JP2014146653A - Multifaceted body of lead frame with resin, multifaceted body of optical semiconductor device, lead frame with resin, optical semiconductor device - Google Patents

Multifaceted body of lead frame with resin, multifaceted body of optical semiconductor device, lead frame with resin, optical semiconductor device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multifaceted body of a lead frame with resin capable of suppressing occurrence of warpage, and to provide a multifaceted body of an optical semiconductor device, a lead frame with resin, and an optical semiconductor device.SOLUTION: A multifaceted body R of a lead frame with resin comprises: a multifaceted body MS of a lead frame having a plurality of terminals 11, 12, at least one of which is used in an optical semiconductor device 1 connected with an LED element 2, with a lead frame 10 being multifaceted to a frame F; and a light reflection resin layer 20 formed between the outer periphery of the lead frame 10 and the terminals 11, 12. An optical semiconductor element 1 of the lead frame 10 is formed to project to the surface on the side connected with the optical semiconductor element 1 of the lead frame 10. The light reflection resin layer 20 has a space between respective lead frames 10, on the side opposite from the side connected with the optical semiconductor element 1 of the lead frame 10.

Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置用の樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置に関するものである。   The present invention relates to a multi-sided body of a lead frame with resin for an optical semiconductor device on which an optical semiconductor element is mounted, a multi-sided body of an optical semiconductor device, a lead frame with resin, and an optical semiconductor device.

従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され、樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
このような光半導体装置の中には、端子部を覆う樹脂層が、光半導体素子を囲むようにして、光半導体素子の搭載面から突出するようにリフレクタが形成され、光半導体素子から発光する光の方向等を制御するものがある。このような光半導体装置は、多面付けされたリードフレーム（リードフレームの多面付け体）に樹脂層を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体を作製し、光半導体素子を電気的に接続し、透明樹脂層を形成して、パッケージ単位に切断することによって製造される。
ここで、このリードフレームは、銅などの金属により形成され、樹脂層は、熱硬化性樹脂等の樹脂により形成される。そのため、リードフレームの多面付け体には、リフレクタが形成される側の面が、その面とは反対側の面に比べ樹脂が多く形成されるため、この樹脂層の硬化過程において、金属及び樹脂の線膨張率の差によって、樹脂付きリードフレームの多面付け体に反りが生じてしまう場合があった。 2. Description of the Related Art Conventionally, an optical semiconductor element such as an LED element is fixed to a lead frame having two terminal portions that are electrically insulated and covered with a resin layer, and its periphery is covered with a transparent resin layer. (For example, patent document 1).
In such an optical semiconductor device, a reflector is formed so that a resin layer covering the terminal portion surrounds the optical semiconductor element and protrudes from the mounting surface of the optical semiconductor element. Some control the direction. In such an optical semiconductor device, a resin layer is formed on a multi-sided lead frame (a multi-sided body of a lead frame) to produce a multi-sided body of a lead frame with resin, and the optical semiconductor elements are electrically connected. It is manufactured by forming a transparent resin layer and cutting it into package units.
Here, the lead frame is formed of a metal such as copper, and the resin layer is formed of a resin such as a thermosetting resin. Therefore, in the multi-faced body of the lead frame, the surface on the side where the reflector is formed is formed with more resin than the surface opposite to the surface. Therefore, in the curing process of the resin layer, metal and resin In some cases, the multifaceted body of the lead frame with resin may be warped due to the difference in linear expansion coefficient.

特開２０１１−１５１０６９号公報JP 2011-151069 A

本発明の課題は、反りの発生を抑制することができる樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a multi-sided body of a lead frame with resin, a multi-sided body of an optical semiconductor device, a lead frame with resin, and an optical semiconductor device capable of suppressing the occurrence of warping.

本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。   The present invention solves the above problems by the following means. In addition, in order to make an understanding easy, although the code | symbol corresponding to embodiment of this invention is attached | subjected and demonstrated, it is not limited to this. In addition, the configuration described with reference numerals may be improved as appropriate, or at least a part thereof may be replaced with another configuration.

第１の発明は、複数の端子部（１１、１２）を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子（２）と接続される光半導体装置（１）に用いられるリードフレーム（１０）が枠体（Ｆ）に多面付けされたリードフレームの多面付け体（ＭＳ）と、前記リードフレームの外周及び前記端子部間に形成され、また、前記リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に突出して形成される樹脂層（２０）とを備え、前記樹脂層は、前記リードフレームの前記光半導体素子が接続される側とは反対側の面において、前記各リードフレーム間に空間部（Ｔ）を有すること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）である。
第２の発明は、第１の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記空間部（Ｔ）は、前記リードフレームの多面付け体（ＭＳ）の長手方向に隣接する前記各リードフレーム（１０）間に形成されること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記空間部（Ｔ）は、前記枠体（Ｆ）と、前記枠体に隣接するリードフレーム（１０）との間に形成されること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第４の発明は、第１の発明から第３の発明までのいずれかの樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記空間部（Ｔ）は、前記光半導体装置（１）の外形よりも外側に形成されること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第５の発明は、第１の発明から第３の発明までのいずれかの樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記空間部（Ｔ）は、その幅寸法（Ｗ１）が、前記リードフレームの外形と、隣接する前記リードフレームの外形との間隔（ｗ）よりも広く形成されていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第６の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかの樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記空間部（Ｔ）は、前記リードフレーム（１０）の前記光半導体素子（２）が接続される側とは反対側の面における幅（Ｗ１）が、前記空間部の底面の幅（Ｗ２）よりも広く形成されていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第７の発明は、第１の発明から第６の発明までのいずれかの樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記リードフレームの多面付け体（ＭＳ）は、前記各リードフレーム（１０）を互いに連結する連結部（１３）を有し、前記空間部（Ｔ）は、前記連結部を避けるようにして形成されること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。 A first invention has a plurality of terminal portions (11, 12), and at least one of the terminal portions is a lead frame (10) used in an optical semiconductor device (1) connected to an optical semiconductor element (2). ) Is formed between the multifaceted body (MS) of the lead frame multifaceted to the frame body (F), the outer periphery of the leadframe and the terminal portion, and the optical semiconductor element of the leadframe is connected And a resin layer (20) formed to protrude from the surface on the side of the lead frame, and the resin layer is formed between the lead frames on the surface of the lead frame opposite to the side to which the optical semiconductor element is connected. A multi-faceted body (R) of a lead frame with a resin characterized by having a space portion (T) in the resin.
According to a second aspect of the present invention, in the multifaceted body (R) of the leadframe with resin of the first invention, the space (T) is adjacent to the longitudinal direction of the multifaceted body (MS) of the leadframe. A multi-faced body of resin-attached lead frame, characterized in that it is formed between lead frames (10).
According to a third aspect of the present invention, in the multifaceted body (R) of the lead frame with resin according to the first or second aspect, the space (T) is adjacent to the frame (F) and the frame. A lead frame with resin, which is formed between the lead frame (10) and the lead frame with resin.
According to a fourth aspect of the present invention, in the multifaceted body (R) of the lead frame with a resin according to any one of the first to third aspects, the space portion (T) is an outer shape of the optical semiconductor device (1). It is a multi-sided body of a lead frame with a resin characterized by being formed outside.
According to a fifth aspect of the present invention, in the multifaceted body (R) of the lead frame with resin according to any one of the first aspect to the third aspect, the space (T) has a width dimension (W1) as described above. A multi-sided body of a lead frame with resin, characterized in that it is formed wider than the interval (w) between the outer shape of the lead frame and the outer shape of the adjacent lead frame.
According to a sixth aspect of the present invention, in the multifaceted body (R) of the lead frame with resin according to any one of the first to fifth aspects, the space portion (T) is the light of the lead frame (10). A resin-attached lead frame, characterized in that a width (W1) on a surface opposite to a side to which a semiconductor element (2) is connected is formed wider than a width (W2) of a bottom surface of the space portion. It is a multi-faceted body.
According to a seventh aspect of the present invention, in the multifaceted body (R) of the lead frame with resin (R) according to any one of the first to sixth aspects, the multiple faceted body (MS) of the leadframe includes the lead frames ( 10) A multi-faceted body of a lead frame with a resin, characterized in that it has a connecting portion (13) for connecting the two to each other, and the space portion (T) is formed so as to avoid the connecting portion. .

