JP2014124055A - ゲート駆動回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、接合型電界効果トランジスタと接続されるゲート駆動回路が提供される。実施形態に係るゲート駆動回路は、ドライバと、ブースター回路と、電圧降下防止用抵抗とを具備する。ドライバは、接合型電界効果トランジスタをオン状態またはオフ状態にする信号を出力する。ブースター回路は、接合型電界効果トランジスタのゲート端子とドライバとの間に接続され、第1及び第2のバイポーラトランジスタを有する。電圧降下防止用抵抗は、ブースター回路が有する第1及び第2のバイポーラトランジスタの各々のエミッタ端子及びベース端子間に接続される。
【選択図】図1
Description
まず、図1を参照して、第1の実施形態に係るゲート駆動回路について説明する。図1に示すように、本実施形態に係るゲート駆動回路10は、例えばシリコンカーバイド(SiC)を用いたノーマリオン型の接合型電界効果トランジスタ(以下、ノーマリオン型JFETと表記)20aと接続される。
次に、図2を参照して、第2の実施形態に係るゲート駆動回路について説明する。なお、前述した図1と同様の部分には同一参照符号を付してその詳しい説明を省略する。ここでは、図1と異なる部分について主に述べる。
次に、図3を参照して、第3の実施形態に係るゲート駆動回路について説明する。なお、前述した図1及び図2と同様の部分には同一参照符号を付してその詳しい説明を省略する。ここでは、図1及び図2と異なる部分について主に述べる。
次に、図4を参照して、第4の実施形態に係るゲート駆動回路について説明する。なお、前述した図1と同様の部分には同一参照符号を付してその詳しい説明を省略する。ここでは、図1と異なる部分について主に述べる。
次に、図5を参照して、第5の実施形態に係るゲート駆動回路について説明する。なお、前述した図1と同様の部分には同一参照符号を付してその詳し説明を省略する。ここでは、図1と異なる部分について主に述べる。
Claims (8)
- 接合型電界効果トランジスタと接続されるゲート駆動回路において、
前記接合型電界効果トランジスタをオン状態またはオフ状態にする信号を出力するドライバと、
前記接合型電界効果トランジスタのゲート端子と前記ドライバとの間に接続され、当該ドライバの電流容量を増加させるための第1及び第2のバイポーラトランジスタを有するブースター回路と、
前記ブースター回路が有する第1及び第2のバイポーラトランジスタの各々のエミッタ端子及びベース端子間に接続された電圧降下防止用抵抗と
を具備することを特徴とするゲート駆動回路。 - 前記接合型電界効果トランジスタのゲート端子及びソース端子間に接続されたキャパシタを更に具備することを特徴とする請求項1記載のゲート駆動回路。
- 前記ドライバは、前記接合型電界効果トランジスタのゲート端子に、当該接合型電界効果トランジスタ用の第1のゲート抵抗及び当該第1のゲート抵抗に接続された前記ブースター回路を含む経路と、当該第1のゲート抵抗より抵抗値が低い第2のゲート抵抗及び前記ゲート端子にアノードを接続し、前記第2のゲート抵抗にカソードを接続したゲートオフ用のダイオードの直列接続を含む経路とを介して接続されていることを特徴とする請求項1記載のゲート駆動回路。
- 前記ドライバは、前記接合型電界効果トランジスタのゲート端子に、当該接合型電界効果トランジスタ用のゲート抵抗及び当該ゲート抵抗に接続された前記ブースター回路を含む経路と、当該経路とは異なる低インピーダンス経路を介して接続されていることを特徴とする請求項1記載のゲート駆動回路。
- 前記電圧降下防止用抵抗の抵抗値は、前記接合型電界効果トランジスタがオン状態またはオフ状態である場合における前記ブースター回路が有する第1及び第2のバイポーラトランジスタのベース・エミッタ間の電圧値に応じて定められることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のゲート駆動回路。
- 接合型電界効果トランジスタと接続されるゲート駆動回路において、
前記接合型電界効果トランジスタをオン状態またはオフ状態にする信号を出力するドライバと、
前記接合型電界効果トランジスタのゲート端子と前記ドライバとの間に接続された、当該ドライバの電流容量を増加させるためのブースター回路と、
前記接合型電界効果トランジスタのゲート端子及びソース端子間に接続されたキャパシタと
を具備することを特徴とするゲート駆動回路。 - 接合型電界効果トランジスタと接続されるゲート駆動回路において、
前記接合型電界効果トランジスタをオン状態またはオフ状態にする信号を出力するドライバと、
前記接合型電界効果トランジスタのゲート端子と前記ドライバとの間に接続された、当該ドライバの電流容量を増加させるためのブースター回路と
を具備し、
前記ドライバは、前記接合型電界効果トランジスタのゲート端子に、当該接合型電界効果トランジスタ用の第1のゲート抵抗及び当該第1のゲート抵抗に接続された前記ブースター回路を含む経路と、当該第1のゲート抵抗より抵抗値が低い第2のゲート抵抗及び前記ゲート端子にアノードを接続し、前記第2のゲート抵抗にカソードを接続したゲートオフ用のダイオードの直列接続を含む経路とを介して接続されている
ことを特徴とするゲート駆動回路。 - 接合型電界効果トランジスタと接続されるゲート駆動回路において、
前記接合型電界効果トランジスタをオン状態またはオフ状態にする信号を出力するドライバと、
前記接合型電界効果トランジスタのゲート端子と前記ドライバとの間に接続された、当該ドライバの電流容量を増加させるためのブースター回路と
を具備し、
前記ドライバは、前記接合型電界効果トランジスタのゲート端子に、当該接合型電界効果トランジスタ用のゲート抵抗及び当該ゲート抵抗に接続された前記ブースター回路を含む経路と、当該経路とは異なる低インピーダンス経路を介して接続されている
ことを特徴とするゲート駆動回路。
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