JP2014103015A - 有機エレクトロルミネッセンス装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014103015A JP2014103015A JP2012254853A JP2012254853A JP2014103015A JP 2014103015 A JP2014103015 A JP 2014103015A JP 2012254853 A JP2012254853 A JP 2012254853A JP 2012254853 A JP2012254853 A JP 2012254853A JP 2014103015 A JP2014103015 A JP 2014103015A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- substrate
- sealing plate
- element substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 153
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 98
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 8
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 12
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 glycidyl ester Chemical class 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N hydantoin Chemical compound O=C1CNC(=O)N1 WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940091173 hydantoin Drugs 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】 長期間使用しても歪みが生じにくく、耐久性に優れ、且つ安定的に駆動する有機エレクトロルミネッセンス装置を提供する。
【解決手段】 本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置1は、素子基板2と、前記素子基板2の上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子3と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子3の上に設けられた封止板4と、を有し、前記素子基板2又は封止板4のいずれか一方が、金属箔を含み、前記素子基板2又は封止板4の他方が、ガラス板を含み、前記素子基板2の線膨張係数と封止板4の線膨張係数の差の絶対値が、12ppm/℃以下である。
【選択図】 図2
【解決手段】 本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置1は、素子基板2と、前記素子基板2の上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子3と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子3の上に設けられた封止板4と、を有し、前記素子基板2又は封止板4のいずれか一方が、金属箔を含み、前記素子基板2又は封止板4の他方が、ガラス板を含み、前記素子基板2の線膨張係数と封止板4の線膨張係数の差の絶対値が、12ppm/℃以下である。
【選択図】 図2
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置に関する。
以下、有機エレクトロルミネッセンスを「有機EL」と記す。
従来、素子基板と、前記素子基板上に設けられた有機EL素子と、前記有機EL素子上に設けられた封止板と、を有する有機EL装置が知られている。前記有機EL素子は、第1電極と、第2電極と、前記両電極の間に設けられた有機層と、を有する。
有機EL装置は、代表的には、照明装置、画像表示装置などに利用されている。
従来、素子基板と、前記素子基板上に設けられた有機EL素子と、前記有機EL素子上に設けられた封止板と、を有する有機EL装置が知られている。前記有機EL素子は、第1電極と、第2電極と、前記両電極の間に設けられた有機層と、を有する。
有機EL装置は、代表的には、照明装置、画像表示装置などに利用されている。
近年では、フレキシブルデバイスの開発が進められている。このような状況下、前記素子基板としてフレキシブルな合成樹脂板が用いられた有機EL装置が知られている。しかしながら、合成樹脂板は水分や酸素などに対するバリア性が低く、合成樹脂板を用いた有機EL素子は、耐久性が低いという問題点がある。
かかる問題点に鑑みて、特許文献1には、発光素子の素子基板として金属箔を用いることが開示され、特許文献2には、発光素子用の素子基板としてガラス板を用いることが開示されている。
かかる問題点に鑑みて、特許文献1には、発光素子の素子基板として金属箔を用いることが開示され、特許文献2には、発光素子用の素子基板としてガラス板を用いることが開示されている。
しかしながら、水蒸気などに対するバリア性に優れた金属箔又はガラス板を素子基板として用いても、封止板としてバリア性の低い合成樹脂板を用いた場合には、耐久性に優れた有機EL素子を構成できない。
また、封止板としてバリア性の高い材料を用いた場合でも、有機EL装置を使用し続けることによって生じる熱によって又は有機EL素子を高温高湿環境下で保管することによって素子基板や封止板が変形し、その結果、有機EL装置が歪むことがある。前記歪みによって、素子基板又は封止板が剥離し、有機EL素子に水分などが侵入するので、有機EL装置の耐久性が低下する。また、前記歪みによって、有機EL素子の駆動寿命が低下する。
また、封止板としてバリア性の高い材料を用いた場合でも、有機EL装置を使用し続けることによって生じる熱によって又は有機EL素子を高温高湿環境下で保管することによって素子基板や封止板が変形し、その結果、有機EL装置が歪むことがある。前記歪みによって、素子基板又は封止板が剥離し、有機EL素子に水分などが侵入するので、有機EL装置の耐久性が低下する。また、前記歪みによって、有機EL素子の駆動寿命が低下する。
本発明の目的は、耐久性に優れた有機EL装置を提供することである。
本発明の有機EL装置は、素子基板と、前記素子基板の上に設けられた有機EL素子と、前記有機EL素子の上に設けられた封止板と、を有し、前記素子基板又は封止板のいずれか一方が、金属箔を含み、前記素子基板又は封止板の他方が、ガラス板を含み、前記素子基板の線膨張係数と封止板の線膨張係数の差の絶対値が、12ppm/℃以下である。
本発明の好ましい有機EL装置は、前記ガラス板の少なくとも一方面に、合成樹脂層が設けられている。
本発明の好ましい有機EL装置は、前記素子基板及び封止板が、可撓性を有する。
本発明の好ましい有機EL装置は、前記封止板が、接着層を介して前記有機EL素子の上に接着されている。
本発明の好ましい有機EL装置は、前記素子基板及び封止板が、可撓性を有する。
本発明の好ましい有機EL装置は、前記封止板が、接着層を介して前記有機EL素子の上に接着されている。
本発明の有機EL装置は、長期間使用しても、熱による歪みが生じ難い。
本発明によれば、局所的に劣化し難く、耐久性に優れた有機EL装置を提供できる。
本発明によれば、局所的に劣化し難く、耐久性に優れた有機EL装置を提供できる。
以下、本発明について、図面を参照しつつ説明する。ただし、各図における層厚及び長さなどの寸法は、実際のものとは異なっていることに留意されたい。
また、本明細書において、用語の頭に、「第1」、「第2」を付す場合があるが、この第1などは、用語を区別するためだけに付加されたものであり、その順序や優劣などの特別な意味を持たない。「平面形状」は、素子基板の表面に対して鉛直方向から見た形状を指す。「PPP〜QQQ]という表記は、「PPP以上QQQ以下」を意味する。
また、本明細書において、用語の頭に、「第1」、「第2」を付す場合があるが、この第1などは、用語を区別するためだけに付加されたものであり、その順序や優劣などの特別な意味を持たない。「平面形状」は、素子基板の表面に対して鉛直方向から見た形状を指す。「PPP〜QQQ]という表記は、「PPP以上QQQ以下」を意味する。
[有機EL装置の構成]
図1及び図2は、本発明の1つの実施形態に係る有機EL装置を示す。図3は、本発明の他の実施形態に係る有機EL装置を示す。なお、前記他の実施形態に係る有機EL装置の平面図は、省略している。前記他の実施形態に係る有機EL装置を構成する各部と、前記1つの実施形態に係る有機EL装置を構成する各部とが、同様な内容である場合、他の実施形態に係る有機EL装置の各部の説明を省略し、図3において前記1つの実施形態の各部の符号をそのまま援用する。
ただし、本発明の有機EL装置は、図1乃至図3に示す構成に限定されるわけではない。
図1及び図2は、本発明の1つの実施形態に係る有機EL装置を示す。図3は、本発明の他の実施形態に係る有機EL装置を示す。なお、前記他の実施形態に係る有機EL装置の平面図は、省略している。前記他の実施形態に係る有機EL装置を構成する各部と、前記1つの実施形態に係る有機EL装置を構成する各部とが、同様な内容である場合、他の実施形態に係る有機EL装置の各部の説明を省略し、図3において前記1つの実施形態の各部の符号をそのまま援用する。
ただし、本発明の有機EL装置は、図1乃至図3に示す構成に限定されるわけではない。
図1及び図2において、本発明の有機EL装置1は、素子基板2と、前記素子基板2上に設けられた有機EL素子3と、前記有機EL素子3を封止する封止板4と、を有する。
前記有機EL素子3は、第1電極31と、第2電極32と、前記両電極31,32の間に設けられた有機層33と、を有する。
前記封止板4は、第1電極31の端子311及び第2電極32の端子321を除いて、有機EL素子3の側端面を含んで有機EL素子3の表面を覆っている。なお、封止板4を有機EL素子3に固着するため、封止板4と素子基板2の間には、接着層5が設けられている。この接着層5を介して封止板4が素子基板2に接着されている。
前記有機EL素子3は、第1電極31と、第2電極32と、前記両電極31,32の間に設けられた有機層33と、を有する。
前記封止板4は、第1電極31の端子311及び第2電極32の端子321を除いて、有機EL素子3の側端面を含んで有機EL素子3の表面を覆っている。なお、封止板4を有機EL素子3に固着するため、封止板4と素子基板2の間には、接着層5が設けられている。この接着層5を介して封止板4が素子基板2に接着されている。
前記素子基板2が導電性を有する場合には、電気的な短絡を防止するため、素子基板2と第1電極31の間に電気絶縁層(図示せず)が設けられる。
なお、図3に示すように、必要に応じて、第2電極32と封止板4の間に、バリア層6が設けられていてもよい。
なお、図3に示すように、必要に応じて、第2電極32と封止板4の間に、バリア層6が設けられていてもよい。
有機EL装置1の平面形状は、略長方形状とされている。第1電極31の端子311の平面形状は、帯状であり、前記略長方形状の一方の長辺に沿って延び、第2電極32の端子321の平面形状は、帯状であり、前記略長方形状の他方の長辺に沿って延びている。
もっとも、前記各端子311,321は長辺に沿って延設されている場合に限られず、短辺に沿って延設されていてもよい。また、前記各端子311,321は、帯状に限られず、弧状、スポット的な形状などであってもよい。
さらに、有機EL装置1の平面形状も略長方形状に限られず、例えば、正方形状、略円形状などに形成されていてもよい。
もっとも、前記各端子311,321は長辺に沿って延設されている場合に限られず、短辺に沿って延設されていてもよい。また、前記各端子311,321は、帯状に限られず、弧状、スポット的な形状などであってもよい。
さらに、有機EL装置1の平面形状も略長方形状に限られず、例えば、正方形状、略円形状などに形成されていてもよい。
第1電極31の端子311の側縁311a及び第2電極32の端子321の側縁321aが、それぞれ素子基板2の側縁21a,22aよりも内側に位置するように、第1電極31及び第2電極32が設けられている。
なお、図3に示すように、第1電極31の端子311の側縁311a及び第2電極32の端子321の側縁321aが、それぞれ素子基板2の側縁21a,22aに一致するように、両電極31,32が設けられていてもよい。
なお、図3に示すように、第1電極31の端子311の側縁311a及び第2電極32の端子321の側縁321aが、それぞれ素子基板2の側縁21a,22aに一致するように、両電極31,32が設けられていてもよい。
前記素子基板2又は封止板4のいずれか一方は、金属箔を含み、前記素子基板又は封止板の他方は、ガラス板を含む。つまり、前記素子基板2が金属箔を含む基板である場合には、前記封止板4はガラス板を含む基板であり、他方、前記素子基板2がガラス板を含む基板である場合には、前記封止板4は金属箔を含む基板である。素子基板2又は封止板4のいずれか一方として、金属箔を含む基板を用いることにより、有機EL素子3へ水蒸気などが侵入することを効果的に抑制できる上、前記素子3から発生する熱を円滑に外部へ放散できる。かかるバリア性と放熱性により、有機EL装置の駆動寿命を延ばすことができる。なお、前記いずれか他方としてガラス板を用いることにより、有機EL素子3からの光を外部に出射させることができる。
前記金属箔を含む基板及びガラス板を含む基板は、可撓性(フレキシブル性)を有することが好ましい。前記可撓性を有する基板は、例えば、ロール状に巻き取ることができる程度に柔軟なシート状物を意味する。
前記金属箔を含む基板及びガラス板を含む基板は、可撓性(フレキシブル性)を有することが好ましい。前記可撓性を有する基板は、例えば、ロール状に巻き取ることができる程度に柔軟なシート状物を意味する。
前記素子基板2の線膨張係数と封止板4の線膨張係数の差の絶対値は、12ppm/℃以下であることが必要である。なお、前記素子基板2の線膨張係数と封止板4の線膨張係数の差の下限は、零である。
本明細書において、線膨張係数は、JIS K 7197に準じたTMA法(熱機械分析法)によって測定される値をいう。
本明細書において、線膨張係数は、JIS K 7197に準じたTMA法(熱機械分析法)によって測定される値をいう。
有機EL装置1を使用し続けた際に生じる熱によって、又は、有機EL素子を高温高湿環境下で保管することによって、前記素子基板2及び封止板4が膨張するが、両者の線膨張係数の差の絶対値が12ppm/℃以下であることにより、素子基板2と封止板4の膨張差に起因する有機EL装置1の歪みが極めて小さくなる。
仮に、前記有機EL装置の歪みが大きい場合には、(1)素子基板又は封止板が有機EL素子から剥離する、(2)素子基板又は封止板にクラックが発生し、有機EL素子内に酸素や水分が侵入する、(3)有機EL素子が歪むことによって有機EL素子が局所的に劣化する、などの問題が生じる。このような場合、有機EL装置の耐久性が低下し、有機EL装置の製品寿命が低下する。
この点、本発明の有機EL装置1は、上述のように、素子基板2と封止板4の膨張差に起因する歪みが極めて小さいので、耐久性に優れ且つ製品寿命も長い。さらに、本発明の有機EL装置1においては、有機EL素子が局所的に劣化することに起因した、有機EL素子の駆動寿命の低下を防止できる。
仮に、前記有機EL装置の歪みが大きい場合には、(1)素子基板又は封止板が有機EL素子から剥離する、(2)素子基板又は封止板にクラックが発生し、有機EL素子内に酸素や水分が侵入する、(3)有機EL素子が歪むことによって有機EL素子が局所的に劣化する、などの問題が生じる。このような場合、有機EL装置の耐久性が低下し、有機EL装置の製品寿命が低下する。
この点、本発明の有機EL装置1は、上述のように、素子基板2と封止板4の膨張差に起因する歪みが極めて小さいので、耐久性に優れ且つ製品寿命も長い。さらに、本発明の有機EL装置1においては、有機EL素子が局所的に劣化することに起因した、有機EL素子の駆動寿命の低下を防止できる。
本発明の有機EL装置1は、有機層33が発光材料で形成されているので、照明装置、画像表示装置などの発光パネルとして利用できる。
以下、発光する有機EL装置1を例に採って、その形成材料などを説明する。
以下、発光する有機EL装置1を例に採って、その形成材料などを説明する。
(有機EL素子)
前記有機EL素子の第1電極は、例えば、陽極である。
前記第1電極(陽極)の形成材料は、特に限定されず、例えば、インジウム錫酸化物(ITO);酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO);アルミニウム;金;白金;ニッケル;タングステン;銅;合金;などが挙げられる。ボトムエミッション型の発光体を形成する場合には、透明な第1電極が用いられる。第1電極の厚みは、特に限定されず、通常、0.01μm〜1.0μmである。
本明細書において、透明の指標としては、例えば、全光線透過率70%以上、好ましくは80%以上が例示できる。ただし、全光線透過率は、JIS K 7105(プラスチックの光学的特性試験方法)に準じた測定法によって測定される値をいう。
前記有機EL素子の第1電極は、例えば、陽極である。
前記第1電極(陽極)の形成材料は、特に限定されず、例えば、インジウム錫酸化物(ITO);酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO);アルミニウム;金;白金;ニッケル;タングステン;銅;合金;などが挙げられる。ボトムエミッション型の発光体を形成する場合には、透明な第1電極が用いられる。第1電極の厚みは、特に限定されず、通常、0.01μm〜1.0μmである。
本明細書において、透明の指標としては、例えば、全光線透過率70%以上、好ましくは80%以上が例示できる。ただし、全光線透過率は、JIS K 7105(プラスチックの光学的特性試験方法)に準じた測定法によって測定される値をいう。
前記有機EL素子の有機層は、少なくとも2つの層からなる積層体である。有機層の構造としては、例えば、(A)正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層の、3つの層からなる構造、(B)正孔輸送層及び発光層の、2つの層からなる構造、(C)発光層及び電子輸送層、の2つの層からなる構造、などが挙げられる。
前記(B)の有機層は、発光層が電子輸送層を兼用している。前記(C)の有機層は、発光層が正孔輸送層を兼用している。
本発明に用いられる有機層は、前記(A)〜(C)の何れの構造であってもよい。
以下、前記(A)の構造を有する有機層について簡単に説明する。
前記(B)の有機層は、発光層が電子輸送層を兼用している。前記(C)の有機層は、発光層が正孔輸送層を兼用している。
本発明に用いられる有機層は、前記(A)〜(C)の何れの構造であってもよい。
以下、前記(A)の構造を有する有機層について簡単に説明する。
正孔輸送層は、第1電極の表面に設けられる。また、例えば、正孔注入層が、第1電極の表面に設けられ、前記正孔注入層の表面に正孔輸送層が設けられていてもよい。
正孔輸送層の形成材料は、正孔輸送機能を有する材料であれば特に限定されず、公知の材料を用いることができる。
正孔輸送層の厚みは、特に限定されず、駆動電圧を下げるという観点から、1nm〜500nmが好ましい。
正孔輸送層の形成材料は、正孔輸送機能を有する材料であれば特に限定されず、公知の材料を用いることができる。
正孔輸送層の厚みは、特に限定されず、駆動電圧を下げるという観点から、1nm〜500nmが好ましい。
発光層は、正孔輸送層の表面に設けられる。
発光層の形成材料は、発光性を有する材料であれば特に限定されず、公知の材料を用いることができる。
発光層の厚みは、特に限定されず、例えば、2nm〜500nmが好ましい。
発光層の形成材料は、発光性を有する材料であれば特に限定されず、公知の材料を用いることができる。
発光層の厚みは、特に限定されず、例えば、2nm〜500nmが好ましい。
電子輸送層は、発光層の表面に設けられる。また、例えば、電子注入層が、電子輸送層の表面に設けられ、前記電子注入層の表面に第2電極が設けられていてもよい。
電子輸送層の形成材料は、電子輸送機能を有する材料であれば特に限定されず、公知の材料を用いることができる。
電子輸送層の厚みは、特に限定されず、駆動電圧を下げるという観点から、1nm〜500nmが好ましい。
電子輸送層の形成材料は、電子輸送機能を有する材料であれば特に限定されず、公知の材料を用いることができる。
電子輸送層の厚みは、特に限定されず、駆動電圧を下げるという観点から、1nm〜500nmが好ましい。
前記有機EL素子の第2電極は、例えば、陰極である。
前記第2電極の形成材料は、特に限定されず、トップエミッション型の発光体を形成する場合には、透明な第2電極が用いられる。透明及び導電性を有する第2電極の形成材料としては、インジウム錫酸化物(ITO);酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO);アルミニウムなどの導電性金属を添加した酸化亜鉛(ZnO:Al);マグネシウム−銀合金などが挙げられる。第2電極の厚みは、特に限定されず、通常、0.01μm〜1.0μmである。
前記第2電極の形成材料は、特に限定されず、トップエミッション型の発光体を形成する場合には、透明な第2電極が用いられる。透明及び導電性を有する第2電極の形成材料としては、インジウム錫酸化物(ITO);酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO);アルミニウムなどの導電性金属を添加した酸化亜鉛(ZnO:Al);マグネシウム−銀合金などが挙げられる。第2電極の厚みは、特に限定されず、通常、0.01μm〜1.0μmである。
前記バリア層は、有機EL素子を保護し、水分や酸素などの侵入を防止するために設けられる。前記バリア層の形成材料は、特に限定されず、金属酸化物膜、酸化窒化膜、窒化膜、酸化炭化窒化膜などが挙げられる。バリア層の厚みは、特に限定されず、例えば、50nm〜50μmである。
(素子基板)
素子基板は、有機EL素子を支持し、且つ有機EL素子に水分や酸素などが侵入することを防止するために設けられる。
前記素子基板としては、金属箔を含む基板、又は、ガラス板を含む基板の何れか一方が用いられる。前記金属箔を含む基板及びガラス板を含む基板については、下記に詳述する。
また、上述のように、素子基板は、式:0≦|素子基板の線膨張係数−封止板の線膨張係数|≦12ppm/℃、を満たすものが用いられる。
好ましくは、0≦|素子基板の線膨張係数−封止板の線膨張係数|≦10ppm/℃であり、より好ましくは、0≦|素子基板の線膨張係数−封止板の線膨張係数|≦7ppm/℃である。
素子基板は、有機EL素子を支持し、且つ有機EL素子に水分や酸素などが侵入することを防止するために設けられる。
前記素子基板としては、金属箔を含む基板、又は、ガラス板を含む基板の何れか一方が用いられる。前記金属箔を含む基板及びガラス板を含む基板については、下記に詳述する。
また、上述のように、素子基板は、式:0≦|素子基板の線膨張係数−封止板の線膨張係数|≦12ppm/℃、を満たすものが用いられる。
好ましくは、0≦|素子基板の線膨張係数−封止板の線膨張係数|≦10ppm/℃であり、より好ましくは、0≦|素子基板の線膨張係数−封止板の線膨張係数|≦7ppm/℃である。
前記素子基板は、例えば、可撓性を有する基板を用いることができる。
前記素子基板は、透明及び不透明の何れでよい。ボトムエミッション型の有機EL装置を形成する場合には、素子基板として、透明な基板(つまり、ガラス板を含む基板)が用いられる。
前記素子基板は、透明及び不透明の何れでよい。ボトムエミッション型の有機EL装置を形成する場合には、素子基板として、透明な基板(つまり、ガラス板を含む基板)が用いられる。
(封止板)
封止板は、有機EL素子を保護し、且つ有機EL素子に水分や酸素などが侵入することを防止するために設けられる。
前記封止板としては、金属箔を含む基板、又は、ガラス板を含む基板の何れか他方が用いられる。前記金属箔を含む基板及びガラス板を含む基板については、下記に詳述する。
前記封止板は、例えば、可撓性を有する基板を用いることができる。
前記封止板は、透明及び不透明の何れでよい。トップエミッション型の有機EL装置を形成する場合には、封止板として、透明な基板(つまり、ガラス板を含む基板)が用いられる。
封止板は、有機EL素子を保護し、且つ有機EL素子に水分や酸素などが侵入することを防止するために設けられる。
前記封止板としては、金属箔を含む基板、又は、ガラス板を含む基板の何れか他方が用いられる。前記金属箔を含む基板及びガラス板を含む基板については、下記に詳述する。
前記封止板は、例えば、可撓性を有する基板を用いることができる。
前記封止板は、透明及び不透明の何れでよい。トップエミッション型の有機EL装置を形成する場合には、封止板として、透明な基板(つまり、ガラス板を含む基板)が用いられる。
(金属箔を含む基板)
金属箔を含む基板は、シート状物であり、好ましくは、可撓性を有するシート状物である。
金属箔を含む基板としては、金属箔のみ、又は、金属箔の一方面若しくは双方面に絶縁層が積層された積層体などが挙げられる。
前記金属箔としては、ステンレス箔、アルミニウム箔、銅箔、銀箔、金箔、黄銅箔、ニッケル箔、チタン箔、スズ箔、銅合金箔、ニッケル合金箔などが挙げられる。
これらの箔は、金属の圧延加工などの方法で得ることができる。
金属箔を含む基板は、シート状物であり、好ましくは、可撓性を有するシート状物である。
金属箔を含む基板としては、金属箔のみ、又は、金属箔の一方面若しくは双方面に絶縁層が積層された積層体などが挙げられる。
前記金属箔としては、ステンレス箔、アルミニウム箔、銅箔、銀箔、金箔、黄銅箔、ニッケル箔、チタン箔、スズ箔、銅合金箔、ニッケル合金箔などが挙げられる。
これらの箔は、金属の圧延加工などの方法で得ることができる。
前記金属箔の厚みは、特に限定されないが、例えば、10μm〜150μmであり、好ましくは10μm〜100μmである。金属箔の厚みが前記よりも小さいと、水分及び酸素の侵入を十分に防止できず、一方、金属箔の厚みが前記よりも大きいと、金属箔が可撓性を有さなくなる。
前記絶縁層は、有機EL素子の電極が短絡することを防止するために設けられる。
前記絶縁層の形成材料としては、酸化珪素、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化銅などの金属酸化物;窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物;ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂などの合成樹脂;などが挙げられる。これらは、1種単独で又は2種以上を使用できる。
前記絶縁層の線膨張係数は、特に限定されないが、金属箔と同等であることが好ましい。
前記絶縁層の厚みは、特に限定されない。絶縁層が無機材料から形成される場合には、その厚みは10nm〜1000nmであり、絶縁層が合成樹脂材料から形成される場合には、その厚みは1μm〜50μmである。
前記絶縁層の形成材料としては、酸化珪素、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化銅などの金属酸化物;窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物;ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂などの合成樹脂;などが挙げられる。これらは、1種単独で又は2種以上を使用できる。
前記絶縁層の線膨張係数は、特に限定されないが、金属箔と同等であることが好ましい。
前記絶縁層の厚みは、特に限定されない。絶縁層が無機材料から形成される場合には、その厚みは10nm〜1000nmであり、絶縁層が合成樹脂材料から形成される場合には、その厚みは1μm〜50μmである。
前記金属箔を含む基板の水分透過率は、0.01mg/m2・day以下が好ましい。前記金属箔を含む基板の酸素透過率は、0.01cc/m2・day・atm以下が好ましい。このような低い水分透過率及び酸素透過率を有する基板を用いることにより、有機EL素子に水分及び酸素が侵入することを効果的に抑制できる。
前記水分透過率は、JIS K 7129−1992年に準じた測定法によって測定される値をいう。前記酸素透過率は、JIS K 7126−1987年に準じた測定法によって測定される値をいう。
前記金属箔を含む基板の線膨張係数は、特に限定されないが、例えば、25ppm/℃以下であり、好ましくは20ppm/℃以下である。前記金属箔を含む基板の線膨張係数の下限は、理論上、零である。もっとも、実際上、線膨張係数が零の金属箔を入手することは困難である。このため、前記金属箔を含む基板の線膨張係数は、3ppm/℃以上であり、好ましくは5ppm/℃以上である。
前記水分透過率は、JIS K 7129−1992年に準じた測定法によって測定される値をいう。前記酸素透過率は、JIS K 7126−1987年に準じた測定法によって測定される値をいう。
前記金属箔を含む基板の線膨張係数は、特に限定されないが、例えば、25ppm/℃以下であり、好ましくは20ppm/℃以下である。前記金属箔を含む基板の線膨張係数の下限は、理論上、零である。もっとも、実際上、線膨張係数が零の金属箔を入手することは困難である。このため、前記金属箔を含む基板の線膨張係数は、3ppm/℃以上であり、好ましくは5ppm/℃以上である。
(ガラス板を含む基板)
ガラス板を含む基板は、透明なシート状物であり、好ましくは、可撓性を有するシート状物である。
ガラス板を含む基板としては、ガラス板のみ、又は、ガラス板の一方面若しくは双方面に樹脂層が積層された積層体などが挙げられる。
ガラス板を含む基板は、透明なシート状物であり、好ましくは、可撓性を有するシート状物である。
ガラス板を含む基板としては、ガラス板のみ、又は、ガラス板の一方面若しくは双方面に樹脂層が積層された積層体などが挙げられる。
前記ガラス板は、通常、無機ガラスから形成される。前記無機ガラスとしては、例えば、組成による分類によれば、ソーダ石灰ガラス、ホウ酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、石英ガラスなどが挙げられ、アルカリ成分による分類によれば、無アルカリガラス、低アルカリガラスなどが挙げられる。前記ガラス中のアルカリ金属成分の含有量は、好ましくは15質量%以下であり、より好ましくは10質量%以下である。
前記ガラス板の厚みは、特に限定されないが、例えば、10μm〜100μmであり、好ましくは20μm〜70μmであり、より好ましくは25μm〜55μmである。
前記ガラス板の厚みは、特に限定されないが、例えば、10μm〜100μmであり、好ましくは20μm〜70μmであり、より好ましくは25μm〜55μmである。
前記無機ガラスの形成方法は、特に限定されず、任意の適切な方法を採用できる。例えば、前記無機ガラスは、シリカやアルミナなどの主原料と、芒硝や酸化アンチモンなどの消泡剤と、カーボンなどの還元剤とを含む混合物を、1400℃〜1600℃の温度で溶融し、薄板状に成形した後、冷却することによって得ることができる。
前記無機ガラスは、市販品をそのまま用いてもよく、又は、市販の無機ガラスを所望の厚みになるように研磨して用いてもよい。市販の無機ガラスとしては、例えば、コーニング社製「7059」、「1737」または「EAGLE2000」、旭硝子社製「AN100」、NHテクノグラス社製「NA−35」、日本電気硝子社製「OA−10」などが挙げられる。
前記樹脂層の形成材料としては、透明であれば特に限定されず、任意の適切な樹脂を用いることができる。例えば、前記樹脂層の形成材料としては、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂などの熱硬化型又は紫外線硬化型樹脂が挙げられる。特に、表面平滑性に優れた樹脂層を形成できることから、樹脂層の形成材料としては、エポキシ系樹脂を主成分とする樹脂組成物を用いることが好ましい。
前記エポキシ系樹脂は、分子中にエポキシ基を持つ高分子であれば、特に限定されない。前記エポキシ系樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、及びこれらの水添加物などのビスフェノール型;フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型などのノボラック型;トリグリシジルイソシアヌレート型、ヒダントイン型などの含窒素環型;脂環式型;脂肪族型;ナフタレン型、ビフェニル型などの芳香族型;グリシジルエーテル型、グリシジルアミン型、グリシジルエステル型などのグリシジル型;ジシクロペンタジエン型などのジシクロ型;エステル型;エーテルエステル型;これらの変性型;などが挙げられる。これらのエポキシ系樹脂は、1種単独で、又は2種以上を併用できる。
好ましくは、樹脂層は、特開2008−107510号に開示された、一般式(I)、(II)、(III)及び(IV)で表されるエポキシ系プレポリマーの硬化層である。
前記ガラス板の一方面又は双方面に前記樹脂層を形成する方法についても、特開2008−107510号に開示された方法を採用できる。
好ましくは、樹脂層は、特開2008−107510号に開示された、一般式(I)、(II)、(III)及び(IV)で表されるエポキシ系プレポリマーの硬化層である。
前記ガラス板の一方面又は双方面に前記樹脂層を形成する方法についても、特開2008−107510号に開示された方法を採用できる。
前記樹脂層の厚みは、特に限定されないが、例えば、1μm〜100μmであり、より好ましくは1μm〜50μmである。樹脂層がガラス板の双方面に設けられる場合、それぞれの樹脂層の厚みは、同一であってもよく或いは異なっていてもよいが、好ましくは、それぞれの樹脂層の厚みは同一である。また、それぞれの樹脂層は、同一の材料で構成されていてもよく或いは異なる材料で構成されていてもよいが。好ましくは、それぞれの樹脂層は、同一の材料で構成される。
前記ガラス板を含む基板の水分透過率は、0.01mg/m2・day以下が好ましい。前記ガラス板を含む基板の酸素透過率は、0.01cc/m2・day・atm以下が好ましい。このような低い水分透過率及び酸素透過率を有する基板を用いることにより、有機EL素子に水分及び酸素が侵入することを効果的に抑制できる。
前記水分透過率は、JIS K 7129−1992年に準じた測定法によって測定される値をいう。前記酸素透過率は、JIS K 7126−1987年に準じた測定法によって測定される値をいう。
前記ガラス板を含む基板の線膨張係数は、特に限定されないが、例えば、15ppm/℃以下であり、好ましくは12ppm/℃以下である。前記ガラス板を含む基板の線膨張係数の下限は、理論上、零である。もっとも、実際上、線膨張係数が零のガラス板を入手することは困難である。このため、前記ガラス板を含む基板の線膨張係数は、1ppm/℃以上であり、好ましくは2ppm/℃以上である。
前記水分透過率は、JIS K 7129−1992年に準じた測定法によって測定される値をいう。前記酸素透過率は、JIS K 7126−1987年に準じた測定法によって測定される値をいう。
前記ガラス板を含む基板の線膨張係数は、特に限定されないが、例えば、15ppm/℃以下であり、好ましくは12ppm/℃以下である。前記ガラス板を含む基板の線膨張係数の下限は、理論上、零である。もっとも、実際上、線膨張係数が零のガラス板を入手することは困難である。このため、前記ガラス板を含む基板の線膨張係数は、1ppm/℃以上であり、好ましくは2ppm/℃以上である。
以下、実施例及び比較例を示し、本発明をさらに詳述する。ただし、本発明は、下記実施例に限定されるわけではない。
(使用した基板)
(A)ガラス含有基板A
シリコーン処理の施された剥離フィルム間に、下記化学式で表されるエポキシ系樹脂(式(1):式(2)=50:50(重量比))を主成分とする樹脂組成物を挟み込み、50μm間隔に固定された金属ロールの間に通して、厚み30μmのエポキシ系樹脂層を含む積層体を得た。次に、紫外線照射装置(コンベア速度:2.5m/分)を用いて、前記積層体の一方の側から、紫外線を照射(照射エネルギー:250mJ/cm2)し、エポキシ系樹脂層を半硬化させて半硬化層を形成した。次に、一方の剥離フィルムを除去し、ラミネータを用いて、前記積層体の半硬化層を無機ガラス(松浪硝子工業(株)製の硼珪酸ガラス、厚み:30μm)の一方の側の表面に貼着した。前記無機ガラスのもう一方の側についても同様の操作を行い、前記半硬化層を貼着した。次いで、残っていた剥離フィルムを取り除いた後、紫外線を再照射(照射エネルギー:5000mJ/cm2以上)した。その後、130℃以上で加熱処理を10分以上施し、無機ガラスの両面の半硬化層を完全硬化させた。このようにして、30μmの樹脂層/30μmの無機ガラス/30μmの樹脂層の積層構造を有するガラス含有基板Aを得た。
(A)ガラス含有基板A
シリコーン処理の施された剥離フィルム間に、下記化学式で表されるエポキシ系樹脂(式(1):式(2)=50:50(重量比))を主成分とする樹脂組成物を挟み込み、50μm間隔に固定された金属ロールの間に通して、厚み30μmのエポキシ系樹脂層を含む積層体を得た。次に、紫外線照射装置(コンベア速度:2.5m/分)を用いて、前記積層体の一方の側から、紫外線を照射(照射エネルギー:250mJ/cm2)し、エポキシ系樹脂層を半硬化させて半硬化層を形成した。次に、一方の剥離フィルムを除去し、ラミネータを用いて、前記積層体の半硬化層を無機ガラス(松浪硝子工業(株)製の硼珪酸ガラス、厚み:30μm)の一方の側の表面に貼着した。前記無機ガラスのもう一方の側についても同様の操作を行い、前記半硬化層を貼着した。次いで、残っていた剥離フィルムを取り除いた後、紫外線を再照射(照射エネルギー:5000mJ/cm2以上)した。その後、130℃以上で加熱処理を10分以上施し、無機ガラスの両面の半硬化層を完全硬化させた。このようにして、30μmの樹脂層/30μmの無機ガラス/30μmの樹脂層の積層構造を有するガラス含有基板Aを得た。
(B)ガラス含有基板B
上記ガラス含有基板Aの無機ガラスの双方面に形成した樹脂層を各々10μmに変更したこと以外は、上記ガラス含有基板Aと同様にして、10μmの樹脂層/30μmの無機ガラス/10μmの樹脂層の積層構造を有するガラス含有基板Bを得た。
上記ガラス含有基板Aの無機ガラスの双方面に形成した樹脂層を各々10μmに変更したこと以外は、上記ガラス含有基板Aと同様にして、10μmの樹脂層/30μmの無機ガラス/10μmの樹脂層の積層構造を有するガラス含有基板Bを得た。
(C)金属含有基板C
金属含有基板Cとして、厚み50μmのSUS444箔の上に、厚み3μmの絶縁層を積層したものを用いた。前記絶縁層は、アクリル樹脂(JSR(株)製 商品名「JEM−477」)を用い、ワイヤーバーで塗布し、前記ステンレス箔の一方面上に積層した。
(D)金属含有基板D
金属含有基板Dとして、厚み50μmのSUS304箔の上に、厚み3μmの絶縁層を積層したものを用いた。前記絶縁層は、アクリル樹脂(JSR(株)製 商品名「JEM−477」)を用い、ワイヤーバーで塗布し、前記ステンレス箔の一方面上に積層した。
(E)金属含有基板E
金属含有基板Eとして、厚み50μmの銅箔の上に、厚み3μmの絶縁層を積層したものを用いた。前記絶縁層は、アクリル樹脂(JSR(株)製 商品名「JEM−477」)を用い、ワイヤーバーで塗布し、前記銅箔の一方面上に積層した。
(F)金属含有基板F
金属含有基板Fとして、厚み50μmのアルミニウム箔の上に、厚み3μmの絶縁層を積層したものを用いた。前記絶縁層は、アクリル樹脂(JSR(株)製 商品名「JEM−477」)を用い、ワイヤーバーで塗布し、前記アルミニウム箔の一方面上に積層した。
なお、各厚みは、アンリツ製デジタルマイクロメーター「KC−351C型」を使用して測定した。
金属含有基板Cとして、厚み50μmのSUS444箔の上に、厚み3μmの絶縁層を積層したものを用いた。前記絶縁層は、アクリル樹脂(JSR(株)製 商品名「JEM−477」)を用い、ワイヤーバーで塗布し、前記ステンレス箔の一方面上に積層した。
(D)金属含有基板D
金属含有基板Dとして、厚み50μmのSUS304箔の上に、厚み3μmの絶縁層を積層したものを用いた。前記絶縁層は、アクリル樹脂(JSR(株)製 商品名「JEM−477」)を用い、ワイヤーバーで塗布し、前記ステンレス箔の一方面上に積層した。
(E)金属含有基板E
金属含有基板Eとして、厚み50μmの銅箔の上に、厚み3μmの絶縁層を積層したものを用いた。前記絶縁層は、アクリル樹脂(JSR(株)製 商品名「JEM−477」)を用い、ワイヤーバーで塗布し、前記銅箔の一方面上に積層した。
(F)金属含有基板F
金属含有基板Fとして、厚み50μmのアルミニウム箔の上に、厚み3μmの絶縁層を積層したものを用いた。前記絶縁層は、アクリル樹脂(JSR(株)製 商品名「JEM−477」)を用い、ワイヤーバーで塗布し、前記アルミニウム箔の一方面上に積層した。
なお、各厚みは、アンリツ製デジタルマイクロメーター「KC−351C型」を使用して測定した。
(基板の線膨張係数)
上記ガラス含有基板A乃至B及び金属含有基板C乃至Fについて、下記測定法により、それぞれ線膨張係数を測定した。その結果を表1に示す。
線膨張係数の測定は、TMA/SS150C(セイコーインスツル(株)製)を用いて、30℃〜150℃におけるTMA値(μm)を測定し、平均線膨張係数を算出した。
上記ガラス含有基板A乃至B及び金属含有基板C乃至Fについて、下記測定法により、それぞれ線膨張係数を測定した。その結果を表1に示す。
線膨張係数の測定は、TMA/SS150C(セイコーインスツル(株)製)を用いて、30℃〜150℃におけるTMA値(μm)を測定し、平均線膨張係数を算出した。
[実施例1]
素子基板として、金属含有基板Cを用い、封止板として、ガラス含有基板Aを用いた。
そして、素子基板の絶縁層の上に、厚み100nmのアルミニウムを真空蒸着法にて製膜することにより、第1電極を形成した。この第1電極の上に、正孔注入層として厚み10nmの1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル(略称:HAT−CN)を製膜し、その正孔注入層の上に、正孔輸送層として厚み50nmのN,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン(略称:NPB)を製膜し、その正孔輸送層の上に、電子輸送層を兼用する発光層として厚み45nmのトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)を製膜し、その発光層の上に、電子注入層として厚み0.5nmのLiFを製膜した。
さらに、この電子注入層の上に、第2電極として厚み5/15nmのMg/Ag(共蒸着)を真空蒸着にて製膜した。このようにして、素子基板の上に、有機EL素子を形成した。
次に、前記封止板の裏面に、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化型接着剤を塗布し(硬化時の接着剤の層厚が概ね10μmとなるように塗布)、前記有機EL素子の上に重ね合わせ、加熱することによって前記接着剤を硬化させることにより、有機EL素子を封止板で封止した。
このようにして、トップエミッション型の有機EL装置(発光装置)を作製した。
素子基板として、金属含有基板Cを用い、封止板として、ガラス含有基板Aを用いた。
そして、素子基板の絶縁層の上に、厚み100nmのアルミニウムを真空蒸着法にて製膜することにより、第1電極を形成した。この第1電極の上に、正孔注入層として厚み10nmの1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル(略称:HAT−CN)を製膜し、その正孔注入層の上に、正孔輸送層として厚み50nmのN,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン(略称:NPB)を製膜し、その正孔輸送層の上に、電子輸送層を兼用する発光層として厚み45nmのトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)を製膜し、その発光層の上に、電子注入層として厚み0.5nmのLiFを製膜した。
さらに、この電子注入層の上に、第2電極として厚み5/15nmのMg/Ag(共蒸着)を真空蒸着にて製膜した。このようにして、素子基板の上に、有機EL素子を形成した。
次に、前記封止板の裏面に、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化型接着剤を塗布し(硬化時の接着剤の層厚が概ね10μmとなるように塗布)、前記有機EL素子の上に重ね合わせ、加熱することによって前記接着剤を硬化させることにより、有機EL素子を封止板で封止した。
このようにして、トップエミッション型の有機EL装置(発光装置)を作製した。
[実施例2]
素子基板として、金属含有基板Dを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
素子基板として、金属含有基板Dを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
[実施例3]
素子基板として、金属含有基板Eを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
素子基板として、金属含有基板Eを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
[実施例4]
素子基板として、金属含有基板Cを用い、封止板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
素子基板として、金属含有基板Cを用い、封止板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
[実施例5]
素子基板として、金属含有基板Dを用い、封止板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
素子基板として、金属含有基板Dを用い、封止板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
[実施例6]
素子基板として、金属含有基板Eを用い、封止板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
素子基板として、金属含有基板Eを用い、封止板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
[実施例7]
素子基板として、ガラス含有基板Aを用い、封止板として、金属含有基板Cを用いた。
そして、素子基板の上に、厚み100nmのITOをスパッタリング法にて製膜することにより、第1電極を形成した。この第1電極の上に、正孔注入層として厚み10nmの1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル(略称:HAT−CN)を製膜し、その正孔注入層の上に、正孔輸送層として厚み50nmのN,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン(略称:NPB)を製膜し、その正孔輸送層の上に、電子輸送層を兼用する発光層として厚み45nmのトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)を製膜し、その発光層の上に、電子注入層として厚み0.5nmのLiFを製膜した。
さらに、この電子注入層の上に、第2電極として厚み100nmのアルミニウムを真空蒸着にて製膜した。このようにして、素子基板の上に、有機EL素子を形成した。
次に、前記封止板の裏面に、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化型接着剤を塗布し(硬化時の接着剤の層厚が概ね10μmとなるように塗布)、前記有機EL素子の上に重ね合わせ、加熱することによって前記接着剤を硬化させることにより、有機EL素子を封止板で封止した。
このようにして、ボトムエミッション型の有機EL装置(発光装置)を作製した。
素子基板として、ガラス含有基板Aを用い、封止板として、金属含有基板Cを用いた。
そして、素子基板の上に、厚み100nmのITOをスパッタリング法にて製膜することにより、第1電極を形成した。この第1電極の上に、正孔注入層として厚み10nmの1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル(略称:HAT−CN)を製膜し、その正孔注入層の上に、正孔輸送層として厚み50nmのN,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス(フェニル)−ベンジジン(略称:NPB)を製膜し、その正孔輸送層の上に、電子輸送層を兼用する発光層として厚み45nmのトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)を製膜し、その発光層の上に、電子注入層として厚み0.5nmのLiFを製膜した。
さらに、この電子注入層の上に、第2電極として厚み100nmのアルミニウムを真空蒸着にて製膜した。このようにして、素子基板の上に、有機EL素子を形成した。
次に、前記封止板の裏面に、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化型接着剤を塗布し(硬化時の接着剤の層厚が概ね10μmとなるように塗布)、前記有機EL素子の上に重ね合わせ、加熱することによって前記接着剤を硬化させることにより、有機EL素子を封止板で封止した。
このようにして、ボトムエミッション型の有機EL装置(発光装置)を作製した。
[実施例8]
封止板として、金属含有基板Dを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
封止板として、金属含有基板Dを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
[実施例9]
封止板として、金属含有基板Eを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
封止板として、金属含有基板Eを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
[実施例10]
素子基板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
素子基板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
[実施例11]
封止板として、金属含有基板Dを用い、素子基板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
封止板として、金属含有基板Dを用い、素子基板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
[実施例12]
封止板として、金属含有基板Eを用い、素子基板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
封止板として、金属含有基板Eを用い、素子基板として、ガラス含有基板Bを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
[比較例1]
素子基板として、金属含有基板Fを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
素子基板として、金属含有基板Fを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
[比較例2]
素子基板として、金属含有基板Fを用いたこと以外は、実施例4と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
素子基板として、金属含有基板Fを用いたこと以外は、実施例4と同様にして、トップエミッション型の有機EL装置を作製した。
[比較例3]
封止板として、金属含有基板Fを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
封止板として、金属含有基板Fを用いたこと以外は、実施例7と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置を作製した。
[比較例4]
封止板として、金属含有基板Fを用いたこと以外は、実施例10と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置(発光装置)を作製した。
封止板として、金属含有基板Fを用いたこと以外は、実施例10と同様にして、ボトムエミッション型の有機EL装置(発光装置)を作製した。
[輝度保持率及び発光面積の変化の測定]
実施例1乃至12及び比較例1乃至4の有機EL装置のそれぞれを、定電流30mA/cm2で連続駆動させ、初期の輝度と、200時間後の輝度をそれぞれ測定した。それらの測定値を、下記式に代入して、輝度保持率(%)を算出した。その結果を表2に示す。
輝度保持率(%)=200時間発光後の輝度/初期の輝度
発光面積の変化は、実施例1乃至12及び比較例1乃至4の有機EL装置のそれぞれを、60℃、90%RHの恒温恒湿室内で非点灯の状態で保存した。保存初期と、200時間後に、有機EL装置をそれぞれ発光させ、顕微鏡観察によって発光面積を測定した。前記顕微鏡観察及び発光面積の測定は、(株)キーエンス製のデジタルマイクロスコープ(製品名「VHX−1000」)を用いて行った。それらの測定値を、下記式に代入して、輝度保持率(%)を算出した。その結果を表2に示す。
発光面積の変化(%)=200時間発光後の発光面積/初期の発光面積
実施例1乃至12及び比較例1乃至4の有機EL装置のそれぞれを、定電流30mA/cm2で連続駆動させ、初期の輝度と、200時間後の輝度をそれぞれ測定した。それらの測定値を、下記式に代入して、輝度保持率(%)を算出した。その結果を表2に示す。
輝度保持率(%)=200時間発光後の輝度/初期の輝度
発光面積の変化は、実施例1乃至12及び比較例1乃至4の有機EL装置のそれぞれを、60℃、90%RHの恒温恒湿室内で非点灯の状態で保存した。保存初期と、200時間後に、有機EL装置をそれぞれ発光させ、顕微鏡観察によって発光面積を測定した。前記顕微鏡観察及び発光面積の測定は、(株)キーエンス製のデジタルマイクロスコープ(製品名「VHX−1000」)を用いて行った。それらの測定値を、下記式に代入して、輝度保持率(%)を算出した。その結果を表2に示す。
発光面積の変化(%)=200時間発光後の発光面積/初期の発光面積
[評価]
実施例1乃至12と比較例1乃至4との対比から、素子基板の線膨張係数と封止板の線膨張係数の差の絶対値が、12ppm/℃以下(好ましくは8ppm/℃以下)である場合には、輝度保持率が高く、且つ発光面積の減少が小さい有機EL装置を構成できることが判る。
このように有機EL装置の製品寿命が長くなる主たる理由は、装置の駆動中に生じる熱によって素子基板及び封止板が剥離又はクラックを生じ難く、素子基板及び封止板の水分及び酸素バリア性が良好であること、及び、有機EL素子が局所的に劣化しないことなどが推定される。
実施例1乃至12と比較例1乃至4との対比から、素子基板の線膨張係数と封止板の線膨張係数の差の絶対値が、12ppm/℃以下(好ましくは8ppm/℃以下)である場合には、輝度保持率が高く、且つ発光面積の減少が小さい有機EL装置を構成できることが判る。
このように有機EL装置の製品寿命が長くなる主たる理由は、装置の駆動中に生じる熱によって素子基板及び封止板が剥離又はクラックを生じ難く、素子基板及び封止板の水分及び酸素バリア性が良好であること、及び、有機EL素子が局所的に劣化しないことなどが推定される。
本発明の有機EL装置は、例えば、照明装置、画像表示装置などとして利用できる。
1…有機EL装置、2…素子基板、3…有機EL素子、31…第1電極、32…第2電極、33…有機層、4…封止板、5…接着層
Claims (4)
- 素子基板と、
前記素子基板の上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の上に設けられた封止板と、を有し、
前記素子基板又は封止板のいずれか一方が、金属箔を含み、前記素子基板又は封止板の他方が、ガラス板を含み、
前記素子基板の線膨張係数と封止板の線膨張係数の差の絶対値が、12ppm/℃以下である、有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記ガラス板の少なくとも一方面に、合成樹脂層が設けられている、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置
- 前記素子基板及び封止板が、可撓性を有する、請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記封止板が、接着層を介して前記有機エレクトロルミネッセンス素子の上に接着されている、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012254853A JP2014103015A (ja) | 2012-11-21 | 2012-11-21 | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012254853A JP2014103015A (ja) | 2012-11-21 | 2012-11-21 | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014103015A true JP2014103015A (ja) | 2014-06-05 |
Family
ID=51025344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012254853A Withdrawn JP2014103015A (ja) | 2012-11-21 | 2012-11-21 | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014103015A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160002384A (ko) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 모듈, 및 전자 기기 |
JPWO2016031877A1 (ja) * | 2014-08-29 | 2017-06-22 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2018506441A (ja) * | 2015-02-17 | 2018-03-08 | エルジー・ケム・リミテッド | 封止フィルム |
-
2012
- 2012-11-21 JP JP2012254853A patent/JP2014103015A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160002384A (ko) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 모듈, 및 전자 기기 |
JP2016027559A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-02-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、モジュール、及び電子機器 |
KR102343163B1 (ko) * | 2014-06-30 | 2021-12-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 모듈, 및 전자 기기 |
JPWO2016031877A1 (ja) * | 2014-08-29 | 2017-06-22 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2018506441A (ja) * | 2015-02-17 | 2018-03-08 | エルジー・ケム・リミテッド | 封止フィルム |
US10680199B2 (en) | 2015-02-17 | 2020-06-09 | Lg Chem, Ltd. | Encapsulation film |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11260627B2 (en) | Flexible substrate | |
US10522786B2 (en) | Organic electronic device having dimension tolerance between encapsulating layer and metal layer less than or equal to 200 microns | |
US20200198302A1 (en) | Transparent sheet and method for manufacturing same | |
US9871224B2 (en) | Encapsulation film | |
TW201923018A (zh) | 有機電致發光顯示元件用密封劑 | |
JP2009067672A (ja) | ガラスフリット及びこれを利用した電気素子の密封方法 | |
JP2016514895A (ja) | 有機発光素子およびその製造方法 | |
JP2014022158A (ja) | 有機elデバイス、および、有機elデバイスの製造方法 | |
US20170213996A1 (en) | Organic electroluminescent element | |
US20140306209A1 (en) | Organic el device and method for producing the same | |
KR101127230B1 (ko) | 플렉시블 디스플레이 기판 | |
JP2011034682A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP2014103015A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
KR101990323B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 | |
KR101038329B1 (ko) | 플렉시블 디스플레이 기판 | |
KR20180057197A (ko) | 페로브스카이트 발광소자 | |
JP4792928B2 (ja) | 導電性基板 | |
JP2008059785A (ja) | 有機電子デバイスの製造方法 | |
KR20150024189A (ko) | 플렉서블 기판의 제조방법 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150824 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20160415 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160427 |