JP2014086125A - 抵抗式メモリのためのセンスアンプ内の書き込みドライバ及びその動作方法 - Google Patents
抵抗式メモリのためのセンスアンプ内の書き込みドライバ及びその動作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014086125A JP2014086125A JP2013216138A JP2013216138A JP2014086125A JP 2014086125 A JP2014086125 A JP 2014086125A JP 2013216138 A JP2013216138 A JP 2013216138A JP 2013216138 A JP2013216138 A JP 2013216138A JP 2014086125 A JP2014086125 A JP 2014086125A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- transistor
- transistors
- write driver
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
- G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1653—Address circuits or decoders
- G11C11/1655—Bit-line or column circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1659—Cell access
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1693—Timing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/004—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
- G11C7/065—Differential amplifiers of latching type
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
- G11C7/1084—Data input buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
- G11C2013/009—Write using potential difference applied between cell electrodes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
- G11C2013/0092—Write characterized by the shape, e.g. form, length, amplitude of the write pulse
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/79—Array wherein the access device being a transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
【解決手段】書き込みドライバは、クロスカップルラッチ、第1出力部、第2出力部及び入力部を含む。第1出力部はクロスカップルラッチを通さずに、第1出力部を介して第1電流を駆動する1つ以上の第1駆動トランジスタを備える。第2出力部はクロスカップルラッチを通さずに、第2出力部を介して第2電流を駆動する1つ以上の第2駆動トランジスタを備える。出力部の電流の流れはラッチ回路から隔離される。直列接続される2つのPMOS型のトランジスタが構成されないのでダイ領域の消費が減少する。また、書き込みドライバを駆動するための単一の制御信号が使用される。
【選択図】図8
Description
110・・・メモリセルアレイ
150・・・センスアンプ回路
160・・・センスアンプ
WriterA、 WriterB・・・書き込みドライバ
Claims (20)
- 抵抗式メモリのためのセンスアンプ内の書き込みドライバにおいて、
少なくとも2つのラッチトランジスタを含むクロスカップルラッチと、
第1差動出力端と接続される1つ以上の第1駆動トランジスタを含む第1出力部と、
第2差動出力端と接続される1つ以上の第2駆動トランジスタを含む第2出力部と、を含み、
前記1つ以上の第1駆動トランジスタは、前記クロスカップルラッチを通さずに前記第1出力部を通じて第1電流を駆動し、前記1つ以上の第2駆動トランジスタは、前記クロスカップルラッチを通さずに前記第2出力部を通じて第2電流を駆動することを特徴とする書き込みドライバ。 - 直列接続される2つのPMOS型のトランジスタが構成されていないことを特徴とする請求項1に記載の書き込みドライバ。
- 前記第1出力部は、前記1つ以上の第1駆動トランジスタのうち、第1電圧及び前記第1差動出力端と接続される1つのPMOS型の駆動トランジスタと、
前記1つ以上の第1駆動トランジスタのうち、第2電圧及び前記第1差動出力端と接続される1つのNMOS型の駆動トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の書き込みドライバ。 - 前記第1出力部は、前記1つ以上の第1駆動トランジスタのうち、第1電圧及び前記第1差動出力端と接続される1つのPMOS型の駆動トランジスタと、
前記1つ以上の第1駆動トランジスタのうち、第2電圧及び前記第1差動出力端と接続される1つの第1のNMOS型の駆動トランジスタと、
前記PMOS型の駆動トランジスタのゲート、前記第1のNMOS型の駆動トランジスタのゲート及び前記第1電圧と接続される信号トランジスタと、
前記1つ以上の第1駆動トランジスタのうち、前記第1のNMOS型の駆動トランジスタ及び前記第2電圧と接続される1つの第2のNMOS型の駆動トランジスタと、を含み、
前記信号トランジスタのゲートは、制御信号と接続され、前記第2のNMOS型の駆動トランジスタのゲートは、前記制御信号と接続されることを特徴とする請求項1に記載の書き込みドライバ。 - 前記第2出力部は、前記1つ以上の第2駆動トランジスタのうち、前記第1電圧及び前記第2差動出力端と接続されるPMOS型の駆動トランジスタと、
前記1つ以上の第2駆動トランジスタのうち、前記第2電圧及び前記第2差動出力端と接続される1つのNMOS型の駆動トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項3に記載の書き込みドライバ。 - 前記第2出力部は、前記1つ以上の第2駆動トランジスタのうち、前記第1電圧及び前記第2差動出力端と接続される1つのPMOS型の駆動トランジスタと、
前記1つ以上の第2駆動トランジスタのうち、前記第2電圧及び前記第2差動出力端と接続される1つの第3のNMOS型の駆動トランジスタと、
前記PMOS型の駆動トランジスタのゲート、前記第1のNMOS型の駆動トランジスタのゲート及び前記第1電圧と接続される信号トランジスタと、
前記1つ以上の第2駆動トランジスタのうち、前記第3のNMOS型の駆動トランジスタ及び前記第2電圧に接続される第4のNMOS型の駆動トランジスタと、を含み、
前記信号トランジスタのゲートは、制御信号と接続され、前記第4のNMOS型の駆動トランジスタのゲートは、前記制御信号と接続されることを特徴とする請求項3に記載の書き込みドライバ。 - 前記クロスカップルラッチは、前記少なくとも2つのラッチトランジスタのうち、前記第1電圧と接続されるソース、前記第1出力部の駆動トランジスタのゲートと接続された第1ノードと接続されるドレイン、前記第2出力部の駆動トランジスタのゲートと接続された第2ノードと接続されるゲートを含む第1PMOS型の信号トランジスタと、
前記少なくとも2つのラッチトランジスタのうち、前記第1電圧と接続されるソース、前記第2ノードと接続されるドレイン、前記第1ノードと接続されるゲートを含む第2PMOS型の信号トランジスタを備えることを特徴とする請求項5に記載の書き込みドライバ。 - 入力部をさらに含み、前記入力部は、第1差動入力端と接続される第1のNMOS型の信号トランジスタ、第2差動入力端と接続される第2のNMOS型の信号トランジスタ、前記入力部の前記第1及び第2のNMOS型の信号トランジスタと接続される第3のNMOSトランジスタを含むことを特徴とする請求項7に記載の書き込みドライバ。
- 前記第1または第2差動入力端の入力電圧は、前記第1電圧と前記第2電圧の差の1/2及び前記第2電圧の間に含まれることを特徴とする請求項8に記載の書き込みドライバ。
- 前記第1または第2差動入力端の入力電圧は、前記第1電圧と前記第2電圧との間に含まれることを特徴とする請求項8に記載の書き込みドライバ。
- 前記第3のNMOS型の信号トランジスタは、制御信号を受信することを特徴とする請求項8に記載の書き込みドライバ。
- 前記第1及び第2ノードは、初期状態で前記第1電圧を有することを特徴とする請求項11に記載の書き込みドライバ。
- 前記入力部の前記第1及び第2のNMOS型の信号トランジスタのうちいずれか1つ及び前記第3のNMOS型の信号トランジスタは、前記制御信号に応答して前記第1及び第2ノードのうち1つを前記第1電圧から前記第2電圧に変化させ、
前記クロスカップルラッチは、前記第1及び第2ノードからそれぞれの電圧をラッチし、
前記第1出力部は、前記第1ノードの電圧に応答して前記第1差動出力端を前記第1及び第2電圧のうちいずれか1つで駆動し、
前記第2出力部は、前記第2ノードの電圧に応答して前記第2差動出力端を前記第1及び第2電圧のうち1つで駆動することを特徴とする請求項12に記載の書き込みドライバ。 - 前記クロスカップルラッチは、前記少なくとも2つのラッチトランジスタのうち、前記第2電圧と接続されるソース、前記第1駆動部の駆動トランジスタのゲートと接続された第1ノードと接続されるドレイン、前記第2駆動部の駆動トランジスタのゲートと接続された第2ノードと接続されるゲートを含む第1のNMOS型の信号トランジスタと、
前記少なくとも2つのラッチトランジスタのうち、前記第2電圧と接続されるソース、前記第2ノードと接続されるドレイン、前記第1ノードと接続されるゲートを含む第2のNMOS型の信号トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項5に記載の書き込みドライバ。 - 第1差動入力端と接続される第1のNMOS型の信号トランジスタ、第2差動入力端と接続される第2のNMOS型の信号トランジスタ、前記第1差動入力端と接続される第1PMOS型の信号トランジスタ、前記第2差動入力端と接続される第2PMOS型の信号トランジスタ、そして第3のNMOS型の信号トランジスタを含む入力部をさらに備えることを特徴とする請求項14に記載の書き込みドライバ。
- 前記第3のNMOS型の信号トランジスタは、前記入力部の前記第1及び第2のNMOS型の信号トランジスタと接続されることを特徴とする請求項15に記載の書き込みドライバ。
- 前記第3のNMOS型の信号トランジスタは、前記クロスカップルラッチの前記第1及び第2のNMOS型の信号トランジスタと接続されることを特徴とする請求項15に記載の書き込みドライバ。
- 前記第1または第2差動入力端の入力電圧は、前記第1及び第2電圧の差の1/2及び前記第1電圧の間に含まれることを特徴とする請求項15に記載の書き込みドライバ。
- 抵抗式メモリのためのセンスアンプ内の書き込みドライバと関連する信号の検出及び駆動方法において、
初期状態において、前記書き込みドライバの第1及び第2ノードを第1電圧に充電する段階と、
制御信号を受信する段階と、
前記第1及び第2ノードをそれぞれ前記制御信号、第1及び第2差動入力端の電圧レベルに応答して第1電圧から第2電圧にそれぞれ変える段階と、
前記第1及び第2ノードから前記それぞれの電圧レベルをラッチ回路でラッチする段階と、
1つ以上の第1駆動トランジスタによって第1出力部を通じて第1電流を駆動する段階と、
前記第1ノードの電圧及び前記駆動された第1電流に応答して第1差動出力端の電圧レベルが第1及び第2電圧のうちいずれか1つとなる段階と、
1つ以上の第2駆動トランジスタによって第2出力部を通じて第2電流を駆動する段階と、
前記第2ノードの電圧及び前記駆動された第2電流に応答して第2差動出力端の電圧レベルが第1及び第2電圧のうちいずれか1つとなる段階と、を含むことを特徴とする動作方法。 - 前記書き込みドライバは、直列接続される2つのPMOS型のトランジスタが構成されず、
前記第1電流及び前記第2電流は、前記ラッチ回路を通じて駆動されないことを特徴とする請求項19に記載の動作方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/659,882 | 2012-10-24 | ||
US13/659,882 US8885386B2 (en) | 2012-10-24 | 2012-10-24 | Write driver in sense amplifier for resistive type memory |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014086125A true JP2014086125A (ja) | 2014-05-12 |
JP6755523B2 JP6755523B2 (ja) | 2020-09-16 |
Family
ID=50485180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013216138A Active JP6755523B2 (ja) | 2012-10-24 | 2013-10-17 | 抵抗式メモリのためのセンスアンプ内の書き込みドライバ及びその動作方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8885386B2 (ja) |
JP (1) | JP6755523B2 (ja) |
KR (1) | KR102115765B1 (ja) |
CN (1) | CN103778960A (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8693240B1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-04-08 | Avalanche Technology, Inc. | Method and apparatus for reading a magnetic tunnel junction using a sequence of short pulses |
US9691462B2 (en) * | 2014-09-27 | 2017-06-27 | Qualcomm Incorporated | Latch offset cancelation for magnetoresistive random access memory |
US9473116B1 (en) * | 2015-04-15 | 2016-10-18 | Balanstring Technology, Llc | Low-cost, capacitive-coupled level shifter scalable for high-voltage applications |
WO2016167818A1 (en) * | 2015-04-15 | 2016-10-20 | Balanstring Technology, Llc | A low-cost, capacitive-coupled level shifter scalable for high-voltage applications |
KR102354350B1 (ko) * | 2015-05-18 | 2022-01-21 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
CN105261392A (zh) * | 2015-11-16 | 2016-01-20 | 西安华芯半导体有限公司 | 一种基于阻变存储单元rram的存储单元及存储方法 |
US9997227B2 (en) * | 2015-12-18 | 2018-06-12 | Intel Corporation | Non-volatile ferroelectric logic with granular power-gating |
US9431094B1 (en) | 2016-01-04 | 2016-08-30 | Micron Technology, Inc. | Input buffer |
CN105573944A (zh) * | 2016-02-04 | 2016-05-11 | 惠州市蓝微新源技术有限公司 | 一种利用单片机普通io口产生强差分数字信号的电路 |
US10209735B1 (en) * | 2018-05-24 | 2019-02-19 | Realtek Semiconductor Corp. | High-speed quadrature clock generator and method thereof |
CN111833941B (zh) * | 2019-04-15 | 2022-09-02 | 中电海康集团有限公司 | 存储器的读电路与存储器 |
CN113470578B (zh) * | 2020-03-31 | 2022-06-17 | 北京小米移动软件有限公司 | 显示驱动模组、显示面板和电子设备 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5148061A (en) * | 1991-02-27 | 1992-09-15 | Motorola, Inc. | ECL to CMOS translation and latch logic circuit |
JPH08321194A (ja) * | 1995-05-20 | 1996-12-03 | Samsung Electron Co Ltd | センスアンプ回路 |
JP2000165207A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | ラッチ回路 |
US20010048626A1 (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-06 | Choi Young Jung | Virtual channel DRAM |
JP2003078407A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-14 | Nec Corp | 高速サンプリングレシーバー |
US20050237096A1 (en) * | 2004-04-22 | 2005-10-27 | Bingxue Shi | Flipflop |
US20060284997A1 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Lee Dong U | Line driving circuit of semiconductor device |
US20080080278A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Sang Hoon Shin | Semiconductor memory device including write driver control circuit and write driver control method |
US20080212394A1 (en) * | 2007-01-10 | 2008-09-04 | Hynix Semiconductor Inc. | Write driving circuit and semiconductor memory apparatus using the same |
US20100220513A1 (en) * | 2009-03-02 | 2010-09-02 | Ho-Jung Kim | Bi-Directional Resistive Memory Devices and Related Memory Systems and Methods of Writing Data |
US20100246296A1 (en) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | Mun-Phil Park | Write Driver and Semiconductor Memory Device Using the Same |
US20120250440A1 (en) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Differential read write back sense amplifier circuits and methods |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001057875A1 (fr) * | 2000-02-04 | 2001-08-09 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur |
US6791859B2 (en) * | 2001-11-20 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Complementary bit PCRAM sense amplifier and method of operation |
KR100813628B1 (ko) * | 2007-01-08 | 2008-03-14 | 삼성전자주식회사 | 타이밍에 따라서 래치 타입이 변하는 데이터 버스 감지증폭기를 포함하는 반도체 메모리 장치 및 그것의 데이터감지 방법 |
US7764536B2 (en) | 2007-08-07 | 2010-07-27 | Grandis, Inc. | Method and system for providing a sense amplifier and drive circuit for spin transfer torque magnetic random access memory |
KR20130069029A (ko) * | 2011-12-16 | 2013-06-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 저항성 메모리 장치 |
-
2012
- 2012-10-24 US US13/659,882 patent/US8885386B2/en active Active
-
2013
- 2013-09-03 KR KR1020130105604A patent/KR102115765B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-17 JP JP2013216138A patent/JP6755523B2/ja active Active
- 2013-10-23 CN CN201310503050.7A patent/CN103778960A/zh active Pending
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5148061A (en) * | 1991-02-27 | 1992-09-15 | Motorola, Inc. | ECL to CMOS translation and latch logic circuit |
JPH08321194A (ja) * | 1995-05-20 | 1996-12-03 | Samsung Electron Co Ltd | センスアンプ回路 |
JP2000165207A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | ラッチ回路 |
US6310501B1 (en) * | 1998-11-27 | 2001-10-30 | Nec Corporation | Latch circuit for latching data at an edge of a clock signal |
US20010048626A1 (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-06 | Choi Young Jung | Virtual channel DRAM |
JP2001357673A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-26 | Hynix Semiconductor Inc | バーチャルチャンネルdram |
JP2003078407A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-14 | Nec Corp | 高速サンプリングレシーバー |
US20030062939A1 (en) * | 2001-09-04 | 2003-04-03 | Nec Corporation | High speed sampling receiver with reduced output impedance |
US20050237096A1 (en) * | 2004-04-22 | 2005-10-27 | Bingxue Shi | Flipflop |
US20060284997A1 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Lee Dong U | Line driving circuit of semiconductor device |
US20080080278A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Sang Hoon Shin | Semiconductor memory device including write driver control circuit and write driver control method |
US20080212394A1 (en) * | 2007-01-10 | 2008-09-04 | Hynix Semiconductor Inc. | Write driving circuit and semiconductor memory apparatus using the same |
US20100220513A1 (en) * | 2009-03-02 | 2010-09-02 | Ho-Jung Kim | Bi-Directional Resistive Memory Devices and Related Memory Systems and Methods of Writing Data |
US20100246296A1 (en) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | Mun-Phil Park | Write Driver and Semiconductor Memory Device Using the Same |
US20120250440A1 (en) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Differential read write back sense amplifier circuits and methods |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6755523B2 (ja) | 2020-09-16 |
US20140112053A1 (en) | 2014-04-24 |
KR20140052825A (ko) | 2014-05-07 |
KR102115765B1 (ko) | 2020-06-08 |
US8885386B2 (en) | 2014-11-11 |
CN103778960A (zh) | 2014-05-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6755523B2 (ja) | 抵抗式メモリのためのセンスアンプ内の書き込みドライバ及びその動作方法 | |
JP6161959B2 (ja) | 抵抗式メモリのための感知増幅器回路 | |
US10453532B1 (en) | Resistive memory device including reference cell and method of operating the same | |
US9070424B2 (en) | Sense amplifier circuitry for resistive type memory | |
JP4133149B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP4771710B2 (ja) | メモリの差動電流モードを検出する方法と装置 | |
JP5897337B2 (ja) | 抵抗性メモリ装置、そのレイアウト構造及びセンシング回路 | |
US9728239B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US10777255B2 (en) | Control signal generator for sense amplifier and memory device including the control signal generator | |
KR102465101B1 (ko) | 그라운드 바운스를 밸런싱하기 위한 방법 및 시스템 | |
US9368208B1 (en) | Non-volatile latch using magneto-electric and ferro-electric tunnel junctions | |
CN110782923A (zh) | 存储器设备和驱动写入电流的方法 | |
US9773538B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory | |
JP2016167333A (ja) | 疑似ページモードのメモリアーキテクチャおよび方法 | |
JP5150932B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2008171478A (ja) | 半導体メモリデバイスおよびセンスアンプ回路 | |
KR20140047151A (ko) | 교차점 어레이에서의 커플링 커패시터를 통한 타일 레벨 스냅백 검출 | |
Kim | Circuit Design for Non-volatile Magnetic Memory | |
TWI534802B (zh) | 半導體儲存器 | |
JP5076175B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2010055667A (ja) | 半導体記憶装置 | |
TW201928971A (zh) | 記憶體裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20141226 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161014 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180514 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180814 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20181217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190313 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20190325 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20190510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200610 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200818 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6755523 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |