JP2014154493A - 半導体発光素子の点灯装置およびそれを用いた照明器具 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】点灯装置は、臨界モード動作のための構成として、スイッチング素子、インダクタンス要素と、回生ダイオード、検出手段、および制御手段を備える。検出手段は、前記スイッチング素子に流れる電流を検出する。制御装置に含まれるコンパレータは、第1端子に前記検出手段により検出された検出値を受け第2端子に閾値を受け、前記検出値が前記閾値に達すると出力を切り替える。制御手段は、前記出力に応じて前記スイッチング素子をオフさせ、前記インダクタンス要素のエネルギー放出が完了したときに前記スイッチング素子をオンさせる。点灯装置は、前記閾値を決定する電圧を変更可能な可変抵抗素子をさらに備える。
【選択図】図2
Description
直流電源に直列接続されてオンオフ制御されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と直列に接続されて前記スイッチング素子のオン時に前記直流電源から電流が流れるインダクタンス要素と、
前記スイッチング素子のオン時に前記インダクタンス要素に蓄積されたエネルギーを前記スイッチング素子のオフ時に半導体発光素子に放出する回生ダイオードと、
前記スイッチング素子と直列に接続した検出抵抗を備え、前記検出抵抗の端子間電圧を検出することで前記スイッチング素子に流れる電流を検出する検出手段と、
第1端子に前記検出手段により検出された検出値を受け第2端子に閾値を受け前記検出値が前記閾値に達すると出力を切り替えるコンパレータを含み、前記コンパレータの出力に応じて前記スイッチング素子をオフさせると共に、前記インダクタンス要素のエネルギー放出が完了したときに前記スイッチング素子をオンさせる制御手段と、
前記閾値を決定する電圧を変更可能な可変抵抗素子と、
を備えることを特徴とする。
上記第1の発明にかかる半導体発光素子の点灯装置と、
前記点灯装置から電流を供給される半導体発光素子と、
を備えることを特徴とする。
[実施の形態の装置の構成および動作]
(点灯装置およびこれを用いた照明装置)
図1は、本発明の実施の形態にかかる半導体発光素子の点灯装置100を示す図であるとともに、本発明の実施の形態にかかる照明装置を示す図でもある。実施の形態にかかる点灯装置は、点灯装置100およびこれにより電流の供給を受けて点灯する半導体発光素子16を備えている。この半導体発光素子16は、発光ダイオード(LED)である。
図2は、本発明の実施の形態にかかる降圧チョッパ回路14の回路図である。図3は、本発明の実施の形態にかかる制御集積回路IC1の内部構成を示す図である。
図4は、本発明の実施の形態にかかる制御集積回路IC1における、電圧VMULTに対するVthcs(コンパレータCP1の閾値電圧)の特性を示す図である。電圧VMULTとは、MULT端子3に入力される電圧である。閾値電圧Vthcsは、1番ピン(INV)の印加電圧と3番ピン(MULT)の印加電圧VMULTにより決定される。すなわち、閾値電圧Vthcsは、制御集積回路IC1の電圧VMULTによって可変することができる。
図5は、実施の形態に対する比較例として示す降圧チョッパ回路114の回路図である。比較例と実施の形態との間の構成の違いは、降圧チョッパ回路14内の出力調整に関する回路のみである。
図5に示すように、比較例にかかる降圧チョッパ回路114において、MULT端子電圧である電圧VMULTは、制御電源電圧を抵抗R8と抵抗R19により分圧した電圧である。抵抗R19は可変抵抗素子ではない。これに対し、本実施の形態の電圧VMULTは、制御電源電圧を抵抗R8と可変抵抗素子R9により分圧した電圧であり、この点が互いに相違している。
比較例にかかる降圧チョッパ回路114は、可変抵抗素子R10を備える点で、実施の形態とは異なっている。比較例にかかる降圧チョッパ回路114の動作を説明すると、先ず、スイッチング素子Q1がオンになると、昇圧チョッパ回路13の正側aの出力から、半導体発光素子16及び、平滑コンデンサC1、インダクタL1、スイッチング素子Q1、抵抗RCSを介して、昇圧チョッパ回路13の負側bの出力へ電流が流れる。
制御集積回路IC1のCS端子4は、インダクタ電流検出端子であり、CS端子4の電圧Vcsが閾値を超えると、ゲートドライブ端子7からのゲート駆動電圧がLowレベルとなり、スイッチング素子Q1がオフする。比較例にかかる降圧チョッパ回路114では、MULT端子3の電圧を変更できないので閾値電圧Vthcsが固定値であるものとし、この点が実施の形態と異なっている。
比較例にかかる降圧チョッパ回路114は、実施の形態にかかる降圧チョッパ回路14と同様に、フィードバック動作をさせないようにするため(オープンループにて動作させるため)、COMP端子2電圧は、内部のエラーアンプを飽和して使用する(クランプ電圧にする。図6参照)。INV端子1電圧がフィードバック閾値電圧以下となるように、抵抗R5、R6、R7を選定している。
次に、半導体発光素子16の電流値の算出式を用い、比較例にかかる降圧チョッパ回路114と実施の形態にかかる降圧チョッパ回路14の比較をする。
Claims (6)
- 直流電源に直列接続されてオンオフ制御されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と直列に接続されて前記スイッチング素子のオン時に前記直流電源から電流が流れるインダクタンス要素と、
前記スイッチング素子のオン時に前記インダクタンス要素に蓄積されたエネルギーを前記スイッチング素子のオフ時に半導体発光素子に放出する回生ダイオードと、
前記スイッチング素子と直列に接続した検出抵抗を備え、前記検出抵抗の端子間電圧を検出することで前記スイッチング素子に流れる電流を検出する検出手段と、
第1端子に前記検出手段により検出された検出値を受け第2端子に閾値を受け前記検出値が前記閾値に達すると出力を切り替えるコンパレータを含み、前記コンパレータの出力に応じて前記スイッチング素子をオフさせると共に、前記インダクタンス要素のエネルギー放出が完了したときに前記スイッチング素子をオンさせる制御手段と、
前記閾値を決定する電圧を変更可能な可変抵抗素子と、
を備えることを特徴とする半導体発光素子の点灯装置。 - 可変抵抗素子は、温度に応じて抵抗値が可変な感温抵抗素子を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の点灯装置。
- 可変抵抗素子は、抵抗値が可変な回路素子を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の点灯装置。
- 前記制御手段が、
入力電圧を受ける第3端子と、
制御電源電圧を第1入力として受け、自身の出力を第2入力として帰還的に受けるエラーアンプと、
前記入力電圧および前記エラーアンプの出力を受けて出力電圧を生成し、前記出力電圧を前記コンパレータの前記第2端子に前記閾値として与える乗算回路と、
を含み、前記入力電圧と前記出力電圧の入出力特性が線形領域と飽和領域とを有し、
前記入力電圧が、前記閾値を決定する電圧であり、
前記可変抵抗素子と直列に接続する分圧抵抗をさらに備え、
前記可変抵抗素子は、前記分圧抵抗とともに前記制御電源電圧を分圧することで前記入力電圧を生成し、
前記可変抵抗素子の抵抗値を変化させると、前記出力電圧が前記線形領域上で変化するように前記入力電圧が変化することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体発光素子の点灯装置。 - 前記第2入力が、前記エラーアンプが飽和するクランプ電圧であることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子の点灯装置。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体発光素子の点灯装置と、
前記半導体発光素子の点灯装置から電流を供給される半導体発光素子と、
を備えることを特徴とする照明装置。
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JP2016092955A (ja) * | 2014-11-04 | 2016-05-23 | ローム株式会社 | スイッチングコンバータおよびその制御回路、制御方法、それを用いた照明装置、電子機器 |
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JP2000032743A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Matsushita Electric Works Ltd | 電源装置 |
JP2001286131A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 電源装置 |
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