JP2014116389A - 窒化物半導体エピタキシャルウェハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも、基板2と、第一の窒化物半導体層4と、該第一の窒化物半導体層4上に形成され第一の窒化物半導体層4よりも電子親和力の小さい第二の窒化物半導体層5と、を備えた窒化物半導体エピタキシャルウェハにおいて、第二の窒化物半導体層5の膜厚の標準偏差を膜厚の平均値で除して100を乗じ基準化した値が5%未満であり、シート抵抗の光照射有無による変動が10%未満である。
【選択図】図1
Description
膜厚傾斜=(最大膜厚−最小膜厚)/平均膜厚×100 ・・・(1)
で表される膜厚傾斜が、10%以上20%以下であってもよい。
膜厚傾斜=(最大膜厚−最小膜厚)/平均膜厚×100 ・・・(1)
で表される膜厚傾斜が、10%以上20%以下に形成される。
光応答(%)={Rs(Dark)−Rs(Light)}
/Rs(Light)×100
で求められる値である。
2 基板
3 AlN層(AlN層またはAlNを主成分とする窒化物半導体層)
4 第一の窒化物半導体層
5 第二の窒化物半導体層
6 GaN層(GaN層またはGaNを主成分とする窒化物半導体層)
Claims (6)
- 少なくとも、基板と、第一の窒化物半導体層と、該第一の窒化物半導体層上に形成され前記第一の窒化物半導体層よりも電子親和力の小さい第二の窒化物半導体層と、を備えた窒化物半導体エピタキシャルウェハにおいて、
前記第二の窒化物半導体層の膜厚の標準偏差を膜厚の平均値で除して100を乗じ基準化した値が5%未満であり、シート抵抗の光照射有無による変動が10%未満である
ことを特徴とする窒化物半導体エピタキシャルウェハ。 - 前記基板と前記第一の窒化物半導体層との間に、AlN層またはAlNを主成分とする窒化物半導体層を備えた
請求項1記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハ。 - 前記AlN層またはAlNを主成分とする窒化物半導体層は、ウェハ外周部からウェハ中心部に向かって徐々に膜厚が薄くなるように形成されている
請求項2記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハ。 - 前記AlN層またはAlNを主成分とする窒化物半導体層は、下式(1)
膜厚傾斜=(最大膜厚−最小膜厚)/平均膜厚×100 ・・・(1)
で表される膜厚傾斜が、10%以上20%以下である
請求項3記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハ。 - 前記AlN層またはAlNを主成分とする窒化物半導体層の表面のスキューネスRskが正である
請求項3または4記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハ。 - 前記基板が、シリコンまたは炭化ケイ素からなる
請求項1〜5いずれかに記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハ。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005032803A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Hitachi Cable Ltd | 半導体製造方法及び半導体ウェハ |
JP2006128536A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Hitachi Cable Ltd | 半導体エピタキシャルウェハ及びそれから切り出した半導体素子 |
JP2006310403A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Kyocera Corp | エピタキシャル基板およびそれを用いた半導体装置並びにその製造方法 |
JP2008251966A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujitsu Ltd | 半導体エピタキシャル基板、化合物半導体装置、およびそれらの製造方法 |
JP2008544486A (ja) * | 2005-06-10 | 2008-12-04 | クリー, インコーポレイティッド | 直径100ミリメートルの炭化シリコン基板上の高均一性のiii族窒化物エピタキシャル層 |
JP4519196B2 (ja) * | 2008-11-27 | 2010-08-04 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
JP2010199377A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Panasonic Corp | トランジスタ実装体及びその製造方法 |
JP2012182283A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012222284A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Ibiden Co Ltd | エピタキシャル成長用サセプタ、これを用いたエピタキシャル成長装置およびこれを用いたエピタキシャル成長方法 |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005032803A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Hitachi Cable Ltd | 半導体製造方法及び半導体ウェハ |
JP2006128536A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Hitachi Cable Ltd | 半導体エピタキシャルウェハ及びそれから切り出した半導体素子 |
JP2006310403A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Kyocera Corp | エピタキシャル基板およびそれを用いた半導体装置並びにその製造方法 |
JP2008544486A (ja) * | 2005-06-10 | 2008-12-04 | クリー, インコーポレイティッド | 直径100ミリメートルの炭化シリコン基板上の高均一性のiii族窒化物エピタキシャル層 |
JP2008251966A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujitsu Ltd | 半導体エピタキシャル基板、化合物半導体装置、およびそれらの製造方法 |
JP4519196B2 (ja) * | 2008-11-27 | 2010-08-04 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法 |
JP2010199377A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Panasonic Corp | トランジスタ実装体及びその製造方法 |
JP2012182283A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012222284A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Ibiden Co Ltd | エピタキシャル成長用サセプタ、これを用いたエピタキシャル成長装置およびこれを用いたエピタキシャル成長方法 |
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