JP2014153485A - Light distribution device, illumination system and exposure device having the same - Google Patents
Light distribution device, illumination system and exposure device having the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014153485A JP2014153485A JP2013021826A JP2013021826A JP2014153485A JP 2014153485 A JP2014153485 A JP 2014153485A JP 2013021826 A JP2013021826 A JP 2013021826A JP 2013021826 A JP2013021826 A JP 2013021826A JP 2014153485 A JP2014153485 A JP 2014153485A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical
- incident
- splitter
- illumination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims abstract description 122
- 238000009826 distribution Methods 0.000 title claims abstract description 100
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 199
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 59
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 37
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 116
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 31
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 241000276498 Pollachius virens Species 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- -1 n Species 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
本発明は、光源から出力された光を分岐する光分配装置、照明システム及びこれを備える露光装置に関する。 The present invention relates to a light distribution device for branching light output from a light source, an illumination system, and an exposure apparatus including the same.
近年、情報表示装置として、液晶又は有機EL(Electro Luminescence)等の素子を用いた薄型の表示パネルが多用されている。これらの表示パネルは、薄いガラス基板に透明薄膜電極をフォトリソグラフィ手法でパターンニングすることにより製造されている。このフォトリソグラフィ手法において、マスクに形成されたパターンを感光基板(以下、基板ともいう)に投影露光してパターンニングする露光装置が知られている。露光装置には、マスクに照射する照明光の視野として、複数の視野を設け、同時に基板の複数個所に投影露光してパターンニングする露光装置がある。 In recent years, thin display panels using elements such as liquid crystal or organic EL (Electro Luminescence) have been widely used as information display devices. These display panels are manufactured by patterning transparent thin film electrodes on a thin glass substrate by a photolithography technique. In this photolithography technique, there is known an exposure apparatus that performs patterning by projecting and exposing a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate (hereinafter also referred to as a substrate). In the exposure apparatus, there is an exposure apparatus in which a plurality of fields are provided as fields of illumination light to be irradiated onto a mask, and at the same time, projection exposure is performed on a plurality of locations on a substrate for patterning.
露光装置に用いる照明装置としては、複数の光源からの光を合成し、その後、分岐し、分岐した光をそれぞれ複数の視野の照明光として用いる照明装置がある。例えば、特許文献1には、ケーラーレンズとケーラーレンズの焦点位置に配置されたアパーチャとによりケーラーレンズの前側焦点に位置された複数の光源からの光を合成し、面内の光強度が概ね均一な面光源状の光に変換し、この面光源状の光を分岐することにより、各カプラーを経由して出力される光の面内の光強度を一定にする光学装置が記載されている。 As an illuminating device used for an exposure apparatus, there is an illuminating apparatus that combines light from a plurality of light sources, and then branches and uses the branched light as illumination light for a plurality of fields of view. For example, in Patent Document 1, light from a plurality of light sources positioned at the front focal point of a Koehler lens is synthesized by a Koehler lens and an aperture arranged at the focal position of the Koehler lens, and the in-plane light intensity is substantially uniform. An optical device is described in which the light intensity in the surface of the light output through each coupler is made constant by converting the light into a surface light source and splitting the light of the surface light source.
従来の照明装置を用いた場合においては、複数の光源からの光の照明ムラを十分に低減することができず、分岐した光の光量にバラツキが生じる場合がある。 When a conventional illumination device is used, uneven illumination of light from a plurality of light sources cannot be sufficiently reduced, and the amount of branched light may vary.
本発明の態様は、複数の光源からの光を効率よく合成し、複数の均等な光に分岐することができる光分配装置、照明システム及びこれを備える露光装置を提供することを目的とする。 An object of an aspect of the present invention is to provide a light distribution apparatus, an illumination system, and an exposure apparatus including the light distribution apparatus, which can efficiently combine light from a plurality of light sources and branch the light into a plurality of uniform lights.
本発明の第1の態様に従えば、入射した光を面内分布が平均化された面状の光として出力面から出力する複数の分布調整器と、複数の前記分布調整器の各出力面から出力された面状の光が入射面から入射され、前記入射面から入射した光を複数の光に分割して出力する光分割器と、前記分布調整器毎に前記分布調整器と前記光分割器との間に配置され、前記出力面の像をそれぞれ生成する複数の結像光学系と、を備え、前記複数の結像光学系からの光は、前記光分割器の前記入射面で少なくとも一部が重畳し、前記複数の結像光学系による複数の前記出力面の像は少なくとも一部が重畳する光分配装置が提供される。 According to the first aspect of the present invention, a plurality of distribution regulators that output incident light from the output surface as planar light whose in-plane distribution is averaged, and each output surface of the plurality of distribution regulators The planar light that is output from the incident surface is incident from the incident surface, the light splitter that divides the light incident from the incident surface into a plurality of lights, and the distribution adjuster and the light for each distribution adjuster A plurality of imaging optical systems that are respectively disposed between the optical splitter and generate an image of the output surface, and light from the imaging optical systems is incident on the incident surface of the optical splitter. There is provided a light distribution device in which at least a part overlaps, and at least a part of the images on the plurality of output surfaces by the plurality of imaging optical systems overlap.
本発明の第2の態様に従えば、光源から出力された光を被照射面の複数の視野領域に照射させる照明システムであって、前記光源から出力された光が入射され、入射した光を複数の光に分岐する上述した光分配装置と、前記光分配装置で分岐された光を案内し、前記被照射面のそれぞれ前記視野領域に照射させる照明光学系と、を備える照明システムが提供される。 According to the second aspect of the present invention, there is provided an illumination system for irradiating a plurality of visual field regions of an irradiated surface with light output from a light source, wherein the light output from the light source is incident and the incident light is There is provided an illumination system comprising: the above-described light distribution device that branches into a plurality of lights; and an illumination optical system that guides the light branched by the light distribution device and irradiates each of the visual field regions of the irradiated surface. The
本発明の第3の態様に従えば、上述した照明システムと、前記照明システムから照射された光が照射されるマスクを支持するマスクステージと、前記マスクに形成されたパターンと同形状のパターンが露光されるプレートを支持するプレートステージと、を備える露光装置が提供される。 According to the third aspect of the present invention, the illumination system described above, a mask stage that supports a mask irradiated with light emitted from the illumination system, and a pattern having the same shape as the pattern formed on the mask are provided. An exposure apparatus is provided that includes a plate stage that supports a plate to be exposed.
本発明は、複数の光源からの光を効率よく合成し、複数の均等な光に分岐することができる光分配装置、照明システム及びこれを備える露光装置を提供することができる。 The present invention can provide a light distribution device, an illumination system, and an exposure apparatus including the light distribution device that can efficiently synthesize light from a plurality of light sources and branch the light into a plurality of equal light beams.
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the constituent elements described below can be appropriately combined. In addition, various omissions, substitutions, or changes of components can be made without departing from the scope of the present invention.
以下において、下は重力が作用する方向(鉛直方向)側であり、上は重力が作用する方向とは反対方向側である。また、以下においては、露光装置によって露光光が照射される基板が設定される平面に垂直な方向をZ軸方向、基板が設定される平面(Z軸と直交する平面)内の所定方向をX軸方向、基板が設定される平面(Z軸と直交する平面)内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向と表現する。X軸、Y軸、及びZ軸周りの回転(傾斜)方向は、それぞれ、θX方向、θY方向及びθZ方向と表現する。まず、露光装置EXの概要を説明する。 In the following, the lower side is the direction (vertical direction) in which gravity acts, and the upper side is the direction opposite to the direction in which gravity acts. In the following, the direction perpendicular to the plane on which the substrate irradiated with exposure light is set by the exposure apparatus is the Z-axis direction, and the predetermined direction in the plane on which the substrate is set (plane perpendicular to the Z-axis) is X The direction perpendicular to the X-axis direction in the plane in which the substrate is set (plane perpendicular to the Z-axis) is expressed as the Y-axis direction. The rotation (tilt) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are expressed as θX direction, θY direction, and θZ direction, respectively. First, an outline of the exposure apparatus EX will be described.
<露光装置>
図1は、本実施形態に係る露光装置の斜視図である。図2は、本実施形態に係る露光装置を走査方向側から見た図である。図3は、本実施形態に係る露光装置の側面図である。露光装置EXは、マスクステージ1と、基板ステージ2と、マスクステージ駆動システム3と、基板ステージ駆動システム4と、照明システムISと、投影システムPSと、制御装置5とを備えている。また、露光装置EXは、ボディ13を備えている。ボディ13は、ベースプレート10と、第1コラム11と、第2コラム12とを有する。ベースプレート10は、例えばクリーンルーム内の支持面(例えば床面)FL上に防振台BLを介して配置される。第1コラム11は、ベースプレート10上に配置される。第2コラム12は、第1コラム11上に配置される。ボディ13は、投影システムPS、マスクステージ1及び基板ステージ2のそれぞれを支持する。投影システムPSは、定盤14を介して第1コラム11に支持される。マスクステージ1は、第2コラム12に対して移動可能に支持される。基板ステージ2は、ベースプレート10に対して移動可能に支持される。
<Exposure device>
FIG. 1 is a perspective view of an exposure apparatus according to this embodiment. FIG. 2 is a view of the exposure apparatus according to the present embodiment as viewed from the scanning direction side. FIG. 3 is a side view of the exposure apparatus according to the present embodiment. The exposure apparatus EX includes a mask stage 1, a
本実施形態において、露光装置EXは、マスクMと基板PとをX軸方向に同期移動してマスクMのパターンを介した露光光ELで基板Pを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)である。露光装置EXはこのようなものに限定されず、例えば、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)であってもよい。 In the present embodiment, the exposure apparatus EX scans and exposes the substrate P with the exposure light EL through the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously in the X-axis direction. This is a mold exposure apparatus (scanning stepper). The exposure apparatus EX is not limited to this, and, for example, a step-and-repeat projection in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the mask M and the substrate P are stationary, and the substrate P is sequentially moved stepwise. An exposure apparatus (stepper) may be used.
マスクMは、基板Pに投影されるデバイスのパターンが形成されたレチクルを含む。基板Pは、基材と、その基材の表面に形成された感光膜(塗布された感光剤)とを含む。基材は、大型のガラスプレートを含み、その一辺の長さ又は対角長(対角線の長さ)は、例えば500mm以上である。本実施形態においては、基板Pの基材として、一辺が約3000mmの矩形形状のガラスプレートを用いる。 The mask M includes a reticle on which a device pattern to be projected onto the substrate P is formed. The substrate P includes a base material and a photosensitive film (coated photosensitizer) formed on the surface of the base material. The base material includes a large glass plate, and the length of one side or the diagonal length (the length of the diagonal line) is, for example, 500 mm or more. In the present embodiment, a rectangular glass plate having a side of about 3000 mm is used as the base material of the substrate P.
露光装置EXは、照明装置100と、複数個(本実施形態では7個)の照明光学系としての照明部IL1〜IL7とを有する照明システムISを備える。また、露光装置EXは、複数個(本実施形態では7個)の投影光学系PL1〜PL7を有する投影システムPSを備える。なお、照明光学系及び投影光学系の数は7個に限定されず、例えば、照明システムISが照明光学系を11個有し、投影システムPSが投影光学系を11個有してもよい。以下においては、必要に応じて、照明部IL1〜IL7を第1〜第7照明部IL1〜IL7といい、投影光学系PL1〜PL7を第1〜第7投影光学系PL1〜PL7という。
The exposure apparatus EX includes an illumination system IS having an
次に、照明システムISについて簡単に説明する。照明システムISは、マスクMを露光光ELで照射するシステムである。照明システムISが有する第1〜第7照明部IL1〜IL7は、7個の照明領域IR1〜IR7に配置されたマスクMの少なくとも一部を、ほぼ均一な照度分布の露光光ELで照射する。本実施形態において、照明システムISから射出される露光光ELは、レーザ光が用いられる。レーザ光は、照明装置100が有するレーザ光源から射出される。本実施形態においては、レーザ光源、より具体的には、紫外線レーザ光源を用いたが、露光光の光源として高圧水銀ランプ又はキセノンランプ等のランプも用いることができる。照明システムISの詳細な構造は後述する。
Next, the illumination system IS will be briefly described. The illumination system IS is a system that irradiates the mask M with exposure light EL. The first to seventh illumination units IL1 to IL7 included in the illumination system IS irradiate at least a part of the mask M arranged in the seven illumination regions IR1 to IR7 with the exposure light EL having a substantially uniform illuminance distribution. In the present embodiment, laser light is used as the exposure light EL emitted from the illumination system IS. Laser light is emitted from a laser light source included in the
次に、投影システムPSについて説明する。投影システムPSは、露光光ELで照射されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影するシステムである。投影システムPSは、所定の投影領域PR1〜PR7に露光光ELを投影する複数の投影光学系PL1〜PL7を有する。投影領域PR1〜PR7は、各投影光学系PL1〜PL7から射出された露光光ELが投影される領域である。投影システムPSは、異なる7つの投影領域PR1〜PR7にそれぞれマスクパターンの像を投影する。投影システムPSは、基板Pのうち投影領域PR1〜PR7に配置された部分に、マスクパターンの像を所定の投影倍率で投影する。 Next, the projection system PS will be described. The projection system PS is a system that projects an image of the pattern of the mask M irradiated with the exposure light EL onto the substrate P. The projection system PS includes a plurality of projection optical systems PL1 to PL7 that project the exposure light EL onto predetermined projection regions PR1 to PR7. The projection areas PR1 to PR7 are areas where the exposure light EL emitted from the projection optical systems PL1 to PL7 is projected. The projection system PS projects mask pattern images onto seven different projection areas PR1 to PR7, respectively. The projection system PS projects the mask pattern image at a predetermined projection magnification onto portions of the substrate P that are arranged in the projection regions PR1 to PR7.
投影光学系PL1〜PL7は、図2に示す第1照明部IL1により露光光ELで照射されたマスクMのマスクパターンの像を基板Pに投影する。第1投影光学系PL1は、像面調整部33と、シフト調整部34と、2組の反射屈折型光学系31、32と、視野絞り35と、スケーリング調整部36とを備えている。
The projection optical systems PL1 to PL7 project an image of the mask pattern of the mask M irradiated with the exposure light EL by the first illumination unit IL1 shown in FIG. The first projection optical system PL1 includes an image
照明領域IR1に照射され、マスクMを通過した露光光ELは、像面調整部33に入射する。像面調整部33は、第1投影光学系PL1の像面の位置(Z軸、θX及びθY方向に関する位置)を調整することができる。像面調整部33は、マスクM及び基板Pに対して光学的にほぼ共役な位置に配置されている。像面調整部33は、第1光学部材33A及び第2光学部材33Bと、第2光学部材33Bに対して第1光学部材33Aを移動させることができる光学系駆動装置とを備えている。
The exposure light EL irradiated to the illumination area IR1 and passed through the mask M enters the image
第1光学部材33Aと第2光学部材33Bとは、気体軸受により、所定のギャップを介して対向する。第1光学部材33A及び第2光学部材33Bは、露光光ELを透過するガラス板であり、それぞれくさび形状を有する。図1に示す制御装置5は、光学系駆動装置を動作させて、第1光学部材33Aと第2光学部材33Bとの位置関係を調整することにより、第1投影光学系PL1の像面の位置を調整することができる。像面調整部33を通過した露光光ELは、シフト調整部34に入射する。
The first
シフト調整部34は、基板Pの表面におけるマスクMのパターンの像をX軸方向及びY軸方向にシフトさせることができる。シフト調整部34を透過した露光光ELは、1組目の反射屈折型光学系31に入射する。反射屈折型光学系31は、マスクMのパターンの中間像を形成する。反射屈折型光学系31から射出された露光光ELは、視野絞り35に入射する。視野絞り35は、反射屈折型光学系31により形成されるマスクパターンの中間像の位置に配置されている。視野絞り35は、投影領域PR1を規定する。本実施形態において、視野絞り35は、基板P上における投影領域PR1を台形状に規定する。視野絞り35を通過した露光光ELは、2組目の反射屈折型光学系32に入射する。
The
反射屈折型光学系32は、反射屈折型光学系31と同様の構造である。反射屈折型光学系32から射出された露光光ELは、スケーリング調整部36に入射する。スケーリング調整部36は、マスクパターンの像の倍率(スケーリング)を調整することができる。スケーリング調整部36を介した露光光ELは、基板Pに照射される。本実施形態において、第1投影光学系PL1は、マスクパターンの像を、基板P上に正立等倍で投影するが、これに限定されるものではない。例えば、第1投影光学系PL1は、マスクパターンの像を拡大又は縮小したり、倒立で投影したりしてもよい。
The catadioptric
上述の像面調整部33、シフト調整部34及びスケーリング調整部36により、投影光学系PL1〜PL7の結像特性(光学特性)を調整する結像特性調整装置30が構成される。結像特性調整装置30は、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及びθZ方向の6つの方向に関する第1投影光学系PL1の像面の位置を調整可能であり、マスクパターンの像の倍率を調整可能である。投影光学系PL1〜PL7は、いずれも同等の構造である。
The above-described image
次に、マスクステージ1について説明する。マスクステージ1は、マスクMを保持した状態で、照明領域IR1〜IR7に対して移動させる装置である。マスクステージ1は、マスクMを保持可能なマスク保持部15を有する。マスク保持部15は、マスクMを真空吸着可能なチャック機構を含み、マスクMを脱着できる。マスク保持部15は、マスクMの投影システムPS側の面(パターン形成面)とXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。
Next, the mask stage 1 will be described. The mask stage 1 is a device that moves the illumination areas IR1 to IR7 while holding the mask M. The mask stage 1 includes a
マスクステージ駆動システム3は、マスクステージ1を移動させるシステムである。マスクステージ駆動システム3は、例えばリニアモータを含み、第2コラム12のガイド面12G上においてマスクステージ1を移動可能である。マスクステージ1は、マスクステージ駆動システム3の作動により、マスク保持部15でマスクMを保持した状態で、ガイド面12G上を、X軸、Y軸及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。
The mask
次に、基板ステージ2について説明する。基板ステージ2は、基板Pを保持するとともに、パターン転写装置としての照明システムIS及び投影システムPSから照射される露光光ELの投影領域PR1〜PR7に対して基板Pを走査方向(X軸方向)に移動させる。基板ステージ2は、基板Pを保持可能な基板保持部16を有する。基板保持部16は、基板Pを真空吸着可能なチャック機構を含み、基板Pが脱着できるようになっている。基板保持部16は、基板Pの表面(露光面)とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。
Next, the
基板ステージ駆動システム4は、基板ステージ2を移動させるシステムである。基板ステージ駆動システム4は、例えばリニアモータを含み、ベースプレート10のガイド面10G上において基板ステージ2を移動可能である。基板ステージ2は、基板ステージ駆動システム4が動作することにより、基板保持部16で基板Pを保持した状態で、ガイド面10G上を、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及びθZ方向の6方向に移動可能である。
The substrate stage drive system 4 is a system that moves the
図3に示すように、基板保持部16に対して−X側の基板ステージ2の投影システムPS側における表面には、基準部材43が配置されている。基準部材43の投影システムPS側における表面44は、基板保持部16に保持された基板Pの表面とほぼ同一の平面内に配置される。また、基準部材43の表面44に、露光光ELを透過可能な透過部45が配置されている。基準部材43の下方(基板ステージ2の内部側)には、透過部45を透過した光を受光可能な受光装置46が配置されている。受光装置46は、透過部45を介した光が入射するレンズ系47と、レンズ系47を介した光を受光する光センサ48とを有する。本実施形態において、光センサ48は、撮像素子(CCD:Charge Coupled Device)を含む。光センサ48は、受光した光に応じた信号を制御装置5に出力する。
As shown in FIG. 3, the
次に、干渉計システム6について説明する。図1及び図2に示すように、干渉計システム6は、マスクステージ1の位置情報を計測するレーザ干渉計ユニット6Aと、基板ステージ2の位置情報を計測するレーザ干渉計ユニット6Bとを有する。レーザ干渉計ユニット6Aは、マスクステージ1に配置された計測ミラー1Rを用いて、マスクステージ1の位置情報を計測可能である。レーザ干渉計ユニット6Bは、基板ステージ2に配置された計測ミラー2Rを用いて、基板ステージ2の位置情報を計測可能である。本実施形態において、干渉計システム6は、レーザ干渉計ユニット6A、6Bを用いて、X軸、Y軸及びθX方向に関するマスクステージ1及び基板ステージ2それぞれの位置を計測可能である。
Next, the
次に、第1検出システム7について説明する。第1検出システム7は、マスクMの投影システムPS側における面(パターン形成面)のZ軸方向の位置を検出する。第1検出システム7は、いわゆる斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムであり、図3に示すように、マスクステージ1に保持されたマスクMの投影システムPS側の面と対向配置される複数の検出器7A〜7Fを有する。検出器7A〜7Fのそれぞれは、検出領域MZ1〜MZ6に検出光を照射する投射部と、検出領域MZ1〜MZ6に配置されたマスクMの下面(投影システムPS側における表面)からの検出光を受光可能な受光部とを有する。第1検出システム7は、検出領域MZ1〜MZ6に配置されたマスクMの下面におけるZ軸方向の位置が変化した場合、そのマスクMの下面のZ軸方向における変位量に応じて、受光部に対する検出光の入射位置がX軸方向に変位する。受光部の撮像信号は、制御装置5に出力され、制御装置5は、受光部からの信号に基づいて、検出領域MZ1〜MZ6に配置されたマスクMの下面のZ軸方向における位置を求めることができる。
Next, the
次に、第2検出システム8について説明する。第2検出システム8は、基板Pの表面(露光面)におけるZ軸方向の位置を検出する。第2検出システム8は、いわゆる斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムであり、図3に示すように、基板ステージ2に保持された基板Pの表面と対向配置される複数の検出器8A〜8Hを有する。検出器8A〜8Hのそれぞれは、検出領域PZ1〜PZ8に検出光を照射する投射部と、検出領域PZ1〜PZ8に配置された基板Pの表面からの検出光を受光可能な受光部とを有する。第2検出システム8は、検出領域PZ1〜PZ8に配置された基板Pの表面におけるZ軸方向の位置が変化した場合、その基板Pの表面のZ軸方向における変位量に応じて、受光部に対する検出光の入射位置がX軸方向に変位する。受光部の撮像信号は、制御装置5に出力され、制御装置5は、受光部からの信号に基づいて、検出領域PZ1〜PZ8に配置された基板Pの表面のZ軸方向における位置を求めることができる。
Next, the
次に、アライメントシステム9について説明する。アライメントシステム9は、基板Pに設けられた位置マークとしてのアライメントマークを検出し、その位置を計測する。アライメントマークの位置は、例えば、露光装置EXのXY座標系における位置である。アライメントマークは、露光によって基板Pに転写されて、基板Pの表面に設けられる。本実施形態において、アライメントシステム9は、投影システムPSに対してX軸方向(走査方向)の−X側に配置されている。
Next, the
アライメントシステム9は、いわゆるオフアクシス方式のアライメントシステムである。図3に示すように、アライメントシステム9は、基板ステージ2に保持された基板Pの表面と対向配置される複数(本実施形態では6個)の検出器9A〜9Fを有する。検出器9A〜9Fのそれぞれは、検出領域SA1〜SA6に検出光を照射する投射部と、検出領域SA1〜SA6に配置されたアライメントマークの光学像を取得する顕微鏡及び受光部とを有する。検出器9A〜9F及び検出領域SA1〜SA6は、走査方向と直交する方向、すなわちY軸の方向に配列されている。
The
次に、制御装置5について説明する。制御装置5は、露光装置EXの動作を制御するとともに、本実施形態に係る露光方法を実行する。制御装置5は、例えば、コンピュータであり、処理部と、記憶部と、入出力部とを有する。処理部は、例えば、CPU(Central Processing Unit)である。記憶部は、例えば、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)若しくはハードディスク装置又はこれらを組み合わせたものである。入出力部は、照明システムIS、投影システムPS、干渉計システム6、アライメントシステム9、マスクステージ駆動システム3及び基板ステージ駆動システム4等の機器類と接続するためのインターフェース、入力ポート及び出力ポート等を備えている。処理部は、入出力部を介して露光装置EXの機器類の動作を制御したり、機器類の状態に関する情報又は機器類が検出した検出値等を取得したりする。
Next, the
基板Pの露光時において、露光装置EXの動作の少なくとも一部は、予め定められている露光に関する制御情報(露光制御情報)に基づいて実行される。露光制御情報は、露光装置EXの動作を規定する制御命令群を含み、露光レシピとも呼ばれる。以下の説明において、露光に関する制御情報を適宜、露光レシピ、と称する。露光レシピは、制御装置5に予め記憶されている。少なくとも基板Pの露光時(マスクM及び基板Pに対する露光光ELの照射動作時)における露光装置EXの動作条件は、露光レシピによって予め決定されている。制御装置5は、露光レシピに基づいて、露光装置EXの動作を制御する。
At the time of exposure of the substrate P, at least a part of the operation of the exposure apparatus EX is executed based on predetermined control information (exposure control information) relating to exposure. The exposure control information includes a control command group that defines the operation of the exposure apparatus EX, and is also called an exposure recipe. In the following description, the control information related to exposure is appropriately referred to as an exposure recipe. The exposure recipe is stored in the
露光レシピは、基板Pの露光時におけるマスクステージ1及び基板ステージ2の移動条件を含む。基板Pの露光時、制御装置5は、露光レシピに基づいて、マスクステージ1及び基板ステージ2を移動する。露光装置EXは、マルチレンズ型スキャン露光装置であり、基板Pの露光領域の露光時において、マスクM及び基板Pは、XY平面内の所定の走査方向に移動される。制御装置5は、露光レシピに基づいて、マスクMと基板Pとを走査方向に同期移動しながらマスクMの下面(投影モジュールPL1〜PL7側の面)のパターン領域(パターンが形成された領域)に露光光ELを照射して、そのパターン領域を介して基板Pの表面の露光領域に露光光ELを照射して、それら露光領域を露光する。
The exposure recipe includes conditions for moving the mask stage 1 and the
基板P上に設けられた複数の露光領域に対する露光処理は、露光領域を投影領域PR1〜PR7に対して基板Pの表面(XY平面)に沿って走査方向に移動させるとともに、マスクMのパターン領域を照明領域IR1〜IR7に対してマスクMの下面(XY平面)に沿って走査方向に移動させながら実行される。本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をX軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もX軸方向とする。 In the exposure process for a plurality of exposure areas provided on the substrate P, the exposure area is moved in the scanning direction along the surface (XY plane) of the substrate P with respect to the projection areas PR1 to PR7, and the pattern area of the mask M Is performed in the scanning direction along the lower surface (XY plane) of the mask M with respect to the illumination regions IR1 to IR7. In the present embodiment, the scanning direction (synchronous movement direction) of the substrate P is the X-axis direction, and the scanning direction (synchronous movement direction) of the mask M is also the X-axis direction.
