JP2014116574A

JP2014116574A - 多層回路基板及び高周波回路モジュール

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Publication number: JP2014116574A
Application number: JP2013023448A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Saji; 哲夫佐治; Hiroshi Nakamura; 浩中村
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2012-11-14
Filing date: 2013-02-08
Publication date: 2014-06-26
Anticipated expiration: 2033-02-08
Also published as: US20140133114A1; JP5352019B1; US9282632B2; CN103813627A; CN103813627B

Abstract

【課題】薄型化・高密度化に容易に対応可能で且つ高周波回路に適した多層回路基板を提供する。
【解決手段】第１伝送線路２１１〜２１３と第２伝送線路２１５とが形成されている第１導体層１５１と、絶縁体層１３２を介して第１導体層１５１と対向する第２導体層１５２と、絶縁体層１３３を介して第２導体層１５２と対向し、前記第２伝送線路２１５を第１伝送線路２１１〜２１３と交差させるために前記第１導体層１５１の第２伝送線路２１５とビア導体１７１，１７２を介して電気的に接続した迂回線路２３０が形成された第３導体層１５３とを備え、前記第２導体層１５２には、少なくとも前記迂回線路２３０と対向する位置にグランド導体３２０が形成され、前記第１伝送線路２１１〜２１３は、第２伝送線路２１５との交差部における線路幅が他の部位よりも幅が狭く形成されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、導体層と絶縁体層とを交互に積層してなる多層回路基板に関し、特に高周波回路に好適な回路パターンの構造に関する。

従来、多層回路基板において伝送線路を交差させる技術としては、例えば特許文献１に記載のものが知られている。特許文献１に記載のものでは、回路基板上の導体層に形成された一方の伝送線路に対して、他方の伝送線路を他の導体層に形成することにより伝送線路の交差を実現している。また特許文献１に記載のものは、高周波信号の伝送を目的としているため、伝送線路の間に面積が十分大きいグランド導体を形成した導体層を介在させている。これにより、伝送線路をマイクロストリップラインとして機能させて伝送線路に所定の特性インピーダンスをもたせている。また該グランド導体により、クロストークなど伝送線路間の干渉を防止、換言すれば伝送線路間のアイソレーションを確保している。

特開２００２−３６８５０７号公報

しかし、特許文献１に記載の構造では、近年の多層回路基板に対する薄型化・高密度化という要望に十分に応えることは困難であった。すなわち、多層回路基板の薄型化しようとすると絶縁体層の厚みを薄くする必要があるが、特許文献１に記載の構造において単に絶縁体層を薄くするだけでは伝送線路の特性インピーダンスが変わってしまうという問題がある。これは、特性インピーダンスを決定するパラメータのひとつにはグランド導体と伝送線路間の容量値が挙げられ、該容量値はグランド導体と伝送線路間の距離をパラメータの１つとして決定される。したがって、絶縁体層を薄くすることにより容量値が大きくなり、これにより特性インピーダンスが低くなるというものである。これを解決するためには、多層回路基板の層数を少なくして絶縁体層の厚みを確保することが考えられるが、この方法では回路パターンを形成可能な総面積が小さくなるので高密度化を図ることが困難になる。他の方法としては、伝送線路の線幅を細くして特性インピーダンスを調整する方法もあるが、線路幅が細くなると直流抵抗成分が増えて、伝送損失が大きくなる問題がある。このため、薄い絶縁体層の複数層を介して伝送線路とグランドパターンを対向させてマイクロストリップラインを形成することになる。さらに、一方の伝送線路と他方の伝送線路が交差する箇所には、干渉防止のためにグランド導体層を介在させる必要がある。そのため、更に層数が増えてしまい、薄型化への障害になっていた。また、層数が増えることにより、基板価格が高くなるなどの問題があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、薄型化・高密度化に容易に対応可能で且つ高周波回路に適した多層回路基板を提供することにある。

上記目的を達成するために、本願発明に係る多層回路基板は、絶縁体層と導体層とを交互に積層してなる多層回路基板において、第１伝送線路と第２伝送線路とが形成されている第１導体層と、絶縁体層を介して第１導体層と対向する第２導体層と、絶縁体層を介して第２導体層と対向し、前記第２伝送線路を第１伝送線路と交差させるために前記第１導体層の第２伝送線路とビア導体を介して電気的に接続した迂回線路が形成された第３導体層とを備え、前記第２導体層には、少なくとも前記迂回線路と対向する位置にグランド導体が形成され、前記第１伝送線路は、第２伝送線路との交差部における線路幅が他の部位よりも幅が狭く形成されていることを特徴とするものを提案する。

本発明によれば、第１伝送線路及び第２伝送線路が形成された第１導体層と第２伝送線路の迂回線路が形成された第３導体層との間に介在する第２導体層に、該迂回線路と対向するようにグランド導体が形成されている。これにより第１伝送線路と第２伝送線路のアイソレーションを確保し、かつ、直流抵抗成分による伝送信号の損失を最小にしつつ第１伝送線路と第２伝送線路の交差を実現している。一方、この交差部においては第１伝送線路の幅は他の部位よりも狭く形成されているので、伝送線路全体で均一な特性インピーダンスを得ることができる。なお、本発明において導体層とは多層回路基板の内層に形成されたものだけでなく表層に形成されたものも含むものとする。

本発明の好適な態様の一例としては、前記多層回路基板において、絶縁体層を介して第３導体層と対向し、少なくとも前記迂回線路と対向する位置にグランド導体が形成された第４導体層を備えたものが挙げられる。このような構成により第２伝送線路の迂回線路においても特性インピーダンス及び実装後の親基板配線パターンとのアイソレーションを確保することが容易となる。

また、本発明の好適な態様の一例としては、前記第２導体層のグランド導体は、少なくとも第２伝送線路との交差部以外の第１伝送線路に対向する位置においてパターン抜け部が形成され、前記第３導体層には、第１導体層の第１伝送線路と対向する位置にグランド導体が形成されているものが挙げられる。このような構成により、伝送線路全体で均一な特性インピーダンスを容易且つ確実に得ることができる。

また、本発明の好適な態様の一例としては、前記第１導体層には、複数の第１伝送線路が互いに並走するように形成され、且つ、複数の第１伝送線路の間には第１伝送線路と並走する第１グランド線路が形成され、第２導体層のグランド導体は、前記パターン抜け部において前記第１グランド線路と対向するように形成された第２グランド線路を含むものが挙げられる。このような構成により、複数の第１伝送線路間のアイソレーションを向上させることができる。また、この場合、第２グランド線路の線幅を第１グランド線路よりも広くすると、複数の第１伝送線路間のアイソレーションをさらに向上させることができる。

また、本発明の好適な態様の一例としては、前記第１乃至第３導体層の何れよりも厚みが大きいコア層を備え、該コア層には凹部又は貫通孔が形成されており、該凹部又は貫通孔には電子部品が埋設されていることを特徴とするものが挙げられる。さらに、本発明の好適な態様の一例としては、前記請求項１乃至５何れか１項記載の多層回路基板に電子部品を実装したものが挙げられる。

以上説明したように本発明に係る多層回路基板によれば、複数の伝送線路のアイソレーションを確保しつつ伝送線路全体で均一な特性インピーダンスを得ることができるので、薄型化・高密度化に容易に対応可能で且つ高周波回路に適したものとなる。

多層回路基板の一部断面図多層回路基板の要部を説明する分解斜視図多層回路基板の一部断面図多層回路基板の一部断面図アイソレーションのシミュレーションモデル図アイソレーションのシミュレーション結果

（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る多層回路基板について図面を参照して説明する。本実施の形態では、高周波回路モジュールに用いられる多層回路基板であって電子部品を内蔵した部品内蔵基板について説明する。図１は多層回路基板の一部断面図である。なお本実施の形態では、説明の簡単のため、主として本発明の要旨に係る構成についてのみ説明する。

