JP6197297B2 - Lead frame, lead frame with resin, multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device - Google Patents
Lead frame, lead frame with resin, multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP6197297B2 JP6197297B2 JP2013015891A JP2013015891A JP6197297B2 JP 6197297 B2 JP6197297 B2 JP 6197297B2 JP 2013015891 A JP2013015891 A JP 2013015891A JP 2013015891 A JP2013015891 A JP 2013015891A JP 6197297 B2 JP6197297 B2 JP 6197297B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- terminal
- optical semiconductor
- resin
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置用のリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体に関するものである。 The present invention relates to a lead frame for an optical semiconductor device on which an optical semiconductor element is mounted, a lead frame with resin, a multi-sided body of a lead frame, a multi-sided body of a lead frame with resin, an optical semiconductor device, and a multi-sided body of an optical semiconductor device. It is about.
従来、LED素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され、樹脂層で覆われた2つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた(例えば、特許文献1)。
このような光半導体装置は、リードフレームの各端子部の表面に光半導体素子が接続され、各端子部の裏面が外部機器と接続される外部端子面となっている。また、このような光半導体装置の中には、光半導体素子が実装される端子部と、ボンディングワイヤを介して光半導体素子が接続されるリード側端子部とで構成されるものがある。
ここで、光半導体素子が実装される端子部の外部端子面は、光半導体素子が実装される関係上、リード側端子部よりも広く形成されており、両者の外部端子面の面積には差異がある。この差異は、光半導体装置を外部機器に対して半田を溶着させて実装する場合に、各端子面の半田の表面張力の差によって、光半導体装置が狭い端子面側から広い端子面側に向かって引っぱられてしまう現象を生じさせてしまう場合があった。この現象により、光半導体装置は、外部機器に対して正確に位置を定めることができなかったり、外部機器に対して傾いたり、斜めになって起き上がってしまったりしてしまい、光半導体素子を半田によって適正に外部機器に対して実装することができない場合があった。
2. Description of the Related Art Conventionally, an optical semiconductor element such as an LED element is fixed to a lead frame having two terminal portions that are electrically insulated and covered with a resin layer, and its periphery is covered with a transparent resin layer. (For example, patent document 1).
In such an optical semiconductor device, an optical semiconductor element is connected to the surface of each terminal portion of the lead frame, and the back surface of each terminal portion is an external terminal surface connected to an external device. Some of these optical semiconductor devices include a terminal portion on which an optical semiconductor element is mounted and a lead-side terminal portion to which the optical semiconductor element is connected via a bonding wire.
Here, the external terminal surface of the terminal portion on which the optical semiconductor element is mounted is formed wider than the lead-side terminal portion because of the mounting of the optical semiconductor element, and there is a difference in the area of both external terminal surfaces. There is. This difference is that when the optical semiconductor device is mounted by welding solder to an external device, the optical semiconductor device moves from the narrow terminal surface side to the wide terminal surface side due to the difference in the surface tension of the solder on each terminal surface. In some cases, this causes a phenomenon of being pulled. Due to this phenomenon, the optical semiconductor device cannot be accurately positioned with respect to the external device, tilted with respect to the external device, or risen at an angle, and the optical semiconductor element is soldered. In some cases, it could not be properly mounted on an external device.
本発明の課題は、光半導体装置を半田によって適正に外部機器に実装することができるリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体を提供することである。 An object of the present invention is to provide a lead frame, a lead frame with a resin, a multi-sided body of a lead frame, a multi-sided body of a lead frame with a resin, an optical semiconductor device, an optical semiconductor device that can be appropriately mounted on an external device by soldering, It is to provide a multifaceted body of an optical semiconductor device.
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。 The present invention solves the above problems by the following means. In addition, in order to make an understanding easy, although the code | symbol corresponding to embodiment of this invention is attached | subjected and demonstrated, it is not limited to this. In addition, the configuration described with reference numerals may be improved as appropriate, or at least a part thereof may be replaced with another configuration.
第1の発明は、裏面に外部機器と接続される外部端子面を有する複数の端子部(11、12)を備え、前記端子部のうち少なくとも1つの表面に光半導体素子(2)が接続される光半導体装置(1)に用いられるリードフレーム(10)において、前記端子部のうち少なくとも1つは、その裏面に溝部(D)を備え、前記外部端子面が複数に分割されていること、を特徴とするリードフレームである。
第2の発明は、第1の発明のリードフレーム(10)において、前記溝部(D)は、複数の前記端子部(11、12)のうち少なくとも前記外部端子面が他の端子部の前記外部端子面よりも広い端子部に対して設けられること、を特徴とするリードフレームである。
第3の発明は、第2の発明のリードフレーム(10)において、前記溝部(D)によって分割された前記外部端子面(11b)のうち少なくとも1つの外形は、前記他の端子部(12)の前記外部端子面(12b)の外形と同等に形成されること、を特徴とするリードフレームである。
第4の発明は、第1の発明から第3の発明までのいずれかのリードフレーム(10)において、前記溝部(D)によって分割された前記外部端子面(11b)は、それぞれの外形が同等の大きさに形成されること、を特徴とするリードフレームである。
1st invention is equipped with the several terminal part (11, 12) which has an external terminal surface connected with an external apparatus in a back surface, and an optical semiconductor element (2) is connected to at least one surface among the said terminal parts. In the lead frame (10) used in the optical semiconductor device (1), at least one of the terminal portions includes a groove (D) on the back surface thereof, and the external terminal surface is divided into a plurality of portions. Is a lead frame characterized by
According to a second aspect of the present invention, in the lead frame (10) according to the first aspect, the groove (D) includes at least the external terminal surface of the plurality of terminal portions (11, 12). The lead frame is provided for a terminal portion wider than the terminal surface.
According to a third aspect of the present invention, in the lead frame (10) of the second aspect, at least one outer shape of the external terminal surface (11b) divided by the groove (D) is the other terminal portion (12). The lead frame is formed to have the same outer shape as the external terminal surface (12b).
According to a fourth invention, in the lead frame (10) from the first invention to the third invention, the external terminal surface (11b) divided by the groove (D) has the same outer shape. The lead frame is characterized in that it is formed in a size of.
第5の発明は、第1の発明から第4の発明までのいずれかのリードフレーム(10)と、前記リードフレームの前記端子部(11、12)の外周及び前記溝部(D)に形成され、また、前記リードフレームの前記光半導体素子(2)が接続される側の面に突出して形成される樹脂層(20)とを備えること、を特徴とする樹脂付きリードフレームである。 The fifth invention is formed in any one of the lead frame (10) from the first invention to the fourth invention, the outer periphery of the terminal portion (11, 12) of the lead frame, and the groove portion (D). And a resin layer (20) formed to project from a surface of the lead frame on a side to which the optical semiconductor element (2) is connected.
第6の発明は、第1の発明から第4の発明までのいずれかのリードフレーム(10)が枠体(F)に多面付けされていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体(R)である。 According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a lead frame multi-faced body characterized in that any one of the lead frames (10) from the first aspect to the fourth aspect of the invention is multi-faced to the frame body (F). R).
第7の発明は、第5の発明の樹脂付きリードフレームが多面付けされていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)である。 The seventh aspect of the present invention is a multi-faced body (R) for a lead frame with resin, wherein the lead frame with resin of the fifth aspect is multi-faced.
