JP2014057101A - パッケージ回路、及び集積回路をパッケージングする方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 9
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
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- H01L2924/14—Integrated circuits
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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Abstract
【解決手段】本発明の一実施形態に係るパッケージ回路は、チップ実装エリア及び第1の突出部を含む第1のセクションと、第2のセクションとを含むリードフレームと、チップ実装エリアに取り付けられ、チップ実装エリアに熱的に接触する集積回路チップと、上面、底面、及び側面を有する封止材層とを含み、第1の突出部は、チップ実装エリアよりも第2のセクション側に設けられ、側面を通ることなく封止材層を貫通してチップ実装エリアから底面まで熱を伝達する第1の熱経路を形成するように曲げられ、第2のセクションの一部は、側面を通って延び、第1の熱経路は、第2のセクションを通る熱経路よりも小さな熱抵抗を有し、第1のセクションの一部は、チップ実装エリアから第1の突出部とは反対側に延びている。
【選択図】図4B
Description
1.第1のセクション、及び第2のセクションを有し、前記第1のセクションが、第1の側方部分、チップ実装エリア、及び第1の突出部を含む、リードフレームと、
前記チップ実装エリアに取り付けられ、前記チップ実装エリアに熱的に接触する集積回路チップと、
上面、底面、第1の側面、及び第2の側面を有する封止材層と
を含み、前記第1の突出部は、前記チップ実装エリアから前記底面まで第1の熱経路を形成するように曲げられ、前記第1の熱経路は、前記第1の側面、及び前記第2の側面を通ることなく、前記チップ実装エリアから前記底面まで熱を伝達し、前記第1の側方部分は、前記チップ実装エリアから前記第1の側面を通って延び、前記第2のセクションの一部は、前記第2の側面を通って延び、前記第1の熱経路は、前記第1の側方部分、又は前記第2のセクションを通る熱経路よりも小さな熱抵抗を有するように構成される、パッケージ回路。
2.前記チップ実装エリアに接続され、前記チップ実装エリアから前記底面まで第2の熱経路を形成するように曲げられた第2の突出部を更に含み、前記第2の熱経路は、前記第1の側方部分、又は前記第2のセクションを通る熱経路よりも小さな熱抵抗を有する、1に記載のパッケージ回路。
3.前記第1の突出部は、前記底面を通って延び、前記底面と同一平面を成す部分を有する、1に記載のパッケージ回路。
4.前記第2のセクションの前記側面を通って延びる部分は、前記底面と同一平面を成す接点を形成するように曲げられる、1にパッケージ回路。
5.前記接点は前記底面上に位置する、4に記載のパッケージ回路。
6.前記集積回路チップはLEDを含み、前記封止材層は開口部を有し、該開口部を通して、前記チップ実装エリア、及び前記のセクションにアクセス可能である、1に記載のパッケージ回路。
7.前記LEDは、前記チップ実装エリアに接続された第1の接点と、前記第2のセクションに接続された第2の接点とを有し、前記LEDは、前記第1のセクションと前記第2のセクションの間に電位差を加えることによって駆動される、6に記載のパッケージ回路。
8.集積回路をパッケージングする方法であって、
第1のセクション、及び第2のセクションを有し、該第1のセクションが、第1の側方部分、チップ実装エリア、及び第1の突出部を有するように構成されたリードフレームを設けるステップと、
前記第1の突出部を下向きに曲げるステップと、
材料層を成形し、上面、底面、第1の側面、及び第2の側面を有するパッケージを形成するステップと
を含み、前記第1の突出部は、前記チップ実装エリアから前記底面まで第1の熱経路を形成するように曲げられ、前記第1の熱経路は、前記第1の側面、及び前記第2の側面を通ることなく、前記チップ実装エリアを前記底面に接続し、前記第1の側方部分は、前記チップ実装エリアから前記第1の側面を通って延び、前記第2のセクションの一部は、前記第2の側面を通って延び、前記第1の熱経路は、前記側方部分、又は前記第2のセクションを通る熱経路よりも小さな熱抵抗を有するように構成される、方法。
9.前記集積回路を含むチップを前記チップ実装エリアに取り付け、前記チップ上の端子を前記第2のセクションに接続するステップを更に含む、8に記載の方法。
10.前記チップはLEDを含み、前記パッケージは開口部を有するカップを含み、該開口部を通じて、前記チップ実装エリア、及び前記第2のセクションの一部にアクセス可能である、9に記載の方法。
11.前記底面と同一平面を成す接点を形成するように、前記第1の突出部の一部を曲げるステップを更に含む、8に記載の方法。
12.前記底面と同一平面を成す接点を形成するように、前記側面を通る前記第2のセクションの部分を曲げるステップを更に含む、8に記載の方法。
13.前記封止材層はポリマー材料を含む、8に記載の方法。
30 LEDパッケージ
40 光源
21、43、45、91、101 リードフレームの第1のセクション
22、47、48、92、102 リードフレームの第2のセクション
23、44、46、51、52、93、94 突出部
96、97、104、105 側方突出部
33、49、85、110 封止材層(プラスチック層)
34、50 カップ
35 ダイ