第８の発明は、第１の発明から第６の発明までのいずれかの樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）と、前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレーム（１０）の前記端子部（１１、１２）のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子（１）と、前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記光半導体素子（１）が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）とを備えること、を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。   According to an eighth aspect of the present invention, there is provided the resin-coated lead frame multifaceted body (R) according to any one of the first to sixth inventions, and the resin leadframe multifaceted body of the leadframe (10). A surface on the side where the optical semiconductor element (1) connected to at least one of the terminal portions (11, 12) is connected to the optical semiconductor element (1) of the multi-faced body of the lead frame with resin And a transparent resin layer (30) that covers the optical semiconductor element.

第９の発明は、第５の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）が前記光半導体装置（２０１）の外形で切断され個片化されたこと、を特徴とする樹脂付きリードフレームである。
第１０の発明は、複数の端子部（１１、１２）を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子（２）と接続される光半導体装置（２０１）に用いられるリードフレーム（１０）と、前記リードフレームの外周及び前記端子部間に形成され、また、前記リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に突出して形成される樹脂層（２２０）とを備え、前記樹脂層は、その外周側面から落ち込んだ空間部（Ｔ）を有すること、を特徴とする樹脂付きリードフレームである。 According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a resin-made lead frame characterized in that the multi-faced body (R) of the lead frame with resin according to the fifth aspect is cut into pieces by the outer shape of the optical semiconductor device (201). It is.
A tenth aspect of the invention is a lead frame (10) used in an optical semiconductor device (201) having a plurality of terminal portions (11, 12), at least one of the terminal portions being connected to an optical semiconductor element (2). ) And a resin layer (220) formed between the outer periphery of the lead frame and the terminal portion, and protruding from the surface of the lead frame on the side to which the optical semiconductor element is connected, The resin layer is a lead frame with resin characterized by having a space portion (T) that falls from the outer peripheral side surface thereof.

第１１の発明は、第９の発明又は第１０の発明の樹脂付きリードフレームと、前記樹脂付きリードフレームの前記各リードフレーム（１０）の前記端子部（１１、１２）のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子（２）と、前記樹脂付きリードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）とを備えること、を特徴とする光半導体装置（２０１）である。   In an eleventh aspect of the invention, there is provided at least one of the lead frame with resin of the ninth or tenth invention and the terminal portions (11, 12) of the lead frames (10) of the lead frame with resin. An optical semiconductor element (2) to be connected, and a transparent resin layer (30) formed on a surface of the lead frame with resin to which the optical semiconductor element is connected, and covering the optical semiconductor element; An optical semiconductor device (201) is characterized.

本発明によれば、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置は、反りを抑制することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the multi-faced body of the lead frame with resin, the multi-faced body of the optical semiconductor device, the lead frame with resin, and the optical semiconductor device can suppress warpage.

第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to a first embodiment. 第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body MS of the lead frame of 1st Embodiment. 第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the lead frame 10 of 1st Embodiment. 第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body R of the lead frame with resin in which the light reflection resin layer 20 of 1st Embodiment was formed. 第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of the lead frame 10 of 1st Embodiment. 第１実施形態の光半導体装置１の多面付け体を示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body of the optical semiconductor device 1 of 1st Embodiment. 第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of the optical semiconductor device 1 of 1st Embodiment. トランスファ成形の概略を説明する図である。It is a figure explaining the outline of transfer molding. インジェクション成形の概略を説明する図である。It is a figure explaining the outline of injection molding. 第２実施形態の光半導体装置２０１の全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the optical semiconductor device 201 of 2nd Embodiment. 第２実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the multi-faced body R of the lead frame with a resin of 2nd Embodiment. 変形形態の光半導体装置２０１を示す図である。It is a figure which shows the optical semiconductor device 201 of a deformation | transformation form.

（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。図１（ｄ）は、図１（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを示す図である。図２（ａ）は、リードフレームの多面付け体ＭＳの全体を示す図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のｂ部詳細を示す図である。
図３は、第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれリードフレーム１０の平面図、裏面図を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ図３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図４は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。
図４（ａ）、図４（ｂ）は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体の平面図、裏面図を示し、図４（ｃ）、図４（ｄ）、図４（ｅ）は、それぞれ図４（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図、ｅ−ｅ断面図を示す。
各図において、光半導体装置１の平面図における左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向、厚み方向をＺ方向とする。 (First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings and the like.
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
FIG. 1A shows a plan view of the optical semiconductor device 1, FIG. 1B shows a side view of the optical semiconductor device 1, and FIG. 1C shows a back view of the optical semiconductor device 1. . FIG.1 (d) shows the dd sectional drawing of Fig.1 (a).
FIG. 2 is a view showing the multi-faced body MS of the lead frame of the first embodiment. FIG. 2 (a) is a diagram showing the entire multi-faced body MS of the lead frame, and FIG. 2 (b) is a diagram showing the details of part b of FIG. 2 (a).
FIG. 3 is a diagram for explaining the details of the lead frame 10 of the first embodiment.
3A and 3B are a plan view and a back view, respectively, of the lead frame 10, and FIGS. 3C and 3D are cc cross sections in FIG. 3A, respectively. The figure and dd sectional drawing are shown.
FIG. 4 is a diagram for explaining the details of the multifaceted body R of the lead frame with resin on which the light reflecting resin layer 20 of the first embodiment is formed.
4 (a) and 4 (b) show a plan view and a back view of the multi-faced body of the lead frame with resin, respectively, and FIGS. 4 (c), 4 (d), and 4 (e) are respectively. FIG. 4A is a cross-sectional view taken along the line cc, FIG.
In each figure, the horizontal direction in the plan view of the optical semiconductor device 1 is the X direction, the vertical direction is the Y direction, and the thickness direction is the Z direction.

光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、多面付けされたリードフレーム１０（図２参照）に光反射樹脂層２０を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ（図４参照）を作製し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。 The optical semiconductor device 1 is an illumination device in which the mounted LED element 2 emits light when attached to a substrate such as an external device. As shown in FIG. 1, the optical semiconductor device 1 includes an LED element 2 (optical semiconductor element), a lead frame 10, a light reflecting resin layer 20 (resin layer), and a transparent resin layer 30.
In the optical semiconductor device 1, a light reflecting resin layer 20 is formed on a multi-sided lead frame 10 (see FIG. 2) to produce a multi-sided body R (see FIG. 4) of a resin-attached lead frame. It manufactures by electrically connecting, forming the transparent resin layer 30, and cutting | disconnecting into a package unit (dicing) (details are mentioned later).
The LED element 2 is an LED (light emitting diode) element generally used as a light emitting layer. For example, a compound semiconductor single crystal such as GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, and AlInGaP, or various GaN compound semiconductor single elements such as InGaN are used. By appropriately selecting a material made of crystals, an emission wavelength ranging from ultraviolet light to infrared light can be selected.

リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅板）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。 The lead frame 10 includes a pair of terminal portions, that is, a terminal portion 11 on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal portion 12 connected to the LED element 2 through a bonding wire 2a.
Each of the terminal portions 11 and 12 is formed of a conductive material, for example, copper, a copper alloy, 42 alloy (Ni 40.5% to 43% Fe alloy), etc. In this embodiment, heat conduction and It is formed from a copper alloy from the viewpoint of strength.
The terminal portions 11 and 12 have a gap S formed between sides facing each other, and are electrically independent. Since the terminal portions 11 and 12 are formed by pressing or etching a single metal substrate (copper plate), the thicknesses of both are the same.

端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置され、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図５（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。 As shown in FIG. 1, the LED element 2 is placed on the surface of the terminal portion 11, the LED terminal surface 11 a to be connected is formed, and the external terminal surface 11 b mounted on an external device is formed on the back surface of the terminal portion 11. A so-called die pad is formed. Since the LED element 2 is placed on the terminal portion 11, the outer shape of the terminal portion 11 is larger than that of the terminal portion 12.
The terminal portion 12 has an LED terminal surface 12a connected to the bonding wire 2a of the LED element 2 formed on the surface thereof, and an external terminal surface 12b mounted on an external device formed on the back surface of the terminal portion 12 so-called lead side. Configure the terminal part.
As for the terminal parts 11 and 12, the plating layer C is formed in the surface and the back surface (refer FIG.5 (e)), and the plating layer C of the surface side is a reflection layer which reflects the light which LED element 2 emits. The plating layer C on the back side has a function of improving the solderability when mounted on an external device.

端子部１１、１２は、図３に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。 As shown in FIG. 3, the terminal portions 11 and 12 are each provided with a concave portion M having a reduced thickness on the outer peripheral portion on the back surface side.
The recess M is a recess formed in the outer peripheral portion of each of the terminal portions 11 and 12 when viewed from the back side of the lead frame 10, and the thickness of the recess is 1/3 to 2 of the thickness of the terminal portions 11 and 12. / 3 or so.

リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間の空隙部Ｓ等に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図４に示すように、凹部Ｍにも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０と各端子部１１、１２との接触面積を大きくしている。また、厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを交互に構成することができる。これにより、凹部Ｍは、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。   As shown in FIG. 4, when the lead frame 10 is filled with the resin that forms the light reflecting resin layer 20 around the terminal portions 11 and 12 or in the gap S between the terminal portions 11 and 12, as shown in FIG. The recess M is also filled with resin, and the contact area between the light reflecting resin layer 20 and the terminal portions 11 and 12 is increased. Further, the lead frames 10 and the light reflecting resin layers 20 can be alternately configured in the thickness (Z) direction. Thereby, the recessed part M can suppress that the light reflection resin layer 20 peels from the lead frame 10 in a plane direction (X direction, Y direction) and a thickness direction.

連結部１３は、図２に示すように、枠体Ｆ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部１１、１２を、隣接する他のリードフレーム１０の端子部や、枠体Ｆに連結している。連結部１３は、多面付けされた各リードフレーム１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置１の多面付け体（図６参照）が形成された場合に、リードフレーム１０を形成する外形線（図２（ｂ）中の破線）でダイシング（切断）される。
連結部１３は、端子部１１、１２を形成する各辺のうち、同一のリードフレーム１０内の端子部１１及び端子部１２とが対向する辺を除いた辺に形成されている。 As shown in FIG. 2, the connecting portion 13 connects the terminal portions 11 and 12 of each lead frame 10 multifaceted in the frame F to the terminal portions of other adjacent lead frames 10 and the frame F. doing. The connecting portion 13 has an outer shape that forms the lead frame 10 when the LED element 2 or the like is mounted on each of the multiple lead frames 10 and a multi-faced body (see FIG. 6) of the optical semiconductor device 1 is formed. Dicing (cutting) is performed at a line (broken line in FIG. 2B).
The connecting portion 13 is formed on each side forming the terminal portions 11 and 12 excluding the side facing the terminal portion 11 and the terminal portion 12 in the same lead frame 10.

具体的には、連結部１３ａは、端子部１２の右（＋Ｘ）側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の左（−Ｘ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の右側の辺とを接続している。枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ａは、端子部１１の左側の辺又は端子部１２の右側の辺と、枠体Ｆとを接続している。   Specifically, the connecting portion 13a connects the right (+ X) side edge of the terminal portion 12 and the left (−X) side edge of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the right side, Further, the left side of the terminal part 11 is connected to the right side of the terminal part 12 of another lead frame 10 adjacent to the left side. For the terminal portions 11 and 12 adjacent to the frame body F, the connecting portion 13a connects the frame body F with the left side of the terminal portion 11 or the right side of the terminal portion 12.

連結部１３ｂは、端子部１１の上（＋Ｙ）側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下（−Ｙ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１１に対しては、連結部１３ｂは、端子部１１の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１２に対しては、連結部１３ｃは、端子部１２の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。 The connecting portion 13 b connects the upper (+ Y) side of the terminal portion 11 and the lower (−Y) side of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the terminal portion 11. The lower side is connected to the upper side of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the lower side. For the terminal portion 11 adjacent to the frame F, the connecting portion 13b connects the frame F with the upper or lower side of the terminal portion 11.
The connecting portion 13c connects the upper side of the terminal portion 12 and the lower side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the lower side and the lower side of the terminal portion 12 The upper side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the side is connected. For the terminal portion 12 adjacent to the frame F, the connecting portion 13 c connects the frame F with the upper or lower side of the terminal portion 12.

連結部１３ｄ（補強部）は、端子部１１及び端子部１２間の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして形成される。ここで、空隙部Ｓの延長上とは、空隙部Ｓを上下（Ｙ）方向に延長させた領域をいう。本実施形態では、連結部１３ｄは、一の端子部（１２、１１）と、その端子部の空隙部Ｓを挟んだ対向する側に位置し、上又は下に隣接する他のリードフレームの端子部（１１、１２）とを連結するために、端子部１１の上側の辺及び端子部１２の下側の辺に対して、傾斜（例えば、４５度）した形状に形成される。
具体的には、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。また、枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺又は端子部１１の下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。 The connecting portion 13 d (reinforcing portion) is formed so as to cross over the extension of the gap S between the terminal portion 11 and the terminal portion 12. Here, “on the extension of the gap S” means a region where the gap S is extended in the vertical (Y) direction. In the present embodiment, the connecting portion 13d is located on the opposite side of the terminal portion (12, 11) and the gap S between the terminal portions, and is adjacent to the upper or lower lead frame. In order to connect the parts (11, 12), it is formed in a shape that is inclined (for example, 45 degrees) with respect to the upper side of the terminal part 11 and the lower side of the terminal part 12.
Specifically, the connecting part 13d connects the upper side of the terminal part 12 and the lower side of the terminal part 11 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the lower side of the terminal part 11 Are connected to the upper side of the terminal portion 12 of the other lead frame 10 adjacent to the lower side. For the terminal portions 11 and 12 adjacent to the frame F, the connecting portion 13d connects the frame F with the upper side of the terminal portion 12 or the lower side of the terminal portion 11. .

連結部１３ｄが設けられることによって、リードフレームの多面付け体ＭＳは、光反射樹脂層２０を形成する工程において、端子部１１と端子部１２との間隔がずれたり、各端子部１１、１２が枠体Ｆに対して捩れたりするのを抑制することができる。また、連結部１３ｄは、光半導体装置１の空隙部Ｓの強度を向上させることができ、空隙部Ｓにおいて破損してしまうのを抑制することができる。   By providing the connecting portion 13d, in the step of forming the light reflecting resin layer 20, the multifaceted body MS of the lead frame has a gap between the terminal portion 11 and the terminal portion 12 or the terminal portions 11 and 12 are connected to each other. It is possible to suppress twisting with respect to the frame F. Moreover, the connection part 13d can improve the intensity | strength of the space | gap part S of the optical semiconductor device 1, and can suppress damaging in the space | gap part S. FIG.

なお、端子部１１、１２は、連結部１３によって、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１１、１２と電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１の外形に合わせて各連結部１３を切断（ダイシング）することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。   The terminal portions 11 and 12 are electrically connected to the terminal portions 11 and 12 of the other adjacent lead frames 10 by the connecting portion 13. However, after the multifaceted body of the optical semiconductor device 1 is formed, Insulation is performed by cutting (dicing) each connecting portion 13 in accordance with the outer shape of the semiconductor device 1. Moreover, when it divides into pieces, each piece can be made into the same shape.

連結部１３は、図３（ｃ）、図３（ｄ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部１３は、その裏面が、各端子部１１、１２の凹部Ｍの底面（窪んだ部分）と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図４（ｃ）、図４（ｄ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図４（ｂ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。 As shown in FIGS. 3 (c) and 3 (d), the connecting portion 13 is thinner than the terminal portions 11 and 12, and the surface thereof is formed in the same plane as the surfaces of the terminal portions 11 and 12. Has been. Specifically, the back surface of the connecting portion 13 is formed in substantially the same plane as the bottom surface (recessed portion) of the concave portion M of each terminal portion 11, 12. Thereby, when the resin of the light reflection resin layer 20 is filled, as shown in FIG. 4C and FIG. 4D, the resin also flows into the back surface of the connecting portion 13, and the light reflection resin layer 20 is The peeling from the lead frame 10 can be suppressed.
Further, as shown in FIG. 4B, rectangular external terminal surfaces 11 b and 12 b are exposed on the back surface of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed. In addition to being able to improve the appearance, when mounting on the board with solder, solder printing on the board side is easy, solder is evenly applied, and the generation of voids in the solder after reflow is suppressed. Can be. In addition, since it is axisymmetric with respect to the center line in the plane of the optical semiconductor device 1 (in the XY plane), the reliability against thermal stress and the like can be improved.

リードフレームの多面付け体ＭＳは、上述のリードフレーム１０を枠体Ｆ内に多面付けしたものである。本実施形態では、図２に示すように、縦横に複数個、連結部１３によって連結されたリードフレーム１０の集合体（キャビティ）を、複数組（本実施形態では４組）、左右（Ｘ）方向に配列させて枠体Ｆ内に形成したものである。
枠体Ｆは、リードフレーム１０の集合体毎に、リードフレーム１０を固定する部材であり、その厚みは、端子部１１、１２の最大の厚みなる部分と同等の厚みを有している。 The lead frame multi-sided body MS is obtained by multi-sided the above-described lead frame 10 in the frame body F. In the present embodiment, as shown in FIG. 2, a plurality of sets (cavities) of lead frames 10 connected by connecting portions 13 in the vertical and horizontal directions are set in a plurality (four in this embodiment), left and right (X). They are arranged in the direction and formed in the frame F.
The frame F is a member that fixes the lead frame 10 for each assembly of the lead frames 10, and has a thickness equivalent to the maximum thickness of the terminal portions 11 and 12.

光反射樹脂層２０は、図４に示すように、各端子部１１、１２の外周側面（リードフレーム１０の外周及び各端子部間の空隙部Ｓ）と、各端子部に設けられた凹部Ｍと、連結部１３の裏面とに充填された樹脂の層である。
また、光反射樹脂層２０には、リードフレーム１０の表面（ＬＥＤ素子２が載置される側の面）に、ＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタ２０ａが形成されている。リフレクタ２０ａは、端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして、リードフレーム１０の表面側に突出しており、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２から発光する光を反射させて、光半導体装置１から光を効率よく照射させる。リフレクタ２０ａは、その高さ寸法が、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の高さ寸法よりも大きい寸法で形成される。
なお、光反射樹脂層２０の裏面は、後述の空間部Ｔを除き、端子部１１、１２の外部端子面１１ｂ、１２ｂと略同一平面を形成する。これにより、光半導体装置１の製造過程において、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、その裏面が平坦となるので、特殊な固定治具を必要とすることなく、搬送装置等に載置することができる。 As shown in FIG. 4, the light reflecting resin layer 20 includes outer peripheral side surfaces of the terminal portions 11 and 12 (the outer periphery of the lead frame 10 and the space S between the terminal portions), and a recess M provided in each terminal portion. And a resin layer filled on the back surface of the connecting portion 13.
The light reflecting resin layer 20 is formed with a reflector 20a on the surface of the lead frame 10 (the surface on which the LED element 2 is placed) for controlling the direction of light emitted from the LED element 2 and the like. . The reflector 20a protrudes on the surface side of the lead frame 10 so as to surround the LED terminal surfaces 11a and 12a of the terminal portions 11 and 12, and reflects the light emitted from the LED element 2 connected to the LED terminal surface 11a. Then, light is efficiently emitted from the optical semiconductor device 1. The reflector 20a is formed such that its height dimension is larger than the height dimension of the LED element 2 connected to the LED terminal surface 11a.
In addition, the back surface of the light reflection resin layer 20 forms substantially the same plane as the external terminal surfaces 11b and 12b of the terminal portions 11 and 12 except for a space portion T described later. Thereby, in the manufacturing process of the optical semiconductor device 1, the multi-faced body R of the lead frame with resin becomes flat on the back surface, so that it is placed on the transport device or the like without requiring a special fixing jig. be able to.

光反射樹脂層２０は、図４（ｂ）に示すように、裏面側（ＬＥＤ素子２が載置される側とは反対側）であって、各リードフレーム１０間において光半導体装置１（リードフレーム１０）の外形（図４中の破線部）よりも外側に空間部Ｔが形成される。また、同様にして、光反射樹脂層２０には、枠体Ｆと、枠体Ｆに隣接するリードフレーム１０との間においても光半導体装置１の外形よりも外側に空間部Ｔが形成される。
ここで、リードフレーム１０は銅などの金属により形成され、光反射樹脂層２０は熱硬化性樹脂等の樹脂により形成され、また、両者の材料の線膨張率には差がある。リードフレームの多面付け体ＭＳは、上述したように表面側にリフレクタ２０ａが形成されることから裏面側に比べ表面側に樹脂が多く形成されるので、仮に、空間部Ｔが形成されていない場合、この樹脂の硬化過程において、上記線膨張率の差によってリードフレームの多面付け体ＭＳに反りが発生してしまうこととなる。
しかし、本実施形態では、空間部Ｔを光反射樹脂層２０の裏面側に形成することによって、樹脂の硬化過程において、リードフレームの多面付け体ＭＳ（樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ）に上述の反りが生じてしまうのを抑制することができる。 As shown in FIG. 4B, the light reflecting resin layer 20 is on the back surface side (the side opposite to the side on which the LED element 2 is placed), and between the lead frames 10, the optical semiconductor device 1 (lead). A space T is formed outside the outer shape of the frame 10) (the broken line portion in FIG. 4). Similarly, in the light reflecting resin layer 20, a space T is formed outside the outer shape of the optical semiconductor device 1 between the frame F and the lead frame 10 adjacent to the frame F. .
Here, the lead frame 10 is formed of a metal such as copper, the light reflecting resin layer 20 is formed of a resin such as a thermosetting resin, and the linear expansion coefficients of the two materials are different. In the lead frame multi-faced body MS, since the reflector 20a is formed on the front surface side as described above, a larger amount of resin is formed on the front surface side than on the back surface side. In the curing process of the resin, the multi-faced body MS of the lead frame is warped due to the difference in the linear expansion coefficient.
However, in the present embodiment, the space T is formed on the back surface side of the light reflecting resin layer 20, so that in the resin curing process, the lead frame multi-sided body MS (resin-coated lead frame multi-sided body R) is formed. It can suppress that the above-mentioned curvature will arise.

樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの上述の反りは、長手方向（Ｘ方向）に対してより大きく反る傾向があるので、本実施形態の空間部Ｔは、リードフレームの多面付け体ＭＳの長手方向（Ｘ方向）に配列する各リードフレーム間に形成されている。
また、空間部Ｔは、隣接するリードフレーム１０を接続する連結部１３ａを避けるようにして形成されている。すなわち、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、各リードフレーム１０の間に空間部Ｔが形成されつつも、連結部１３ａが存在する部分は樹脂で覆われる状態となる。これにより、連結部１３ａが樹脂で覆われていない場合に比べ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、光半導体装置１の外形（図４の破線部）で切断する場合において、連結部１３ａの切断を容易にするとともに、連結部１３ａのバリの発生を抑制することができる。
空間部Ｔの深さ寸法は、リードフレーム１０の表面に形成されるリフレクタ２０ａの高さに応じて設定することができる。例えば、空間部Ｔの深さ寸法は、リードフレームの多面付け体ＭＳの厚みよりも浅くしてもよく、また、深くしてもよい。 Since the above-described warpage of the multi-faced body R of the lead frame with resin tends to be greatly warped with respect to the longitudinal direction (X direction), the space portion T of the present embodiment has the multi-faceted body MS of the lead frame. It is formed between the lead frames arranged in the longitudinal direction (X direction).
The space portion T is formed so as to avoid the connecting portion 13a connecting the adjacent lead frames 10. That is, the multifaceted body R of the lead frame with resin is in a state where the space T is formed between the lead frames 10 and the portion where the connecting portion 13a exists is covered with the resin. Thereby, compared with the case where the connection part 13a is not covered with resin, when the multi-faced body R of the lead frame with resin is cut by the outer shape of the optical semiconductor device 1 (broken line part in FIG. 4), the connection part 13a. Can be easily cut, and the occurrence of burrs in the connecting portion 13a can be suppressed.
The depth dimension of the space T can be set according to the height of the reflector 20 a formed on the surface of the lead frame 10. For example, the depth dimension of the space T may be shallower or deeper than the thickness of the multifaceted body MS of the lead frame.

光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。 The light reflecting resin layer 20 is made of a thermoplastic resin having a light reflecting property or a thermosetting resin in order to reflect light emitted from the LED element 2 placed on the lead frame 10.
The resin forming the light reflecting resin layer 20 has high fluidity when the resin is formed with respect to the resin filling in the recessed portion, and the adhesiveness at the recessed portion is easy to introduce a reactive group into the molecule. Since it is necessary to obtain chemical adhesion with the lead frame, a thermosetting resin is desirable.
For example, as the thermoplastic resin, polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, polybutylene terephthalate, polyolefin, or the like can be used.
As the thermosetting resin, silicone, epoxy, polyetherimide, polyurethane, polybutylene acrylate, or the like can be used.
Furthermore, the reflectance of light can be increased by adding any of titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum nitride, and boron nitride as a light reflecting material to these resins.
Moreover, after molding a thermoplastic resin such as polyolefin, a so-called electron beam curable resin using a method of crosslinking by irradiation with an electron beam may be used.