第8の発明は、第5の発明の樹脂付きリードフレームと、前記樹脂付きリードフレームの前記端子部(11、12)のうち少なくとも一つの表面に接続される光半導体素子(2)と、前記樹脂付きリードフレームの表面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層(30)とを備えること、を特徴とする光半導体装置(1)である。 The eighth invention is the lead frame with resin of the fifth invention, the optical semiconductor element (2) connected to at least one surface of the terminal portions (11, 12) of the lead frame with resin, An optical semiconductor device (1) comprising: a transparent resin layer (30) formed on a surface of a lead frame with resin and covering the optical semiconductor element.
第9の発明は、第8の発明の光半導体装置(1)が多面付けされていること、を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。 A ninth aspect of the invention is a multi-faced body of an optical semiconductor device characterized in that the optical semiconductor device (1) of the eighth aspect is multi-faced.
本発明によれば、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体は、半田によって適正に外部機器に実装することができる。 According to the present invention, a lead frame, a lead frame with a resin, a multi-sided body of a lead frame, a multi-sided body of a lead frame with a resin, an optical semiconductor device, and a multi-sided body of an optical semiconductor device are appropriately attached to external devices by soldering. Can be implemented.
(第1実施形態)
以下、図面等を参照して、本発明の第1実施形態について説明する。
図1は、第1実施形態の光半導体装置1の全体構成を示す図である。
図1(a)は、光半導体装置1の平面図を示し、図1(b)は、光半導体装置1の側面図を示し、図1(c)は、光半導体装置1の裏面図を示す。
図2は、第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSを示す図である。
図3は、第1実施形態のリードフレーム10の詳細を説明する図である。
図3(a)、図3(b)は、それぞれリードフレーム10の平面図、裏面図を示し、図3(c)、図3(d)は、それぞれ図3(a)のc−c断面図、d−d断面図を示す。
図4は、第1実施形態の光反射樹脂層20が形成された樹脂付きリードフレームの詳細を説明する図である。
図4(a)、図4(b)は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図、裏面図を示し、図4(c)、図4(d)は、それぞれ図4(a)のc−c断面図と、d−d断面図を示す。
各図において、光半導体装置1の平面図における左右方向をX方向、上下方向をY方向、厚み方向をZ方向とする。
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings and the like.
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an
FIG. 1A shows a plan view of the
FIG. 2 is a view showing the multi-faced body MS of the lead frame of the first embodiment.
FIG. 3 is a diagram for explaining the details of the
3A and 3B are a plan view and a back view, respectively, of the
FIG. 4 is a diagram for explaining details of the lead frame with resin on which the light reflecting
4 (a) and 4 (b) respectively show a plan view and a back view of the multi-faced body R of the lead frame with resin, and FIGS. 4 (c) and 4 (d) respectively show FIG. The cc sectional view of a) and the dd sectional view are shown.
In each figure, the horizontal direction in the plan view of the
光半導体装置1は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したLED素子2が発光する照明装置である。光半導体装置1は、図1に示すように、LED素子2(光半導体素子)、リードフレーム10、光反射樹脂層20(樹脂層)、透明樹脂層30を備える。
光半導体装置1は、多面付けされたリードフレーム10(リードフレームの多面付け体MS、図2参照)に光反射樹脂層20を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体R(図4参照)を作製し、LED素子2を電気的に接続し、透明樹脂層30を形成して、パッケージ単位に切断(ダイシング)することによって製造される(詳細は後述する)。
LED素子2は、発光層として一般に用いられるLED(発光ダイオード)の素子であり、例えば、GaP、GaAs、GaAlAs、GaAsP、AlInGaP等の化合物半導体単結晶、又は、InGaN等の各種GaN系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
The
In the
The
リードフレーム10は、一対の端子部、すなわち、LED素子2が載置、接続される端子部11と、ボンディングワイヤ2aを介してLED素子2に接続される端子部12とから構成される。
端子部11、12は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、42合金(Ni40.5%〜43%のFe合金)等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部11、12は、図3に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Sが形成されており、電気的に独立している。端子部11、12は、1枚の金属基板(銅版)をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。
The
Each of the
As shown in FIG. 3, the
端子部11は、図1に示すように、その表面にLED素子2が載置、接続されるLED端子面11aが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面11bが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部11は、LED素子2が載置されるため、端子部12に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部12は、その表面にLED素子2のボンディングワイヤ2aが接続されるLED端子面12aが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面12bが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部11、12は、その表面及び裏面にめっき層Cが形成されており(図5(e)参照)、表面側のめっき層Cは、LED素子2の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Cは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。
As shown in FIG. 1, the
The
As for the
端子部11には、図3に示すように、裏面に溝部Dが形成されており、裏面の外部端子面が均等に3つに分割され外部端子面11bを形成している。
溝部Dは、上下方向Y(端子部11、12の配列方向に直交する方向)に沿って2本設けられており、その溝の深さは、端子部11、12の厚みの1/3〜2/3程度に形成されている。溝Dによって分割された各外部端子面11bは、端子部12の外部端子面12bの外形とほぼ同等に形成される。
As shown in FIG. 3, the
Two groove portions D are provided along the vertical direction Y (a direction orthogonal to the arrangement direction of the
ここで、端子部11に溝部Dが形成されていない場合、端子部11は、その裏面に設けられた凹部M(後述する)の内側の全領域が外部端子面となるため、その外部端子面は、端子部12の外部端子面12bに比べて広くなり、両者の外部端子面の面積には差異がある。この差異は、光半導体装置を外部機器に対して半田を溶着させて実装する場合に、各端子面の半田の表面張力の差によって、光半導体装置が狭い端子面側から広い端子面側に向かって引っぱられてしまう現象を生じさせてしまう場合があった。この現象により、光半導体装置は、外部機器に対して正確に位置を定めることができなかったり、外部機器に対して傾いたり、斜めになって起き上がってしまったりしてしまい、適正に外部機器に実装することができない場合があった。
そのため、本実施形態のリードフレーム10は、端子部11の裏面を溝Dによって分割して外部端子面11bとし、そのそれぞれの外形が端子部12の外部端子面12bの外形と同等になるように形成されている。そのため、外部端子面の広さの差異により生じる表面張力の差を低減させることができ、光半導体装置1を外部機器に適正に実装することができる。
Here, when the groove part D is not formed in the
Therefore, in the
また、リードフレーム10は、端子部11の外部端子面を溝部Dにより分割することによって、光半導体装置1と外部機器とを接続する半田内に発生するボイドを抑制する。
これは、通常、各端子部の外部端子面を接続させる外部機器の接続パッド部には、半田クリームが予め塗布されており、その半田クリームを加熱溶融させて、又は、加熱溶融させながら光半導体素子1を外部機器に実装している。この半田クリームは、加熱溶融の際に、半田クリームに含まれるヤニ(フラックス)から気泡を発生するが、端子面の面積が広い場合、発生する気泡が多くなり、気泡が抜けるのに時間を要し、また、気泡が抜ける前に半田が硬化するとボイドの発生の要因となり、光半導体装置と外部機器との溶着不良の原因となる場合がある。
そのため、本実施形態では、端子部11のように広い外部端子面に対しては、溝部Dにより分割して狭い外部端子面11bを形成しているので、上記気泡の発生量を低減するとともに、硬化した半田にボイドが生じてしまうのを抑制することができる。これにより、外部端子面を分割しない場合に比べ、リードフレーム10は、光半導体装置と外部機器との溶着不良を回避することができる。
Further, the
This is because solder cream is usually applied to the connection pad portion of an external device that connects the external terminal surfaces of each terminal portion, and the optical semiconductor is heated and melted while the solder cream is heated and melted.
For this reason, in the present embodiment, a wide external terminal surface such as the
また、端子部11、12は、図3に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる凹部Mが設けられている。
凹部Mは、リードフレーム10の裏面側から見て、各端子部11、12の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部11、12の厚みの1/3〜2/3程度に形成されている。
リードフレーム10は、端子部11、12の周囲や、端子部11、12間の空隙部S等に、光反射樹脂層20を形成する樹脂が充填される場合に、図4に示すように、凹部Mや、上述の溝部Dにも樹脂が充填され、光反射樹脂層20と各端子部11、12との接触面積を大きくしている。また、厚み(Z)方向において、リードフレーム10と光反射樹脂層20とを交互に構成することができる。これにより、凹部M及び溝部Dは、光反射樹脂層20が、平面方向(X方向、Y方向)及び厚み方向において、リードフレーム10から剥離してしまうのを抑制することができる。
Moreover, as shown in FIG. 3, the
The recess M is a recess formed in the outer peripheral portion of each of the
As shown in FIG. 4, when the
連結部13は、枠体F内に多面付けされた各リードフレーム10の端子部11、12を、隣接する他のリードフレーム10の端子部や、枠体Fに連結している。連結部13は、多面付けされた各リードフレーム10上にLED素子2等が搭載され、光半導体装置1の多面付け体(図6参照)が形成された場合に、リードフレーム10を形成する外形線(図3(a)及び図3(b)中の破線)でダイシング(切断)される。
連結部13は、端子部11、12を形成する各辺のうち、同一リードフレーム10内の端子部11と端子部12とが対向する辺を除いた辺に形成されている。
The connecting
The connecting
具体的には、連結部13aは、図2に示すように、端子部12の右(+X)側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の左(−X)側の辺とを接続し、また、端子部11の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の右側の辺とを接続している。枠体Fに隣接する端子部11、12に対しては、連結部13aは、端子部11の左側の辺又は端子部12の右側の辺と、枠体Fとを接続している。
Specifically, as shown in FIG. 2, the connecting
連結部13bは、端子部11の上(+Y)側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の下(−Y)側の辺とを接続し、また、端子部11の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の上側の辺とを接続する。枠体Fに隣接する端子部11に対しては、連結部13bは、端子部11の上側又は下側の辺と、枠体Fとを接続している。
連結部13cは、端子部12の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の下側の辺とを接続し、また、端子部12の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の上側の辺とを接続する。枠体Fに隣接する端子部12に対しては、連結部13cは、端子部12の上側又は下側の辺と、枠体Fとを接続している。
The connecting
The connecting
連結部13d(補強部)は、端子部11及び端子部12間の空隙部Sの延長上を横切るようにして形成される。ここで、空隙部Sの延長上とは、空隙部Sを上下(Y)方向に延長させた領域をいう。本実施形態では、連結部13dは、一の端子部(12、11)と、その端子部の空隙部Sを挟んだ対向する側に位置し、上又は下に隣接する他のリードフレームの端子部(11、12)とを連結するために、端子部11の上側の辺及び端子部12の下側の辺に対して、傾斜(例えば、45度)した形状に形成される。
具体的には、連結部13dは、端子部12の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の下側の辺とを接続し、また、端子部11の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の上側の辺とを接続する。また、枠体Fに隣接する端子部11、12に対しては、連結部13dは、端子部12の上側の辺又は端子部11の下側の辺と、枠体Fとを接続している。
The connecting
Specifically, the connecting
連結部13dが設けられることによって、リードフレームの多面付け体MSは、光反射樹脂層20を形成する工程において、端子部11と端子部12との間隔がずれたり、各端子部11、12が枠体Fに対して捩れたりするのを抑制することができる。また、連結部13dは、光半導体装置1の空隙部Sの強度を向上させることができ、空隙部Sにおいて破損してしまうのを抑制することができる。
By providing the connecting
なお、端子部11、12は、連結部13によって、隣り合う他のリードフレーム10の端子部11、12と電気的に導通されるが、光半導体装置1の多面付け体を形成した後に、光半導体装置1(リードフレーム10)の外形(図2中の破線)に合わせて各連結部13を切断(ダイシング等)することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。
The
連結部13は、図3(b)、図3(c)に示すように、端子部11、12の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部11、12の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部13は、その裏面が、各端子部11、12の凹部Mの底面(窪んだ部分)と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層20の樹脂が充填された場合に、図4(b)、図4(c)に示すように、連結部13の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層20がリードフレーム10から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層20が形成されたリードフレーム10の裏面には、図4(b)に示すように、矩形状の外部端子面11b、12bが表出することとなり、光半導体装置1の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置1の面内(XY平面内)の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。
As shown in FIGS. 3B and 3C, the connecting
Further, as shown in FIG. 4B, rectangular external terminal surfaces 11 b and 12 b are exposed on the back surface of the
光反射樹脂層20は、図4に示すように、各端子部11、12の外周側面(リードフレーム10の外周及び各端子部間の空隙部S)と、各端子部に設けられた凹部Mと、端子部11に設けられた溝部Dと、連結部13の裏面とに充填された樹脂の層である。
また、光反射樹脂層20には、リードフレーム10の表面(LED素子2が載置される側の面)に、LED素子2から発光する光の方向等を制御するリフレクタ20aが形成されている。リフレクタ20aは、端子部11、12のLED端子面11a、12aを囲むようにして、リードフレーム10の表面側に突出しており、LED端子面11aに接続されるLED素子2から発光する光を反射させて、光半導体装置1から光を効率よく照射させる。リフレクタ20aは、その厚み(高さ)寸法が、LED端子面11aに接続されるLED素子2の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。
なお、光反射樹脂層20の裏面は、端子部11、12の外部端子面11b、12bと略同一平面を形成する。これにより、光半導体装置1の製造過程において、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、その裏面が平坦となるので、特殊な固定治具を必要とすることなく、搬送装置等に載置することができる。
As shown in FIG. 4, the light reflecting
The light reflecting
The back surface of the light reflecting
ここで、リードフレーム10は銅などの金属により形成され、光反射樹脂層20は熱硬化性樹脂等の樹脂により形成され、また、両者の材料の線膨張率には差がある。リードフレーム10は、上述したように表面側にリフレクタ20aが形成されることから裏面側に比べ表面側に樹脂が多く形成される。そのため、仮に、溝部Dが形成されていない場合、この樹脂の硬化過程において、上記線膨張率の差によって樹脂付きリードフレーム(光反射樹脂層20が形成されたリードフレーム)に反りが発生してしまうこととなる。
Here, the
上記反りの発生を抑制するために、光反射樹脂層20の樹脂中に特定のフィラー(粉末)を含有させて線膨張率を、リードフレーム10の金属に近づけることも可能である。しかし、光反射樹脂層20の光反射特性を維持するために、フィラーの含有量は制限されてしまい、樹脂の線膨張率を十分に金属に近づけられない場合がある。また、樹脂に熱可塑性樹脂を使用した場合は、線膨張率の調整自体をすることができない。
そのため、本実施形態では、端子部11の裏面に溝部Dを設け、その溝部Dにも光反射樹脂層20を形成させることによって、リードフレーム10の表面及び裏面に形成される樹脂の量を均等または略均等にする。これにより、本実施形態の樹脂付きリードフレームは、樹脂の硬化過程において、上述の反りが発生してしまうのを抑制することができる。
In order to suppress the occurrence of the warp, a specific filler (powder) may be included in the resin of the light reflecting
Therefore, in this embodiment, by providing the groove portion D on the back surface of the
光反射樹脂層20は、リードフレーム10に載置されるLED素子2の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層20を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。
The light reflecting
The resin forming the light reflecting
For example, as the thermoplastic resin, polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, polybutylene terephthalate, polyolefin, or the like can be used.
As the thermosetting resin, silicone, epoxy, polyetherimide, polyurethane, polybutylene acrylate, or the like can be used.
Furthermore, the reflectance of light can be increased by adding any of titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum nitride, and boron nitride as a light reflecting material to these resins.
Moreover, after molding a thermoplastic resin such as polyolefin, a so-called electron beam curable resin using a method of crosslinking by irradiation with an electron beam may be used.
透明樹脂層30は、リードフレーム10上に載置されたLED素子2を保護するとともに、発光したLED素子2の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層30は、図1に示すように、光反射樹脂層20のリフレクタ樹脂部20bによって囲まれたLED端子面11a、12a上に形成される。
透明樹脂層30は、光の取り出し効率を向上させるために、LED素子2の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、LED素子2に高輝度LED素子を用いる場合、透明樹脂層30は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。
The
For the
次に、リードフレーム10の製造方法について説明する。
図5は、第1実施形態のリードフレーム10の製造過程を説明する図である。
図5(a)は、レジストパターンを形成した金属基板100を示す平面図と、その平面図のa−a断面図とを示す。図5(b)は、エッチング加工されている金属基板100を示す図である。図5(c)は、エッチング加工後の金属基板100を示す図である。図5(d)は、レジストパターンが除去された金属基板100を示す図である。図5(e)は、めっき処理が施された金属基板100を示す図である。
なお、図5においては、1枚のリードフレーム10の製造過程について図示するが、実際には、1枚の金属基板100からリードフレームの多面付け体MSが製造される。
Next, a method for manufacturing the
FIG. 5 is a diagram for explaining the manufacturing process of the
FIG. 5A shows a plan view showing a
In FIG. 5, the manufacturing process of one
リードフレーム10の製造において、金属基板100を加工してリードフレーム10を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム10の製造方法について説明する。
In the manufacture of the
まず、平板状の金属基板100を用意し、図5(a)に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン40a、40bを形成する。なお、レジストパターン40a、40bの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図5(b)に示すように、レジストパターン40a、40bを耐エッチング膜として、金属基板100に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板100の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板100として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板100の両面からスプレーエッチングすることができる。
First, a
Next, as shown in FIG. 5B, the
ここで、リードフレーム10には、端子部11、12の外周部や、各端子部11、12間の空隙部Sのように貫通した空間と、凹部Mや、溝部D、連結部13の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する(図3参照)。本実施形態では、金属基板100の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板100の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板100の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板100には、図5(c)に示すように、凹部Mや、溝部Dが形成された端子部11、12が形成され、金属基板100上にリードフレーム10が形成される。
Here, in the
As shown in FIG. 5C,
次に、図5(d)に示すように、金属基板100(リードフレーム10)からレジストパターン40を除去する。
そして、図5(e)に示すように、リードフレーム10が形成された金属基板100にめっき処理を行い、端子部11、12にめっき層Cを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Cを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Cを形成してもよい。
以上により、リードフレーム10は、図2及び図3に示すように、枠体Fに多面付けされた状態で製造される。なお、図2及び図3において、めっき層Cは省略されている。
Next, as shown in FIG. 5D, the resist pattern 40 is removed from the metal substrate 100 (lead frame 10).
Then, as shown in FIG. 5 (e), the
In addition, before forming the plating layer C, for example, an electrolytic degreasing process, a pickling process, and a copper strike process may be selected as appropriate, and then the plating layer C may be formed through an electrolytic plating process.
As described above, the
次に、光半導体装置1の製造方法について説明する。
図6は、第1実施形態の樹脂付きフレームの多面付け体及び光半導体装置の多面付け体を示す図である。
図7は、第1実施形態の光半導体装置1の製造過程を説明する図である。
図7(a)は、光反射樹脂層20が形成されたリードフレーム10の断面図であり、図7(b)は、LED素子2が電気的に接続されたリードフレーム10の断面図を示す。図7(c)は、透明樹脂層30が形成されたリードフレーム10の断面図を示す。図7(d)は、ダイシングにより個片化された光半導体装置1の断面図を示す。
なお、図7においては、1枚のリードフレーム10から1個の光半導体装置1の製造過程について図示するが、実際には、1枚のリードフレームの多面付け体MSから複数の光半導体装置1が製造されるものとする。また、図7(a)〜(d)は、それぞれ図5(a)の断面図に基づくものである。
Next, a method for manufacturing the
FIG. 6 is a diagram illustrating a multi-faceted body of a frame with resin and a multi-faceted body of an optical semiconductor device according to the first embodiment.
FIG. 7 is a diagram illustrating a manufacturing process of the
7A is a cross-sectional view of the
In FIG. 7, the manufacturing process of one
図7(a)に示すように、金属基板100上にエッチング加工により形成されたリードフレーム10の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層20を形成する。光反射樹脂層20は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形(射出成形)のように、樹脂成形金型にリードフレーム10(金属基板100)をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム10上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部11、12の外周側から凹部Mや、溝部D、連結部13の裏面へと流れ込み、リードフレーム10と接合する。
また、これと同時に、リフレクタ20aが、リードフレーム10の表面側に突出して、各端子部11、12のLED端子面11a、12aを囲むようにして形成される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、その表面及び裏面に、それぞれ、各端子部11、12のLED端子面11a、12aと、外部端子面11b、12bとが表出した状態となる(図4(a)、図4(b)参照)。
以上により、図6(a)に示すように、多面付けされた樹脂付きリードフレーム(樹脂付きリードフレームの多面付け体R)が作製される。
As shown in FIG. 7A, the light reflecting
At the same time, the
In this way, as shown in FIG. 6A, a multi-sided lead frame with resin (multi-sided surface R of the lead frame with resin) is manufactured.
次に、図7(b)に示すように、端子部11のLED端子面11aに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してLED素子2を載置し、また、端子部12のLED端子面12aに、ボンディングワイヤ2aを介してLED素子2を電気的に接続する。ここで、LED素子2とボンディングワイヤ2aは複数あってもよく、一つのLED素子2に複数のボンディングワイヤ2aが接続されてもよく、ボンディングワイヤ2aをダイパッドに接続させてもよい。また、LED素子2を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ2aは、例えば、金(Au)、銅(Cu)、銀(Ag)等の導電性の良い材料からなる。
Next, as shown in FIG. 7B, the
そして、図7(c)に示すように、リフレクタ樹脂部20bに囲まれたLED素子2を覆うようにして透明樹脂層30を形成する。
透明樹脂層30は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図6(b)に示すような光半導体装置の多面付け体が製造される。
最後に、図7(d)に示すように、光半導体装置1の外形に合わせて、光反射樹脂層20及び透明樹脂層30とともに、リードフレーム10の連結部13を切断(ダイシング、パンチング、カッティング等)して、1パッケージに分離(個片化)された光半導体装置1(図1参照)を得る。
And as shown in FIG.7 (c), the
The
Finally, as shown in FIG. 7D, the connecting
次に、上述の図7(a)におけるリードフレーム10に光反射樹脂層20を形成するトランスファ成形及びインジェクション成形について説明する。
図8は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図8(a)は、金型の構成を説明する図であり、図8(b)〜図8(i)は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成するまでの工程を説明する図である。
図9は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図9(a)〜図9(c)は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図8及び図9において、説明を明確にするために、リードフレーム10の単体に対して光反射樹脂層20が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体MSに対して光反射樹脂層20が形成される。
Next, transfer molding and injection molding for forming the light reflecting
FIG. 8 is a diagram for explaining the outline of transfer molding. FIG. 8A is a diagram for explaining the configuration of the mold, and FIGS. 8B to 8I are diagrams for explaining the steps until the multi-faced body R of the lead frame with resin is completed. It is.
FIG. 9 is a diagram for explaining the outline of injection molding. FIG. 9A to FIG. 9C are diagrams for explaining the process until the multifaceted body R of the lead frame with resin is completed.
8 and 9, for the sake of clarity, a diagram in which the light reflecting
(トランスファ成形)
トランスファ成形は、図8(a)に示すように、上型111及び下型112等から構成される金型110を使用する。
まず、作業者は、上型111及び下型112を加熱した後、図8(b)に示すように、上型111と下型112との間にリードフレームの多面付け体MSを配置するとともに、下型112に設けられたポット部112aに光反射樹脂層20を形成する樹脂を充填する。
そして、図8(c)に示すように、上型111及び下型112を閉じて(型締め)、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図8(d)及び図8(e)に示すように、プランジャー113によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型110内へと充填(トランスファ)させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。
(Transfer molding)
As shown in FIG. 8A, the transfer molding uses a
First, the operator heats the
Then, as shown in FIG. 8C, the
所定の時間の経過後、図8(f)及び図8(g)に示すように、上型111及び下型112を開き、上型111に設けられたイジェクターピン111aにより、上型111から光反射樹脂層20が成形されたリードフレームの多面付け体MSを取り外す。その後、図8(h)に示すように、上型111の流路(ランナー)部等の余分な樹脂部分を、製品となる部分から除去し、図8(i)に示すように、光反射樹脂層20が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成する。
After the elapse of a predetermined time, as shown in FIGS. 8 (f) and 8 (g), the
(インジェクション成形)
インジェクション成形は、図9(a)に示すように、上から順に、ノズルプレート121、スプループレート122、ランナープレート123(上型)、下型124等から構成される金型120を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート123及び下型124間にリードフレームの多面付け体MSを配置して、金型120を閉じる(型締め)。
そして、図9(b)に示すように、ノズル125をノズルプレート121のノズル穴に配置して、光反射樹脂層20を形成する樹脂を金型120内に射出する。ノズル125から射出された樹脂は、スプループレート122のスプルー122aを通過し、ランナープレート123のランナー123a及びゲートスプルー123bを通過した上で、リードフレームの多面付け体MSが配置された金型120内へと充填される。
(Injection molding)
As shown in FIG. 9A, the injection molding uses a
First, the operator arranges the multi-faced body MS of the lead frame between the
Then, as shown in FIG. 9B, the
樹脂が充填されたら所定の時間保持した後に、作業者は、図9(c)に示すように、ランナープレート123を下型124から開き、下型124に設けられたイジェクターピン124aによって、光反射樹脂層20が形成されたリードフレームの多面付け体MSを下型124から取り外す。そして、光反射樹脂層20が形成されたリードフレームの多面付け体MSから余分なバリなどを除去して樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成する。
After the resin is filled and held for a predetermined time, the operator opens the
なお、本実施形態のインジェクション成形の金型120は、樹脂の流路が、一つのスプルーからランナーを介して複数のゲートへと分岐されているので、リードフレームの多面付け体MSに対して、複数個所から均等に樹脂を射出するようにしている。これにより、リードフレームの多面付け体MSの各リードフレーム10に対して、樹脂を適正に充填させることができ、樹脂ムラのない樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを得ることができる。
In the injection molding die 120 of the present embodiment, the resin flow path is branched from a single sprue to a plurality of gates via a runner, so that the multi-faced body MS of the lead frame is Resin is injected evenly from multiple locations. As a result, the resin can be appropriately filled in each
本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
(1)リードフレーム10は、端子部11の裏面に溝部Dを設けているので、端子部11の外部端子面を小さく分割することができ、端子部12の外部端子面12bとの広さの差異により生じる表面張力の差を低減することができる。これにより、光半導体装置1を外部機器に適正に実装することができる。また、端子部11の外部端子面を小さく分割することによって、半田クリームのヤニから発生する気泡の量を低減するとともに、硬化した半田にボイドが生じてしまうのを抑制することができる。
更に、リードフレーム10は、光反射樹脂層20を形成する場合に、溝部Dや凹部Mにも樹脂が充填されるので、光反射樹脂層20がリードフレーム10から剥離してしまうのを抑制することができる。
(2)リードフレーム10は、端子部11の裏面に溝部Dを設けていることによって、光反射樹脂層20を形成する樹脂が溝部Dにも充填され、その樹脂の成形過程において発生する成形収縮による樹脂付きリードフレームの反りが生じてしまうのを抑制することができる。
また、電子線硬化樹脂を用いた場合、成形加工後の電子線照射による硬化収縮が大きいが、成形時に溝部Dにも光反射樹脂層20の樹脂が充填されているため、成形過程だけでなく、電子線照射による硬化時においての反りの発生も抑制することが可能である。
(3)リードフレーム10は、溝部Dにより均等に3つに分割された外部端子面11bが、端子部12の外部端子面12bと外形がほぼ同等に形成されているので、外部端子面の広さの差異により生じる半田の表面張力の差を低減させ、光半導体装置1を外部機器に適正に実装することができる。
The invention of this embodiment has the following effects.
(1) Since the
Further, when the light reflecting
(2) Since the
In addition, when an electron beam curable resin is used, curing shrinkage due to electron beam irradiation after molding is large, but since the resin of the light reflecting
(3) In the
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
図10は、第2実施形態のリードフレーム210の詳細を説明する図である。図10(a)、図10(b)は、それぞれリードフレーム210の平面図、裏面図を示し、図10(c)、図10(d)は、それぞれ図10(a)のc−c断面図、d−d断面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第1実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 10 is a diagram for explaining the details of the
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.
第2実施形態のリードフレーム210は、端子部211の裏面に形成される溝部Dの形状が、第1実施形態の溝部Dの形状と相違する。
端子部211には、図10に示すように、裏面に溝部Dが形成されており、裏面の外部端子面が均等に4つに分割され外部端子面211bを形成している。
溝部Dは、端子部211の裏面の左右方向X(端子部211、212の配列する方向)の中心線上と、上下方向Y(端子部211、212の配列方向に直交する方向)の中心線上とに設けられた十字状の溝である。
In the
As shown in FIG. 10, the
The groove part D is on the center line in the left-right direction X (direction in which the
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム210は、上述の第1実施形態のリードフレーム10と同様に、溝部Dによって端子部211の外部端子面を小さく分割しているので、端子部212の外部端子面212bとの広さの差異により生じる表面張力の差を低減することができる。これにより、光半導体装置を外部機器に適正に実装することができる。
また、本実施形態のリードフレーム210は、第1実施形態のリードフレーム10と同様に、溝部Dを備えることにより、樹脂の硬化過程において、樹脂付きリードフレームに反りが発生してしまうのを抑制することができる。
更に、本実施形態のリードフレーム210は、溝部Dにより端子部211の外部端子面を4等分し、第1実施形態の端子部11の場合よりも外部端子面を細かく分割する。これにより、光半導体装置1を外部機器に実装する場合において、半田クリームのヤニから発生する気泡の量を更に低減させるとともに、ボイドが生じてしまうのをより効果的に抑制することができる。
With the above configuration, the
In addition, the
Furthermore, the
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
図11は、第3実施形態のリードフレームの多面付け体MS、樹脂つきリードフレームの多面付け体R、光半導体装置301を説明する図である。図11(a)、図11(b)は、それぞれリードフレームの多面付け体MSの平面図、裏面図を示し、図11(c)、図11(d)は、それぞれ樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図、裏面図を示す。図11(e)は、光半導体装置301の平面図、右側面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第1実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 11 is a diagram for explaining the multi-faced body MS of the lead frame, the multi-faceted body R of the lead frame with resin, and the
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.
第3実施形態のリードフレーム310は、端子部311、312の形状が、第1実施形態の端子部11、12の形状と相違する。
リードフレーム310は、図11(a)及び図11(b)に示すように、LED素子2が載置され、接続される端子部311と、ボンディングワイヤ2aを介してLED素子2に接続される端子部312とから構成される。
端子部311は、略L字状に形成され複数(本実施形態では3つ)のLED素子2が載置される端子部である。端子部311は、その裏面において、略L字状の水平部分(X方向に平行な部分)と垂直部分(Y方向に平行な部分)との間に溝部Dが形成されており、この溝部Dによって、裏面の外部端子面が2つに分割され、外部端子面311b−1、外部端子面311b−2を形成している。
In the
As shown in FIGS. 11A and 11B, the
The
外部端子面311b−1は、略L字状の端子部311の垂直部分の裏面に形成された外部機器と接続される端子面である。外部端子面311b−1は、端子部311の裏面おいて、LED端子面311a上に載置されるLED素子2の配置位置に対応する位置に形成されている。
外部端子面311b−2は、略L字状の端子部311の水平部分の裏面に形成された外部機器と接続される端子面であり、その端子面の大きさが端子部312の外部端子面312bと同等の大きさに形成される。
端子部312は、端子部311の周囲に設けられたリード側端子部であり、本実施形態では3つ設けられている。
端子部311及び端子部312の裏面の外周縁と、連結部313の裏面には、厚みの薄くなる凹部Mが設けられている。
The external
The external
The
The outer periphery of the back surface of the
上記構成のリードフレーム310が多面付けされたリードフレームの多面付け体MSに光反射樹脂層320を形成する樹脂が充填されると、リードフレームの多面付け体MSには、図11(c)及び図11(d)に示すように、端子部311、312間だけでなく裏面の凹部Mや溝部Dにも樹脂が充填される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが作製され、その裏面には、外部端子面311b−1及び外部端子面311b−2と、3つの外部端子面312bとが表出する。
本実施形態の光半導体装置301は、図11(e)に示すように、端子部311のLED端子面311aに3つのLED素子2が載置され、接続される。また、LED端子面311aに接続された各LED素子2は、3つの端子部312のLED端子面312aのそれぞれにボンディングワイヤ2aを介して接続される。なお、各LED素子2の発光色は、赤色、緑色、青色であり、光半導体装置301は、白色の光を照射することができる。
When the resin for forming the light-reflecting
In the
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム310は、上述の第1実施形態のリードフレーム10と同様に、溝部Dによって端子部311の外部端子面を小さく分割しているので、端子部312の外部端子面312bとの広さの差異により生じる表面張力の差を低減することができる。これにより、光半導体装置301を外部機器に適正に実装することができる。
With the above configuration, the
本実施形態の樹脂付きリードフレームは、裏面に表出する各外部端子面311b−1、311b−2、312bがそれぞれ、リードフレーム310の外形(図11(d)の破線)の中心線に対して対称に配置され、また、リードフレーム310の外形の中央部を回転軸とした2回回転対称である。そのため、リードフレーム310は、樹脂付きリードフレームの反りを均一化することに加え、外部機器の基板に光半導体装置301を搭載した後、基板に加わる熱ストレスや曲げストレスにより、半田を介して光半導体装置301が引き剥がされようとする応力(剥離応力)が加わった場合に、その応力を均等に分散することができる。これにより、外部機器に実装された後においても光半導体装置301が剥離してしまうという不具合を抑制することができる。
特に、リードフレーム310は、光半導体装置301が細長い外形の形状の場合、その長手方向には大きな応力がかかるため、長手方向に垂直方向(Y方向)な中心線に対して線対称であることが望ましい。また、リードフレーム310が正方形や円状の外形に形成された場合、応力による光半導体装置301への捩れストレスを分散することができる。
In the lead frame with resin of the present embodiment, each of the external terminal surfaces 311b-1, 311b-2, 312b exposed on the back surface is respectively relative to the center line of the outer shape of the lead frame 310 (broken line in FIG. 11D). The
In particular, when the
光半導体装置301の反りや、光半導体装置301の外部機器の基板への実装後の剥離応力は、光半導体装置301の中央部から外周部に向かって大きくなる。そのため、本実施形態のリードフレーム310は、その外形(図11(d)の破線)の中央部には大きい外部端子面311b−1を配置し、応力の大きくなる外周部に向かって小さい外部端子面311b−1及び外部端子面312bを配置している。これにより、リードフレーム310は、光半導体装置301の外周部に向かって大きくなる応力を分散させることができ、外部機器から光半導体装置301が剥離してしまうのを抑制することができる。
The warp of the
本実施形態のリードフレーム310は、LED端子面311aのLED素子2が載置される部分の裏面が外部端子面311b−1となるように、端子部311の裏面が溝部Dによって分割されている。これにより、光半導体装置301は、端子部311のLED素子2からの熱を直接的に外部へ逃すことができ、光半導体装置301への熱ダメージの低減や、光半導体装置301を温度上昇させることなくLED素子2への投入電流の増幅によりLED素子2の輝度を向上させることができる。
また、LED素子2及びそれに導通する外部端子面311b−1が光半導体装置301の中央に配置されているので、光半導体装置301の直下における熱の伝導を均一化することができ、光半導体装置301の放熱性を向上させたり、光半導体装置301からの光を取り出しやすくしたり、光の方向性の制御や、蛍光体で色を変換する場合の色味の均一性を向上させたりすることができる。
In the
In addition, since the
(第4実施形態)
次に、本発明の第4実施形態について説明する。
図12は、第4実施形態のリードフレームの多面付け体MS、樹脂つきリードフレームの多面付け体R、光半導体装置401を説明する図である。図12(a)、図12(b)は、それぞれリードフレームの多面付け体MSの平面図、裏面図を示し、図12(c)、図12(d)は、それぞれ樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図、裏面図を示す。図12(e)は、光半導体装置401の平面図、右側面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第1実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 12 is a diagram for explaining the multi-faced body MS of the lead frame, the multi-faceted body R of the lead frame with resin, and the
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.