例えば、基板Pの露光領域PA1を露光する場合、制御装置5は、投影領域PR1〜PR7に対して基板Pの投影領域PR1をX軸方向に移動するとともに、その基板PのX軸方向への移動と同期して、照明領域IR1〜IR7に対してマスクMのパターン領域をX軸方向に移動しながら、照明領域IR1〜IR7に露光光ELを照射して、マスクMからの露光光ELを、投影モジュールPL1〜PL7を介して投影領域PR1〜PR7に照射する。これにより、基板Pの露光領域PA1は、投影領域PR1〜PR7に照射された露光光ELで露光され、マスクMのパターン領域に形成されたパターンの像が、基板Pの露光領域PA1に投影される。
For example, when exposing the exposure area PA1 of the substrate P, the
例えば、露光領域PA1の露光が終了した後、次の露光領域(例えば露光領域PA2)を露光するために、制御装置5は、投影領域PR1〜PR7が次の露光領域PA2の露光開始位置に配置されるように、基板ステージ2を制御して、投影領域PR1〜PR7に対して基板PをXY平面内の所定方向に移動する。また、制御装置5は、照明領域IR1〜IR7がパターン領域の露光開始位置に配置されるように、マスクステージ1を制御して、照明領域IR1〜IR7に対してマスクMを移動する。そして、投影領域PR1〜PR7が露光領域PA2の露光開始位置に配置され、照明領域IR1〜IR7がパターン領域の露光開始位置に配置された後、制御装置5は、その露光領域PA2の露光を開始する。制御装置5は、マスクステージ1が保持するマスクMと基板ステージ2が保持する基板PとをX軸方向に同期移動しながら基板Pに露光光ELを照射する動作と、次の露光領域を露光するために、基板PをXY平面内の所定方向(例えばX軸方向)にステッピング移動する動作を繰り返しながら、基板P上に設けられた複数の露光領域を、マスクMに設けられたパターン及び投影モジュールPL1〜PL7を介して順次露光する。次に、照明システムISについて詳細に説明する。
For example, after the exposure of the exposure area PA1 is completed, the
<照明システム>
図4は、本実施形態に係る露光装置が備える照明システムの照明装置の光分配装置の概要を示す模式図である。図5は、照明装置のレンズアレイの概要を示す模式図である。図6は、本実施形態に係る照明システムの照明光学系の構造を示す図である。上述したように、照明システムISは、照明装置100と、複数個(本実施形態では7個)の照明光学系としての第1〜第7照明部IL1〜IL7とを備える。照明システムISは、照明装置100から出力された7本の光が第1〜第7照明部IL1〜IL7のそれぞれに入射する。第1〜第7照明部IL1〜IL7は、いずれも同様の構造なので、これらを区別する必要がないときには照明部ILという。
<Lighting system>
FIG. 4 is a schematic diagram showing an outline of the light distribution device of the illumination device of the illumination system provided in the exposure apparatus according to the present embodiment. FIG. 5 is a schematic diagram showing an outline of the lens array of the illumination device. FIG. 6 is a diagram showing the structure of the illumination optical system of the illumination system according to this embodiment. As described above, the illumination system IS includes the
図4に示すように、照明装置100は、複数の光源101と、複数の光源101から射出された光を合成したした後、複数に分岐する光分配装置102と、を有する。本実施形態の照明装置100は、2つの光源101を有する。光源101は、レーザ光源であり、レーザ光を射出する。
As illustrated in FIG. 4, the
光分配装置102は、2つの光源101の一方に対応して配置された第1ユニット104と、2つの光源101の他方に対応して配置された第2ユニット106と、光分割器107と、を有する。
The
第1ユニット104と第2ユニット106とは、対応する光源101から射出された光を光分割器107に導く。第1ユニット104と第2ユニット106とは、配置される位置が異なるのみで同様の構成である。以下、代表して第1ユニット104について説明する。第1ユニット104は、光源光学系120と、光ファイバ(分布調整器)122と、クリティカル照明系(結像照明系)124と、を有する。
The
光源光学系120は、少なくとも1枚のレンズを有し、光源101からの光のビーム径を調整して、光ファイバ122の入射端に導く。光源光学系120で光源101からの光のビーム径を調整することで、光源101からの光を高い利用効率のもとで、言い換えると光ファイバ122の入射端での光量損失を低減させた状態で光ファイバ122に入射させることができる。
The light source
光ファイバ122は、入射端から入射した光を射出端の面から射出させる。光ファイバ122は、複数のファイバを束ねたバンドル状のファイバでもよいが、単線のファイバとしてもよい。単線のファイバとすることで、入射端におけるコアの占有率をより高くすることができる。つまりバンドル状のファイバの場合、束ねたファイバのコアとコアの間にクラッドが配置され、且つ複数のファイバを最密充填配置とすることができないため、入射端におけるコアの割合の向上に限界がある。しかしながら、単線のファイバとした場合、光源101からの光のビーム径とコアの径とを調整することで、より多くの光を光ファイバに入射させることができる。これにより、光の利用効率を高くすることができる。
The
光ファイバ122は、入射端から入射した光をコアとクラッドとの境界で繰り返し全反射させつつ射出端に導き、入射端から入射した光を均一化させて射出端から射出させる。このように、光ファイバ122は、分布調整器とみなすことができ、入射した光の分布を調整し、入射した光が不均一な分布を持つ場合でも、均一化した面上の光として射出する。また、光ファイバ122は、光源101として固体レーザを用いた場合等、照射される光の方位角の向きによって光の発散角が異なるような異方性があっても、当該異方性を緩和することができる。
The
クリティカル照明系124は、光ファイバ122から射出された光を光分割器107の入射面に入射させる。ここで、クリティカル照明系124は、光ファイバ122の射出面の像が光分割器107の入射面にできるように光を導く。なお、クリティカル照明系124は、光ファイバ122の射出面の像を拡大した像を光分割器107の入射面に形成する。具体的には、クリティカル照明系124は、光ファイバ122の射出端の面積が1mm程度、つまり像が1mm程度の場合、光分割器107の入射面に光ファイバ122の射出面の像が50mm程度となるように拡大して形成させる。このように、クリティカル照明系124は拡大倍率を有する。
The
第1ユニット104においては、光ファイバ122からの光が、所定の発散角を持つ光として射出されるが、クリティカル照明系124により光分割器107の入射面に、光ファイバ122の射出面の像を拡大して入射させているため、第1ユニット104からの光(クリティカル照明系124からの光)の発散角を小さくすることができる。具体的には、第1ユニット104からの光の発散角の正弦が光ファイバ122から射出される光の発散角の正弦を拡大倍率で割った値となる。例えば、光ファイバ122を、紫外線で透過率が有利な石英のステップインデックス型とした場合、光ファイバ122のNAが約0.2となる。光ファイバ122からの光の発散角の正弦が光ファイバ122のNAと等しい場合において、拡大倍率を50倍程度とすると、光分割器107の入射面に入射する際の光の発散角の正弦は、0.004(発散角が約14分)となる。したがって、第1ユニット104は、ほぼ平行光束である光を光分割器107の入射面に入射させることができる。
In the
ここで、第1ユニット104と第2ユニット106とは、光分割器107の入射面に入射させる光の進行方向が、光分割器107の入射面に垂直な方向(光分割器107の光軸)に対して、所定角度θ傾斜している。言い換えると、第1ユニット104の射出側の光軸(第1ユニット104のクリティカル照明系124の光軸)と、第2ユニット106の射出側の光軸(第2ユニット106のクリティカル照明系124の光軸)とが光分割器107の光軸に対して所定角度θ傾斜している。また、第1ユニット104と第2ユニット106とは、光分割器107の光軸に対して、点対称となる位置に配置されている。つまり、図4に示す平面上において、第1ユニット104からの光130の進行方向は、光分割器107の光軸に対して+θ傾斜しており、第2ユニット106からの光132の進行方向は、光分割器107の光軸に対して−θ傾斜している。
Here, in the
光分配装置102においては、複数の光源101からの光を、光分割器107の光軸に対して傾斜させることで、複数の光源101からの光を、1つの光分割器107の入射面に入射させることができる。また、光分配装置102は、複数の光源101からの光を、光分割器107の光軸に対して対称な角度、本実施形態では、角度θ、傾斜させて入射させることで、光分割器107の入射面に入射する複数の光がそれぞれ持つ分布を打ち消すことができる。1つのユニット104(106)だけで考えると、光ファイバ122の射出端面の拡大像における像内の光強度分布が均一であっても、光分割器107の光軸に対して傾斜した方向から光分割器107に入射すると、光分割器107の入射面において光強度分布の傾斜成分が生じる。傾斜角度が大きくなるほど、分布の最大と最小の差が大きくなる。これに対して、光分配装置101では、第1ユニット104と第2ユニット106を光分割器107の光軸に対して対称な角度で傾斜させているため、傾斜成分を打ち消すことができる。
In the
また、第1ユニット104及び第2ユニット106は、光分割器107の光軸に対する傾斜角度、つまり、クリティカル照明系124の光軸と光分割器107側の光軸とのなす角度であるθは、光分割器107の入射面の部材である後述するレンズアレイ108の半画角を超えないことが好ましい。これにより、レンズアレイ108のエレメントレンズが取り込むことのできない角度範囲の光がレンズアレイ108に入射することによる光量損失を抑制できる。
In addition, the
次に、光分割器107は、レンズアレイ108、コリメータレンズアレイ110及び複数の光ファイバ112を有する。光分割器107は、第1ユニット104及び第2ユニット106からの光が入射する側からレンズアレイ108、コリメータレンズアレイ110、光ファイバ112の順で配置されている。
Next, the
レンズアレイ108は、光分割器107の光軸と直交する面内に複数のレンズが配置された、つまりアレイ状に配置された光学部材である。レンズアレイ108としては、例えばフライアイレンズを用いることができる。本実施形態のレンズアレイ108は、図5に示すように光が入射する範囲140に複数の正六角形状の断面を持つレンズ142を辺と辺を接触させて隙間が生じにくいように配置している。また、レンズアレイ108では、各レンズ142の断面形状を正六角形とし隙間なく配置することで、光分割器107に入射面に到達した光をより効率良く、つまり少ない損失で入射させることができる。なお、本実施形態では、レンズ142の断面形状を正六角形としているが、これに限定されず、最密充填配置をとることができる断面形状であればよく、正三角形、正四角形であってもよい。また、複数の形状を組み合わせてもよく、例えば正五角形と正六角形を組み合わせてもよい。なお、効率が低下するが、円形のレンズとしてもよい。また、レンズアレイ108は、複数のレンズ142がアレイ状に配置された複数の層を光軸方向に積層している。
The
本実施形態のレンズアレイ108には、複数の光源101からの光を合成した均一な光量分布を持つ面光源の光が入射するため、各レンズ(エレメントレンズ)142で分割された光のそれぞれは、各レンズ(エレメントレンズ)142の位置によらずほぼ等しくなる。
Since the light of the surface light source having a uniform light amount distribution obtained by combining the light from the plurality of
また、レンズアレイ108は、入射面側の層の各レンズの後側焦点位置をレンズアレイ108の射出面上に設定し、射出面側の層のレンズアレイ108の各レンズの前側焦点位置を入射面の層のレンズの入射面に設定しており、レンズアレイ108に斜入射する光束を光分割器107の光軸と平行に射出させることにより、光量損失を低減できる。
Further, the
なお、光源101からの光のパワーが強く、レンズアレイ108の射出面に複数の2次光源像を形成するとレンズアレイ108が損傷する恐れがある、入射面の層のレンズの後側焦点位置を射出面の層のレンズよりも下流側に設定して、レンズアレイ108の射出面より後の空気中に複数の2次光源を形成するようにする。また、レンズアレイ108は、レンズの数を、光を分岐する個数、つまり後述する光ファイバ112の本数に近い個数(例えば同じ数)またはその整数倍とすることで、効率よく光を入射させることができ、光量損失を少なくすることができる。
It should be noted that the rear focal position of the lens on the layer of the incident surface, where the light power from the
コリメータレンズアレイ110は、レンズアレイ108に対面して配置され、レンズアレイ108からの光(フライアイレンズを経て形成された複数の2次光源からの光)をコリメートする。コリメータレンズアレイ110は、レンズアレイ108からの光で光ファイバ112の入射端をケーラー照明する。
The
複数の光ファイバ112は、端面がコリメータレンズアレイ110の光射出面に対面に向かい合う位置に並列に配置されている。それぞれの光ファイバ112は、単線のファイバであり、複数の光ファイバ112の本数は、分岐する光の数に対応した本数である。コリメータレンズアレイ110からの光は、対面する位置に配置された複数の光ファイバ112のそれぞれに入射する。複数の光ファイバ112は、入射した光をそれぞれの経路で案内して、それぞれの位置で出力する。光ファイバ112は、別々の照明光学系に光を照射する。なお、1つの照明光学系に2つまたはそれ以上の光ファイバ112からの光を入射させるようにしてもよい。
The plurality of
なお、光分割器107は、本実施形態のように、レンズアレイ108、コリメータレンズアレイ110及び複数の光ファイバ112を組み合わせることが好ましいが、これに限定されない。例えば、レンズアレイ108を省略してもよい。
The
次に、照明部(照明光学系)ILについて説明する。照明部ILは、それぞれの光ファイバ122の射出面LEと、マスクMを支持するマスクステージ1との間に設けられて、対応する光ファイバ122の射出面LEから射出したレーザ光を、互いに異なる位置で受光してからマスクMに照射する。照明部ILは、部分光学系21を有する。
Next, the illumination unit (illumination optical system) IL will be described. The illumination unit IL is provided between the exit surface LE of each
図6に示すように、部分光学系21は、第1リレーレンズ22と、第2リレーレンズ23と、フライアイインテグレータ(以下、フライアイ)24と、σ絞り25と、コンデンサレンズ26と、ブラインド27と、ブラインド結像系28とを含む。これらは、光ファイバ122の射出面LEからマスクステージ1に向かう光の経路に沿って、この順で配置される。
As shown in FIG. 6, the partial
部分光学系21においては、光ファイバ122の射出面LEから射出した光を第1リレーレンズ22及び第2リレーレンズ23によって拡大して、フライアイ24の入射面に投影する。光ファイバ122の射出面LEとフライアイ24の入射面とは光学的に共役な関係である。フライアイ24の射出面にはフライアイ24のエレメント毎に2次光源像が形成される。2次光源像からの光は、コンデンサレンズ26を介してブラインド27が配置される面に矩形の照明領域を形成する。この照明領域は、ブラインド結像系28によって例えば2倍程度に拡大されてマスクMの表面に照射される。その結果、マスクMの表面に、照明領域IR1等(図1参照)が形成される。光分配装置102により平均化された光を部分光学系21によってより平均化しているため、照明領域IR1等の照度分布を均一化された照度分布とすることができる。
In the partial
照明システムISの照明装置100は、複数の光源101からの光を光分配装置102で光量損失少なく、ほぼ均等に分配している。具体的には、光分配装置102は、複数の光源101からの光を光ファイバ122で均一な面光源とし、それぞれ面光源とした光をクリティカル照明系124を介して光分割器107に入射させることで、少ない光量損失で合成させる。さらに光分配装置102は、合成した光をレンズアレイ108で複数の光に分岐し、コリメータレンズアレイ110でコリメートして、複数の光ファイバ112のそれぞれに入射させる。これにより、複数の光ファイバ112に光量損失少なく、ほぼ均等に光を分配することができる。このようにして分配した光を光ファイバ112でそれぞれの照明部IL1〜IL7に導くことで、各照明領域IR1〜IR7により均一な露光光ELを照射させることができる。
The
また、照明システムISでは、複数の光源101からの光を効率よく合成し、複数の光学系に均等に効率よく分岐することができる。光源101からの光を光ファイバ122で導くことで、光源101のレイアウトの自由度を高めることができる。
Further, in the illumination system IS, the light from the plurality of
本実施形態の光分配装置102は、光ファイバ122からの光を光分割器107に導く結像光学系をクリティカル照明系124とし、それぞれのユニット(第1ユニット104、第2ユニット106)の光ファイバ122の射出面の像を光分割器107の入射面に投影する配置としている。これにより、光分割器107の入射面に均一な光を入射させることができる。
In the
本実施形態の光分配装置102は、各ユニットの光ファイバ122の射出面の像を光分割器107の入射面に投影する配置とすることが好ましいが、射出面の像が光分割器107の入射面に対して一定の範囲内にあればよく、光ファイバ122の射出面の像を形成する位置と光分割器107の入射面とがずれていてもよい。なお、光分配装置102では、結像光学系としてのクリティカル照明系124からの光が、光分割器107の入射面で少なくとも一部が重畳し、複数の結像光学系(クリティカル照明系124)による複数の出力面(光ファイバ122の射出面)の像の少なくとも一部が重畳していればよい。
The
ここで、光分配装置102において、上述したように結像光学系(クリティカル照明系124に対応する照明系)の光軸と光分割器107の光軸とのなす角度をθ、複数の結像光学系のうちの1つの結像光学系からの光が光分割器107の入射面を照射する領域の面積に対する、複数の結像光学系からの光が入射面上で重畳する領域の面積の割合をR、1つの結像光学系が形成する出力面の像の大きさをDとする。このとき、光分配装置102は、光分割器107の光軸の方向における出力面の像と光分割器107の入射面との距離Lが、
L≦D/2・(cosθ)2/sinθ・sin{π/4・(1−R)}
かつ
θ≠0のときL/D≪1
を満足していてもよい。
Here, in the
L ≦ D / 2 · (cos θ) 2 / sin θ · sin {π / 4 · (1-R)}
And when θ ≠ 0, L / D << 1
You may be satisfied.
光分配装置102は、複数の結像光学系は、いずれもが
L≦D/2・(cosθ)2/sinθ・sin{π/4・(1−R)}
かつ
θ≠0のときL/D≪1
を満足していてもよい。
In the
And when θ ≠ 0, L / D << 1
You may be satisfied.
