JP2014085866A - 光トリガ型シリアル−パラレル変換回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高速なシリアル電気信号SSを伝播する伝送線路Lには、N個の光トリガ型トランジスタ回路10が並列接続されている。光トリガ型トランジスタ回路10では、MSM−PD回路mから正のバイアス電圧を出力してトランジスタTrをノーマリオンにし、シリアル電気信号SSの1ビット分の電気信号をキャパシタCHに充電する。MSM−PD Mに光パルスPが入力されると、MSM−PD回路mから負の電気パルスSOFFが出力されトランジスタTrをオフにし、1ビット分の電気信号をキャパシタCHにホールドし、ホールドされた電気信号を、低速なパラレル電気信号SPとしてバッファ回路Bから出力する。
【選択図】図1
Description
さらに、電子回路を用いた従来のクロック抽出では、PLL(Phase Locked Loop)によるフィードバックをかけ、VCO(Voltage Control Oscillator)の発振周波数をロックする必要があるため、無信号状態から突然バースト的に入力するパケット信号に対しては、瞬時にクロックを抽出することが極めて困難である。
なお、図4において、1−1,1−2・・・1−Nは光トリガ型トランジスタ回路、M1,M2,・・・MNはMSM−PD(MSMフォトダイオード:Metal−Semiconductor−Metal Photo Detector)、m1,m2,・・・mNは充放電型のMSM−PD回路(MSMフォトダイオード回路)、VM1,VM2・・・VMNはMSM−PD用のバイアス電圧、RM1,RM2・・・RMNは入力抵抗、CM1,CM2・・・CMNは充電用キャパシタ、Tr1,Tr2・・・TrNはトランジスタ、P1,P2・・・PNは光パルス、Vb1,Vb2・・・VbNはゲート側のバイアス電圧、Rb1,Rb2・・・RbNは並列接続されたバイアス抵抗、CH1,CH2・・・CHNはホールド用キャパシタ、B1,B2・・・BNはバッファ回路、SON1,SON2・・・SONNはゲートに入力される正の電気パルス、SSはNビットの入力されるシリアル電気信号、SP1,SP2・・・SPNは出力されるパラレル電気信号を示す。
なお以降の説明では、添え字を付した部材を総称するときには、添え字を付していない符号を用いる。例えばM1,M2,・・・MNを総称するときには、Mを用いる。
ことでノーマリオフの状態に設定されており、各光トリガ型トランジスタ回路1−1〜1−Nに入力されるシリアル電気信号Ssは、ホールド用キャパシタCH1〜CHNに流れ込まないように設定されている。
次に、MSM−PD M1〜MNに光パルスP1〜PNが照射されると、光伝導効果によりMSM−PD M1〜MNの抵抗が急激に減少するため、充電用キャパシタCM1〜CMNに蓄積されていた電荷は、MSM−PD M1〜MNを通って高速に放電され、バイアス抵抗Rb1〜RbNに流れるため、正の電気パルスSON1〜SONNが発生する。
つまり充電用キャパシタCM1〜CMNに着目すると、光パルスP1〜PNの照射前において低速充電がされ、光パルスP1〜PNの照射直後に高速放電が行われる。
また、これらの問題を解決するために、光トリガ型トランジスタアレイを用いた超低消費電力の光トリガ型シリアル−パラレル変換器が研究開発されているものの、上述したいくつかの問題が残されていた。
Nビットのシリアル電気信号を伝播する伝送線路と、
前記伝送線路に並列に接続されており、前記Nビットのシリアル電気信号を構成する互いに異なる特定の1ビットの電気信号を取り込んで、パラレル電気信号として出力するN個の光トリガ型トランジスタ回路と、
を備えており、
前記N個の光トリガ型トランジスタ回路は、
前記伝送線路にドレイン端子が接続されたトランジスタと、
前記トランジスタのソース端子に接続されたホールド用キャパシタと、
前記ホールド用キャパシタの端子のうち前記トランジスタ側の端子に接続されたバッファ回路と、
MSM−PDを有しており、正のバイアス電圧を前記トランジスタのゲート端子に入力して前記トランジスタの初期状態をノーマリオンにする一方、前記MSM−PDに光パルスが照射されたときに、前記トランジスタの閾値を下回る負の電気パルスを前記ゲート端子に入力して前記トランジスタをオフにするMSM−PD回路とで構成されていることを特徴とする。
前記MSM−PD回路は、
入力側に負のバイアス電圧が直接に印加されると共に、光パルスが照射されると前記負の電気パルスを出力する前記MSM−PDと、
前記MSM−PDの出力側及び前記ゲート端子に対して並列接続されており、前記ゲート端子に前記正のバイアス電圧を入力するバイアス抵抗とで構成されていることを特徴とする。
前記N個の光トリガ型トランジスタ回路の前記MSM−PDには、N個の前記光パルスが各々照射されると共に、
前記MSM−PDに各々照射される前記光パルスには、前記シリアル電気信号のビット間隔に相当する時間差が互いに設けられると共に、前記MSM−PDに各々照射される前記光パルスは、前記シリアル電気信号のビット間隔よりも僅かに短い予め決めた時間だけ前記シリアル電気信号に対して位相が遅れていることを特徴とする。
前記シリアル電気信号の先頭ビット及び前記光パルスの先頭ビットは、常に1に規定されていることを特徴とする。
ここでは、両者のバイアス電圧の設定や、信号状態や、構成の違いを先に説明し、その後に、両者の動作原理を説明する。
・従来では、「正」の電気パルスSONが発生するように、「正」のバイアス電圧VMを
与えている。
・本発明では、「負」の電気パルスSOFFが発生するように、「負」のバイアス電圧V
Mを与えている。
・従来では、トランジスタTrが十分に「OFF」になり「ノーマリオフ」になるように、「負」のバイアス電圧Vbをゲート端子に与えている。
・本発明では、トランジスタTrが十分に「ON」になり「ノーマリオン」になるように、「正」のバイアス電圧Vbをゲート端子に与えている。
・従来では、ON信号である正の電気パルスSONの値がトランジスタTrの閾値を「越えたとき」に、トランジスタTrは「ON」となる。
・本発明では、OFF信号である負の電気パルスSOFFの値がトランジスタTrの閾値を「下回ったとき」に、トランジスタTrは「OFF」となる。
・従来では、伝送線路L上のシリアル電気信号はサンプリングされ、図5(a)に灰色で塗りつぶした「面積A1に対応する電荷」が、ホールド用キャパシタCHに蓄積される。
・本発明では、トランジスタTrはノーマリオンであるため、伝送線路L上のシリアル電気信号はホールド用キャパシタCHに流れ込み、信号ビットが終了する直前にトランジスタTrをOFFにするため、図5(b)に灰色で塗りつぶした「面積A2に対応する電荷」が、ホールド用キャパシタCHに蓄積される。
・従来では、MSM−PD Mの入力側に、入力抵抗RM及び充電用キャパシタCMを備えている。
・本発明では、MSM−PD Mの入力側に、入力抵抗RM及び充電用キャパシタCMを備えていない。
この時、MSM−PD回路からの電気出力が十分に長いテールを引くように入力抵抗RMおよび充電用キャパシタCMは用いられていない。
その上、MSM−PDに照射する光パルスエネルギーや回路パラメータ(バイアス抵抗の抵抗値やトランジスタの閾値など)がチャネルごとにばらつくこととなれば、電気パルスの振幅がばらつき、出力パラレル電気信号の振幅がチャネルごとにばらつく結果を引き起こす。
さらに、MSM−PDのテールを高速化する必要がないため、バイアス抵抗の値を(入力信号の速度に関係なく)大きく設定することが可能であるため、より小さな光パルスエネルギーで大きなOFF信号(負の電気パルス)を得ることが可能となる。
その上、回路パラメータのばらつきや光パルスエネルギーの変動により、電気パルス(OFF信号)の振幅が変動しても、トランジスタが一旦OFFした後であれば、電気パルス(OFF信号)の振幅変動は、出力信号振幅に影響を与えることはなく、一定な振幅の出力パラレル電気信号を得ることが可能となる。
光トリガ型トランジスタ回路10−1〜10−Nは、Nビットのシリアル電気信号SSを構成する互いに異なる特定の1ビットの電気信号を取り込んで、パラレル電気信号SPとして出力するものである。
MSM−PD M1〜MNの出力側は、トランジスタTr1〜TrNのゲート端子に接続されている。バイアス抵抗Rb1〜RbNは、MSM−PD M1〜MNの出力側及びトランジスタTr1〜TrNのゲート端子に対して、並列に接続されている。
れている。
またバイアス抵抗Rb1〜RbNを介して正のバイアス電圧Vb1,Vb2・・・VbNが、トラ
ンジスタTr1〜TrNのゲート端子に入力されている。このように正のバイアス電圧Vb1,Vb2・・・VbNをゲート端子に入力しているため、トランジスタTr1〜TrNはノ
ーマリオンに設定される。
なお、正のバイアス電圧Vb1,Vb2・・・VbNの値は、トランジスタTr1〜TrNを
十分にON状態にすることができる電圧値に設定している。
なお、光パルスP1〜PNの先頭ビットは常に「1」で規定されている。
更に説明すると、シリアル電気信号SSに対する光パルスP1〜PNの遅れ位相のズレ量(時間)は、シリアル電気信号SSの1ビットのビット信号がトランジスタTrに入力された時点から、この1ビットの信号がトランジスタTrを介してホールド用キャパシタCHに充電されて蓄電電荷が最大になる時点(次のビット信号が入力される前)までの時間間隔である。
このようにして、高速なシリアル電気信号SSを、低速なパラレル電気信号SP1〜SPNに変換することができる。
1−1〜1−N、10−1〜10−N 光トリガ型トランジスタ回路
m1〜mN、m10-1〜m10-N MSM−PD回路(MSMフォトダイオード回路)、
M1,M2,・・・MN MSM−PD(MSMフォトダイオード)
Tr1〜TrN トランジスタ
Rb1〜RbN バイアス抵抗
CH1〜CHN ホールド用キャパシタ
B1〜BN バッファ回路
Claims (4)
- Nビットのシリアル電気信号を伝播する伝送線路と、
前記伝送線路に並列に接続されており、前記Nビットのシリアル電気信号を構成する互いに異なる特定の1ビットの電気信号を取り込んで、パラレル電気信号として出力するN個の光トリガ型トランジスタ回路と、
を備えており、
前記光トリガ型トランジスタ回路は、
前記伝送線路にドレイン端子が接続されたトランジスタと、
前記トランジスタのソース端子に接続されたホールド用キャパシタと、
前記ホールド用キャパシタの端子のうち前記トランジスタ側の端子に接続されたバッファ回路と、
MSM−PDを有しており、正のバイアス電圧を前記トランジスタのゲート端子に入力して前記トランジスタの初期状態をノーマリオンにする一方、前記MSM−PDに光パルスが照射されたときに、前記トランジスタの閾値を下回る負の電気パルスを前記ゲート端子に入力して前記トランジスタをオフにするMSM−PD回路と、
で構成されていることを特徴とする光トリガ型パラレル−シリアル変換回路。 - 請求項1において、
前記MSM−PD回路は、
入力側に負のバイアス電圧が直接に印加されると共に、光パルスが照射されると前記負の電気パルスを出力する前記MSM−PDと、
前記MSM−PDの出力側及び前記ゲート端子に対して並列接続されており、前記ゲート端子に前記正のバイアス電圧を入力するバイアス抵抗と、
で構成されていることを特徴とする光トリガ型パラレル−シリアル変換回路。 - 請求項1または請求項2において、
前記N個の光トリガ型トランジスタ回路の前記MSM−PDには、N個の前記光パルスが各々照射されると共に、
前記MSM−PDに各々照射される前記光パルスには、前記シリアル電気信号のビット間隔に相当する時間差が互いに設けられると共に、前記MSM−PDに各々照射される前記光パルスは、前記シリアル電気信号のビット間隔よりも僅かに短い予め決めた時間だけ前記シリアル電気信号に対して位相が遅れていることを特徴とする光トリガ型パラレル−シリアル変換回路。 - 請求項1乃至請求項3の何れか一項において、
前記シリアル電気信号の先頭ビット及び前記光パルスの先頭ビットは、常に1に規定されていることを特徴とする光トリガ型パラレル−シリアル変換回路。
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JP2006325137A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光信号処理回路 |
JP2012004617A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光トリガ型パラレル−シリアル変換回路 |
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