JP2014052435A - Transparent electrode substrate, method of producing the same, and image display device - Google Patents

Transparent electrode substrate, method of producing the same, and image display device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent electrode substrate in which adhesion force between a transparent conductor layer and a resistance-reduced layer is improved, a method of producing the same, and an image display device including the transparent electrode substrate.SOLUTION: A transparent electrode substrate 1 includes: an insulating substrate 2; and a conductor layer 3 formed on the insulating substrate 2, The conductor layer 3 includes: a transparent conductor layer 4 formed on the insulating substrate 2; a resistance-reduced layer 5 that is formed on the transparent conductor layer 4 and reduces electric resistance of the conductor layer 3; and an adhesion layer 6 that is interposed between the transparent conductor layer 4 and the resistance-reduced layer 5 and has a phosphorus content of 8 mass% or more.

Description

本発明は、透明電極基板、その製造方法および画像表示装置、詳しくは、透明電極基板の製造方法、それにより得られる透明電極基板、および、その透明電極基板を備える画像表示装置に関する。   The present invention relates to a transparent electrode substrate, a method for manufacturing the same, and an image display device, and more particularly to a method for manufacturing a transparent electrode substrate, a transparent electrode substrate obtained thereby, and an image display device including the transparent electrode substrate.

従来、液晶表示装置などの画像表示装置に、透明電極が設けられた透明電極基板をタッチパネルとして用いることが知られている。   Conventionally, it is known that a transparent electrode substrate provided with a transparent electrode is used as a touch panel in an image display device such as a liquid crystal display device.

例えば、基板の主面全面に形成された透明電極の上に、ニッケル鍍金を施し、さらに、この上に銅鍍金を施すことにより得られる表示装置用基板が提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。   For example, a substrate for a display device obtained by applying nickel plating on a transparent electrode formed on the entire main surface of the substrate and further applying copper plating thereon has been proposed (for example, the following patent document) 1).

特許文献１の表示装置用基板では、銅層（銅鍍金層）によって、それら積層体の電気抵抗を低減させながら、ニッケル層（ニッケル鍍金層）によって、透明電極と銅層との密着力を向上させている。   In the substrate for a display device of Patent Document 1, the adhesion between the transparent electrode and the copper layer is improved by the nickel layer (nickel plating layer) while the electrical resistance of the laminate is reduced by the copper layer (copper plating layer). I am letting.

特開平６−１４８６６１号公報JP-A-6-148661

しかしながら、表示装置用基板の用途および目的によっては、透明電極と銅層との密着力をより一層向上させることが望まれている。   However, depending on the application and purpose of the display device substrate, it is desired to further improve the adhesion between the transparent electrode and the copper layer.

本発明の目的は、透明導体層と低抵抗化層との密着力が高められた透明電極基板、その製造方法、および、その透明電極基板を備える画像表示装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a transparent electrode substrate having improved adhesion between a transparent conductor layer and a low resistance layer, a method for manufacturing the same, and an image display device including the transparent electrode substrate.

本発明の透明電極基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の少なくとも厚み方向一方側に形成される導体層とを備え、前記導体層は、前記絶縁基板の前記厚み方向一方側に形成される透明導体層と、前記透明導体層の前記厚み方向一方側に形成され、前記導体層の電気抵抗を低減させる低抵抗化層と、前記透明導体層および前記低抵抗化層の間に介在され、リン含有割合が８質量％以上である密着層とを備えることを特徴としている。   The transparent electrode substrate of the present invention includes an insulating substrate and a conductor layer formed on at least one side in the thickness direction of the insulating substrate, and the conductor layer is transparent formed on the one side in the thickness direction of the insulating substrate. A conductor layer, a low resistance layer formed on one side in the thickness direction of the transparent conductor layer and reducing the electric resistance of the conductor layer, and interposed between the transparent conductor layer and the low resistance layer; And an adhesion layer having a content ratio of 8% by mass or more.