以下、図7Aから図9を用いて、上記式について説明する。ここで、図7Aから図9は、光分配装置の機能を説明するための図である。図7A及び図8Aは光分割器107の入射面近傍の光の状態を示す光路図であり、図7B及び図8Bは光分割器107の入射面(つまり矢印A−A´から見た方向、矢印B−B´から見た方向)での光の状態を示す平面図である。なお、図7A及び図7Bは、光分配装置の各ユニットの光ファイバ122の射出面の像を形成する位置が光分割器107の入射面と一致している状態を示している。図8A及び図8Bは、光分配装置の各ユニットの光ファイバ122の射出面の像を形成する位置が光分割器107の入射面に対してずれている状態を示している。なお、図7A及び図7Bと、図8A及び図8Bとでは、光分割器107の入射面に入射する光をわかりやすく示すため、光分割器107の入射面、つまりレンズアレイ108aの入射面を四角形とした。図9は、光分割器107の入射面での複数の光の重なりの関係を模式的に示す図である。
Hereinafter, the above formula will be described with reference to FIGS. 7A to 9. Here, FIG. 7A to FIG. 9 are diagrams for explaining the function of the optical distribution device. 7A and 8A are optical path diagrams showing the state of light in the vicinity of the incident surface of the
図7A及び図7Bに示すように、光分配装置の各ユニットの光ファイバ122の射出面の像を形成する位置が光分割器107の入射面と一致する場合、一方のユニットから光130が入射し、他方のユニットから光132が入射する。ここで、光130と光132とのそれぞれは、レンズアレイ108aの入射面の光軸に対して、対称な方向に角度θ傾斜している。光130に関しては、光軸とレンズアレイ108aの入射面との交点を通る位置が像面134となる。光132に関しては、光軸とレンズアレイ108aの入射面との交点を通る位置が像面136となる。また、光130、132の発散角の正弦が2・NAとなる。また、図7Bに示すように、光130、132がレンズアレイ108aの入射面に照射される領域は、光軸に対して傾斜している方向に直交する方向の長さをDとすると、当該方向に直交する方向(光軸に対して傾斜している方向)の長さがDcosθとなる。
As shown in FIG. 7A and FIG. 7B, when the image forming position of the exit surface of the
次に、図8A及び図8Bに示す状態では、光分配装置の各ユニットの光ファイバ122の射出面の像を形成する位置が光分割器107(レンズアレイ108a)の入射面に対してずれている。具体的には、レンズアレイ108aの入射面よりも距離Lだけ手前の位置に像面134a、136aが形成されている。この場合、光130、132がレンズアレイ108aの入射面に照射される領域は、光軸に対して傾斜している方向に直交する方向の長さがD+2×NA×Lとなり、当該方向に直交する方向(光軸に対して傾斜している方向)の長さが、(D+2×NA×L)cosθとなる。また、光軸に対して傾斜している方向における2つの照射領域のずれが、2Ltanθとなる。
Next, in the state shown in FIGS. 8A and 8B, the position where the image of the exit surface of the
次に、1つの光に対して他の光が重ねあわされる領域の面積について図9を参照して説明する。図9において、領域Rを領域A、領域B及び領域Sの関係で表すと、R=A/S=1−(B/S)と示すことができる。ここで、Bは、2つの照射領域のずれLtanθに対応する部分である。 Next, the area of a region where one light is overlapped with another light will be described with reference to FIG. In FIG. 9, when the region R is represented by the relationship between the region A, the region B, and the region S, it can be expressed as R = A / S = 1− (B / S). Here, B is a portion corresponding to the deviation Ltanθ between the two irradiation regions.
ここで、領域Sの面積は、
と表すことができる。
Here, the area of the region S is
It can be expressed as.
また、領域Bの面積は、
従って、Rは、下記式となる。 Therefore, R becomes the following formula.
ここで、上記式を変形すると、 Here, when the above equation is transformed,
ここで、α=Lsinθ/acos2θとし、β=sin―1αとし、γ=2βとすると、上記式は、下記式となる。 Here, when α = L sin θ / acos 2 θ, β = sin −1 α, and γ = 2β, the above equation becomes the following equation.
ここで、L/a<<1とすると、sinβ=αとなるので、sinβ<<1となりβ<<1となる。したがって、γ=2β<<1となる。以上より、上記式を下記の通り表現できる。 Here, if L / a << 1, sin β = α, so sin β << 1 and β << 1. Therefore, γ = 2β << 1. From the above, the above formula can be expressed as follows.
上記式の左辺を上述した関係(γ=2β、sinβ=α、α=Lsinθ/acos2θ)に基づいて変換し、Lについての式とすると下記式となる。 When the left side of the above equation is converted based on the above-described relationship (γ = 2β, sin β = α, α = Lsin θ / acos 2 θ), the equation for L is as follows.
以上より、上記式のLよりもズレ量が小さい範囲にあれば、複数の光が重なる割合をR以上とすることができる。 From the above, if the amount of deviation is within a range smaller than L in the above formula, the rate at which a plurality of lights overlap can be made R or more.
<露光方法>
次に、本実施形態に係る露光方法を説明する。本実施形態に係る露光方法は、マスクMに形成されたパターンをレーザ光で照射し、マスクMと基板Pを支持する基板ステージ2との間に配置された投影光学系PL1〜PL7を介して基板Pに照射して露光する露光方法であって、上述した露光装置EXが実現する。まず、露光装置EXの光分配装置102は、複数の光源101からのレーザ光を光分配装置102で合成した後、複数に分岐する。
<Exposure method>
Next, an exposure method according to this embodiment will be described. The exposure method according to the present embodiment irradiates a pattern formed on the mask M with laser light, and passes through projection optical systems PL1 to PL7 disposed between the mask M and the
次に、露光装置EXは、光分配装置102で分岐され、光ファイバを通過したレーザ光を、異なる照明部ILに入射させるとともに、照明部ILからレーザ光をマスクMに照射する照射工程を実行する。
Next, the exposure apparatus EX executes an irradiation process in which the laser beam branched by the
<光分配装置の変形例>
図10は、本実施形態の変形例に係る光分配装置の概要を示す模式図である。なお、図10においては、説明を簡単にするために、図4に示した部材と同等の機能を有する部材には同じ符号を付してある。図10に示す照明装置100aは、2つの光源101と光分配装置102aとを有する。光分配装置102aは、第1ユニット104aと第2ユニット106aとを有する。第1ユニット104aと第2ユニット106aとは、光源光学系120からの光をクリティカル照明系124に導く分布調整器として、インテグレータロッド222を備えている以外は、上記実施形態と同様の構成である。
<Modification of optical distribution device>
FIG. 10 is a schematic diagram illustrating an outline of an optical distribution device according to a modification of the present embodiment. In FIG. 10, members having the same functions as those illustrated in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals for the sake of simplicity. The
インテグレータロッド222は、光源光学系120からの光を均一化して射出面から射出させる。これにより、インテグレータロッド222は、それらの射出面に強度が一様な面光源を形成させつつ光を射出させることができる。また、インテグレータロッド222の端面を矩形とすれば、光分割器107の入射面に配置されるレンズアレイ108の端面も矩形にすることができる。これにより、一般的なレンズアレイを用いつつ、光の利用効率を高くすることができる。
The
次に、図11は、本実施形態の変形例に係る光分配装置の概要を示す模式図であって、光分割器107の光軸方向から見た、レンズアレイ108と複数のユニットとの配置関係を示す図である。図11に示す照明装置100bは、4つの光源101と光分配装置102bとを有する。照明装置100bは、第1ユニット302、第2ユニット304、第3ユニット306及び第4ユニット308と、光分割器107と、を有する。第1ユニット302、第2ユニット304、第3ユニット306及び第4ユニット308は、4つの光源101に対応して配置されており、対応する光源101からの光を光分割器107に導く。ここで、第1ユニット302、第2ユニット304、第3ユニット306及び第4ユニット308は、光分割器107の入射面の光軸回りにおいて、90度異なる位置に配置されている。つまり4つのユニットは、周方向において、等間隔で配置されている。これにより、光分割器107の入射面に入射し、合成される光を均一な光とすることができる。
Next, FIG. 11 is a schematic diagram illustrating an outline of a light distribution apparatus according to a modification of the present embodiment, and is an arrangement of the
このように、照明装置及び光分配装置は、光源を4つとしても同様の効果を得ることができる。また光源を増やすことで光量をより多くすることができる。また、1つの光源の光量を小さくすることができる。また、照明装置及び光分配装置が対応する光源の数は特に限定されず、2個以上であればよい。なお、照明装置及び光分配装置においては、対応する光源の数に応じて、分布調整器と結像光学系を含むユニットを配置すればよい。ここで、各ユニットを光分割器107の入射面の光軸に対して(光軸回りの方向において)対称となる位置に配置して、光軸回りの方向において等間隔となる位置から光を光分割器107に入射しても良い。これにより、光分割器107の入射面の光軸に対して光の入射方向が傾斜していることで生じる光量分布の傾きを他のユニットから入射する光で打ち消すことができる。なお、照明装置及び光分配装置は、偶数の光源に対応して偶数のユニットを配置することが好ましい。これにより2つのユニットを180度異なる位置に配置することができ、入射面に入射する光の分布をより均一にすることができる。
As described above, the illumination device and the light distribution device can obtain the same effect even when four light sources are used. Further, the amount of light can be increased by increasing the number of light sources. Moreover, the light quantity of one light source can be made small. In addition, the number of light sources to which the illumination device and the light distribution device correspond is not particularly limited, and may be two or more. In the illumination device and the light distribution device, a unit including a distribution adjuster and an imaging optical system may be arranged in accordance with the number of corresponding light sources. Here, each unit is arranged at a position that is symmetrical (in the direction around the optical axis) with respect to the optical axis of the incident surface of the
<デバイス製造方法>
図12は、本実施形態に係るデバイス製造方法の手順を示すフローチャートである。本実施形態に係るデバイス製造方法は、半導体デバイス等のデバイスを製造する際に用いられる。本実施形態に係るデバイス製造方法では、まず、デバイスの機能・性能・パターンの設計が行われる(ステップS101)。次に、設計に基づいたマスク(レチクル)が製作される(ステップS102)、次に、デバイスの基材である基板が製造される(ステップS103)。次に、上記実施形態に係る露光方法を用いて、マスクパターンを露光光で基板に露光して、マスクパターンを基板に転写する工程と、露光された基板(感光剤)を現像して、転写されたアライメントマークを含むパターンに対応する露光パターン層(現像された感光剤の層)を形成し、この露光パターン層を介して基板を加工する工程とを含む基板処理(露光処理)が実行される(ステップS104)。加工された基板が、ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程等の加工プロセスを含むデバイス組立て工程(ステップS105)及び検査(ステップS106)等を経ることにより、デバイスが製造される。
<Device manufacturing method>
FIG. 12 is a flowchart showing the procedure of the device manufacturing method according to the present embodiment. The device manufacturing method according to the present embodiment is used when manufacturing a device such as a semiconductor device. In the device manufacturing method according to the present embodiment, first, device function / performance / pattern design is performed (step S101). Next, a mask (reticle) based on the design is manufactured (step S102), and then a substrate that is a base material of the device is manufactured (step S103). Next, using the exposure method according to the above-described embodiment, a step of exposing the mask pattern to the substrate with exposure light and transferring the mask pattern to the substrate, and developing and transferring the exposed substrate (photosensitive agent) A substrate process (exposure process) is performed including a step of forming an exposure pattern layer (development of a developed photosensitive agent) corresponding to the pattern including the alignment mark and processing the substrate through the exposure pattern layer. (Step S104). A device is manufactured by subjecting the processed substrate to a device assembly process (step S105) and an inspection (step S106) including processing processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process.