41、42、111 LED
86、87 パッド
98、122 チップ実装エリア
Claims (13)
- チップ実装エリア及び第1の突出部を含む第1のセクションと、第2のセクションとを含むリードフレームと、
前記チップ実装エリアに取り付けられ、前記チップ実装エリアに熱的に接触する集積回路チップと、
上面、底面、及び側面を有する封止材層と
を含み、
前記第1の突出部は、前記チップ実装エリアよりも前記第2のセクション側に設けられ、前記側面を通ることなく前記封止材層を貫通して前記チップ実装エリアから前記底面まで熱を伝達する第1の熱経路を形成するように曲げられ、
前記第2のセクションの一部は、前記側面を通って延び、
前記第1の熱経路は、前記第2のセクションを通る熱経路よりも小さな熱抵抗を有し、
前記第1のセクションの一部は、前記チップ実装エリアから前記第1の突出部とは反対側に延びている、パッケージ回路。 - 前記チップ実装エリアから前記第1の突出部とは反対側に延びている前記第1のセクションの一部は、前記側面から突出している、請求項1に記載のパッケージ回路。
- 前記第1の突出部は、前記底面を通って延び、前記底面と同一平面を成す部分を有する、請求項1に記載のパッケージ回路。
- 前記第2のセクションの前記側面を通って延びる部分は、前記底面と同一平面を成す接点を形成するように曲げられる、請求項1にパッケージ回路。
- 前記接点は前記底面上に位置する、請求項4に記載のパッケージ回路。
- 前記集積回路チップはLEDを含み、
前記封止材層は開口部を有し、該開口部を通して、前記チップ実装エリア、及び前記第2のセクションにアクセス可能である、請求項1に記載のパッケージ回路。 - 前記LEDは、前記チップ実装エリアに接続された第1の接点と、前記第2のセクションに接続された第2の接点とを有し、
前記LEDは、前記第1のセクションと前記第2のセクションの間に電位差を加えることによって駆動される、請求項6に記載のパッケージ回路。 - 集積回路をパッケージングする方法であって、
チップ実装エリア及び第1の突出部を含む第1のセクションと、第2のセクションとを含むリードフレームを設け、
前記第1の突出部を下向きに曲げ、
材料層を成形し、上面、底面、及び側面を有するパッケージを形成することを含み、
前記第1の突出部は、前記チップ実装エリアから前記底面まで第1の熱経路を形成するように曲げられ、
前記第1の熱経路は、前記側面を通ることなく、前記パッケージを貫通して前記チップ実装エリアを前記底面に接続し、
前記第2のセクションの一部は、前記側面を通って延び、
前記第1の熱経路は、前記第2のセクションを通る熱経路よりも小さな熱抵抗を有し、
前記第1のセクションの一部は、前記チップ実装エリアから前記第1の突出部とは反対側に延びている、方法。 - 前記集積回路を含むチップを前記チップ実装エリアに取り付け、前記チップ上の端子を前記第2のセクションに接続することを更に含む、請求項8に記載の方法。
- 前記チップはLEDを含み、前記パッケージは開口部を有するカップを含み、該開口部を通じて、前記チップ実装エリア、及び前記第2のセクションの一部にアクセス可能である、請求項9に記載の方法。
- 前記底面と同一平面を成す接点を形成するように、前記第1の突出部の一部を曲げることを更に含む、請求項8に記載の方法。
- 前記底面と同一平面を成す接点を形成するように、前記側面を通る前記第2のセクションの部分を曲げることを更に含む、請求項8に記載の方法。
- 前記封止材層はポリマー材料を含む、請求項8に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/415,548 US7365407B2 (en) | 2006-05-01 | 2006-05-01 | Light emitting diode package with direct leadframe heat dissipation |
US11/415,548 | 2006-05-01 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007118959A Division JP5497256B2 (ja) | 2006-05-01 | 2007-04-27 | 真っ直ぐなリードフレーム放熱部を備えた発光ダイオードパッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014057101A true JP2014057101A (ja) | 2014-03-27 |
JP5782618B2 JP5782618B2 (ja) | 2015-09-24 |
Family
ID=38580260
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007118959A Expired - Fee Related JP5497256B2 (ja) | 2006-05-01 | 2007-04-27 | 真っ直ぐなリードフレーム放熱部を備えた発光ダイオードパッケージ |
JP2013252771A Expired - Fee Related JP5782618B2 (ja) | 2006-05-01 | 2013-12-06 | パッケージ回路、及び集積回路をパッケージングする方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007118959A Expired - Fee Related JP5497256B2 (ja) | 2006-05-01 | 2007-04-27 | 真っ直ぐなリードフレーム放熱部を備えた発光ダイオードパッケージ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7365407B2 (ja) |
JP (2) | JP5497256B2 (ja) |
DE (1) | DE102007019809B4 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100593945B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
JP4830768B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2011-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
US7800304B2 (en) * | 2007-01-12 | 2010-09-21 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Multi-chip packaged LED light source |
US7993038B2 (en) * | 2007-03-06 | 2011-08-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2008263118A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Nec Lighting Ltd | 発光デバイス |
KR100801621B1 (ko) * | 2007-06-05 | 2008-02-11 | 서울반도체 주식회사 | Led 패키지 |
KR100877877B1 (ko) * | 2007-08-28 | 2009-01-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
US8174100B2 (en) * | 2008-09-22 | 2012-05-08 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light source using a light-emitting diode |
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US8101955B2 (en) * | 2009-04-17 | 2012-01-24 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | PLCC package with a reflector cup surrounded by an encapsulant |
US8120055B2 (en) * | 2009-04-20 | 2012-02-21 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light source |
KR101660721B1 (ko) * | 2009-06-15 | 2016-09-29 | 엘지전자 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 디스플레이장치 |
US8356917B2 (en) * | 2009-08-19 | 2013-01-22 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light source |
WO2011064817A1 (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-03 | パナソニック株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
KR101129585B1 (ko) * | 2010-04-08 | 2012-03-28 | 우리엘이디 주식회사 | 발광 장치 |
US8552458B2 (en) | 2010-06-26 | 2013-10-08 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Side by side light emitting diode (LED) having separate electrical and heat transfer paths |
GB2491390B (en) * | 2011-06-02 | 2013-10-09 | Wen-Kung Sung | Heat dissipation structure of light-emitting diode |
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US7547583B2 (en) | 2009-06-16 |
DE102007019809A1 (de) | 2007-11-15 |
JP2007300117A (ja) | 2007-11-15 |
US20070252246A1 (en) | 2007-11-01 |
JP5782618B2 (ja) | 2015-09-24 |
DE102007019809B4 (de) | 2015-01-15 |
JP5497256B2 (ja) | 2014-05-21 |
US20080153190A1 (en) | 2008-06-26 |
US7365407B2 (en) | 2008-04-29 |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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