルは、同時にアクセスされる1ワードラインのメモリセルのなかの1つのセルであり、
前記1ワードラインのメモリセルは、1ワードラインのデータを読み出すべくアクセスされ、
前記1ワードラインのデータは、誤り訂正符号(ECC)で符号化されている、請求項1から5のいずれか一項に記載の装置。 - 前記少なくとも一対の部分参照電圧は、第2参照電圧より低い第1参照電圧を含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の装置。
- 前記少なくとも一対の部分参照電圧は、前記セル全体の閾値電圧範囲を、複数の互いに重複しない電圧範囲に分割し、
前記読み出しロジックは、前記比較結果に基づいて量子化値を求める、請求項1から7のいずれか一項に記載の装置。 - 前記メモリセルは、シングルレベルセル(SLC)またはマルチレベルセル(MLC)のいずれかであり、
前記シングルレベルセル(SLC)は1データビットを格納し、
前記マルチレベルセル(MLC)は2以上のデータビットを格納する、請求項1から8のいずれか一項に記載の装置。 - 前記比較ロジックは更に、前記メモリセルの前記閾値電圧を少なくとも一対の第2部分参照電圧と比較し、
前記読み出しロジックは更に、前記メモリセルの前記閾値電圧と前記少なくとも一対の第2部分参照電圧との第2の比較結果に少なくとも部分的に基づいて、前記メモリセルの第2のビット値を求める、請求項1から8のいずれか一項に記載の装置。 - 前記比較ロジックは更に、前記メモリセルの第2のビット値を求めるための第1の一対の第2部分参照電圧および第2の一対の第2部分参照電圧の中から、前記比較結果に少なくとも部分的に基づき求められた前記ビット値に基づいて選択された1つの一対の第2部分参照電圧と、前記メモリセルの前記閾値電圧を比較し、
前記読み出しロジックは更に、前記メモリセルの前記閾値電圧と前記選択された前記1つの前記一対の第2部分参照電圧との比較結果に少なくとも部分的に基づいて、前記メモリセルの第2のビット値を求める、請求項1から8のいずれか一項に記載の装置。 - メモリセルの閾値電圧を、少なくとも一対の部分参照電圧と比較することによって、前記少なくとも一対の部分参照電圧を利用して前記メモリセルの前記閾値電圧がビット境界に対応する電圧範囲内にあるか否かを検出し、全体参照電圧を利用せずに比較結果を生成する比較ロジックと、
前記比較結果に少なくとも部分的に基づいて、前記メモリセルのビット値を求める読み出しロジックと、
を備え、
前記読み出しロジックは、少なくとも部分的に、前記メモリセルの前記閾値電圧に対応するログ尤度比(LLR)に応じて前記ビット値を求める、装置。 - 方法であって、
メモリセルの閾値電圧を、一対の部分参照電圧と比較することによって、前記一対の部分参照電圧を利用して前記メモリセルの前記閾値電圧がビット境界に対応する電圧範囲内にあるか否かを検出し、前記メモリセルの前記閾値電圧を全体参照電圧と比較することなく比較結果を生成する段階と、
前記比較結果に少なくとも部分的に基づいて、前記メモリセルで表されるビット値を求める段階と、
を備え、
前記方法は、
前記メモリセルの前記閾値電圧に対応し、前記ビット値に関連付けられたログ尤度比(LLR)を生成する段階
をさらに備える、方法。 - 前記ビット値が関連付けられた1メモリページを生成する段階と、
前記1メモリページを、前記1メモリページからデータを要求した要求ロジックへ転送する段階と、
をさらに備える、請求項13に記載の方法。 - 互いに異なるメモリ値同士は、互いに異なり重複しないメモリセル閾値電圧範囲に対応しており、
前記一対の部分参照電圧は、互いに異なるメモリセル閾値電圧範囲にある互いに異なる電圧値である第1参照電圧と第2参照電圧とを含み、
前記互いに異なるメモリセル閾値電圧範囲に少なくとも部分的に基づいて前記ビット値を求める、請求項13または14に記載の方法。 - 前記ビット値を求める段階は、
前記ログ尤度比を軟判定復号器へ送る段階を有し、
前記軟判定復号器は、少なくとも部分的に、前記ビット値を前記ログ尤度比に応じて求める、請求項13から15のいずれか一項に記載の方法。 - 前記ビット値を求める段階は、前記メモリセルの前記閾値電圧がビット境界に対応する電圧範囲内にある場合に、軟判定復号器によって前記ビット値を復号する、請求項13から15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記メモリセルの前記閾値電圧を少なくとも一対の第2の部分参照電圧と比較して、前記メモリセルで表される第2のビット値を求めるよう、前記メモリセルを制御する段階
をさらに備え、
前記ビット値はメモリの第1ページ内のビットの値を表し、前記第2のビット値は前記メモリの第2ページ内のビットの値を表す、請求項13から17のいずれか一項に記載の方法。 - 前記メモリセルの第2のビット値を求めるための第1の一対の第2部分参照電圧および第2の一対の第2部分参照電圧の中から、前記比較結果に少なくとも部分的に基づき求められた前記ビット値に基づいて、1つの一対の第2部分参照電圧を選択する段階と、
前記メモリセルの前記閾値電圧を、前記選択された前記1つの一対の第2部分参照電圧と比較する段階と、
前記メモリセルの前記閾値電圧と前記選択された前記1つの前記一対の第2部分参照電圧との比較結果に少なくとも部分的に基づいて、前記メモリセルで表される第2のビット値を求める段階と、
をさらに備える請求項13から17のいずれか一項に記載の方法。 - 一対の部分参照電圧を生成する部分電圧生成器と、
フラッシュメモリに関連付けられたメモリセルの電圧レベルを前記一対の部分参照電圧と比較することによって、前記一対の部分参照電圧を利用して前記メモリセルの電圧レベルがビット値間の境界を含む電圧範囲内にあるか否かを検出するとともに、前記メモリセルの前記電圧レベルと全体参照電圧とを比較することなく、前記メモリセルで表される電圧値を求め、ログ尤度比(LLR)を前記電圧値に応じて生成するアクセスロジックと、
前記ログ尤度比(LLR)に少なくとも部分的に基づいて、ビット値を生成する結果生成ロジックと、
を備える、装置。 - 前記メモリセルの前記ビット値間の境界は、前記全体参照電圧に対応しており、
前記一対の部分参照電圧の電圧値は、前記全体参照電圧とは異なる電圧値である、請求項20に記載の装置。 - 前記結果生成ロジックは、前記メモリセルの前記電圧レベルを量子化して、量子化電圧を生成し、前記量子化電圧に少なくとも部分的に基づいて前記ビット値を生成する、請求項20または21に記載の装置。
- 前記結果生成ロジックは、前記メモリセルの前記電圧レベルがビット境界に対応する電圧範囲内にある場合に、軟判定復号器で誤り訂正により前記ビット値を求める、請求項20から22のいずれか一項に記載の装置。
- 前記メモリセルは、シングルレベルセル(SLC)またはマルチレベルセル(MLC)のいずれかであるフラッシュメモリセルであり、
前記シングルレベルセル(SLC)は1データビットを格納し、
前記マルチレベルセル(MLC)は2以上のデータビットを格納する、請求項20から23のいずれか一項に記載の装置。 - 前記部分電圧生成器は更に、一対の第2部分参照電圧を生成し、
前記アクセスロジックは、前記メモリセルの前記電圧レベルを前記少なくとも一対の第2部分参照電圧と更に比較することによって、前記メモリセルで表される電圧値を求め、第2のログ尤度比(LLR)を前記電圧値に応じて生成し、
前記結果生成ロジックは更に、前記第2のログ尤度比(LLR)に少なくとも部分的に基づいて、第2のビット値を生成する、請求項20から23のいずれか一項に記載の装置。
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