透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層３０は、光反射樹脂層２０のリフレクタ２０ａによって囲まれたＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ上に形成される。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。 The transparent resin layer 30 is a transparent or substantially transparent resin layer provided to protect the LED element 2 placed on the lead frame 10 and transmit the emitted light of the LED element 2 to the outside. It is. The transparent resin layer 30 is formed on the LED terminal surfaces 11 a and 12 a surrounded by the reflector 20 a of the light reflecting resin layer 20.
For the transparent resin layer 30, it is desirable to select a material having a high light transmittance and a high refractive index at the emission wavelength of the LED element 2 in order to improve the light extraction efficiency. For example, an epoxy resin or a silicone resin can be selected as a resin that satisfies the properties of high heat resistance, light resistance, and mechanical strength. In particular, when a high-brightness LED element is used for the LED element 2, the transparent resin layer 30 is preferably made of a silicone resin having high light resistance because it is exposed to strong light. Moreover, a phosphor for wavelength conversion may be used, or it may be dispersed in a transparent resin.

次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
図５は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図５（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図５（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図５（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図５（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図５（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図５においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から多面付けされた複数のリードフレーム１０が製造される。 Next, a method for manufacturing the lead frame 10 will be described.
FIG. 5 is a diagram for explaining the manufacturing process of the lead frame 10 of the first embodiment.
FIG. 5A shows a plan view showing a metal substrate 100 on which a resist pattern is formed, and an aa cross-sectional view of the plan view. FIG. 5B shows the metal substrate 100 that has been etched. FIG.5 (c) is a figure which shows the metal substrate 100 after an etching process. FIG. 5D shows the metal substrate 100 from which the resist pattern has been removed. FIG. 5E shows the metal substrate 100 that has been subjected to plating.
In FIG. 5, the manufacturing process of one lead frame 10 is illustrated, but actually, a plurality of lead frames 10 that are multifaceted from one metal substrate 100 are manufactured.

リードフレーム１０の製造において、金属基板１００を加工してリードフレーム１０を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム１０の製造方法について説明する。   In the manufacture of the lead frame 10, the metal substrate 100 is processed to form the lead frame 10. The processing may be press processing, but an etching process that easily forms a thin portion is desirable. Below, the manufacturing method of the lead frame 10 by an etching process is demonstrated.

まず、平板状の金属基板１００を用意し、図５（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図５（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。 First, a flat metal substrate 100 is prepared, and as shown in FIG. 5A, resist patterns 40a and 40b are formed on portions of the front and back surfaces that are not etched. The material and the formation method of the resist patterns 40a and 40b use a conventionally known technique as an etching resist.
Next, as shown in FIG. 5B, the metal substrate 100 is etched with a corrosive liquid using the resist patterns 40a and 40b as etching resistant films. The corrosive liquid can be appropriately selected according to the material of the metal substrate 100 to be used. In this embodiment, since a copper plate is used as the metal substrate 100, an aqueous ferric chloride solution can be used and spray etching can be performed from both surfaces of the metal substrate 100.

ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間の空隙部Ｓのように貫通した空間と、凹部Ｍや連結部１３の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図３参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図５（ｃ）に示すように、凹部Ｍが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。 Here, the lead frame 10 penetrates through the outer periphery of the terminal portions 11 and 12, the space penetrating like the gap portion S between the terminal portions 11 and 12, and the concave portion M and the back surface of the connecting portion 13. In addition, there is a recessed space where the thickness is reduced (see FIG. 3). In the present embodiment, a so-called half-etching process that etches up to about half the plate thickness of the metal substrate 100 is performed, and a resist pattern is not formed on both surfaces of the metal substrate 100 in the penetrating space. Etching is performed from both sides of the substrate 100 to form a penetrating space. For the recessed space, a resist pattern is formed only on the surface opposite to the side where the thickness is reduced, and only the surface without the resist pattern is etched to form a recessed space.
As shown in FIG. 5C, terminal portions 11 and 12 having recesses M are formed on the metal substrate 100 by the etching process, and the lead frame 10 is formed on the metal substrate 100.

次に、図５（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０ａ、４０ｂを除去する。
そして、図５（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。なお、図２において、めっき層Ｃは省略されている。 Next, as shown in FIG. 5D, the resist patterns 40a and 40b are removed from the metal substrate 100 (lead frame 10).
Then, as shown in FIG. 5 (e), the metal substrate 100 on which the lead frame 10 is formed is plated to form a plating layer C on the terminal portions 11 and 12. The plating process is performed, for example, by performing electroplating using a silver plating solution containing silver cyanide as a main component.
In addition, before forming the plating layer C, for example, an electrolytic degreasing process, a pickling process, and a copper strike process may be selected as appropriate, and then the plating layer C may be formed through an electrolytic plating process.
As described above, the lead frame 10 is manufactured in a state of being multifaceted to the frame F as shown in FIG. In FIG. 2, the plating layer C is omitted.

次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図６は、第１実施形態の光半導体装置１の多面付け体を示す図である。
図７は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図７（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図７（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図７（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図７（ｄ）は、ダイシングにより個片化された光半導体装置１の断面図を示す。
なお、図７においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。また、図７（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図５（ａ）の断面図に基づくものである。 Next, a method for manufacturing the optical semiconductor device 1 will be described.
FIG. 6 is a diagram illustrating a multifaceted body of the optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
FIG. 7 is a diagram illustrating a manufacturing process of the optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
7A is a cross-sectional view of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed, and FIG. 7B is a cross-sectional view of the lead frame 10 to which the LED elements 2 are electrically connected. . FIG. 7C shows a cross-sectional view of the lead frame 10 on which the transparent resin layer 30 is formed. FIG. 7D shows a cross-sectional view of the optical semiconductor device 1 singulated by dicing.
In FIG. 7, the manufacturing process of one optical semiconductor device 1 is illustrated, but actually, a plurality of optical semiconductor devices 1 are manufactured from one metal substrate 100. 7A to 7D are based on the cross-sectional view of FIG.

図７（ａ）に示すように、金属基板１００上にエッチング加工により形成されたリードフレーム１０の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形（射出成形）のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側から凹部Ｍや、連結部１３の裏面へと流れ込み、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを接合している。
また、光反射樹脂層２０は、その表面側にリフレクタ２０ａが各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むように形成される。これにより、光反射樹脂層２０の表面及び裏面には、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出する（図４（ａ）、図４（ｂ）参照）。
また、光反射樹脂層２０の裏面には、リードフレームの多面付け体ＭＳの長手方向（Ｘ方向）に隣接する各リードフレーム１０間に空間部Ｔが形成される（図４（ｂ）参照）。
以上により、図４に示す樹脂付きのリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。 As shown in FIG. 7A, the light reflecting resin layer 20 is formed by filling the outer periphery of the lead frame 10 formed by etching on the metal substrate 100 with the resin having the above-described light reflection characteristics. The light reflecting resin layer 20 is formed by inserting a lead frame 10 (metal substrate 100) into a resin molding die and injecting resin, for example, transfer molding or injection molding (injection molding), or lead frame 10 It is formed by a method such as screen printing of resin. At this time, the resin flows from the outer peripheral side of each of the terminal portions 11 and 12 to the concave portion M and the back surface of the connecting portion 13 to join the lead frame 10 and the light reflecting resin layer 20.
The light reflecting resin layer 20 is formed on the surface side so that the reflector 20a surrounds the LED terminal surfaces 11a and 12a of the terminal portions 11 and 12, respectively. Accordingly, the LED terminal surfaces 11a and 12a and the external terminal surfaces 11b and 12b of the terminal portions 11 and 12 are exposed on the front and back surfaces of the light reflecting resin layer 20 (FIGS. 4A and 4). (See (b)).
Further, on the back surface of the light reflecting resin layer 20, a space T is formed between the lead frames 10 adjacent to each other in the longitudinal direction (X direction) of the multi-faced body MS of the lead frame (see FIG. 4B). .
In this way, the multi-faced body R of the lead frame with resin shown in FIG. 4 is formed.

次に、図７（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ここで、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子２に複数のボンディングワイヤ２ａが接続されてもよく、ボンディングワイヤ２ａをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。   Next, as shown in FIG. 7B, the LED element 2 is placed on the LED terminal surface 11 a of the terminal portion 11 via a heat-dissipating adhesive such as die attach paste or solder, and the terminal portion 12. The LED element 2 is electrically connected to the LED terminal surface 12a via the bonding wire 2a. Here, there may be a plurality of LED elements 2 and bonding wires 2a, a plurality of bonding wires 2a may be connected to one LED element 2, or the bonding wires 2a may be connected to a die pad. Moreover, you may electrically connect the LED element 2 by a mounting surface. Here, the bonding wire 2a is made of a material having good conductivity such as gold (Au), copper (Cu), silver (Ag), and the like.

そして、図７（ｃ）に示すように、リフレクタ２０ａに囲まれたＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。
透明樹脂層３０は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図６に示すように、多面付けされた光半導体装置１が形成される。
最後に、図７（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。 Then, as shown in FIG. 7C, the transparent resin layer 30 is formed so as to cover the LED element 2 surrounded by the reflector 20a.
The transparent resin layer 30 may have an optical function such as a lens shape and a refractive index gradient in addition to a flat shape. As described above, as shown in FIG. 6, the multifaceted optical semiconductor device 1 is formed.
Finally, as shown in FIG. 7D, the connecting portion 13 of the lead frame 10 is cut (dicing, punching, cutting) together with the light reflecting resin layer 20 and the transparent resin layer 30 in accordance with the outer shape of the optical semiconductor device 1. Etc.) to obtain the optical semiconductor device 1 (see FIG. 1) separated (divided into one package).

次に、上述の図７（ａ）におけるリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成するトランスファ成形及びインジェクション成形について説明する。
図８は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図８（ａ）は、金型の構成を説明する図であり、図８（ｂ）〜図８（ｉ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
図９は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図９（ａ）〜図９（ｃ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図８及び図９において、説明を明確にするために、リードフレームの単体に対して光反射樹脂層２０が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して光反射樹脂層２０が形成される。 Next, transfer molding and injection molding for forming the light reflecting resin layer 20 on the lead frame 10 in FIG. 7A will be described.
FIG. 8 is a diagram for explaining the outline of transfer molding. FIG. 8A is a diagram for explaining the configuration of the mold, and FIGS. 8B to 8I are diagrams for explaining the steps until the multi-faced body R of the lead frame with resin is completed. It is.
FIG. 9 is a diagram for explaining the outline of injection molding. FIG. 9A to FIG. 9C are diagrams for explaining the process until the multifaceted body R of the lead frame with resin is completed.
8 and 9, for the sake of clarity, the light reflecting resin layer 20 is formed on a single lead frame, but in reality, the lead frame multi-faced body MS is shown. On the other hand, the light reflecting resin layer 20 is formed.

（トランスファ成形）
トランスファ成形は、図８（ａ）に示すように、上型１１１及び下型１１２等から構成される金型１１０を使用する。
まず、作業者は、上型１１１及び下型１１２を加熱した後、図８（ｂ）に示すように、上型１１１と下型１１２との間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置するとともに、下型１１２の設けられたポット部１１２ａに光反射樹脂層２０を形成する樹脂を充填する。
そして、図８（ｃ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を閉じて（型締め）、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図８（ｄ）及び図８（ｅ）に示すように、プランジャー１１３によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型１１０内へと充填（トランスファ）させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。 (Transfer molding)
As shown in FIG. 8A, the transfer molding uses a mold 110 composed of an upper mold 111, a lower mold 112, and the like.
First, the operator heats the upper mold 111 and the lower mold 112, and then places the multi-faced body MS of the lead frame between the upper mold 111 and the lower mold 112 as shown in FIG. 8B. The pot portion 112a provided with the lower mold 112 is filled with a resin that forms the light reflecting resin layer 20.
Then, as shown in FIG. 8C, the upper mold 111 and the lower mold 112 are closed (clamping), and the resin is heated. When the resin is sufficiently heated, as shown in FIGS. 8D and 8E, pressure is applied to the resin by the plunger 113 so that the resin is filled (transferred) into the mold 110. The pressure is kept constant for a period of time.

所定の時間の経過後、図８（ｆ）及び図８（ｇ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を開き、上型１１１に設けられたイジェクターピン１１１ａにより、上型１１１から光反射樹脂層２０が成形されたリードフレームの多面付け体ＭＳを取り外す。その後、図８（ｈ）に示すように、上型１１１の流路（ランナー）部等の余分な樹脂部分を、製品となる部分から除去し、図８（ｉ）に示すように、光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。   After the elapse of a predetermined time, as shown in FIGS. 8 (f) and 8 (g), the upper mold 111 and the lower mold 112 are opened, and light is emitted from the upper mold 111 by the ejector pins 111 a provided on the upper mold 111. The lead frame multi-faced body MS in which the reflective resin layer 20 is molded is removed. Thereafter, as shown in FIG. 8 (h), the excess resin portion such as the flow path (runner) portion of the upper mold 111 is removed from the product portion, and the light reflection is performed as shown in FIG. 8 (i). A multi-faced body R of a lead frame with a resin on which the resin layer 20 is formed is completed.

（インジェクション成形）
インジェクション成形は、図９（ａ）に示すように、上から順に、ノズルプレート１２１、スプループレート１２２、ランナープレート１２３（上型）、下型１２４等から構成される金型１２０を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート１２３及び下型１２４間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置して、金型１２０を閉じる（型締め）。
そして、図９（ｂ）に示すように、ノズル１２５をノズルプレート１２１のノズル穴に配置して、光反射樹脂層２０を形成する樹脂を金型１２０内に射出する。ノズル１２５から射出された樹脂は、スプループレート１２２のスプルー１２２ａを通過し、ランナープレート１２３のランナー１２３ａ及びゲートスプルー１２３ｂを通過した上で、リードフレームの多面付け体ＭＳが配置された金型１２０内へと樹脂が充填される。 (Injection molding)
As shown in FIG. 9A, the injection molding uses a mold 120 including a nozzle plate 121, a sprue plate 122, a runner plate 123 (upper mold), a lower mold 124, and the like in order from the top.
First, the operator arranges the multi-faced body MS of the lead frame between the runner plate 123 and the lower mold 124, and closes the mold 120 (clamping).
Then, as shown in FIG. 9B, the nozzle 125 is disposed in the nozzle hole of the nozzle plate 121, and the resin forming the light reflecting resin layer 20 is injected into the mold 120. The resin injected from the nozzle 125 passes through the sprue 122a of the sprue plate 122, passes through the runner 123a and the gate sprue 123b of the runner plate 123, and then in the mold 120 in which the multifaceted body MS of the lead frame is arranged. Filled with resin.

樹脂が充填されたら所定の時間保持した後に、作業者は、図９（ｃ）に示すように、ランナープレート１２３を下型１２４から開き、下型１２４に設けられたイジェクターピン１２４ａによって、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳを下型１２４から取り外す。そして、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳから余分なバリなどを除去して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。   After the resin is filled and held for a predetermined time, the operator opens the runner plate 123 from the lower mold 124 and reflects light by the ejector pins 124a provided on the lower mold 124 as shown in FIG. 9C. The lead frame multi-faced body MS on which the resin layer 20 is formed is removed from the lower mold 124. Then, excess burrs and the like are removed from the multi-sided body MS of the lead frame on which the light reflecting resin layer 20 is formed, and the multi-sided body R of the lead frame with resin is completed.

なお、本実施形態のインジェクション成形は、樹脂の流路が、一つのスプルーからランナーを介して複数のゲートへと分岐されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して、複数個所から均等に樹脂を射出するようにしている。これにより、リードフレームの多面付け体ＭＳの各リードフレーム１０に対して、樹脂を適正に充填させることができ、樹脂ムラのない樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを得ることができる。   In the injection molding of the present embodiment, the resin flow path is branched from a single sprue to a plurality of gates via a runner, so that the lead frame multi-faced body MS is evenly distributed from a plurality of locations. The resin is injected into. As a result, the resin can be appropriately filled in each lead frame 10 of the multi-sided body MS of the lead frame, and a multi-sided body R of the lead frame with resin without resin unevenness can be obtained.

本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、空間部Ｔを光反射樹脂層２０の裏面側（リフレクタ２０ａが形成される側とは反対側）に形成するので、樹脂の硬化過程において反りが生じてしまうのを抑制することができる。
また、空間部Ｔが、各リードフレーム１０間の光半導体装置１の外形よりも外側に形成されているので、個片化された光半導体装置１の光反射樹脂層２０に空間部Ｔが残存するのを防止することができ、光半導体装置１の外観を好適にすることができると共に、材料の削減、光半導体装置１の軽量化が可能である。さらに灯具とした場合に、側面の反射光の設計が容易である。 The invention of this embodiment has the following effects.
(1) Since the multifaceted body R of the lead frame with resin forms the space T on the back surface side of the light reflecting resin layer 20 (on the side opposite to the side on which the reflector 20a is formed), warping occurs during the resin curing process. Can be prevented from occurring.
Further, since the space portion T is formed outside the outer shape of the optical semiconductor device 1 between the lead frames 10, the space portion T remains in the light reflecting resin layer 20 of the separated optical semiconductor device 1. It is possible to prevent the optical semiconductor device 1 from appearing and the appearance of the optical semiconductor device 1 can be made suitable, and the material can be reduced and the optical semiconductor device 1 can be reduced in weight. Further, when the lamp is used, the design of the reflected light on the side surface is easy.

空間部Ｔの深さ寸法は、リードフレーム１０の表面に形成されるリフレクタ２０ａの高さに応じて設定することができるが、例えば、空間部の深さがリードフレームの多面付け体ＭＳの厚みよりも浅い場合には、型の作製や樹脂の流れの観点から成形が容易になり、かつ、樹脂付きリードフレームの多面付け体の全体での剛性を保つことが容易になる。
また、空間部Ｔの深さがリードフレームの多面付け体ＭＳの厚みよりも深い場合には、リフレクタ２０ａがばねのような働きを持つため、応力緩和による反りの抑制、光半導体装置１の組立て時の熱による反りを緩和することができる。 The depth dimension of the space portion T can be set according to the height of the reflector 20a formed on the surface of the lead frame 10. For example, the depth of the space portion is the thickness of the multifaceted body MS of the lead frame. If it is shallower, it is easy to mold from the viewpoint of mold production and resin flow, and it is easy to maintain the rigidity of the entire multifaceted body of the lead frame with resin.
In addition, when the depth of the space T is deeper than the thickness of the multi-faced body MS of the lead frame, the reflector 20a functions like a spring, so that warpage due to stress relaxation is suppressed, and the optical semiconductor device 1 is assembled. Warpage due to heat at the time can be reduced.

（２）空間部Ｔは、リードフレームの多面付け体ＭＳの長手方向に隣接する各リードフレーム１０の間に形成されるので、光反射樹脂層２０が形成された場合に樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの反り量が大きくなる傾向がある長手方向に対する反りの発生を効率よく抑制することができる。
（３）空間部Ｔは、枠体Ｆと、枠体Ｆに隣接するリードフレーム１０との間に形成されるので、リードフレームの多面付け体ＭＳの反りの発生をさらに抑制することができる。
（４）空間部Ｔは、連結部１３ａを避けるようにして形成され、連結部１３ａが樹脂で覆われている。これにより、空間部Ｔは、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを光半導体装置１の外形で切断する場合において、連結部１３ａの切断を容易にするとともに、連結部１３ａからバリが発生するのを抑制することができる。 (2) Since the space portion T is formed between the lead frames 10 adjacent to each other in the longitudinal direction of the multi-faced body MS of the lead frame, when the light reflecting resin layer 20 is formed, the multiple surfaces of the lead frame with resin are formed. It is possible to efficiently suppress the occurrence of warpage in the longitudinal direction in which the amount of warpage of the attachment body R tends to increase.
(3) Since the space portion T is formed between the frame body F and the lead frame 10 adjacent to the frame body F, it is possible to further suppress the warpage of the multifaceted body MS of the lead frame.
(4) The space T is formed so as to avoid the connecting portion 13a, and the connecting portion 13a is covered with resin. As a result, the space T facilitates the cutting of the connecting portion 13a and generates burrs from the connecting portion 13a when the multifaceted body R of the lead frame with resin is cut by the outer shape of the optical semiconductor device 1. Can be suppressed.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図１０は、第２実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。図１０（ａ）、図１０（ｂ）は、それぞれ樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図１０（ｃ）、図１０（ｄ）は、それぞれ図１０（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図１１は、第２実施形態の光半導体装置２０１を説明する図である。図１１（ａ）は、光半導体装置２０１の平面図を示し、図１１（ｂ）は、光半導体装置２０１の側面図を示す。図１１（ｃ）は、光半導体装置２０１を灯具に利用した場合における光の動きを説明する図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 10 is a diagram for explaining the details of the multifaceted body R of the lead frame with resin according to the second embodiment. 10 (a) and 10 (b) show a plan view and a back view of the multi-faced body R of the lead frame with resin, respectively, and FIG. 10 (c) and FIG. 10 (d) respectively show FIG. 10 (a). Cc cross-sectional view and dd cross-sectional view of FIG.
FIG. 11 is a diagram illustrating an optical semiconductor device 201 according to the second embodiment. FIG. 11A shows a plan view of the optical semiconductor device 201, and FIG. 11B shows a side view of the optical semiconductor device 201. FIG. 11C is a diagram for explaining the movement of light when the optical semiconductor device 201 is used as a lamp.
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.

第２実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、光反射樹脂層２２０に形成される空間部Ｔの形状が、第１実施形態の空間部Ｔと相違する。
光反射樹脂層２２０は、図１０に示すように、裏面側であって、各リードフレーム１０間と、リードフレーム１０及び枠体Ｆ間とに空間部Ｔが形成される。
空間部Ｔは、リードフレーム１０の裏面側の面における幅Ｗ１が、空間部Ｔの底面の幅Ｗ２よりも広くなるように形成されている（Ｗ１＞Ｗ２）。すなわち、空間部Ｔは、空間部Ｔの開口部に向かって広がるように形成されている。
また、空間部Ｔは、その幅寸法Ｗ１が、リードフレーム１０（光半導体装置１）の外形（図１０中の破線）と、隣接するリードフレーム１０の外形との間隔ｗよりも広く形成されている（Ｗ１＞ｗ）。なお、空間部Ｔの底面の幅Ｗ２と、隣り合うリードフレーム１０の間隔ｗとの関係は、本実施形態では、Ｗ２がｗよりも小さくしているが（Ｗ２＜ｗ）、Ｗ２がｗよりも大きくてもよく（Ｗ２＞ｗ）、また、Ｗ２がｗと等しくてもよい（Ｗ２＝ｗ）。
上述の空間部Ｔを設けた樹脂付きリードフレームの多面付け体ＲにＬＥＤ素子２を接続し、透明樹脂層３０を形成し、リードフレーム１０の外形（図１０（ａ）中の破線）で切断することによって、図１１（ａ）に示す光半導体装置２０１を得る。
上述したように、空間部Ｔの幅Ｗ１が、隣り合うリードフレーム１０の間隔ｗよりも広いことから、製造される光半導体装置２０１には、図１１（ｂ）に示すように、外周側面から落ち込んだ空間部Ｔが残存し、外周側面の一部に傾斜面が存在することとなる。 In the multifaceted body R of the lead frame with resin of the second embodiment, the shape of the space T formed in the light reflecting resin layer 220 is different from the space T of the first embodiment.
As shown in FIG. 10, the light reflecting resin layer 220 is on the back surface side, and a space T is formed between the lead frames 10 and between the lead frame 10 and the frame body F.
The space T is formed such that the width W1 on the back side surface of the lead frame 10 is wider than the width W2 of the bottom surface of the space T (W1> W2). That is, the space T is formed so as to expand toward the opening of the space T.
Further, the space portion T is formed such that its width dimension W1 is wider than the interval w between the outer shape of the lead frame 10 (optical semiconductor device 1) (broken line in FIG. 10) and the outer shape of the adjacent lead frame 10. (W1> w). Note that the relationship between the width W2 of the bottom surface of the space T and the interval w between the adjacent lead frames 10 is W2 smaller than w in this embodiment (W2 <w), but W2 is larger than w. May be larger (W2> w), and W2 may be equal to w (W2 = w).
The LED element 2 is connected to the multifaceted body R of the lead frame with resin provided with the space T described above, the transparent resin layer 30 is formed, and cut by the outer shape of the lead frame 10 (broken line in FIG. 10A). As a result, the optical semiconductor device 201 shown in FIG.
As described above, since the width W1 of the space T is wider than the interval w between the adjacent lead frames 10, the manufactured optical semiconductor device 201 has an outer peripheral side surface as shown in FIG. The depressed space portion T remains, and an inclined surface exists on a part of the outer peripheral side surface.

以上のように、本実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体は、リードフレーム１０の裏面側の面における空間部Ｔの幅Ｗ１が、空間部Ｔの底面の幅Ｗ２よりも広くなるように形成されている。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの成形時における金型の型離れを良くすることができ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの製造を容易にすることができる。
また、光半導体装置２０１を灯具にした場合、図１１（ｃ）に示すように、光半導体装置２０１から発する光の一部が、灯具の導光板に反射して、光半導体装置２０１の側面に到達したとしても、光半導体装置２０１の側面の傾斜面によって、光を過剰に乱反射させないことが可能となる。
更に、電子線硬化樹脂を用いて、電子線を照射する場合には、反射樹脂部が薄くなることで、電子線照射時の電圧が低くても電子線が透過しない領域を減少させることができる。 As described above, in the multifaceted body of the lead frame with resin according to the present embodiment, the width W1 of the space portion T on the back surface side of the lead frame 10 is larger than the width W2 of the bottom surface of the space portion T. Is formed. Thereby, the mold separation of the multi-faced body R of the lead frame with resin can be improved, and the manufacture of the multi-faced body R of the lead frame with resin can be facilitated.
When the optical semiconductor device 201 is a lamp, as shown in FIG. 11C, a part of the light emitted from the optical semiconductor device 201 is reflected by the light guide plate of the lamp and is reflected on the side surface of the optical semiconductor device 201. Even if the light reaches the light, the inclined surface on the side surface of the optical semiconductor device 201 can prevent excessive reflection of light.
Furthermore, when an electron beam is irradiated using an electron beam curable resin, the reflective resin portion is thinned, so that a region where the electron beam is not transmitted can be reduced even when the voltage during electron beam irradiation is low. .

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made as in the modifications described later, and these are also included in the present invention. Within the technical scope. In addition, the effects described in the embodiments are merely a list of the most preferable effects resulting from the present invention, and the effects of the present invention are not limited to those described in the embodiments. It should be noted that the above-described embodiment and modifications described later can be used in appropriate combination, but detailed description thereof is omitted.

図１２は、本発明の変形形態を示す図である。
（変形形態）
（１）各実施形態において、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの空間部Ｔは、長手方向（Ｘ方向）に配列する各リードフレーム１０間に形成されている例で説明したが、これに限定されない。例えば、空間部Ｔは、短手方向（Ｙ方向）や、長手方向及び短手方向の両方向に配列する各リードフレーム間に設けられるようにしてもよい。 FIG. 12 is a diagram showing a modification of the present invention.
(Deformation)
(1) In each embodiment, the space portion T of the multifaceted body R of the lead frame with resin has been described as being formed between the lead frames 10 arranged in the longitudinal direction (X direction). It is not limited. For example, the space T may be provided between the lead frames arranged in the short direction (Y direction) or in both the long direction and the short direction.

（２）各実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、２以上の端子部を備えていてもよい。例えば、図１２に示すように、端子部を３つ設け、その１つ（２１１）にはＬＥＤ素子を実装し、他の２つ（２１２）にはボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続してもよい。 (2) In each embodiment, although the lead frame 10 showed the example provided with the terminal part 11 and the terminal part 12, the lead frame may be provided with the 2 or more terminal part. For example, as shown in FIG. 12, three terminal portions are provided, one of which (211) is mounted with an LED element, and the other two (212) are connected to the LED element 2 via bonding wires 2a. May be.

（３）各実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、ＬＥＤ素子２が２つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、２つの端子部のそれぞれの外形は、同等に形成されてもよい。
（４）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。 (3) In each embodiment, the lead frame 10 is a terminal portion 11 that becomes a die pad on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal that becomes a lead side terminal portion connected to the LED element 2 via the bonding wire 2a. Although the example comprised from the part 12 was demonstrated, it is not limited to this. For example, the LED element 2 may be placed and connected so as to straddle two terminal portions. In this case, the outer shapes of the two terminal portions may be formed equally.
(4) In each embodiment, although the lead frame 10 showed the example used for the optical semiconductor device 1 which connects optical semiconductor elements, such as the LED element 2, the semiconductor device using semiconductor elements other than an optical semiconductor element was shown. Can also be used.

１、２０１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０ リードフレーム
１１ 端子部
１２ 端子部
１３ 連結部
２０、２２０ 光反射樹脂層
２０ａ リフレクタ
３０ 透明樹脂層
Ｆ 枠体
Ｍ 凹部
ＭＳ リードフレームの多面付け体
Ｒ 樹脂付きリードフレームの多面付け体
Ｓ 空隙部
Ｔ 空間部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,201 Optical semiconductor device 2 LED element 10 Lead frame 11 Terminal part 12 Terminal part 13 Connection part 20,220 Light reflection resin layer 20a Reflector 30 Transparent resin layer F Frame body M Concave part MS Multi-sided body of lead frame R Lead with resin Multifaceted body of frame S Air gap T Space

Claims (11)

複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子と接続される光半導体装置に用いられるリードフレームが枠体に多面付けされたリードフレームの多面付け体と、
前記リードフレームの外周及び前記端子部間に形成され、また、前記リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に突出して形成される樹脂層とを備え、
前記樹脂層は、前記リードフレームの前記光半導体素子が接続される側とは反対側の面において、前記各リードフレーム間に空間部を有すること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 A lead frame multi-faced body in which a lead frame used in an optical semiconductor device having a plurality of terminal parts and at least one of the terminal parts is connected to an optical semiconductor element;
A resin layer formed between the outer periphery of the lead frame and the terminal portion, and protruding from a surface of the lead frame to which the optical semiconductor element is connected;
The resin layer has a space portion between the lead frames on the surface of the lead frame opposite to the side to which the optical semiconductor element is connected;
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項１に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記空間部は、前記リードフレームの多面付け体の長手方向に隣接する前記各リードフレーム間に形成されること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 In the multi-faced body of the lead frame with resin according to claim 1,
The space is formed between the lead frames adjacent to each other in the longitudinal direction of the multifaceted body of the lead frame;
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項１又は請求項２に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記空間部は、前記枠体と、前記枠体に隣接するリードフレームとの間に形成されること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 In the multi-faced body of the lead frame with resin according to claim 1 or 2,
The space is formed between the frame and a lead frame adjacent to the frame;
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記空間部は、前記光半導体装置の外形よりも外側に形成されること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 In the multi-sided body of the lead frame with a resin according to any one of claims 1 to 3,
The space is formed outside the outer shape of the optical semiconductor device;
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記空間部は、その幅寸法が、前記リードフレームの外形と、隣接する前記リードフレームの外形との間隔よりも広く形成されていること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 In the multi-sided body of the lead frame with a resin according to any one of claims 1 to 3,
The space portion is formed such that its width dimension is wider than the interval between the outer shape of the lead frame and the outer shape of the adjacent lead frame,
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記空間部は、前記リードフレームの前記光半導体素子が接続される側とは反対側の面における幅が、前記空間部の底面の幅よりも広く形成されていること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 In the multi-faced body of the lead frame with a resin according to any one of claims 1 to 5,
The space is formed such that a width of a surface of the lead frame opposite to a side to which the optical semiconductor element is connected is wider than a width of a bottom surface of the space.
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記リードフレームの多面付け体は、前記各リードフレームを互いに連結する連結部を有し、
前記空間部は、前記連結部を避けるようにして形成されること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 In the multi-faced body of the lead frame with resin according to any one of claims 1 to 6,
The multi-faceted body of the lead frame has a connecting portion for connecting the lead frames to each other,
The space portion is formed so as to avoid the connecting portion;
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体と、
前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
を特徴とする光半導体装置の多面付け体。 A multi-faced body of a lead frame with resin according to any one of claims 1 to 7,
An optical semiconductor element connected to at least one of the terminal portions of each lead frame of the multi-faced body of the resin-attached lead frame;
A transparent resin layer that is formed on a surface to which the optical semiconductor element is connected of the multifaceted body of the lead frame with resin, and covers the optical semiconductor element;
A multifaceted body of an optical semiconductor device characterized by the above. 請求項５に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体が前記光半導体装置の外形で切断され個片化されたこと、
を特徴とする樹脂付きリードフレーム。 The multi-faced body of the lead frame with a resin according to claim 5 is cut and separated into pieces by the outer shape of the optical semiconductor device,
Lead frame with resin. 複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子と接続される光半導体装置に用いられるリードフレームと、
前記リードフレームの外周及び前記端子部間に形成され、また、前記リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に突出して形成される樹脂層とを備え、
前記樹脂層は、その外周側面から落ち込んだ空間部を有すること、
を特徴とする樹脂付きリードフレーム。 A lead frame used in an optical semiconductor device having a plurality of terminal portions, wherein at least one of the terminal portions is connected to an optical semiconductor element;
A resin layer formed between the outer periphery of the lead frame and the terminal portion, and protruding from a surface of the lead frame to which the optical semiconductor element is connected;
The resin layer has a space part that has fallen from the outer peripheral side surface thereof,
Lead frame with resin. 請求項９又は請求項１０に記載の樹脂付きリードフレームと、
前記樹脂付きリードフレームの前記各リードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
前記樹脂付きリードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
を特徴とする光半導体装置。 A lead frame with a resin according to claim 9 or 10, and
An optical semiconductor element connected to at least one of the terminal portions of each lead frame of the lead frame with resin;
A transparent resin layer formed on a surface of the lead frame with resin to which the optical semiconductor element is connected, and covering the optical semiconductor element;
An optical semiconductor device.
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