第4実施形態のリードフレーム410は、端子部411、412の形状が、第1実施形態の端子部11、12の形状と相違する。
リードフレーム410は、図12(a)及び図12(b)に示すように、LED素子2が載置され、接続される端子部411と、ボンディングワイヤ2aを介してLED素子2に接続される端子部412とから構成される。
端子部411は、略T字状に形成され複数(本実施形態では5つ)のLED素子2が載置される端子部である。端子部411は、その裏面において、略T字状の水平部分(Y方向に平行な部分)と垂直部分(X方向に平行な部分)との間に溝部Dが形成されており、この溝部Dによって、裏面の外部端子面が2つに分割され、外部端子面411b−1、外部端子面411b−2を形成している。
In the
As shown in FIG. 12A and FIG. 12B, the
The
外部端子面411b−1は、略T字状の端子部411の水平部分の裏面に形成された外部機器と接続される端子面である。
外部端子面411b−2は、略T字状の端子部411の垂直部分の裏面に形成された外部機器と接続される端子面であり、その端子面の大きさが端子部412の外部端子面412bと同等の大きさに形成される。
端子部412は、端子部411の周囲に設けられたリード側端子部であり、本実施形態では5つ設けられている。
端子部411及び端子部412の裏面の外周縁と、連結部413の裏面には、厚みの薄くなる凹部Mが設けられている。
The external
The external
The
On the outer peripheral edge of the back surface of the
上記構成のリードフレーム410が多面付けされたリードフレームの多面付け体MSに光反射樹脂層420を形成する樹脂が充填されると、リードフレームの多面付け体MSには、図12(c)及び図12(d)に示すように、端子部411、412間だけでなく裏面の凹部Mや溝部Dにも樹脂が充填される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが作製され、その裏面には、外部端子面411b−1及び外部端子面411b−2と、5つの外部端子面412bとが表出する。
本実施形態の光半導体装置401は、図12(e)に示すように、端子部411のLED端子面411aに5つのLED素子2が載置され、接続される。また、LED端子面511aに接続された各LED素子2は、5つの端子部412のLED端子面412aのそれぞれにボンディングワイヤ2aを介して接続される。なお、各LED素子2の発光色は、赤色、緑色、青色であり、光半導体装置401は、白色の光を照射することができる。
When the resin for forming the light-reflecting
In the
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム410は、上述の第1実施形態のリードフレーム10と同様に、溝部Dによって端子部411の外部端子面を小さく分割しているので、外部端子面412bとの広さの差異により生じる表面張力の差を低減することができる。これにより、光半導体装置401を外部機器に適正に実装することができる。
With the above configuration, in the
本実施形態の樹脂付きリードフレームは、裏面に表出する各外部端子面411b−1、411b−2、412bがそれぞれ、リードフレーム410の外形(図12(d)の破線)の中心線に対して対称に配置され、また、リードフレーム410の外形の中央部を回転軸とした2回回転対称である。そのため、樹脂付きリードフレームの反りを均一化することに加え、外部機器の基板に光半導体装置401を搭載した後、基板に加わる熱ストレスや曲げストレスにより、半田を介して光半導体装置401が引き剥がされようとする応力(剥離応力)が加わった場合に、その応力を均等に分散することができる。これにより、外部機器に実装された後においても光半導体装置401が剥離してしまうという不具合を抑制することができる。
特に、リードフレーム410は、光半導体装置401が細長い外形の形状の場合、その長手方向には大きな応力がかかるため、長手方向に垂直方向(Y方向)な中心線に対して線対称であることが望ましい。また、リードフレーム410が正方形や円状の外形に形成された場合、応力による光半導体装置401への捩れストレスを分散することができる。
In the lead frame with resin of the present embodiment, each of the external terminal surfaces 411b-1, 411b-2, 412b exposed on the back surface is respectively relative to the center line of the outer shape of the lead frame 410 (broken line in FIG. 12D). The
In particular, when the
光半導体装置401の反りや、光半導体装置401の外部機器の基板への実装後の剥離応力は、光半導体装置401の中央部から外周部に向かって大きくなる。そのため、本実施形態のリードフレーム410は、その外形(図12(d)の破線)の中央部には大きい外部端子面411b−1を配置し、応力の大きくなる外周部に向かって小さい外部端子面411b−1及び外部端子面412bを配置している。これにより、リードフレーム410は、光半導体装置401の外周部に向かって大きくなる応力を分散させることができ、外部機器から光半導体装置401が剥離してしまうのを抑制することができる。
The warp of the
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made as in the modifications described later, and these are also included in the present invention. Within the technical scope. In addition, the effects described in the embodiments are merely a list of the most preferable effects resulting from the present invention, and the effects of the present invention are not limited to those described in the embodiments. It should be noted that the above-described embodiment and modifications described later can be used in appropriate combination, but detailed description thereof is omitted.
図13は、本発明の変形形態を示す図である。
(変形形態)
(1)各実施形態において、溝部Dは、LED素子2が載置、接続される端子部11の裏面に形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、端子部12の裏面のみや、端子部11、12の両方に溝部Dを設けるようにしてもよい。
(2)第3実施形態及び第4実施形態において、リードフレーム310に設けられた各外部端子面311b−1、311b−2、312bは、リードフレーム310の外形の中央部を回転軸とした2回回転対称とした例を示しがこれに限定されるものでなく、3回以上の回転対称となるように各外部端子部を配置してもよい。そうすることにより、光半導体装置に加わる剥離応力をより分散することができ、外部機器に実装された後においても光半導体装置が剥離してしまうという不具合を、より効果的に抑制することができる。
(3)第1実施形態及び第2実施形態においては、リードフレーム10は、端子部11及び端子部12を備える例を示したが、リードフレームは、3以上の端子部を備えていてもよい。例えば、図13に示すように、端子部を3つ設け、その1つ(511)にはLED素子2を実装し、他の2つ(512)にはボンディングワイヤ2aを介してLED素子2と接続してもよい。なお、このとき、溝部Dは、各端子部311、312の両方に形成しているが、いずれか一方に形成するようにしてもよい。
FIG. 13 is a diagram showing a modification of the present invention.
(Deformation)
(1) In each embodiment, although the groove part D showed the example formed in the back surface of the
(2) In the third embodiment and the fourth embodiment, each of the external terminal surfaces 311b-1, 311b-2, 312b provided on the
(3) In 1st Embodiment and 2nd Embodiment, although the
(4)各実施形態において、リードフレーム10は、LED素子2を載置、接続するダイパッドとなる端子部11と、LED素子2とボンディングワイヤ2aを介して接続されるリード側端子部となる端子部12とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、LED素子2が2つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。
(5)各実施形態においては、リードフレーム10は、LED素子2等の光半導体素子を接続する光半導体装置1に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。
(4) In each embodiment, the
(5) In each embodiment, although the
1 光半導体装置
2 LED素子
10 リードフレーム
11 端子部
12 端子部
13 連結部
20 光反射樹脂層
20a リフレクタ
30 透明樹脂層
D 溝部
F 枠体
G 集合体
M 凹部
MS リードフレームの多面付け体
R 樹脂付きリードフレームの多面付け体
S 空隙部
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記端子部のうち少なくとも1つは、その裏面に溝部を備え、前記溝部により前記外部端子面が複数に分割されることで1つのLED端子面に対して複数の外部端子面が形成され、
前記外部端子面が複数に分割されるのは、複数の前記端子部のうち少なくとも前記外部端子面が他の端子部の前記外部端子面よりも広い端子部であり、
前記溝部によって分割された前記外部端子面のうち少なくとも1つの外形は、前記他の端子部の前記外部端子面の外形と同等に形成されること、
を特徴とするリードフレーム。 In a lead frame used in an optical semiconductor device having a plurality of terminal portions having an LED terminal surface connected to an optical semiconductor element on the front surface and an external terminal surface connected to an external device on the back surface,
At least one of the terminal portion is provided with a groove on the back surface, a plurality of external terminals face to the external terminal face is divided into a plurality single LED terminal surfaces in Rukoto by the groove portion is formed,
Wherein the external terminal surface is divided into a plurality, Ri least the wider terminal portion der than the external terminal face of the external terminal faces other terminal portions of the plurality of the terminal portions,
At least one outer shape of the external terminal surfaces divided by the groove is formed to be equal to the external terminal surface of the other terminal portion;
Lead frame characterized by.
前記溝部によって分割された前記外部端子面は、それぞれの外形が同等の大きさに形成されること、
を特徴とするリードフレーム。 The lead frame according to claim 1 ,
The external terminal surfaces divided by the groove portions are formed to have the same outer shape.
Lead frame characterized by.
前記リードフレームの前記端子部の外周及び前記溝部に形成され、また、前記リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に突出して形成される樹脂層とを備えること、
を特徴とする樹脂付きリードフレーム。 The lead frame according to claim 1 or 2 ,
A resin layer formed on an outer periphery of the terminal portion of the lead frame and the groove portion, and protruding from a surface of the lead frame to which the optical semiconductor element is connected;
Lead frame with resin.
を特徴とするリードフレームの多面付け体。 The lead frame according to claim 1 or claim 2 is multifaceted to the frame,
Multi-faceted body of lead frame characterized by
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 The lead frame with resin according to claim 3 is multifaceted,
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by
前記樹脂付きリードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つの表面に接続される光半導体素子と、
前記樹脂付きリードフレームの表面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
を特徴とする光半導体装置。 A lead frame with resin according to claim 3 ;
An optical semiconductor element connected to at least one surface of the terminal portion of the lead frame with resin;
A transparent resin layer formed on the surface of the lead frame with resin and covering the optical semiconductor element;
An optical semiconductor device.
を特徴とする光半導体装置の多面付け体。 The optical semiconductor device according to claim 6 is multifaceted,
A multifaceted body of an optical semiconductor device characterized by the above.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013015891A JP6197297B2 (en) | 2013-01-30 | 2013-01-30 | Lead frame, lead frame with resin, multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013015891A JP6197297B2 (en) | 2013-01-30 | 2013-01-30 | Lead frame, lead frame with resin, multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014146763A JP2014146763A (en) | 2014-08-14 |
JP6197297B2 true JP6197297B2 (en) | 2017-09-20 |
Family
ID=51426759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013015891A Expired - Fee Related JP6197297B2 (en) | 2013-01-30 | 2013-01-30 | Lead frame, lead frame with resin, multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6197297B2 (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6398563B2 (en) | 2014-05-29 | 2018-10-03 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device |
WO2016027810A1 (en) * | 2014-08-18 | 2016-02-25 | 大日本印刷株式会社 | Composite manufacturing method, electron beam irradiation rack, electron beam irradiation package, electron beam irradiation method, and method for manufacturing multiple mounted component of lead frame with resin |
JP6206442B2 (en) | 2015-04-30 | 2017-10-04 | 日亜化学工業株式会社 | Package, method for manufacturing the same, and light emitting device |
JP7116303B2 (en) * | 2018-06-25 | 2022-08-10 | 日亜化学工業株式会社 | Package and light emitting device |
US10867894B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-12-15 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Semiconductor element including encapsulated lead frames |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009141455A (en) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Crystal device for surface mounting |
JP2010238833A (en) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Panasonic Corp | Package for optical semiconductor device, and optical semiconductor device |
JP5710128B2 (en) * | 2010-01-19 | 2015-04-30 | 大日本印刷株式会社 | Manufacturing method of lead frame with resin |
JP2012195430A (en) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Sanken Electric Co Ltd | Light emitting diode and method for manufacturing the same |
-
2013
- 2013-01-30 JP JP2013015891A patent/JP6197297B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014146763A (en) | 2014-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6209826B2 (en) | Lead frame, lead frame with resin, multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device | |
JP6115671B2 (en) | Lead frame, lead frame with resin, optical semiconductor device | |
JP6197297B2 (en) | Lead frame, lead frame with resin, multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device | |
JP6167556B2 (en) | Lead frame, lead frame with resin, multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device | |
JP6349648B2 (en) | Lead frame for optical semiconductor device, lead frame for optical semiconductor device with resin, multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device | |
JP2016021561A (en) | Lead frame with resin, multifaceted body having lead frame with resin, optical semiconductor device and multifaceted body of optical semiconductor device | |
JP6171360B2 (en) | Multi-faceted body of lead frame with resin, multi-faced body of optical semiconductor device, lead frame with resin, optical semiconductor device | |
JP5884789B2 (en) | Lead frame, multi-sided body of lead frame, lead frame with resin, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device | |
JP2014138088A (en) | Multiple mounted component of lead frame with resin, and multiple mounted component of optical semiconductor device | |
JP6065599B2 (en) | Multi-faceted body of lead frame, multi-faceted body of lead frame with resin, multi-faceted body of optical semiconductor device | |
JP2017027991A (en) | Lead frame with resin, multifaceted body with resin, optical semiconductor device, multifaceted body of optical semiconductor device, mold for lead frame with resin | |
JP2015038917A (en) | Lead frame, lead frame with resin, multifaceted body of lead frame, multifaceted body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multifaceted body of optical semiconductor device | |
JP6268793B2 (en) | Multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, multi-sided body of optical semiconductor device, lead frame, lead frame with resin, optical semiconductor device | |
JP6264777B2 (en) | Lead frame with resin, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device, manufacturing method of multi-sided body of lead frame with resin, and manufacturing method of optical semiconductor device | |
JP6064649B2 (en) | Multi-faceted body of lead frame with resin, multi-faceted body of optical semiconductor device | |
JP6111683B2 (en) | Multi-faceted body of lead frame with resin, multi-faceted body of optical semiconductor device | |
JP6172253B2 (en) | Lead frame, multi-sided body of lead frame, lead frame with resin, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device | |
JP6201335B2 (en) | Multi-faceted body of lead frame with resin, multi-faceted body of optical semiconductor device | |
JP6311250B2 (en) | Multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, multi-sided body of semiconductor device | |
JP6136345B2 (en) | Multi-faceted body of lead frame with resin, multi-faceted body of optical semiconductor device | |
JP2017076701A (en) | Optical semiconductor device, lead frame with resin, and production method of phosphor layer | |
JP6311240B2 (en) | Multi-faceted body of lead frame with resin, multi-faceted body of semiconductor device | |
JP6375753B2 (en) | Multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, multi-sided body of semiconductor device | |
JP6123200B2 (en) | Lead frame for optical semiconductor device, lead frame for optical semiconductor device with resin, multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device | |
JP2014175388A (en) | Multiple mounted component of lead frame with protective member, multiple mounted component of lead frame with protective member and resin, and multiple mounted component of semiconductor device with protective member |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160726 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170725 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170807 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6197297 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |