JP2014058010A - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress decline of yield caused by rejoining of a movable part and a regulation part, in a method for manufacturing a semiconductor device including a joining step for joining a different member to a movable structure having the movable part and the regulation part for regulating a movable range of the movable part.SOLUTION: In a movable structure comprising wafers 11, 21, regulation parts 13, 23 are not exposed and a part of movable parts 12, 22 is exposed as a view from the upside of a joining surface with a different member 31 (figure 2 (8)). In order that surfaces of the regulation parts 13, 23 are not modified, a joining surface of the wafer 21 and the different member 31 is subjected to surface modification to form a surface-modified part 27 (figure 2 (9)). The wafer 21 and the different member 31 are subjected to surface activation joining (figure 2 (10)).

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、可動部とその可動部の可動範囲を規制する規制部とを有する可動構造体に別部材を接合する接合工程を含む半導体装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor device including a bonding step of bonding another member to a movable structure having a movable portion and a restricting portion that regulates a movable range of the movable portion. It is.

ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイスにおいては半導体製造プロセスを用いて３次元構造を形成することでさまざまな特性を得ることができる。ＭＥＭＳデバイスの製造工程においては、ウェハ同士の接合工程や、部分的に膜を除去して構造体の一部分を可動状態にする犠牲層エッチング工程といったＭＥＭＳ特有の工程が適用されることもある。   In a micro electro mechanical systems (MEMS) device, various characteristics can be obtained by forming a three-dimensional structure using a semiconductor manufacturing process. In the manufacturing process of the MEMS device, a process peculiar to MEMS, such as a bonding process between wafers or a sacrificial layer etching process in which a film is partially removed to make a part of the structure movable.

例えば、マイクロ流体デバイスの中では、バルブ付きポンプは気泡耐性や流量特性が特によいため、さまざまな開発が行なわれている。バルブ付きのマイクロポンプの製造工程において、シリコンウェハ上にバルブ構造を形成したバルブ形成ウェハを２枚貼り合せ、その積層ウェハに密閉構造を形成するためのウェハをさらに１枚貼り合せる工程や、接合面のバルブ部分を犠牲層エッチングにより可動状態にするといった複雑な工程が必要とされる（例えば特許文献１を参照。）。   For example, among microfluidic devices, valved pumps are particularly well developed because of their good bubble resistance and flow characteristics. In the manufacturing process of a micropump with a valve, two valve-forming wafers having a valve structure formed on a silicon wafer are bonded together, and another wafer for forming a sealed structure is bonded to the laminated wafer. A complicated process of making the valve portion of the surface movable by sacrificial layer etching is required (see, for example, Patent Document 1).

特許文献１には、バルブ付ポンプを形成する目的で、バルブ部分となる片持ち梁及びシール部となる開口パターンをウェハに形成し、同じ構造の２枚のウェハを向かい合わせて貼り合せした後、バルブ部分の界面にあるシリコン酸化膜層を除去してバルブを可動構造にすることが開示されている。   In Patent Document 1, for the purpose of forming a pump with a valve, a cantilever beam serving as a valve portion and an opening pattern serving as a seal portion are formed on a wafer, and two wafers having the same structure are bonded face to face. It is disclosed that the valve is made movable by removing the silicon oxide film layer at the interface of the valve portion.

図６は、従来のマイクロポンプの製造工程の一例を説明するための概略的な断面図である。以下に説明する各工程のかっこ数字は図６中のかっこ数字に対応している。   FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a manufacturing process of a conventional micropump. The parentheses for each step described below correspond to the parentheses in FIG.

（１）シリコンウェハ１１に、片持ち梁からなるバルブ１２、周囲に溝が設けられて形成された凸条のシール部１３、シール部１３の内側に配置された貫通孔からなる吸入口１４、及び、バルブ１２の下方に配置された吐出口１５を形成する。その後、シリコンウェハ１１の全面にシリコン酸化膜１６を形成する。 (1) A valve 12 made of a cantilever beam on the silicon wafer 11, a protruding seal part 13 formed with grooves around it, a suction port 14 made of a through-hole arranged inside the seal part 13, And the discharge port 15 arrange | positioned under the valve | bulb 12 is formed. Thereafter, a silicon oxide film 16 is formed on the entire surface of the silicon wafer 11.

（２）シリコンウェハ１１と同一構造のシリコンウェハ１２を準備する。シリコンウェハ２１には、バルブ２２、シール部２３、吸入口２４、吐出口２５及びシリコン酸化膜２６が形成されている。ウェハ１１に対してウェハ２１を表裏逆転させて位置合せした後、直接接合（拡散接合とも呼ばれる）によって工程によりウェハ１１とウェハ２１を接合する。接合面でのシリコン酸化膜１６，２６は一体的に図示されている。 (2) A silicon wafer 12 having the same structure as the silicon wafer 11 is prepared. A valve 22, a seal portion 23, a suction port 24, a discharge port 25, and a silicon oxide film 26 are formed on the silicon wafer 21. After the wafer 21 is reversed with respect to the wafer 11 and aligned, the wafer 11 and the wafer 21 are bonded by a process by direct bonding (also called diffusion bonding). The silicon oxide films 16 and 26 at the bonding surface are shown integrally.

（３）接合後にウェハ２１の面を研磨加工し、所定の厚さまで薄化及び研磨面を鏡面加工する。 (3) After bonding, the surface of the wafer 21 is polished, thinned to a predetermined thickness, and the polished surface is mirror-finished.

（４）湿式エッチングによってウェハ１１，２１の表面のシリコン酸化膜１６，２６を除去する。この際に、バルブ１２とシール部２３との間及びバルブ２２とシール部１３との間のシリコン酸化膜１６，２６が除去されるまでエッチングを継続する。これらの部分のシリコン酸化膜１６，２６が除去されることで、バルブ１２，２２は可動状態となり、バルブ構造として機能することとなる。 (4) The silicon oxide films 16 and 26 on the surfaces of the wafers 11 and 21 are removed by wet etching. At this time, etching is continued until the silicon oxide films 16 and 26 between the valve 12 and the seal portion 23 and between the valve 22 and the seal portion 13 are removed. By removing the silicon oxide films 16 and 26 in these portions, the valves 12 and 22 become movable and function as a valve structure.

（５）ダイヤフラム３２及びチャンバ３３が形成されたシリコンウェハ３１をウェハ２１に直接接合によって接合する。これにより、ポンプ構造の完成となる。 (5) The silicon wafer 31 on which the diaphragm 32 and the chamber 33 are formed is bonded to the wafer 21 by direct bonding. This completes the pump structure.

図７に示されるように、バルブ２２とシール部１３の間隔はシリコン酸化膜１６，２６の２層分の厚みと同じである。図６を参照して説明した上記工程（４）のように湿式エッチングでシリコン酸化膜１６，２６を除去した場合には、乾燥時の表面張力や静電引力などによってバルブ２２とシール部１３が接触するスティクションが発生する虞がある。スティクションが発生したまま図６を参照して説明した上記工程（５）の直接接合工程を行なうと、バルブ２２とシール部１３は、再接合され、バルブ構造として機能しなくなるという問題があった。このような不具合はバルブ１２とシール部２３についても同様に起こりうる。このような不具合は歩留まりの低下を招く。   As shown in FIG. 7, the distance between the valve 22 and the seal portion 13 is the same as the thickness of two layers of the silicon oxide films 16 and 26. When the silicon oxide films 16 and 26 are removed by wet etching as in the above-described step (4) described with reference to FIG. 6, the valve 22 and the seal portion 13 are moved by the surface tension or electrostatic attraction during drying. Contact stiction may occur. If the direct joining step of the above step (5) described with reference to FIG. 6 is performed while stiction has occurred, the valve 22 and the seal portion 13 are rejoined and there is a problem that the valve structure does not function. . Such a problem can occur in the valve 12 and the seal portion 23 as well. Such a failure leads to a decrease in yield.

そこで、図６の工程（４）及び（５）に替えて、図８の工程（４’）及び（５’）に示されるように工程を変更し再接合を回避するということが考えられる。図８に示された工程では、工程（４’）に示されるように、ウェハ１１，２１が接合され、ウェハ２１に対する研磨が終わった状態で、表面にシリコン酸化膜３４が形成されたウェハ３１を直接接合によってウェハ２１に接合する。工程（５’）に示されるように、ポンプ構造が出来上がった段階で最終的にバルブ構造部のシリコン酸化膜１６，２６に対してエッチング処理を行なう。なお、このときシリコン酸化膜３４の一部分も除去される。   Therefore, instead of the steps (4) and (5) in FIG. 6, it is conceivable to change the steps as shown in steps (4 ′) and (5 ′) in FIG. 8 to avoid rejoining. In the step shown in FIG. 8, as shown in step (4 ′), the wafers 31 and 21 are bonded and the wafer 31 having the silicon oxide film 34 formed on the surface thereof after the polishing of the wafer 21 is finished. Are bonded to the wafer 21 by direct bonding. As shown in step (5 '), when the pump structure is completed, the silicon oxide films 16 and 26 in the valve structure are finally etched. At this time, a part of the silicon oxide film 34 is also removed.

図８の（４’）に示されたバルブ構造においてチャンバ３３は閉鎖空間となっているため、工程（５’）で湿式のエッチングを行なうと、チャンバ３３内のエッチャントの置換が難しいという問題があった。したがって、一般的には置換性のよい気相によるエッチングを行なう必要がある。しかし、エッチングを気相で行えるような特殊な装置を別途保有しなければならないという問題があった。   In the valve structure shown in FIG. 8 (4 ′), the chamber 33 is a closed space. Therefore, when wet etching is performed in the step (5 ′), it is difficult to replace the etchant in the chamber 33. there were. Therefore, in general, it is necessary to perform etching using a gas phase with good substitution. However, there is a problem that a special apparatus that can perform etching in a gas phase must be separately provided.

上記のような問題は、マイクロポンプの製造方法に限らず、可動部（例えばバルブ）と、可動部の可動範囲を規制する規制部（例えばシール部）とを有する可動構造体に別部材を接合する接合工程を含む半導体装置の製造方法において起こりうる。   The above problems are not limited to the manufacturing method of the micropump, and another member is joined to a movable structure having a movable part (for example, a valve) and a restriction part (for example, a seal part) for regulating the movable range of the movable part. This may occur in a method for manufacturing a semiconductor device including a bonding step.

本発明は、可動部とその可動部の可動範囲を規制する規制部とを有する可動構造体に別部材を接合する接合工程を含む半導体装置の製造方法において、可動部と規制部の再接合による歩留まり低下を抑えることを目的とする。   The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device including a joining step of joining another member to a movable structure having a movable part and a restricting part that restricts a movable range of the movable part. The purpose is to suppress the yield reduction.

本発明に係る半導体装置の製造方法は、可動部と前記可動部の可動範囲を規制する規制部とを有する可動構造体に別部材を接合する接合工程を含む半導体装置の製造方法であって、上記接合工程は、上記規制部の表面が改質されないように上記可動構造体の上記接合面を表面改質した後に、上記可動構造体と上記別部材とを直接接合させることを特徴とする半導体装置の製造方法である。   A manufacturing method of a semiconductor device according to the present invention is a manufacturing method of a semiconductor device including a joining step of joining another member to a movable structure having a movable part and a restricting part that regulates a movable range of the movable part, The bonding step includes directly bonding the movable structure and the separate member after surface modification of the bonding surface of the movable structure so that the surface of the restricting portion is not modified. It is a manufacturing method of an apparatus.

本発明の半導体装置の製造方法は、規制部の表面が改質されないように可動構造体の別部材との接合面を表面改質した後に、可動構造体と別部材とを直接接合させるので、常温又は低温で可動構造体と別部材とを接合できる。したがって、本発明の半導体装置の製造方法は、可動構造体と別部材とを接合する接合工程において可動部と規制部の再結合を防止でき、可動部と規制部の再接合による歩留まり低下を抑えることができる。   In the semiconductor device manufacturing method of the present invention, the surface of the restricting portion is not modified so that the surface of the joint with the separate member of the movable structure is modified, and then the movable structure and the separate member are directly joined. The movable structure and the separate member can be joined at room temperature or low temperature. Therefore, the manufacturing method of the semiconductor device of the present invention can prevent rejoining of the movable part and the restricting part in the joining process of joining the movable structure and the separate member, and suppress the yield reduction due to rejoining of the movable part and the restricting part. be able to.

半導体装置の製造方法の一実施例を説明するための概略的な断面図である。It is a schematic sectional drawing for demonstrating one Example of the manufacturing method of a semiconductor device. 図１の続きの工程を説明するための概略的な断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a step subsequent to FIG. 1. 表面改質装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a surface modification apparatus. 図４は、表面改質を説明するための模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the surface modification. マイクロバルブの動作を説明するための概略的な断面図である。It is a schematic sectional drawing for demonstrating operation | movement of a microvalve. 従来のマイクロポンプの製造工程の一例を説明するための概略的な断面図である。It is schematic sectional drawing for demonstrating an example of the manufacturing process of the conventional micropump. マイクロポンプにおけるバルブとシール部の間隔を説明するための概略的な断面図である。It is a schematic sectional drawing for demonstrating the space | interval of the valve | bulb and seal part in a micropump. 従来のマイクロポンプの製造工程の他の例を説明するための概略的な断面図である。It is schematic sectional drawing for demonstrating the other example of the manufacturing process of the conventional micropump.

図１及び図２は、半導体装置の製造方法の一実施例を説明するための概略的な断面図である。以下に説明する各工程のかっこ数字は図１及び図２中のかっこ数字に対応している。   1 and 2 are schematic cross-sectional views for explaining one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device. The parentheses for each step described below correspond to the parentheses in FIGS. 1 and 2.

（１）単結晶シリコンウェハ１１の表面に、シリコンに対するエッチング選択性の高い２層のマスク材４１，４２を形成する。マスク材４１，４２は半導体プロセスを用いてそれぞれパターニングされている。ウェハ１１の厚みは例えば４００〜６２５μｍ（マイクロメートル）である。マスク材４１は例えば膜厚が０.１〜１.０μｍのシリコン酸化膜である。マスク材４２は例えば膜厚が０.１〜０.３μｍのシリコン窒化膜である。ただし、マスク材４１，４２の材料は、シリコンとのエッチング選択比が見込め、エッチングマスクとして耐えうるものであれば、どのような材料であってもよい。 (1) Two layers of mask materials 41 and 42 having high etching selectivity to silicon are formed on the surface of the single crystal silicon wafer 11. The mask materials 41 and 42 are patterned using a semiconductor process. The thickness of the wafer 11 is, for example, 400 to 625 μm (micrometer). The mask material 41 is, for example, a silicon oxide film having a thickness of 0.1 to 1.0 μm. The mask material 42 is, for example, a silicon nitride film having a thickness of 0.1 to 0.3 μm. However, the material of the mask materials 41 and 42 may be any material as long as the etching selectivity with silicon can be expected and it can be used as an etching mask.

（２）アルカリ性溶液を用いた単結晶シリコンの結晶異方性エッチングが行なわれる。この結晶異方性エッチングには一般的なアルカリ性薬液（例えばＫＯＨ、ＴＭＡＨ等）が用いられる。マスク材４１，４２が開口された箇所のウェハ１１が結晶異方性エッチングされる。これにより、吸入口１４及び吐出口１５が形成される。このときのエッチング深さは、次の工程で形成されるバルブ１２の厚み寸法にシール部１３周囲の溝深さ寸法を加えた寸法を残すよう制御される。ここでの吸入口１４及び吐出口１５の深さは例えば３００〜６０５μｍである。 (2) Crystal anisotropic etching of single crystal silicon using an alkaline solution is performed. A general alkaline chemical solution (for example, KOH, TMAH, etc.) is used for this crystal anisotropic etching. The wafer 11 where the mask materials 41 and 42 are opened is subjected to crystal anisotropic etching. Thereby, the suction port 14 and the discharge port 15 are formed. The etching depth at this time is controlled so as to leave a dimension obtained by adding the groove depth dimension around the seal portion 13 to the thickness dimension of the valve 12 formed in the next step. The depth of the suction port 14 and the discharge port 15 here is, for example, 300 to 605 μm.

（３）例えば熱リン酸等を用いてマスク材４２を選択的に除去する。ウェハ１１に対してマスク材４１を用いて結晶異方性エッチングを行なう。これによりバルブ１２（可動部）及びシール部１３（規制部）が形成される。また、このエッチングにおいて、吸入口１４及び吐出口１５に対して追加エッチングが施され、吸入口１４及び吐出口１５はウェハ１１の表面から裏面へそれぞれ連通する。バルブ１２の厚みは例えば１０〜５０μｍである。シール部１３の周囲の溝深さは例えば１０〜５０μｍである。 (3) The mask material 42 is selectively removed using, for example, hot phosphoric acid. Crystal anisotropic etching is performed on the wafer 11 using the mask material 41. Thereby, the valve 12 (movable part) and the seal part 13 (regulating part) are formed. Further, in this etching, additional etching is performed on the suction port 14 and the discharge port 15, and the suction port 14 and the discharge port 15 communicate from the front surface to the back surface of the wafer 11, respectively. The thickness of the bulb 12 is, for example, 10 to 50 μm. The groove depth around the seal portion 13 is, for example, 10 to 50 μm.

（４）例えばフッ酸等を用いてマスク材４１を選択的に除去する。ウェハ１１に対して洗浄工程を行なう。 (4) The mask material 41 is selectively removed using, for example, hydrofluoric acid. A cleaning process is performed on the wafer 11.

（５）ウェハ１１の全面に熱酸化によってシリコン酸化膜１６（犠牲層）を形成する。シリコン酸化膜１６の膜厚は例えば０.１〜１.０μｍである。この実施例においては、ウェハ１１の全面にシリコン酸化膜１６を形成しているが、シリコン酸化膜１６は後述するウェハ２１との接合面に少なくとも形成されていればよい。例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などによって接合面側にのみシリコン酸化膜１６を形成してもよい。シリコン酸化膜１６は、バルブ１２及びシール部１３においては後工程で除去される犠牲層としての役割をもつ。 (5) A silicon oxide film 16 (sacrificial layer) is formed on the entire surface of the wafer 11 by thermal oxidation. The film thickness of the silicon oxide film 16 is, for example, 0.1 to 1.0 μm. In this embodiment, the silicon oxide film 16 is formed on the entire surface of the wafer 11, but the silicon oxide film 16 may be formed at least on the bonding surface with the wafer 21 described later. For example, the silicon oxide film 16 may be formed only on the bonding surface side by CVD (Chemical Vapor Deposition) or the like. The silicon oxide film 16 serves as a sacrificial layer to be removed in a later process in the valve 12 and the seal portion 13.

（６）上記工程（１）〜（５）と同じ工程で形成されたシリコンウェハ２１を準備する。シリコンウェハ２１には、バルブ２２、シール部２３、吸入口２４、吐出口２５及びシリコン酸化膜２６（犠牲層）が形成されている。ウェハ１１に対してウェハ２１を表裏逆転させて位置合せした後、直接接合によって工程によってウェハ１１とウェハ２１を接合する。接合面でのシリコン酸化膜１６，２６は一体的に図示されている。なお、ウェハ１１，２１のうち一方のウェハ、例えばウェハ２１についてシリコン酸化膜２６は形成されていなくてもよい。 (6) The silicon wafer 21 formed in the same process as the above processes (1) to (5) is prepared. In the silicon wafer 21, a valve 22, a seal portion 23, a suction port 24, a discharge port 25, and a silicon oxide film 26 (sacrificial layer) are formed. After the wafer 21 is reversed with respect to the wafer 11 and aligned, the wafer 11 and the wafer 21 are bonded by a direct bonding process. The silicon oxide films 16 and 26 at the bonding surface are shown integrally. Note that the silicon oxide film 26 may not be formed on one of the wafers 11, 21, for example, the wafer 21.

（７）ウェハ２１のウェハ１１とは反対側の面を研磨加工し、ウェハ２１を所定の厚さまで薄化及び研磨面を鏡面加工する。研磨後のウェハ２１の厚みは例えば５０〜２００μｍである。 (7) The surface of the wafer 21 opposite to the wafer 11 is polished, the wafer 21 is thinned to a predetermined thickness, and the polished surface is mirror-finished. The thickness of the polished wafer 21 is, for example, 50 to 200 μm.

（８）湿式エッチングによってウェハ１１，２１の表面のシリコン酸化膜１６，２６を除去する。この際に、バルブ１２とシール部２３との間及びバルブ２２とシール部１３との間のシリコン酸化膜１６，２６が除去されるまでエッチングを継続する。これらの部分のシリコン酸化膜１６，２６が除去されることで、バルブ１２，２２は可動状態となり、バルブ構造として機能することとなる。バルブ１２，２２の可動範囲はシール部２３，１３によって規制される (8) The silicon oxide films 16 and 26 on the surfaces of the wafers 11 and 21 are removed by wet etching. At this time, etching is continued until the silicon oxide films 16 and 26 between the valve 12 and the seal portion 23 and between the valve 22 and the seal portion 13 are removed. By removing the silicon oxide films 16 and 26 in these portions, the valves 12 and 22 become movable and function as a valve structure. The movable range of the valves 12 and 22 is regulated by the seal portions 23 and 13.

（９）ウェハ２１に対して、後述するウェハ３１との接合面を表面改質して表面改質部分２７を形成する。 (9) A surface modification portion 27 is formed by modifying the bonding surface of the wafer 21 with a wafer 31 described later.

図３は、表面改質装置の概略構成図である。図４は、表面改質を説明するための模式図である。この実施例では表面改質方法としてイオンガン方式での説明を行なうが、指向性を持つエネルギー源により表面改質を行なうことができれば他手法でもよい。   FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the surface modification apparatus. FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the surface modification. In this embodiment, an ion gun method will be described as a surface modification method, but other methods may be used as long as the surface modification can be performed by an energy source having directivity.

図３に示されるように、チャンバ５１内を高真空に保った後に、ステージ５２にウェハ１１，２１が積層されたウェハを配置し、ステージ５３にウェハ３１を配置する。ウェハ１１，２１が積層されたウェハは、ウェハ１１がステージ５２側になるようにしてステージ５２に配置される。ウェハ３１は後述するダイヤフラム３２及びチャンバ３３が形成されているものである。   As shown in FIG. 3, after maintaining the inside of the chamber 51 at a high vacuum, the wafer on which the wafers 11 and 21 are stacked is placed on the stage 52, and the wafer 31 is placed on the stage 53. The wafer on which the wafers 11 and 21 are laminated is arranged on the stage 52 so that the wafer 11 is on the stage 52 side. The wafer 31 is formed with a diaphragm 32 and a chamber 33 which will be described later.

イオンビーム源５４から発生したイオンビーム５５をウェハ２１及びウェハ３１に照射することでウェハ２１及びウェハ３１の表面を改質させる。これにより、ウェハ２１，３１同士を接触させるだけで高温処理することなく直接接合（表面活性化接合）を行なうことができる。   The surfaces of the wafer 21 and the wafer 31 are modified by irradiating the wafer 21 and the wafer 31 with the ion beam 55 generated from the ion beam source 54. Thereby, it is possible to perform direct bonding (surface activated bonding) by simply bringing the wafers 21 and 31 into contact with each other without performing high temperature processing.

この実施例のように、ウェハ２１の表面に構造体が形成されている場合、イオンビーム５５のように指向性を持って照射されるエネルギーでは、図５に示されるように、バルブ２２の裏面のように遮光される箇所は表面改質されず、イオンビーム５５の照射される表層部のみが改質されて表面改質部分２７が形成される。   In the case where a structure is formed on the surface of the wafer 21 as in this embodiment, with the energy irradiated with directivity like the ion beam 55, as shown in FIG. Thus, the surface-shielded portion is not surface-modified, and only the surface layer portion irradiated with the ion beam 55 is modified to form the surface-modified portion 27.

ウェハ１１，２１が積層されたウェハにおいて、ウェハ３１との接合面の上方から見て、シール部１３は露出しておらず、また、バルブ２２においてシール部１３と接触する部分も露出していない。したがって、シール部１３及びこれと接触するバルブ２１部分の表面は改質されない。このように、指向性を持つエネルギー源により表面改質を行なうことにより、接合領域を選択的に決定することができる。   In the wafer in which the wafers 11 and 21 are laminated, the seal portion 13 is not exposed when viewed from above the bonding surface with the wafer 31, and the portion of the valve 22 that contacts the seal portion 13 is not exposed. . Therefore, the surface of the seal portion 13 and the portion of the valve 21 in contact with the seal portion 13 is not modified. In this way, the bonding region can be selectively determined by performing the surface modification with the energy source having directivity.

（１０）ダイヤフラム３２及びチャンバ３３が形成されたシリコンウェハ３１をウェハ２１に接合する。ダイヤフラム３２の厚みは例えば２０〜１００μｍである。チャンバ３３の深さは例えば５〜５０μｍである。上記工程（９）でそれぞれの接合面が表面改質されたウェハ２１，３１は常温で互いに接合する。したがって、バルブ２２とシール部１３の再接合、及びバルブ１２とシール部２３の再結合は起こらない。これにより、バルブ構造部の再接合による歩留まり低下を抑えることができる。なお、図２（１０）において、表面改質部分２７及びシリコンウェハ３１の表面改質部分について図示は省略されている。 (10) The silicon wafer 31 on which the diaphragm 32 and the chamber 33 are formed is bonded to the wafer 21. The thickness of the diaphragm 32 is, for example, 20 to 100 μm. The depth of the chamber 33 is, for example, 5 to 50 μm. The wafers 21 and 31 whose surface is modified in the step (9) are bonded to each other at room temperature. Therefore, rejoining of the valve 22 and the seal part 13 and recombination of the valve 12 and the seal part 23 do not occur. Thereby, the yield fall by rejoining of a valve structure part can be suppressed. In FIG. 2 (10), the surface modified portion 27 and the surface modified portion of the silicon wafer 31 are not shown.

図５は、マイクロバルブの動作を説明するための概略的な断面図である。図５と図２（１０）を参照してマイクロバルブの動作を説明する。   FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining the operation of the microvalve. The operation of the microvalve will be described with reference to FIGS. 5 and 2 (10).

図２（１０）は平時の状態を示している。図５（Ａ）はポンプ内への流体の引き込み動作時の構造を示している。ダイヤフラム３２を上方向に引き上げることでチャンバ３３の容積が増大する。チャンバ３３内の圧力が負圧となるため、バルブ２２がチャンバ３３内外の圧力差により上方向に変形し、吸入口１４及び吐出口２５を介してチャンバ３３内に流体が引き込まれる。このとき、バルブ１２は上方向にシール部２３があるために変形することができない。したがって、チャンバ３３への流体の引き込みはバルブ２２及びシール部１３を対としたバルブ構造側からのみとなる。   FIG. 2 (10) shows a state in normal time. FIG. 5A shows the structure during the operation of drawing the fluid into the pump. By pulling up the diaphragm 32 upward, the volume of the chamber 33 increases. Since the pressure in the chamber 33 becomes negative, the valve 22 is deformed upward by a pressure difference between the inside and outside of the chamber 33, and fluid is drawn into the chamber 33 through the suction port 14 and the discharge port 25. At this time, the valve 12 cannot be deformed because the seal portion 23 exists in the upward direction. Therefore, the fluid is drawn into the chamber 33 only from the valve structure side in which the valve 22 and the seal portion 13 are paired.

図５（Ｂ）はポンプ内の流体を押し出す動作時の構造を示している。ダイヤフラム３２を下方向に押し込むことにより、チャンバ３３内の流体を押し出すこととなる。チャンバ３３内の圧力が陽圧となるため、バルブ１２が下方向に変形し、吸入口２４及び吐出口１５を介してチャンバ３３内から流体が吐出される。このとき、バルブ２２はシール部１３により押し止められるので、チャンバ３３からの流体の吐出はバルブ１２及びシール部２３を対としたバルブ構造側からのみとなる。   FIG. 5B shows the structure during the operation of pushing out the fluid in the pump. By pushing the diaphragm 32 downward, the fluid in the chamber 33 is pushed out. Since the pressure in the chamber 33 is positive, the valve 12 is deformed downward, and fluid is discharged from the chamber 33 through the suction port 24 and the discharge port 15. At this time, since the valve 22 is held down by the seal portion 13, the fluid is discharged from the chamber 33 only from the valve structure side in which the valve 12 and the seal portion 23 are paired.

このように吸い上げと吐出が一方向のみに行われるために効率的な送液が可能となっている。
なお、ダイヤフラム３２を変形させる方法としては、例えば圧電素子、静電駆動、空圧制御などが用いられる。 As described above, since suction and discharge are performed only in one direction, efficient liquid feeding is possible.
As a method for deforming the diaphragm 32, for example, a piezoelectric element, electrostatic drive, air pressure control, or the like is used.

以上、本発明の実施例を説明したが、上記実施例での数値、材料、配置、個数等は一例であり、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。   As mentioned above, although the Example of this invention was described, the numerical value, material, arrangement | positioning, number, etc. in the said Example are examples, This invention is not limited to these, It was described in the claim Various modifications are possible within the scope of the present invention.

例えば、上記実施例においてウェハ１１，２１，３１のうち少なくとも１つについてＳＯＩウェハが用いられてもよい。ＳＯＩウェハを用いたバルブ及びシート部の形成方法は例えば特許文献１に開示されている。   For example, in the above embodiment, an SOI wafer may be used for at least one of the wafers 11, 21, 31. A method for forming a valve and a seat portion using an SOI wafer is disclosed in Patent Document 1, for example.

また、上記実施例では、ウェハ２１の表面改質をする方法としてイオンガン方式が用いられているが、本発明の半導体装置の製造方法において、可動構造体及び別部材の接合面を表面改質する方法は、規制部の表面が改質されないように当該接合面を表面改質できる方法であれば、どのような方法であってもよい。   In the above embodiment, the ion gun method is used as a method for modifying the surface of the wafer 21. However, in the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the bonding surface of the movable structure and another member is modified. The method may be any method as long as the surface of the joint can be modified so that the surface of the restricting portion is not modified.

例えば、指向性を有するエネルギーによって表面改質を行なう方法として、イオンガン方式に替えて、ＦＡＢ（Fast Atom Beam）方式が用いられてもよい。これにより、可動構造体と別部材とを常温で接合できる。   For example, a FAB (Fast Atom Beam) method may be used in place of the ion gun method as a method for performing surface modification with energy having directivity. Thereby, a movable structure and another member can be joined at normal temperature.

また、表面改質としての方法として、上記接合面に金属薄膜が形成され、表面活性化接合として原子拡散接合法が用いられてもよい。これにより、可動構造体と別部材とを常温で接合できる。   As a method for surface modification, a metal thin film may be formed on the bonding surface, and an atomic diffusion bonding method may be used as the surface activated bonding. Thereby, a movable structure and another member can be joined at normal temperature.

また、表面改質としての方法として、プラズマ照射によって表面改質を行なうプラズマ活性化接合法が用いられてもよい。これにより、可動構造体と別部材とを２００℃程度の低温で接合できる。   As a method for surface modification, a plasma activated bonding method in which surface modification is performed by plasma irradiation may be used. Thereby, a movable structure and another member can be joined at about 200 degreeC low temperature.

なお、本発明の半導体装置の製造方法において、可動構造体及び別部材の接合面の表面改質処理は、常温又は低温で可動構造体及び別部材を接合可能な程度に接合面を改質でき、かつ、規制部の表面が改質されない程度の処理条件で行なわれる。
本発明に適用可能な表面活性化法による常温接合方法は、例えば特許文献２に開示されている。 In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the surface modification treatment of the joint surface of the movable structure and the separate member can modify the joint surface to such an extent that the movable structure and the separate member can be joined at room temperature or low temperature. And it is performed on the process conditions of the grade which does not modify | reform the surface of a control part.
A room temperature bonding method using a surface activation method applicable to the present invention is disclosed in Patent Document 2, for example.

また、上記実施例では、表面改質処理が施されるウェハ１１，２１の積層構造体（可動構造体）は、バルブ１２（可動部）及びシール部１３（規制部）が形成されたウェハ１１（基材）とバルブ２２（可動部）及びシール部２３（規制部）が形成されたウェハ２１（基材）とをシリコン酸化膜１６，２６（犠牲層）を介して貼り合わされたものである。バルブ１２（可動部）とシール部２３（規制部）はシリコン酸化膜１６，２６（犠牲層）犠牲層を介して配置され、バルブ２２（可動部）とシール部１３（規制部）はシリコン酸化膜１６，２６（犠牲層）犠牲層を介して配置される。その後、可動部と規制部との間の犠牲層が除去されて、可動部が可動状態にされる。本発明の半導体装置の製造方法で用いられる可動構造体は、このようにして可動部が可動状態にされた可動構造体に限定されず、可動部と前記可動部の可動範囲を規制する規制部とを有する可動構造体であれば、どのような構造であってもよい。   Moreover, in the said Example, the laminated structure (movable structure) of the wafers 11 and 21 to which surface modification processing is performed is the wafer 11 in which the valve | bulb 12 (movable part) and the seal part 13 (regulation part) were formed. (Base material) and wafer 22 (base material) on which valve 22 (movable part) and seal part 23 (regulation part) are formed are bonded together through silicon oxide films 16 and 26 (sacrificial layer). . The valve 12 (movable part) and the seal part 23 (regulator part) are arranged via a silicon oxide film 16, 26 (sacrificial layer) sacrificial layer, and the valve 22 (movable part) and the seal part 13 (regulator part) are silicon oxide. Films 16 and 26 (sacrificial layers) are disposed via sacrificial layers. Thereafter, the sacrificial layer between the movable part and the restricting part is removed, and the movable part is brought into a movable state. The movable structure used in the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention is not limited to the movable structure in which the movable part is moved in this manner, but the movable part and the restriction part that restricts the movable range of the movable part. Any structure may be used as long as it has a movable structure.

また、上記実施例では、上記犠牲層としてシリコン酸化膜１６，２６が用いられているが、上記犠牲層は他の材料、例えばポリイミドや接着剤などの樹脂であってもよい。   In the above embodiment, the silicon oxide films 16 and 26 are used as the sacrificial layer. However, the sacrificial layer may be other materials, for example, a resin such as polyimide or adhesive.

上記実施例ではマイクロポンプの製造方法に本発明の半導体装置の製造方法が適用されているが、本発明はマイクロポンプの製造方法に限定されない。本発明の半導体装置の製造方法は、可動部と前記可動部の可動範囲を規制する規制部とを有する可動構造体に別部材を接合する接合工程を含む半導体装置の製造方法に適用できる。例えば、加速度センサやジャイロセンサ、シリコンマイク、圧力センサなどのＭＥＭＳデバイスの製造方法に半導体装置の製造方法を適用できる。   In the above embodiment, the semiconductor device manufacturing method of the present invention is applied to the micropump manufacturing method, but the present invention is not limited to the micropump manufacturing method. The method for manufacturing a semiconductor device of the present invention can be applied to a method for manufacturing a semiconductor device including a joining step of joining another member to a movable structure having a movable part and a restricting part for restricting a movable range of the movable part. For example, a semiconductor device manufacturing method can be applied to a MEMS device manufacturing method such as an acceleration sensor, a gyro sensor, a silicon microphone, or a pressure sensor.

また、上記実施例では、ウェハ１１，２１の積層構造体（可動構造体）において、ウェハ３１（別部材）との接合面の上方から見てバルブ２２（可動部）の一部分が露出しているが、半導体装置の製造方法において、可動部は接合面に露出していなくてもよい。   Moreover, in the said Example, in the laminated structure (movable structure) of the wafers 11 and 21, a part of valve | bulb 22 (movable part) is exposed seeing from the upper direction of a joint surface with the wafer 31 (separate member). However, in the method for manufacturing a semiconductor device, the movable portion may not be exposed on the bonding surface.

１１，２１ シリコンウェハ（可動構造体）
１２，２１ バルブ（可動部）
１３，２３ シール部（規制部）
１６，２６ シリコン酸化膜（犠牲層）
２７ 表面改質部分
３１ シリコンウェハ（別部材） 11, 21 Silicon wafer (movable structure)
12, 21 Valve (moving part)
13, 23 Sealing part (Regulating part)
16, 26 Silicon oxide film (sacrificial layer)
27 Surface modified portion 31 Silicon wafer (separate member)

特表２０００−５１０５４８号公報JP 2000-510548 A 特開２００８−６２２６７号公報JP 2008-62267 A

Claims (7)

可動部と前記可動部の可動範囲を規制する規制部とを有する可動構造体に別部材を接合する接合工程を含む半導体装置の製造方法において、
前記接合工程は、前記規制部の表面が改質されないように前記可動構造体及び前記別部材の接合面を表面改質した後に、前記可動構造体と前記別部材とを直接接合させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 In a manufacturing method of a semiconductor device including a joining step of joining another member to a movable structure having a movable part and a regulating part that regulates a movable range of the movable part.
In the joining step, the movable structure and the separate member are directly joined after surface modification of the joint surface of the movable structure and the separate member so that the surface of the restricting portion is not modified. A method for manufacturing a semiconductor device. 前記接合工程において、前記表面改質をする方法として、指向性を有するエネルギーによって前記表面改質を行なうイオンガン方式又はＦＡＢ方式が用いられる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。   2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein, in the bonding step, an ion gun method or an FAB method in which the surface modification is performed with directivity energy is used as the surface modification method. 前記接合工程において、前記表面改質として前記接合面に金属薄膜が形成され、前記表面活性化接合として原子拡散接合法が用いられる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。   The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein in the bonding step, a metal thin film is formed on the bonding surface as the surface modification, and an atomic diffusion bonding method is used as the surface activated bonding. 前記接合工程において、前記表面改質をする方法として、プラズマ照射によって前記表面改質を行なうプラズマ活性化接合法が用いられる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。   The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein in the bonding step, a plasma activated bonding method is used in which the surface modification is performed by plasma irradiation as the surface modification method. 前記可動構造体は、前記可動部が形成された基材と前記規制部が形成された基材とを犠牲層を介して貼り合わせるとともに前記可動部と前記規制部とを前記犠牲層を介して配置した後、前記可動部と前記規制部との間の犠牲層が除去されたものである請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。   The movable structure is configured such that the base material on which the movable portion is formed and the base material on which the restriction portion is formed are bonded together via a sacrificial layer, and the movable portion and the restriction portion are bonded via the sacrifice layer. 5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a sacrificial layer between the movable portion and the restricting portion is removed after the placement. 6. 前記犠牲層はシリコン酸化膜又は樹脂である請求項５に記載の半導体装置の製造方法。   The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein the sacrificial layer is a silicon oxide film or a resin. 前記可動構造体において、前記可動部はバルブを構成し、かつ前記規制部はシール部を構成し、
前記別部材はダイヤフラムを含むものであり、
前記可動構造体と前記別部材が接合されることによってマイクロポンプが形成される請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 In the movable structure, the movable part constitutes a valve, and the restricting part constitutes a seal part,
The separate member includes a diaphragm,
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a micropump is formed by joining the movable structure and the separate member.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105065238A (en) * 2015-08-25 2015-11-18 杭州大潮石化设备有限公司 Hydraulic diaphragm reciprocating pump with flip-type diaphragm protecting plate
TWI664352B (en) * 2018-09-17 2019-07-01 研能科技股份有限公司 Manufacturing method of micro-electromechanical pump
TWI681117B (en) * 2018-09-17 2020-01-01 研能科技股份有限公司 Micro-electromechanical pump
WO2020240013A1 (en) * 2019-05-31 2020-12-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Method for producing a micromechanical device and micromechanical valve
US11536260B2 (en) 2018-09-17 2022-12-27 Microjet Technology Co., Ltd. Micro-electromechanical system pump

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000510548A (en) * 1997-05-12 2000-08-15 フラオンホーファー ゲゼルシャフト ツール フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファオ Manufacturing method of micro thin film pump body
JP2006009961A (en) * 2004-06-25 2006-01-12 Canon Inc Microvalve and its manufacturing method, and fuel cell
JP2006212473A (en) * 2005-02-01 2006-08-17 Pentax Corp Microchemical chip
JP2008155245A (en) * 2006-12-22 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd Joining method
WO2011016348A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 アルプス電気株式会社 Mems sensor
JP2011191555A (en) * 2010-03-15 2011-09-29 Seiko Epson Corp Method of manufacturing optical filter, analytical instrument and optical apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000510548A (en) * 1997-05-12 2000-08-15 フラオンホーファー ゲゼルシャフト ツール フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファオ Manufacturing method of micro thin film pump body
JP2006009961A (en) * 2004-06-25 2006-01-12 Canon Inc Microvalve and its manufacturing method, and fuel cell
JP2006212473A (en) * 2005-02-01 2006-08-17 Pentax Corp Microchemical chip
JP2008155245A (en) * 2006-12-22 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd Joining method
WO2011016348A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 アルプス電気株式会社 Mems sensor
JP2011191555A (en) * 2010-03-15 2011-09-29 Seiko Epson Corp Method of manufacturing optical filter, analytical instrument and optical apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105065238A (en) * 2015-08-25 2015-11-18 杭州大潮石化设备有限公司 Hydraulic diaphragm reciprocating pump with flip-type diaphragm protecting plate
TWI664352B (en) * 2018-09-17 2019-07-01 研能科技股份有限公司 Manufacturing method of micro-electromechanical pump
TWI681117B (en) * 2018-09-17 2020-01-01 研能科技股份有限公司 Micro-electromechanical pump
US11536260B2 (en) 2018-09-17 2022-12-27 Microjet Technology Co., Ltd. Micro-electromechanical system pump
WO2020240013A1 (en) * 2019-05-31 2020-12-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Method for producing a micromechanical device and micromechanical valve

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