以上、本実施形態及びその変形例は、複数の光源からの光を照明システムの光分配装置により合成させた後、複数に分岐し、分岐したそれぞれの光を照明部により導き、マスクの表面に照射する。このような構造により、複数の光源から射出された光を好適に複数の露光光に分岐することができる光分配装置、照明システム及びこれを備える露光装置を実現できる。本実施形態及びその変形例は、複数の光源を用いるので、光源部はほぼ輝点として取り扱うことができる。このため、本実施形態及びその変形例は、光源の数を増加させるのみで必要な照度を確保することができるので、容易に必要な照度を確保することができる。さらに、本実施形態及びその変形例は、導光経路の一部に光ファイバを用いるので導光経路を配置する際の自由度が向上する。その結果、本実施形態及びその変形例は、露光装置を設計する際の自由度が向上する。 As described above, in the present embodiment and the modification thereof, after the lights from the plurality of light sources are combined by the light distribution device of the illumination system, the light is branched into a plurality of lights, and each of the branched lights is guided by the illuminating unit, and is applied to the mask surface. Irradiate. With such a structure, it is possible to realize a light distribution device, an illumination system, and an exposure apparatus including the light distribution device that can preferably split light emitted from a plurality of light sources into a plurality of exposure lights. Since the present embodiment and its modification use a plurality of light sources, the light source unit can be handled as almost a bright spot. For this reason, since this embodiment and its modification can ensure required illuminance only by increasing the number of light sources, required illuminance can be easily ensured. Furthermore, since this embodiment and its modification use an optical fiber for a part of light guide path, the freedom degree at the time of arrange | positioning a light guide path improves. As a result, the present embodiment and its modifications improve the degree of freedom when designing the exposure apparatus.
上述の実施形態の基板としては、ディスプレイデバイス用のガラス基板のみならず、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等を適用することができる。 As a substrate of the above-mentioned embodiment, not only a glass substrate for a display device, but also a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or a mask or a reticle used in an exposure apparatus (synthetic quartz, A silicon wafer) or the like can be applied.
また、本実施形態は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に記載されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。 In addition, the present embodiment is a twin stage type having a plurality of substrate stages as described in US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,208,407, US Pat. No. 6,262,796, and the like. It can also be applied to an exposure apparatus.
また、本実施形態は、米国特許第6897963号明細書、欧州特許出願公開第1713113号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基板を保持せずに、基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することもできる。 In addition, the present embodiment includes a substrate stage for holding a substrate as disclosed in US Pat. No. 6,897,963, European Patent Application No. 1713113, and the like, and a reference mark without holding the substrate. The present invention can also be applied to an exposure apparatus provided with a reference member on which a slab is formed and / or a measurement stage on which various photoelectric sensors are mounted. An exposure apparatus including a plurality of substrate stages and measurement stages can also be employed.
また、露光装置EXの種類としては、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置に限られず、基板に半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、レチクル又はマスク等を製造するための露光装置等にも広く適用できる。 Further, the type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, but an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on a substrate, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD) ), An exposure apparatus for manufacturing a micromachine, a MEMS, a DNA chip, a reticle, a mask, or the like.
また、上記実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール(回折格子)を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。 In the above embodiment, the position information of each stage is measured using an interferometer system including a laser interferometer. However, the present invention is not limited to this. For example, a scale (diffraction grating) provided in each stage is detected. An encoder system may be used.
また、上記実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に記載されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしてもよい。 In the above embodiment, a light transmissive mask in which a predetermined light shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light transmissive substrate is used. As described in US Pat. No. 6,778,257, a variable shaping mask (also called an electronic mask, an active mask, or an image generator) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed. May be used. Further, a pattern forming apparatus including a self-luminous image display element may be provided instead of the variable molding mask including the non-luminous image display element.
また、上記実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度及び光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、露光装置EXの組立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組立て工程は、各種サブシステム相互の機械的接続、電気回路の配線接続及び気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組立て工程の前に、各サブシステム個々の組立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置EXの製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 In addition, the exposure apparatus EX of the above embodiment assembles various subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured. In order to ensure these various accuracies, before and after the assembly of the exposure apparatus EX, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, The electrical system is adjusted to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection between the various subsystems, wiring connection of the electric circuit, pipe connection of the atmospheric pressure circuit, and the like. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the process of assembling the various subsystems into the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus EX is preferably manufactured in a clean room in which temperature, cleanliness, etc. are controlled.
また、上記実施形態の構成要素は適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の実施形態で引用した露光装置等に関するすべての公開公報及び米国特許の記載を援用して本明細書の記載の一部とする。このように、上記実施形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施形態及び運用技術等は、すべて本発明の範囲に含まれる。 In addition, the constituent elements of the above embodiment can be combined as appropriate. Some components may not be used. In addition, as long as it is permitted by law, all the publications related to the exposure apparatus and the like cited in the above embodiment and the descriptions of US patents are incorporated as a part of the description of this specification. As described above, all other embodiments and operation techniques made by those skilled in the art based on the above-described embodiments are all included in the scope of the present invention.
1 マスクステージ
2 基板ステージ
5 制御装置
6 干渉計システム
7 第1検出システム
8 第2検出システム
9 アライメントシステム
10 ベースプレート
15 マスク保持部
16 基板保持部
21 レンズ・絞り光学系
22 第1リレーレンズ
23 第2リレーレンズ
24 フライアイ(フライアイインテグレータ)
25 σ絞り
26 コンデンサレンズ
27 ブラインド
28 ブラインド結像系
30 結像特性調整装置
100 照明装置
101 光源
102 光分配装置
104 第1ユニット
106 第2ユニット
107 光分割器
108 レンズアレイ
110 コリメータレンズアレイ
112 光ファイバ
120 光源光学系
122 光ファイバ(分布調整器)
124 クリティカル照明系(結像光学系)
EL 露光光
EX 露光装置
IL 照明部
IL1〜IL7 第1〜第7照明部
IR1〜IR7 照明領域
IS 照明システム
M マスク
P 基板
PL1〜PL7 第1〜第7投影光学系
PS 投影システム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
25 σ stop 26
124 Critical illumination system (imaging optical system)
EL exposure light EX exposure apparatus IL illumination units IL1 to IL7 first to seventh illumination units IR1 to IR7 illumination area IS illumination system M mask P substrate PL1 to PL7 first to seventh projection optical systems PS projection system
Claims (11)
複数の前記分布調整器の各出力面から出力された面状の光が入射面から入射され、前記入射面から入射した光を複数の光に分割して出力する光分割器と、
前記分布調整器毎に前記分布調整器と前記光分割器との間に配置され、前記出力面の像をそれぞれ生成する複数の結像光学系と、を備え、
前記複数の結像光学系からの光は、前記光分割器の前記入射面で少なくとも一部が重畳し、
前記複数の結像光学系による複数の前記出力面の像は少なくとも一部が重畳する光分配装置。 A plurality of distribution adjusters that output incident light from the output surface as planar light whose in-plane distribution is averaged; and
A light splitter that outputs planar light output from each output surface of the plurality of distribution adjusters from an incident surface, divides the light incident from the incident surface into a plurality of lights, and
A plurality of imaging optical systems that are arranged between the distribution adjuster and the light splitter for each of the distribution adjusters and generate images of the output surfaces, respectively.
The light from the plurality of imaging optical systems is at least partially superimposed on the incident surface of the light splitter,
A light distribution device in which at least a part of the images of the plurality of output surfaces by the plurality of imaging optical systems overlap.
前記結像光学系の光軸と前記光分割器の光軸とのなす角度をθ、前記複数の結像光学系のうちの1つの前記結像光学系からの光が前記光分割器の前記入射面を照射する領域の面積に対する、前記複数の結像光学系からの光が前記入射面上で重畳する領域の面積の割合をR、前記1つの結像光学系が形成する前記出力面の像の大きさをDとするとき、
前記光分割器の前記光軸の方向における前記出力面の像と前記光分割器の前記入射面との距離Lが、
L≦D/2・(cosθ)2/sinθ・sin{π/4・(1−R)}かつθ≠0のときL/D≪1
を満足する請求項1に記載の光分配装置。 At least one of the plurality of imaging optical systems is
The angle formed by the optical axis of the imaging optical system and the optical axis of the optical splitter is θ, and light from the imaging optical system of one of the imaging optical systems is the optical splitter. R is the ratio of the area of the region where light from the plurality of imaging optical systems overlaps on the incident surface to the area of the region that irradiates the incident surface, and the output surface formed by the one imaging optical system When the size of the image is D,
A distance L between the image of the output surface in the direction of the optical axis of the optical splitter and the incident surface of the optical splitter is:
L ≦ D / 2 · (cos θ) 2 / sin θ · sin {π / 4 · (1-R)} and θ ≠ 0, L / D << 1
The light distribution device according to claim 1, wherein:
L≦D/2・(cosθ)2/sinθ・sin{π/4・(1−R)}かつθ≠0のときL/D≪1
を満足する請求項2に記載の光分配装置。 Each of the plurality of imaging optical systems has L / D << 1 when L ≦ D / 2 · (cos θ) 2 / sin θ · sin {π / 4 · (1-R)} and θ ≠ 0.
The light distribution device according to claim 2, wherein:
前記複数の結像光学系の前記光分割器側の前記光軸と前記光分割器の光軸とのなす角度は、前記レンズアレイの半画角以下の角度である請求項4に記載の光分配装置。 The light splitter includes a lens array on which the planar light is incident,
5. The light according to claim 4, wherein an angle formed by the optical axis on the optical splitter side of the plurality of imaging optical systems and the optical axis of the optical splitter is an angle equal to or less than a half field angle of the lens array. Dispensing device.
前記レンズアレイから射出された光を複数に分割してコリメートするコリメータレンズアレイと、
前記コリメータレンズアレイで分割してコリメートされる分割光毎に配置され、前記分割光がそれぞれ入射される複数の光ファイバと、を有する請求項1から6のいずれか一項に記載の光分配装置。 The light splitter includes a lens array on which the illumination light is incident;
A collimator lens array that divides the light emitted from the lens array into a plurality of collimators;
7. The light distribution device according to claim 1, further comprising: a plurality of optical fibers that are arranged for each of the divided lights that are divided and collimated by the collimator lens array, and into which the divided lights are respectively incident. .
前記光源から出力された光が入射され、入射した光を複数の光に分岐する請求項1から9のいずれか一項に記載の光分配装置と、
前記光分配装置で分岐された光を案内し、前記被照射面のそれぞれ前記視野領域に照射させる照明光学系と、を備える照明システム。 An illumination system for irradiating light emitted from a light source to a plurality of field areas of an irradiated surface,
The light distribution device according to any one of claims 1 to 9, wherein light output from the light source is incident, and the incident light is branched into a plurality of lights.
An illumination system comprising: an illumination optical system that guides the light branched by the light distribution device and irradiates each of the field areas of the irradiated surface.
前記照明システムから照射された光が照射されるマスクを支持するマスクステージと、
前記マスクに形成されたパターンと同形状のパターンが露光されるプレートを支持するプレートステージと、を備える露光装置。 A lighting system according to claim 10;
A mask stage that supports a mask irradiated with light emitted from the illumination system;
An exposure apparatus comprising: a plate stage that supports a plate on which a pattern having the same shape as the pattern formed on the mask is exposed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013021826A JP6051905B2 (en) | 2013-02-06 | 2013-02-06 | Light distribution apparatus, illumination system, and exposure apparatus including the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013021826A JP6051905B2 (en) | 2013-02-06 | 2013-02-06 | Light distribution apparatus, illumination system, and exposure apparatus including the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014153485A true JP2014153485A (en) | 2014-08-25 |
JP6051905B2 JP6051905B2 (en) | 2016-12-27 |
Family
ID=51575418
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013021826A Active JP6051905B2 (en) | 2013-02-06 | 2013-02-06 | Light distribution apparatus, illumination system, and exposure apparatus including the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6051905B2 (en) |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0540215A (en) * | 1991-08-05 | 1993-02-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photocoupler |
JPH05326370A (en) * | 1992-03-27 | 1993-12-10 | Toshiba Corp | Projection aligner |
JPH06138341A (en) * | 1991-08-23 | 1994-05-20 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | Optical coupler and its production |
JPH10189428A (en) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Nikon Corp | Illumination optical apparatus |
JPH11194228A (en) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Laser Atom Separation Eng Res Assoc Of Japan | Optical device |
JP2001330964A (en) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing micro- device using the same |
JP2004070310A (en) * | 2002-06-14 | 2004-03-04 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Optical device unit, optical device, and microlens array |
JP2006171426A (en) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | Illumination optical system and exposure apparatus using the same |
JP2006523944A (en) * | 2003-04-17 | 2006-10-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | Optical element for lighting device |
JP2010507112A (en) * | 2006-10-18 | 2010-03-04 | パンチ グラフィックス プレプレス ジャーマニー ゲーエムベーハー | Lighting device |
JP4618446B2 (en) * | 2004-06-23 | 2011-01-26 | 株式会社ニコン | Optical element, optical system and waveguide |
JP2011134932A (en) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Hitachi High-Technologies Corp | Light source unit, exposure light irradiating device, exposure device, method of manufacturing display panel substrate, device and method of inspecting semiconductor light emitting element section |
-
2013
- 2013-02-06 JP JP2013021826A patent/JP6051905B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0540215A (en) * | 1991-08-05 | 1993-02-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photocoupler |
JPH06138341A (en) * | 1991-08-23 | 1994-05-20 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | Optical coupler and its production |
JPH05326370A (en) * | 1992-03-27 | 1993-12-10 | Toshiba Corp | Projection aligner |
JPH10189428A (en) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Nikon Corp | Illumination optical apparatus |
JPH11194228A (en) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Laser Atom Separation Eng Res Assoc Of Japan | Optical device |
JP2001330964A (en) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing micro- device using the same |
JP2004070310A (en) * | 2002-06-14 | 2004-03-04 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Optical device unit, optical device, and microlens array |
JP2006523944A (en) * | 2003-04-17 | 2006-10-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | Optical element for lighting device |
JP4618446B2 (en) * | 2004-06-23 | 2011-01-26 | 株式会社ニコン | Optical element, optical system and waveguide |
JP2006171426A (en) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | Illumination optical system and exposure apparatus using the same |
JP2010507112A (en) * | 2006-10-18 | 2010-03-04 | パンチ グラフィックス プレプレス ジャーマニー ゲーエムベーハー | Lighting device |
JP2011134932A (en) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Hitachi High-Technologies Corp | Light source unit, exposure light irradiating device, exposure device, method of manufacturing display panel substrate, device and method of inspecting semiconductor light emitting element section |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6051905B2 (en) | 2016-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10591824B2 (en) | Illumination optical device, illumination method, and exposure method and device | |
US10642169B2 (en) | Measurement device and measurement method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method | |
JP5806479B2 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2009252851A (en) | Exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP6347849B2 (en) | Sensor system, substrate handling system, and lithographic apparatus | |
KR20080065940A (en) | Position detection apparatus and exposure apparatus | |
US10678152B2 (en) | Layout method, mark detection method, exposure method, measurement device, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
US20190171121A1 (en) | Mark detection apparatus, mark detection method, measurement apparatus, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method | |
JP5692076B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2001257157A (en) | Device and method for alignment and device and method for exposure | |
CN111656245B (en) | Illumination optical unit for projection lithography | |
JP6748907B2 (en) | Measuring apparatus, exposure apparatus, device manufacturing method, and pattern forming method | |
JP6051905B2 (en) | Light distribution apparatus, illumination system, and exposure apparatus including the same | |
JP6263800B2 (en) | Imaging optical unit | |
WO2013168456A1 (en) | Surface position measurement device, exposure device, and device production method | |
JP2013187505A (en) | Illumination device, illumination system, exposure device, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2014134591A (en) | Illumination device, exposure device, illumination method, and device manufacturing method | |
JP2014236211A (en) | Illuminating device, exposure device, illuminating method and method of manufacturing device | |
JP5470984B2 (en) | Illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2013213940A (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2013201372A (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2012146701A (en) | Exposure method and exposure device | |
JP2010050223A (en) | Substrate processing method, exposure device, and device manufacturing method | |
JP2014052614A (en) | Mask, production method of mask, exposure method, device production method, and exposure apparatus | |
JP2012146702A (en) | Exposure method and exposure device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160816 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161014 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161101 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6051905 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |