JP2014066705A - 基板の外位置分析システムおよび方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 20
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 title abstract description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 90
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 90
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 22
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 15
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 claims description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005430 electron energy loss spectroscopy Methods 0.000 claims description 2
- 241000252073 Anguilliformes Species 0.000 claims 1
- 241000446313 Lamella Species 0.000 abstract description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 120
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000012284 sample analysis method Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010249 in-situ analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/32—Polishing; Etching
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching for microworking, e.g. etching of gratings, trimming of electrical components
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31745—Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Biochemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
【解決手段】この薄片の非対称の形状は、TEM、SEMまたはSTEM化学分析手順中の炭素フィルムによる光学干渉および分光干渉を最小化する炭素フィルムの穴の上に薄片内の関心領域を配置することができるような態様の容易な配向を実現する。
【選択図】図12
Description
19 炭素フィルム
27 薄片
29 プローブ先端
81 穴
82 関心領域
Claims (20)
- 外位置TEM/STEM/SEM分析方法であって、
真空室内で、非対称のTEM垂直観察面を有する試料を、集束イオン・ビームを使用して製作するステップを含み、
前記試料が、TEM/STEM/SEM分析するための関心領域を有し、
前記方法がさらに、
前記真空室から前記試料を取り出し、前記試料を、炭素フィルムを含む炭素グリッド上に置くステップを含み、
前記炭素フィルムが複数の穴を含み、
前記試料が前記炭素グリッド上に置かれ、前記非対称のTEM垂直観察面が、前記関心領域を前記穴のうちの1つの穴の上に実質的に配置するために、前記試料内の関心領域の向きを適正に識別することを可能にする方法。 - 電子源を備えるTEMまたはSEMまたはSTEMを使用して前記試料を処理するステップをさらに含み、前記炭素フィルムからの光学干渉または分光干渉がほとんどまたは全く生じない、請求項1に記載の方法。
- 前記非対称の形状が、平行な2つの辺を含む凸四辺形である、請求項1または請求項2に記載の方法。
- 前記非対称の形状が直角台形である、請求項3に記載の方法。
- 前記炭素グリッドの前記穴が少なくとも5×5μmである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記関心領域の長さが少なくとも2μmである、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記真空室から前記試料を取り出し、前記試料を前記炭素グリッド上に置く前記ステップが、ガラス棒を使用して実行される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記非対称試料を製作する前記ステップが、集束イオン・ビームと電子ビームとを含むデュアル集束ビーム・システムによって実行される、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- TEMまたはSEMまたはSTEMを使用して前記試料を処理する前記ステップが、EDSまたはEELSを使用した化学分析を含む、請求項2に記載の方法。
- 実質的に非対称の基板を製作する方法であって、
第1の集束イオン・ビームを基板の第1の表面に、ある斜角で導くステップと、
前記第1の集束イオン・ビームが、斜角を有する2つのトレンチをミリングするステップであり、前記トレンチ間のエリアが、斜角をなす辺を有する薄片を残すステップと、
前記集束イオン・ビームを使用して前記薄片の第1の辺を切削するステップと、
前記集束イオン・ビームを使用して前記薄片の第2の辺を切削するステップであり、前記第1の辺と前記第2の辺が平行でなく、それによって非対称の形状を有する薄片を製作するステップと、を含む方法。 - 前記薄片の前記第1の辺の角度が直角であり、前記第2の辺の角度が直角でない、請求項10に記載の方法。
- 前記薄片の前記第1の辺および前記薄片の前記第2の辺が、試料ステージをX−Y方向に回転させることによって形成される、請求項10または請求項11に記載の方法。
- 前記非対称薄片の形状が非対称三角形である、請求項10〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記非対称薄片の形状が、5つ以上の辺を有する非対称形である、請求項10〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記非対称薄片の形状が、前記薄片の上辺と下辺が非対称である、請求項10〜14のいずれか一項に記載の方法。
- 2つの集束イオン・ビームを使用して前記薄片の前記辺を形成する、請求項10〜15のいずれか一項に記載の方法。
- TEMまたはSEMまたはSTEM分析で使用する薄片であって、
厚さ1μm以下の基板を含み、
前記基板が、幅が少なくとも2μm、幅と長さの比が1から2の間の関心領域を有し、
炭素フィルム上の小さな穴の上に前記関心領域を置くことができ、前記関心領域のTEMまたはSEMまたはSTEM分析の結果、光学干渉または分光干渉がほとんどまたは全く生じず、
前記基板が、ガラス棒によって拾い上げるのに十分な大きさのエリアを有し、
前記基板が非対称の形状を有し、前記非対称の形状が、平行な2つの辺および平行でない2つの辺を有する薄片。 - TEM/SEM/STEM分析で使用するシステムであって、
少なくとも1つの集束イオン・ビームを含む真空室と、
試料を置くためのステージであり、前記試料を処理すると前記試料が非対称形になるように、前記ステージと前記集束イオン・ビームとを互いに対して傾けることでできるステージと、
炭素フィルムを有する炭素グリッドであり、前記炭素フィルムが、前記試料の関心領域に実質的に適合しうる穴を有し、前記関心領域の前記TEMまたはSEMまたはSTEM分析を実行すると光学干渉および分光干渉が実質的に最小になる炭素グリッドと、を含むシステム。 - 前記真空室が電子ビームをさらに含む、請求項18に記載のシステム。
- 前記真空室が2つの集束イオン・ビームを含む、請求項18または請求項19に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/626,193 US8884247B2 (en) | 2012-09-25 | 2012-09-25 | System and method for ex situ analysis of a substrate |
US13/626,193 | 2012-09-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014066705A true JP2014066705A (ja) | 2014-04-17 |
JP6356397B2 JP6356397B2 (ja) | 2018-07-11 |
Family
ID=49301296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013185791A Active JP6356397B2 (ja) | 2012-09-25 | 2013-09-07 | 基板の外位置分析システムおよび方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8884247B2 (ja) |
EP (1) | EP2711684A3 (ja) |
JP (1) | JP6356397B2 (ja) |
CN (1) | CN103675358B (ja) |
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---|---|---|---|---|
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US20140084157A1 (en) | 2014-03-27 |
CN103675358B (zh) | 2019-04-02 |
CN103675358A (zh) | 2014-03-26 |
JP6356397B2 (ja) | 2018-07-11 |
US8884247B2 (en) | 2014-11-11 |
EP2711684A3 (en) | 2015-07-22 |
EP2711684A2 (en) | 2014-03-26 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160811 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170711 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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