多層回路基板１００は、絶縁体層と導体層とを交互に積層してなる多層基板である。多層回路基板１００は、図１に示すように、導電性が良好で且つ比較的厚い金属製の導体層であるコア層１１０と、該コア層１１０の一方の主面（上面）に形成された複数（本実施の形態では４つ）の絶縁体層１２１〜１２４及び導体層１４１〜１４４と、コア層２１０の他方の主面（下面）に形成された複数（本実施の形態では４つ）の絶縁体層１３１〜１３４及び導体層１５１〜１５４とを備えている。絶縁体層１２１〜１２４，１３１〜１３４及び導体層１４１〜１４４，１５１〜１５４はコア層１１０の両主面にビルドアップ工法にて形成されたものである。各絶縁体層１２１〜１２４，１３１〜１３４は同じ厚みで形成されている。また各導体層１４１〜１４４，１５１〜１５４も同じ厚みで形成されている。なお導体層１４４及び１５４は、多層回路基板１００の表層に相当する。導体層１４４は高周波回路モジュールの部品実装面に相当し、高周波回路を伝送する回路パターン，外付け部品を実装するためのランド，検査用のパッド等が形成される。導体層１５４は高周波回路モジュールを親回路基板に実装する底面に相当し、端子電極やグランド電極等が形成される。

コア層１１０には電子部品収容用の貫通孔１１１が形成されている。該貫通孔１１１には、例えば高周波回路で用いられる弾性波フィルタなどの電子部品１０が配置されている。したがってコア層１１０は、内蔵する部品の高さよりも厚みが大きく且つ曲げ強度が大きいことが好ましい。またコア層１１０には、導電性材料からなり、電気的には基準電位（グランド）が与えられる。したがって広義には、コア層１１０を多層回路基板１００の導体層と解釈することも可能である。本実施の形態では、金属板、より詳しくは銅製又は銅合金製の金属板によりコア層１１０を形成している。貫通孔１１１内であって収容部品との隙間には樹脂などの絶縁体１１２が充填されている。

本発明の特徴的な点は、多層回路基板１００における回路パターンの形成手法に関し、特に高周波信号を伝送する伝送線路の交差構造にある。本発明の特徴点について図１乃至図３を参照して説明する。図２は多層回路基板の要部を説明する分解斜視図である。なお、図２は図１に示す絶縁体層１３２〜１３４及び導体層１５１〜１５４の一部を分解した斜視図である。図３は図２におけるＢ線矢視方向断面図である。また前述した図１は、図２におけるＡ線矢視方向断面図である。

第１導体層１５１には、高周波信号を伝送し互いに並走する第１伝送線路２１１，２１２，２１３が形成されている。また第１導体層１５１には、高周波信号を伝送する第２伝送線路２１５が形成されている。本実施の形態では、第１伝送線路２１１〜２１３と第２伝送線路２１５とを交差させるため、第３導体層１５３に第２伝送線路２１５の迂回線路２３０を形成した。第２伝送線路２１５の端部には迂回線路２３０に接続するためのランド２１６が形成されている。第１伝送線路２１１〜２１３と第２伝送線路２１５の線幅は等しく形成されている。ただし、第１伝送線路２１１〜２１３は、第２伝送線路２１５との交差部、すなわち迂回線路２３０と厚み方向の投影領域が重なる位置においては、他の部分よりも幅が狭く形成されている。第１伝送線路２１１〜２１３は緩やかに線幅を変化させると、すなわち第１伝送線路２１１〜２１３の外縁が第２伝送線路２１５との交差部に対してテーパーをつけると好適である。第１導体層１５１には、第１伝送線路２１１〜２１３及び第２伝送線路２１５並びにその他の必要な回路パターン（図示省略）等を除き、全面にわたってグランド導体３１０が形成されている。該グランド導体３１０は第１伝送線路２１１〜２１３及び第２伝送線路２１５と所定の間隔をおいて形成されている。したがってグランド導体３１０は、第１伝送線路２１１〜２１３間に並走する伝送線路間グランド導体３１１を含む。

第２導体層１５２には、少なくとも、第１伝送線路２１１〜２１３と第２伝送線路２１５との交差部と投影領域が重なる位置、換言すれば迂回線路２３０と投影領域が重なる位置（対向する位置）、さらに換言すれば第１伝送線路２１１〜２１３と迂回線路２３０との間には、グランド導体３２０が形成されている。本実施の形態では、第２導体層１５２には、必要な回路パターン・ランド（図示省略）等を除き、基本的には全面に亘ってグランド導体３２０が形成されている。ただしグランド導体３２０には、第１導体層１５１の第１伝送線路２１１〜２１３及び第２伝送線路２１５に対向する位置においては、導体が形成されていないパターン抜け部３２５となっている。したがってグランド導体３２０は、第１導体層１５１の伝送線路間グランド導体３１１と対向する位置に形成されたグランド導体３２１を含む。ここで該パターン抜け部３２５の幅は対応する伝送線路の幅よりも広い。またグランド導体３２１の幅は伝送線路間グランド導体３１１の幅と等しい。一方、前述したように第１伝送線路２１１〜２１３と第２伝送線路２１５との交差部と投影領域が重なる位置、換言すれば迂回線路２３０と投影領域が重なる位置（対向する位置）、さらに換言すれば第１伝送線路２１１〜２１３と迂回線路２３０との間にはグランド導体３２０が形成されており、パターン抜け部３２５は形成されていない点に留意されたい。また、第２導体層１５２には、第１導体層１５１のランド２１６に対向する位置にランド２２６が形成されている。該ランド２２６はビア導体１７１を介して第１導体層１５１のランド２１６と接続している。また、前記グランド導体３２１はビア導体（図２では図示省略）を介して伝送線路間グランド導体３１１及び後述する第３導体層１５３のグランド導体３３０に接続している。ここでグランド導体３２１と接続するビア導体は複数箇所に配置すると、グランド電位の安定及び伝送線路間のアイソレーションの向上という観点から好適である。

第３導体層１５３には、前述したように第１導体層１５１における第１伝送線路２１１〜２１３に対する第２伝送線路２１５の迂回線路２３０が形成されている。迂回線路２３０の幅は、第２伝送線路２１５の幅よりも狭く、第１伝送線路２１１〜２１３の交差部における線幅と等しい。迂回線路２３０の両端部にはランド２３６形成されている。該ランド２３６はビア導体１７２を介して第２導体層１５２のランド２２６と接続している。また、第３導体層１５３には、迂回線路２３０及びランド２３６並びにその他の必要な回路パターン（図示省略）等を除き、全面にわたってグランド導体３３０が形成されている。

第４導体層１５４には、少なくとも迂回線路２３０に対向する位置にグランド導体３４０が形成されている。該グランド導体３４０は、高周波回路モジュールのグランド電極として機能する。本実施の形態では、必要な端子電極（図示省略）等を除き、第４導体層１５４の全面にわたってグランド導体３４０が形成されている。

コア層１１０には、第１導体層１５１に形成された第１伝送線路２１１〜２１３及び第２伝送線路２１５に対向するように溝１１５が形成されている。該溝１１５の深さは、絶縁体層１３１の厚みよりも大きく、該コア層１１０による第１伝送線路２１１〜２１３及び第２伝送線路２１５の特性インピーダンスへの影響が十分小さくなるようにする。

このような多層回路基板１００では、第１伝送線路２１１，２１２，２１３と迂回線路２３０との間にはグランド導体３２０が介在するので、これにより第１伝送線路２１１，２１２，２１３と第２伝送線路２１５のアイソレーションを確保しつつ第１伝送線路２１１，２１２，２１３と第２伝送線路２１５の交差を実現している。

また、第１伝送線路２１１〜２１３の特性インピーダンスは、第２伝送線路２１５との交差部以外の部分では第２導体層１５２にグランド導体３２０のパターン抜け部３２５が形成されているため、第１導体層１５１のグランド導体３１０及び第３導体層１５３のグランド導体３３０との距離がパラメータの１つとして決定される。一方、第２伝送線路２１５との交差部においては、第２導体層１５２にグランド導体３２０が形成されているため、第１導体層１５１のグランド導体３１０及び第２導体層１５２のグランド導体３２０との距離がパラメータの１つとして決定される。ここで、当然のことながら第１導体層１５１と第２導体層１５２との距離は、第１導体層１５１と第３導体層１５３との距離よりも小さい。一方で、第２伝送線路２１５との交差部においては、第１伝送線路２１１〜２１３の線幅は他の部分よりも狭くなっている。これにより交差部における第１伝送線路２１１〜２１３の特性インピーダンスを交差部以外の部分と同じ値にすることができるとともに、直流抵抗成分の増大を最小限に抑えることができる。なお、第１伝送線路２１１〜２１３に対しては、絶縁体層１３１を挟んでグランドとして機能するコア層１１０が対峙するが、該コア層１１０には第１伝送線路２１１〜２１３と対向する位置に溝１１５が形成されている。このため、第１伝送線路２１１〜２１３とコア層１１０との距離を十分大きく取ることができるので、該コア層１１０による第１伝送線路２１１〜２１３の特性インピーダンスへの影響を十分小さくすることができる。さらに、各伝送線路はコア層１１０及びグランド導体３１０，３２０，３３０，３４０によって囲まれるので、シールド効果が高まる。

さらに、第２伝送線路２１５の特性インピーダンスは、第２導体層１５２にグランド導体３２０のパターン抜け部３２５が形成されているため、第１導体層１５１のグランド導体３１０及び第３導体層１５３のグランド導体３３０との距離がパラメータの１つとして決定される。また、第２伝送線路２１５の迂回線路２３０の特性インピーダンスは、第２導体層１５２のグランド導体３２０、第３導体層１５３のグランド導体３３０、第４導体層１５４のグランド導体３４０との距離がパラメータの１つとして決定される。ここで、当然のことながら第３導体層１５３と第２導体層１５２及び第４導体層１５４との距離は、第１導体層１５１と第３導体層１５３との距離よりも小さい。一方で、迂回線路２３０の線幅は第１導体層１５１に形成された第２伝送線路２１５よりも狭くなっている。これにより迂回線路２３０と第２伝送線路２１５の特性インピーダンスを均一にすることができる。なお、第２伝送線路２１５に対しては、絶縁体層１３１を挟んでグランドとして機能するコア層１１０が対峙するが、該コア層１１０には第２伝送線路２１５と対向する位置に溝１１５が形成されている。このため、第２伝送線路２１５とコア層１１０との距離を十分大きく取ることができるので、該コア層１１０による第２伝送線路２１５の特性インピーダンスへの影響を十分小さくすることができる。

また、本実施の形態に係る多層回路基板１００にて回路モジュールを構成した場合、該回路モジュールを実装した親基板の配線導体と、多層回路基板１００の迂回線路２３０との間にはグランド導体３４０が介在するので、両配線間の干渉を小さくすることができる。

以上のように本実施の形態に係る多層回路基板１００によれば、複数の伝送線路のアイソレーションを確保しつつ伝送線路全体で均一な特性インピーダンスを得ることができるので、薄型化・高密度化に容易に対応可能で且つ高周波回路に適したものとなる。

（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る多層回路基板について図面を参照して説明する。本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、高周波回路モジュールに用いられる多層回路基板であって電子部品を内蔵した部品内蔵基板について説明する。図４は多層回路基板の一部断面図である。なお本実施の形態では、説明の簡単のため、主として本発明の要旨に係る構成についてのみ説明する。

本実施の形態に係る多層回路基板１００が第１の実施の形態と異なる点は、図４に示すように、第１導体層１５１の伝送線路間グランド導体３１１に対向する第２導体層１５２のグランド導体３２１の幅が、伝送線路間グランド導体３１１の幅よりも広いことである。これにより、第１の実施の形態と比較して、第１伝送線路２１１，２１２，２１３間のシールド特性が向上し、アイソレーションを向上させることができる。他の構成・作用・効果については第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態に係る多層回路基板１００が、第１の実施の形態と比較して、第１伝送線路２１１，２１２，２１３間のアイソレーションが向上することをシミュレーションにより検証した。図５はシミュレーションのモデル図である。図５に示すように、多層回路基板９００の一方の主面（上面）に伝送線路９０１，９０２を互いに並走するように形成し、伝送線路９０１及び９０２間に第１グランド導体９１１を形成した。多層回路基板９００の内層には第１グランド導体９１１と対向する位置に第２グランド導体９１２を形成した。多層回路基板９００の他方の主面（底面）には全面に亘って第３グランド導体９１３を形成した。各グランド導体９１１，９１２，９１３はそれぞれグランド（基準電位）に接地されている。

このようなモデルにおいて、伝送線路９０１の一方の端部をポート１、伝送線路９０１の他方の端部をポート２、前記ポート１側の伝送線路９０２の一方の端部をポート３、伝送線路９０２の他方の端部をポート４とする。そして、ポート１・ポート２間に１ＧＨｚから６ＧＨｚまでの正弦波を印加し、ポート３・ポート４間に所定の負荷（インピーダンス素子）を接続する。このような状況において、Ｓパラメータの１つであるＳ３１パラメータをシミュレーションにより求める。該Ｓ３１パラメータは伝送線路９０１・９０２間のアイソレーションを示すものであり値が小さいほどアイソレーションが良好である。

実施例１（上記第１の実施の形態に対応）として、第１グランド導体９１１の線幅ＷＧ１を５０μｍ、第２グランド導体９１２の線幅ＷＧ２を５０μｍとしてＳ３１をシミュレーションで求めた。実施例２（本第２の実施の形態に対応）として、第１グランド導体９１１の線幅ＷＧ１を５０μｍ、第２グランド導体９１２の線幅ＷＧ２を１５０μｍとしてＳ３１をシミュレーションで求めた。また、比較例として、第１グランド導体９１１及び第２グランド導体９１２を形成していないもののＳ３１をシミュレーションで求めた。各例における共通パラメータは、伝送線路９１０及び９０２の線幅ＷＰが１１５μｍ、伝送線路９１０及び９０２の間隔Ｇが２００μｍ、各導体の厚みが１０μｍ、伝送線路９１０及び９０２と第３グランド導体９１３の距離が６０μｍ、伝送線路９０１及び９０２の線長Ｌが６ｍｍである。シミュレーション結果を図６に示す。図６から明らかなように、第１グランド導体９１１及び第２グランド導体９１２が形成された実施例１及び２は、同導体が形成されていない比較例よりも全周波数帯域においてアイソレーションが良好であることが分かった。また、第２グランド導体９１２の幅が広い実施例２は実施例１よりも全周波数帯域においてアイソレーションが良好であることが分かった。

以上、本発明の実施の形態について詳述したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば上記各実施の形態では、第１伝送線路２１１，２１２，２１３及び第２伝送線路２１５を多層回路基板１００の内層に形成したが、表層に形成するようにしてもよい。

また上記各実施の形態では、各絶縁体層１２１〜１２４，１３１〜１３４は同じ厚みで形成し、各導体層１４１〜１４４，１５１〜１５４も同じ厚みで形成したが、各層の厚みは任意とすることができる。

また上記実施の形態では、第１導体層１５１のグランド導体３１０は、第１伝送線路２１１〜２１３及び第２伝送線路２１５並びにその他の必要な回路パターン（図示省略）等を除いた全面にわたって形成していたが、少なくとも第１伝送線路２１１及び２１３の外側において対向する部位及び第１伝送線路２１１〜２１３間において形成されていればよい。グランド導体３２０，３３０，３４０についても同様である。

また上記各実施の形態では、第１伝送線路２１１〜２１３間に伝送線路間グランド導体３１１を形成しているが、第１伝送線路２１１〜２１３間において必要なアイソレーションが確保できる場合は伝送線路間グランド導体３１１は必ずしも形成する必要はない。例えば、伝送線路を流れる信号の通信タイミングが異なる場合や、信号の周波数が離れていて影響が少ない場合などがある。なお、この場合には、伝送線路間グランド導体３１１に対向するように形成した第２導体層１５２のグランド導体３２１も不要である。同様に、上記各実施の形態では、伝送線路間グランド導体３１１に対向するように第２導体層１５２にグランド導体３２１を形成しているが、第１伝送線路２１１〜２１３間において必要なアイソレーションが確保できる場合はグランド導体３２１は必ずしも形成する必要はない。

また上記各実施の形態では、コア層１１０を備えたものを例示したが、コア層１１０のない多層回路基板であってもよい。なお、この場合であっても、第１伝送線路２１１，２１２，２１３及び第２伝送線路２１５の形成層は任意とすることができる。

さらに上記各実施の形態では、コア層１１０の材質として銅又は銅合金を例示したが、他の金属又は合金や樹脂など材質は不問である。またコア層１１０の導電性の有無についても不問である。さてに、上記各実施の形態では、コア層１１０に貫通孔１１１を形成し、該貫通孔１１１にフィルタ等の電子部品を配置するようにしたが、貫通孔１１１ではなく凹部をコア層１１０に形成し、該凹部に電子部品を配置するようにしてもよい。

なお、上記各実施の形態に係る多層回路基板１００は、導体層１４４に形成したランド等に電子部品を実装することにより高周波回路モジュールとして使用されるが、さらに該多層回路基板１００の上面の全面又は一部を覆うようにケースを装着したり樹脂等で封止するようにして使用すると好適である。

１００…多層回路基板、１１０…コア層、１２１〜１２４，１３１〜１３４…絶縁体層、１４１〜１４４，１５１〜１５４…導体層、２１１〜２１３…第１伝送線路、２１５…第２伝送線路、２３０…迂回線路、３１０，３２０，３３０，３４０…グランド導体

上記目的を達成するために、本願発明に係る多層回路基板は、絶縁体層と導体層とを交互に積層してなる多層回路基板において、第１伝送線路と第２伝送線路とが形成されている第１導体層と、絶縁体層を介して第１導体層と対向する第２導体層と、絶縁体層を介して第２導体層と対向し、前記第２伝送線路を第１伝送線路と交差させるために前記第１導体層の第２伝送線路とビア導体を介して電気的に接続した迂回線路が形成された第３導体層とを備え、前記第２導体層には、少なくとも前記迂回線路と対向する位置にグランド導体が形成され、前記第１伝送線路は、第２伝送線路との交差部における線路幅が他の部位よりも幅が狭く形成され、前記第２導体層のグランド導体は、少なくとも第２伝送線路との交差部以外の第１伝送線路に対向する位置においてパターン抜け部が形成され、前記第３導体層には、第１導体層の第１伝送線路と対向する位置にグランド導体が形成されていることを特徴とするものを提案する。

Claims

絶縁体層と導体層とを交互に積層してなる多層回路基板において、
第１伝送線路と第２伝送線路とが形成されている第１導体層と、
絶縁体層を介して第１導体層と対向する第２導体層と、
絶縁体層を介して第２導体層と対向し、前記第２伝送線路を第１伝送線路と交差させるために前記第１導体層の第２伝送線路とビア導体を介して電気的に接続した迂回線路が形成された第３導体層とを備え、
前記第２導体層には、少なくとも前記迂回線路と対向する位置にグランド導体が形成され、
前記第１伝送線路は、第２伝送線路との交差部における線路幅が他の部位よりも幅が狭く形成されている
ことを特徴とする多層回路基板。
絶縁体層を介して第３導体層と対向し、少なくとも前記迂回線路と対向する位置にグランド導体が形成された第４導体層を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の多層回路基板。
前記第２導体層のグランド導体は、少なくとも第２伝送線路との交差部以外の第１伝送線路に対向する位置においてパターン抜け部が形成され、
前記第３導体層には、第１導体層の第１伝送線路と対向する位置にグランド導体が形成されている
ことを特徴とする請求項１又は２記載の多層回路基板。
前記第１導体層には、複数の第１伝送線路が互いに並走するように形成され、且つ、複数の第１伝送線路の間には第１伝送線路と並走する第１グランド線路が形成され、
第２導体層のグランド導体は、前記パターン抜け部において前記第１グランド線路と対向するように形成された第２グランド線路を含む
ことを特徴とする請求項３記載の多層回路基板。
前記第２グランド線路は前記第１グランド線路よりも幅が広い
ことを特徴とする請求項４記載の多層回路基板。
前記第１乃至第３導体層の何れよりも厚みが大きいコア層を備え、
該コア層には凹部又は貫通孔が形成されており、該凹部又は貫通孔には電子部品が埋設されている
ことを特徴とする請求項１乃至５何れか１項記載の多層回路基板。
前記請求項１乃至６何れか１項記載の多層回路基板に電子部品を実装した
ことを特徴とする高周波回路モジュール。