JP2010505200A - ソフト入力ソフト出力(siso)復号器を有する不揮発性メモリにおける統計ユニットおよび適応操作 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (19)
- 不揮発性メモリアレイを管理する方法であって、
不揮発性メモリアレイから格納されているデータを読み出すステップと、
復号器を用いて前記データを復号するステップであって、格納されているデータビットに対応する確度値を前記復号器の出力が含み、訂正済みデータを導出するために前記出力が使用されるステップと、
前記復号器による前記格納されているデータの復号に関する統計情報を収集するステップと、
前記不揮発性メモリアレイの少なくとも1つの操作用パラメータを前記統計情報に応じて変更するステップと、
を含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記少なくとも1つの操作用パラメータは、前記不揮発性メモリアレイにおける読み出し操作に使用される分解能を含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記少なくとも1つのパラメータは、前記不揮発性メモリアレイにおけるプログラミング操作に用いられる連続する電圧パルス間の電圧の差を含む方法。 - 不揮発性メモリアレイにおいてデータを管理する方法であって、
不揮発性メモリアレイから格納されているデータを読み出すステップと、
前記格納されているデータから生の確率情報を導出するステップと、
前記生の確率情報と前記格納されているデータ内の符号化されたパターンとから出力確率情報を計算する復号器に前記生の確率情報を提供するステップと、
前記格納されているデータについて、前記復号器により実行された訂正の量を反映する品質情報を計算するステップと、
前記不揮発性メモリアレイの少なくとも1つの操作用パラメータを前記品質情報に応じて変更するステップと、
を含む方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記品質情報は、格納され、かつ他の格納されているデータについての品質情報とともに統計的に分析され、前記少なくとも1つの操作用パラメータは前記統計的分析に応じて変更される方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記復号器が前記格納されているデータについて出力確率情報の計算の少なくとも2つの反復を実行するように前記出力確率情報が入力として前記復号器に提供される方法。 - 請求項6記載の方法において、
出力確率情報の計算の繰り返される反復は、所定の条件が満たされるまで実行される方法。 - 請求項7記載の方法において、
前記品質情報は、前記所定の条件が満たされる前に実行された反復の数から導出される方法。 - 請求項7記載の方法において、
前記品質情報は、前記所定の条件が満たされる前に実行された訂正の数から導出される方法。 - 請求項7記載の方法において、
前記品質情報は、前記復号器により実行された訂正のタイプから導出される方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記少なくとも1つの操作用パラメータは、前記メモリアレイのメモリセルをプログラムするために使用される電圧パルスのシーケンスに影響する方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記少なくとも1つの操作用パラメータは、前記メモリアレイのメモリセルに格納されているデータを読み出すために使用される分解能を含む方法。 - 不揮発性メモリシステムであって、
複数のデータビットを記憶する不揮発性メモリアレイと、
前記メモリアレイに格納されているデータを、特定のデータビットの確度を示す確度値を出力するべく復号する復号器と、
前記復号器により実行された復号に関する情報を集め、その集められた情報に基づいて出力を提供する統計ユニットであって、前記出力が、前記不揮発性メモリアレイの動作を制御する少なくとも1つの回路に提供される統計ユニットと、
を備える不揮発性メモリシステム。 - 請求項13記載の不揮発性メモリシステムにおいて、
前記不揮発性メモリアレイに接続された読み出し回路をさらに備え、前記出力は前記読み出し回路に提供され、前記読み出し回路は前記出力に応じて読み出し分解能を変更する不揮発性メモリシステム。 - 請求項14記載の不揮発性メモリシステムにおいて、
前記不揮発性メモリアレイに接続されたプログラミング回路をさらに備え、前記出力は前記プログラミング回路に提供され、前記プログラミング回路は前記出力に応じてプログラミング電圧を変更する不揮発性メモリシステム。 - 請求項15記載の不揮発性メモリシステムにおいて、
前記プログラミング電圧は、前記不揮発性メモリをプログラムするために使用される連続する電圧パルス間の電圧差を減少させるように変更される不揮発性メモリシステム。 - 不揮発性メモリシステムであって、
符号化方式に従ってデータを符号化する符号化器と、
前記符号化されたデータを記憶する不揮発性メモリアレイと、
前記不揮発性メモリアレイからの前記符号化されたデータを、2つ以上の復号反復を実行することによって復号する復号器であって、特定の反復の出力データがその次の反復に入力データとして提供される復号器と、
前記復号されたデータのデータ品質の少なくとも1つの尺度を前記復号から導出して、前記メモリアレイの動作を制御する少なくとも1つの回路に出力を提供する統計ユニットと、
を備える不揮発性メモリシステム。 - 請求項17記載の不揮発性メモリシステムにおいて、
前記符号化されたデータを前記メモリアレイに書き込む書き込み回路をさらに備え、前記出力は前記書き込み回路に提供される不揮発性メモリシステム。 - 請求項17記載の不揮発性メモリシステムにおいて、
前記メモリアレイから前記符号化されたデータを読み出す読み出し回路をさらに備え、前記出力は前記読み出し回路に提供される不揮発性メモリシステム。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011203833A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP2011243198A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Micron Technology Inc | 拡張マルチレベルメモリ |
JP2012503816A (ja) * | 2008-09-28 | 2012-02-09 | ラマト アット テル アビブ ユニバーシティ リミテッド | フラッシュメモリにおける適応符号化用の方法およびシステム |
JP2012113809A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Samsung Electronics Co Ltd | フラッシュメモリ装置及びそれの読み出す方法 |
CN103119563A (zh) * | 2010-09-29 | 2013-05-22 | 国际商业机器公司 | 在固态存储器设备中的解码 |
JP2013539120A (ja) * | 2010-09-23 | 2013-10-17 | マイクロン テクノロジー, インク. | メモリ品質監視ベースの補正方法および装置 |
US8671327B2 (en) | 2008-09-28 | 2014-03-11 | Sandisk Technologies Inc. | Method and system for adaptive coding in flash memories |
JP2014160534A (ja) * | 2008-08-08 | 2014-09-04 | Marvell World Trade Ltd | 部分参照電圧を利用するメモリアクセス |
US10467090B2 (en) | 2016-03-02 | 2019-11-05 | Toshiba Memory Corporation | Memory controller and decoding method |
JP2020046871A (ja) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | キオクシア株式会社 | メモリシステム |
JP2022084921A (ja) * | 2012-11-09 | 2022-06-07 | コーヒレント・ロジックス・インコーポレーテッド | 多重プロセッサシステムのためのリアルタイム分析及び制御 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7904783B2 (en) | 2006-09-28 | 2011-03-08 | Sandisk Corporation | Soft-input soft-output decoder for nonvolatile memory |
US7805663B2 (en) | 2006-09-28 | 2010-09-28 | Sandisk Corporation | Methods of adapting operation of nonvolatile memory |
US7818653B2 (en) | 2006-09-28 | 2010-10-19 | Sandisk Corporation | Methods of soft-input soft-output decoding for nonvolatile memory |
US8526230B2 (en) * | 2008-07-01 | 2013-09-03 | Lsi Corporation | Methods and apparatus for write-side intercell interference mitigation in flash memories |
US8458536B2 (en) | 2008-07-17 | 2013-06-04 | Marvell World Trade Ltd. | Data recovery in solid state memory devices |
US8179731B2 (en) | 2009-03-27 | 2012-05-15 | Analog Devices, Inc. | Storage devices with soft processing |
US8775913B2 (en) | 2010-03-31 | 2014-07-08 | Lsi Corporation | Methods and apparatus for computing soft data or log likelihood ratios for received values in communication or storage systems |
US8429500B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-04-23 | Lsi Corporation | Methods and apparatus for computing a probability value of a received value in communication or storage systems |
US8504885B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-08-06 | Lsi Corporation | Methods and apparatus for approximating a probability density function or distribution for a received value in communication or storage systems |
US9030870B2 (en) * | 2011-08-26 | 2015-05-12 | Micron Technology, Inc. | Threshold voltage compensation in a multilevel memory |
KR20210085284A (ko) | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 삼성전자주식회사 | Pim 메모리 디바이스, pim 메모리 디바이스를 포함하는 컴퓨팅 시스템 및 pim 메모리 디바이스의 동작 방법 |
KR102611823B1 (ko) * | 2023-03-17 | 2023-12-08 | 주식회사 프라터 | Ldpc 디코더의 tdmp 알고리즘에 의한 패리티 검사 행렬의 디코딩 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001266499A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-09-28 | Sony Corp | データ記録装置及びデータ記録方法、データ再生装置及びデータ再生方法、並びに、データ記録再生装置及びデータ記録再生方法 |
JP2001266498A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-09-28 | Sony Corp | データ再生装置及びデータ再生方法、並びに、データ記録再生装置及びデータ記録再生方法 |
JP2003203435A (ja) * | 2002-01-09 | 2003-07-18 | Fujitsu Ltd | データ再生装置 |
JP2005078721A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 誤り訂正方法およびメモリ回路 |
JP2005527062A (ja) * | 2002-05-20 | 2005-09-08 | サンディスク コーポレイション | 格納されたデータの品質についての情報を用いることによる誤り訂正符号の効率向上およびマルチレベルメモリシステムの操作 |
JP2006060296A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Kddi Corp | 連接符号システムおよび連接符号処理方法、復号装置 |
JP2008108356A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6279133B1 (en) * | 1997-12-31 | 2001-08-21 | Kawasaki Steel Corporation | Method and apparatus for significantly improving the reliability of multilevel memory architecture |
-
2007
- 2007-09-17 TW TW096134735A patent/TWI360126B/zh not_active IP Right Cessation
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- 2007-09-19 EP EP07814918A patent/EP2067144A2/en not_active Withdrawn
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001266499A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-09-28 | Sony Corp | データ記録装置及びデータ記録方法、データ再生装置及びデータ再生方法、並びに、データ記録再生装置及びデータ記録再生方法 |
JP2001266498A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-09-28 | Sony Corp | データ再生装置及びデータ再生方法、並びに、データ記録再生装置及びデータ記録再生方法 |
JP2003203435A (ja) * | 2002-01-09 | 2003-07-18 | Fujitsu Ltd | データ再生装置 |
JP2005527062A (ja) * | 2002-05-20 | 2005-09-08 | サンディスク コーポレイション | 格納されたデータの品質についての情報を用いることによる誤り訂正符号の効率向上およびマルチレベルメモリシステムの操作 |
JP2005078721A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 誤り訂正方法およびメモリ回路 |
JP2006060296A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Kddi Corp | 連接符号システムおよび連接符号処理方法、復号装置 |
JP2008108356A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014160534A (ja) * | 2008-08-08 | 2014-09-04 | Marvell World Trade Ltd | 部分参照電圧を利用するメモリアクセス |
US8671327B2 (en) | 2008-09-28 | 2014-03-11 | Sandisk Technologies Inc. | Method and system for adaptive coding in flash memories |
JP2012503816A (ja) * | 2008-09-28 | 2012-02-09 | ラマト アット テル アビブ ユニバーシティ リミテッド | フラッシュメモリにおける適応符号化用の方法およびシステム |
JP2011203833A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP2011243198A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Micron Technology Inc | 拡張マルチレベルメモリ |
US8700978B2 (en) | 2010-05-19 | 2014-04-15 | Micron Technology, Inc. | Enhanced multilevel memory |
JP2013539120A (ja) * | 2010-09-23 | 2013-10-17 | マイクロン テクノロジー, インク. | メモリ品質監視ベースの補正方法および装置 |
CN103119563A (zh) * | 2010-09-29 | 2013-05-22 | 国际商业机器公司 | 在固态存储器设备中的解码 |
JP2013546039A (ja) * | 2010-09-29 | 2013-12-26 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ソリッド・ステート・メモリ・デバイスにおける復号 |
US9176814B2 (en) | 2010-09-29 | 2015-11-03 | International Business Machines Corporation | Decoding in solid state memory devices |
JP2012113809A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Samsung Electronics Co Ltd | フラッシュメモリ装置及びそれの読み出す方法 |
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