また、本発明の透明電極基板では、前記透明導体層が、インジウム錫酸化物から形成され、前記低抵抗化層が、銅、銀および金からなる群から選択される少なくとも１種の金属から形成され、前記密着層が、ニッケルおよびリンを含有する組成物から形成されることが好適である。   In the transparent electrode substrate of the present invention, the transparent conductor layer is formed of indium tin oxide, and the low resistance layer is formed of at least one metal selected from the group consisting of copper, silver, and gold. It is preferable that the adhesion layer is formed from a composition containing nickel and phosphorus.

また、本発明の透明電極基板では、前記導体層が、前記低抵抗化層の前記厚み方向一方面に、易エッチング材料から形成される保護層をさらに備えることが好適である。   In the transparent electrode substrate of the present invention, it is preferable that the conductor layer further includes a protective layer formed of an easily-etching material on one surface in the thickness direction of the low resistance layer.

また、本発明の透明電極基板では、前記易エッチング材料が、ニッケル、錫およびニッケル銅合金から選択される少なくとも１種の金属であることが好適である。   In the transparent electrode substrate of the present invention, it is preferable that the easy-etching material is at least one metal selected from nickel, tin, and nickel-copper alloy.

また、本発明の透明電極基板では、前記透明導体層は、前記絶縁基板の前記厚み方向一方側全面に形成され、前記密着層は、前記透明導体層の前記厚み方向一方面全面に形成され、前記低抵抗化層は、前記密着層の前記厚み方向一方面全面に形成されていることが好適である。   In the transparent electrode substrate of the present invention, the transparent conductor layer is formed on the entire surface of the insulating substrate on one side in the thickness direction, and the adhesion layer is formed on the entire surface of the transparent conductor layer on the one surface in the thickness direction, It is preferable that the low-resistance layer is formed on the entire surface of the adhesion layer in the thickness direction.

また、本発明の透明電極基板では、前記導体層は、前記絶縁基板において、導体パターンとして形成されていることが好適である。   In the transparent electrode substrate of the present invention, it is preferable that the conductor layer is formed as a conductor pattern on the insulating substrate.

また、本発明の透明電極基板では、前記導体パターンは、前記導体層からなる引出配線と、前記引出配線に連続して形成され、前記透明導体層からなる透明電極とを備えることが好適である。   In the transparent electrode substrate of the present invention, it is preferable that the conductor pattern includes a lead wire made of the conductor layer and a transparent electrode formed continuously from the lead wire and made of the transparent conductor layer. .

また、本発明の透明電極基板の製造方法は、絶縁基板と、前記絶縁基板の少なくとも厚み方向一方側に積層される透明導体層とを備える積層板を用意する用意工程、密着層を、前記透明導体層の前記厚み方向一方面に、前記密着層におけるリン含有割合が８質量％以上となるように、積層する密着層積層工程、および、低抵抗化層を、前記密着層の前記厚み方向一方面に積層する低抵抗化工程を備えることを特徴としている。   Further, the method for producing a transparent electrode substrate of the present invention includes a preparation step of preparing a laminate including an insulating substrate and a transparent conductor layer laminated on at least one side in the thickness direction of the insulating substrate, The adhesion layer laminating step and the low resistance layer are laminated on the one surface in the thickness direction of the conductor layer so that the phosphorus content in the adhesion layer is 8% by mass or more. It is characterized by comprising a resistance reduction step of laminating in the direction.

また、本発明の透明電極基板の製造方法は、前記低抵抗化工程の後に、前記透明導体層と前記密着層と前記低抵抗化層とを備える導体層をエッチングして導体パターンを形成するパターンニング工程をさらに備えることが好適である。   In the method for producing a transparent electrode substrate of the present invention, a pattern is formed by etching a conductor layer including the transparent conductor layer, the adhesion layer, and the resistance reduction layer after the resistance reduction step. It is preferable to further include a ning process.

また、本発明の透明電極基板の製造方法は、前記導体パターンの一部から前記低抵抗化層および前記密着層を除去することによって、前記透明導体層から透明電極を形成するとともに、前記導体パターンの残部に対応する前記導体層を引出配線とする工程をさらに備えることが好適である。   The method for producing a transparent electrode substrate of the present invention includes forming the transparent electrode from the transparent conductor layer by removing the low resistance layer and the adhesion layer from a part of the conductor pattern, and the conductor pattern. It is preferable that the method further includes a step of using the conductor layer corresponding to the remaining portion as a lead wiring.

また、本発明の透明電極基板の製造方法は、易エッチング材料からなる保護層を、前記低抵抗化層の前記厚み方向一方面に積層する工程をさらに備え、前記パターンニング工程では、前記透明導体層と前記密着層と前記低抵抗化層と保護層とを備える導体層をエッチングして導体パターンを形成することが好適である。   The method for producing a transparent electrode substrate of the present invention further includes a step of laminating a protective layer made of an easily-etching material on the one surface in the thickness direction of the low resistance layer, and in the patterning step, the transparent conductor It is preferable to form a conductor pattern by etching a conductor layer including a layer, the adhesion layer, the low resistance layer, and a protective layer.

また、本発明の透明電極基板の製造方法は、前記導体パターンの一部から前記保護層、前記低抵抗化層および前記密着層を除去することによって、前記透明導体層から透明電極を形成するとともに、前記導体パターンの残部に対応する前記導体層を引出配線とする工程をさらに備えることが好適である。   In the method for producing a transparent electrode substrate of the present invention, a transparent electrode is formed from the transparent conductor layer by removing the protective layer, the low resistance layer and the adhesion layer from a part of the conductor pattern. It is preferable that the method further includes a step of using the conductor layer corresponding to the remaining portion of the conductor pattern as a lead wiring.

また、本発明の画像表示装置は、上記した透明電極基板を備えることを特徴としている。   The image display device of the present invention is characterized by including the above-described transparent electrode substrate.

また、本発明の画像表示装置では、前記透明電極基板が、タッチパネルであることが好適である。   In the image display device of the present invention, it is preferable that the transparent electrode substrate is a touch panel.

また、本発明の画像表示装置は、液晶表示装置であることが好適である。   The image display device of the present invention is preferably a liquid crystal display device.

本発明の透明電極基板の製造方法により得られる、本発明の透明電極基板は、透明導体層および低抵抗化層の間に介在され、リン含有割合が８質量％以上である密着層を備えるので、透明導体層と低抵抗化層との密着力を十分に高めることができる。そのため、信頼性を向上させることができる。   The transparent electrode substrate of the present invention obtained by the method for producing a transparent electrode substrate of the present invention includes an adhesion layer interposed between the transparent conductor layer and the low resistance layer and having a phosphorus content of 8% by mass or more. The adhesion between the transparent conductor layer and the low resistance layer can be sufficiently increased. Therefore, reliability can be improved.

従って、本発明の画像表示装置は、信頼性が向上された透明電極基板を備えるので、信頼性に優れる。   Therefore, since the image display apparatus of the present invention includes the transparent electrode substrate with improved reliability, it is excellent in reliability.

図１は、本発明の透明電極基板の製造方法の第１実施形態を示す工程図であり、（ａ）は、絶縁基板を用意して、光学調整膜を積層する工程、（ｂ）は、透明導体層を光学調整膜の上面に積層する工程、（ｃ）は、密着層を透明導体層の上面に積層する工程、（ｄ）は、低抵抗化層を密着層の上面に積層する工程、（ｅ）は、保護層を低抵抗化層の上面に積層する工程を示す。FIG. 1 is a process diagram showing a first embodiment of a method for producing a transparent electrode substrate of the present invention, wherein (a) is a process of preparing an insulating substrate and laminating an optical adjustment film, and (b) The step of laminating the transparent conductor layer on the upper surface of the optical adjustment film, (c) is the step of laminating the adhesion layer on the upper surface of the transparent conductor layer, and (d) is the step of laminating the low resistance layer on the upper surface of the adhesion layer. (E) shows a step of laminating a protective layer on the upper surface of the low resistance layer. 図２は、図１（ｅ）に示す透明電極基板の導体層から導体パターンを形成する工程図であり、（ａ）は、第１エッチングレジストを保護層の上面に積層する工程、（ｂ）は、導体層をエッチングし、続いて、第１エッチングレジストを除去する工程、（ｃ）は、第２エッチングレジストを、導体パターンにおいて引出配線に対応する部分を被覆するように、絶縁基板の上に積層する工程、（ｄ）は、第２エッチングレジストから露出する保護層、低抵抗化層および密着層をエッチングし、続いて、第２エッチングレジストを除去する工程を示す。FIG. 2 is a process diagram for forming a conductor pattern from the conductor layer of the transparent electrode substrate shown in FIG. 1E. FIG. 2A is a process for laminating a first etching resist on the upper surface of the protective layer. (C) etching the conductor layer and subsequently removing the first etching resist; and (c) forming a second etching resist on the insulating substrate so as to cover a portion corresponding to the lead wiring in the conductor pattern. (D) shows a step of etching the protective layer, the low resistance layer and the adhesion layer exposed from the second etching resist, and subsequently removing the second etching resist. 図３は、図２（ｄ）に示す透明電極基板がタッチパネルとして設けられる液晶表示装置の断面図を示す。FIG. 3 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device in which the transparent electrode substrate shown in FIG. 図４は、図３に示す液晶表示装置のタッチパネルを分解したときの拡大断面図を示す。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view when the touch panel of the liquid crystal display device shown in FIG. 3 is disassembled. 図５は、第１実施形態の透明電極基板の変形例（絶縁基板の両側に導体層が設けられる態様）の断面図を示す。FIG. 5 shows a cross-sectional view of a modification of the transparent electrode substrate of the first embodiment (a mode in which conductor layers are provided on both sides of the insulating substrate). 図６は、第１実施形態の透明電極基板の変形例（保護層が設けられない態様）の断面図を示す。FIG. 6 shows a cross-sectional view of a modification of the transparent electrode substrate of the first embodiment (a mode in which no protective layer is provided). 図７は、第１実施形態の透明電極基板の変形例（光学調整膜が設けられない態様）の断面図を示す。FIG. 7 shows a cross-sectional view of a modification of the transparent electrode substrate of the first embodiment (a mode in which no optical adjustment film is provided). 図８は、第１実施形態の透明電極基板の変形例（光学調整膜が設けられない態様）の断面図を示す。FIG. 8 shows a cross-sectional view of a modification of the transparent electrode substrate of the first embodiment (a mode in which no optical adjustment film is provided).

＜第１実施形態＞
＜透明電極基板＞
各図において、紙面上下方向（厚み方向）を第１方向とし、紙面左右方向を第２方向とし、紙面奥行方向（前後方向）を第３方向とする場合がある。 <First Embodiment>
<Transparent electrode substrate>
In each drawing, the vertical direction (thickness direction) of the paper surface may be the first direction, the horizontal direction of the paper surface may be the second direction, and the depth direction (front-back direction) of the paper surface may be the third direction.

図１（ｅ）において、本発明の一実施形態としての透明電極基板１は、平板形状をなし、絶縁基板２と、絶縁基板２の上（厚み方向一方側）に形成される導体層３とを備える。   1E, a transparent electrode substrate 1 as an embodiment of the present invention has a flat plate shape, and includes an insulating substrate 2 and a conductor layer 3 formed on the insulating substrate 2 (one side in the thickness direction). Is provided.

絶縁基板２は、平面視において、透明電極基板１の外形形状に対応するフィルム状（あるいは薄板状）に形成されている。絶縁基板２を形成する材料としては、例えば、透明材料が挙げられる。透明材料としては、例えば、ガラスなどの無機透明材料、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）などの有機透明材料が挙げられる。好ましくは、軽薄性の観点から、有機透明材料、より好ましくは、ＰＥＴが挙げられる。上記した材料のガラス転移温度は、例えば、１８０℃以上であり、また、例えば、２２０℃以下である。絶縁基板２の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２５μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。   The insulating substrate 2 is formed in a film shape (or a thin plate shape) corresponding to the outer shape of the transparent electrode substrate 1 in plan view. Examples of the material for forming the insulating substrate 2 include a transparent material. Examples of the transparent material include inorganic transparent materials such as glass, and organic transparent materials such as polyethylene terephthalate (PET), polymethacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), polyethylene (PE), and cycloolefin polymer (COP). Can be mentioned. Preferably, from the viewpoint of lightness, an organic transparent material, more preferably, PET is used. The glass transition temperature of the above-described material is, for example, 180 ° C. or higher, and for example, 220 ° C. or lower. The thickness of the insulating substrate 2 is, for example, 10 μm or more, preferably 25 μm or more, and for example, 300 μm or less, preferably 200 μm or less.

また、絶縁基板２の上面全面には、光学調整膜２４が形成されている。光学調整膜２４は、例えば、ＳｉＯ２系材料などの無機光学材料、または、有機光学材料などからなり、ガラス転移温度が１８０℃以上であり、厚みが、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、５ｎｍ以上であり、また、例えば、１０００ｎｍ以下、好ましくは、５００ｎｍ以下でもある。 An optical adjustment film 24 is formed on the entire upper surface of the insulating substrate 2. The optical adjustment film 24 is made of, for example, an inorganic optical material such as SiO 2 -based material or an organic optical material, and has a glass transition temperature of 180 ° C. or higher and a thickness of, for example, 1 nm or more, preferably 5 nm or more. Also, for example, it is 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

導体層３は、絶縁基板２の上に光学調整膜２４の間隔を隔てて設けられている。つまり、導体層３は、光学調整膜２４の上面全面に積層されている。導体層３は、複数の層からなり、具体的には、光学調整膜２４の上面（厚み方向一方面）に形成される透明導体層４と、透明導体層４の上（厚み方向一方側）に形成される低抵抗化層５と、透明導体層４および低抵抗化層５の間に介在される密着層６とを備える。さらに、導体層３は、低抵抗化層５の上面（厚み方向一方面）に形成される保護層７を備える。つまり、導体層３では、光学調整膜２４の上（厚み方向一方側）に、透明導体層４、密着層６、低抵抗化層５および保護層７が順次積層されている。   The conductor layer 3 is provided on the insulating substrate 2 with an interval between the optical adjustment films 24. That is, the conductor layer 3 is laminated on the entire upper surface of the optical adjustment film 24. The conductor layer 3 is composed of a plurality of layers, specifically, the transparent conductor layer 4 formed on the upper surface (one surface in the thickness direction) of the optical adjustment film 24 and the transparent conductor layer 4 (one side in the thickness direction). And the adhesion layer 6 interposed between the transparent conductor layer 4 and the low resistance layer 5. Furthermore, the conductor layer 3 includes a protective layer 7 formed on the upper surface (one surface in the thickness direction) of the low resistance layer 5. That is, in the conductor layer 3, the transparent conductor layer 4, the adhesion layer 6, the low resistance layer 5, and the protective layer 7 are sequentially laminated on the optical adjustment film 24 (one side in the thickness direction).

透明導体層４は、後述する透明電極１０（図２（ｄ）参照）において、タッチ入力のための層であって、導体層３において最下層に位置しており、光学調整膜２４の上面全面に形成されている。透明導体層４を形成する透明導体としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの酸化物が挙げられる。透明導体層４の厚みは、例えば、５ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上であり、また、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは、３０ｎｍ以下でもある。   The transparent conductor layer 4 is a layer for touch input in the transparent electrode 10 (see FIG. 2D) described later, and is located at the lowest layer in the conductor layer 3, and is the entire upper surface of the optical adjustment film 24. Is formed. Examples of the transparent conductor that forms the transparent conductor layer 4 include oxides such as indium tin oxide (ITO). The thickness of the transparent conductor layer 4 is, for example, 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and for example, 200 nm or less, preferably 30 nm or less.

低抵抗化層５は、導体層３の電気抵抗を低減させる層であって、透明導体層４の上に密着層６を隔てて（介して）積層されている。低抵抗化層５を形成する材料としては、例えば、銅、銀、金、それらの合金など導電材料（具体的には、金属）が挙げられる。好ましくは、銅、銀、金が挙げられる。これら材料の低抵抗化層５の厚みは、導体層３に要求される電気抵抗値によって適宜設定され、具体的には、例えば、５０ｎｍ以上、好ましくは、１００ｎｍ以上であり、また、例えば、３０００ｎｍ以下、好ましくは、１０００ｎｍ以下でもある。   The low resistance layer 5 is a layer that reduces the electrical resistance of the conductor layer 3, and is laminated on the transparent conductor layer 4 with the adhesion layer 6 interposed (via). Examples of the material for forming the low resistance layer 5 include conductive materials (specifically, metals) such as copper, silver, gold, and alloys thereof. Preferably, copper, silver, and gold are mentioned. The thickness of the low resistance layer 5 of these materials is appropriately set depending on the electric resistance value required for the conductor layer 3, and is specifically 50 nm or more, preferably 100 nm or more, for example, 3000 nm. Hereinafter, it is preferably 1000 nm or less.

密着層６は、透明導体層４と低抵抗化層５との密着力を向上させる層であり、透明導体層４の上面全面および低抵抗化層５の下面全面に形成されている。密着層６を形成する材料としては、例えば、ニッケルおよびリンを必須成分として含有する組成物などが挙げられる。   The adhesion layer 6 is a layer that improves the adhesion between the transparent conductor layer 4 and the low resistance layer 5, and is formed on the entire upper surface of the transparent conductor layer 4 and the entire lower surface of the low resistance layer 5. Examples of the material for forming the adhesion layer 6 include a composition containing nickel and phosphorus as essential components.

ニッケルは、組成物において主成分として含有されており、その含有割合は、
リンの含有割合の残部である。 Nickel is contained as a main component in the composition, and the content ratio is
This is the balance of the phosphorus content.

リンは、組成物において副成分として含有されており、その含有割合（リン含有割合）は、８質量％以上、好ましくは、９質量％以上、より好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、１５質量％以下、好ましくは、１３質量％以下でもある。   Phosphorus is contained as a subcomponent in the composition, and the content ratio (phosphorus content ratio) is 8% by mass or more, preferably 9% by mass or more, more preferably 10% by mass or more. For example, it is 15 mass% or less, preferably 13 mass% or less.

リンの含有割合が上記下限以下であれば、透明導体層４と密着層６との密着力を十分に高めることができない。一方、リンの含有割合が上記上限を上回れば、安定なめっきができない場合がある。   If the phosphorus content is less than or equal to the above lower limit, the adhesion between the transparent conductor layer 4 and the adhesion layer 6 cannot be sufficiently increased. On the other hand, if the phosphorus content exceeds the upper limit, stable plating may not be possible.

また、組成物は、必要により、パラジウム、ロジウムなどの貴金属などの触媒を、任意成分として適宜の割合で含有する。   Moreover, the composition contains a catalyst such as a noble metal such as palladium or rhodium as an optional component in an appropriate ratio, if necessary.

密着層６の厚みは、例えば、５０ｎｍ以上、好ましくは、１００ｎｍ以上であり、また、例えば、３０００ｎｍ以下、好ましくは、５００ｎｍ以下である。   The thickness of the adhesion layer 6 is, for example, 50 nm or more, preferably 100 nm or more, and for example, 3000 nm or less, preferably 500 nm or less.

保護層７は、低抵抗化層５を保護する層であって、導体層３において最上層に位置しており、低抵抗化層５の上面全面に形成されている。保護層７は、例えば、ニッケル、錫、ニッケル銅合金、金などの保護材料から形成されている。好ましくは、保護層７は、易エッチング材料から形成されている。易エッチング材料は、後述するエッチング（図２（ｂ）および図２（ｄ）参照）において容易にエッチング（除去）される材料であって、具体的には、ニッケル、錫、ニッケル銅合金などの金属が挙げられる。なお、上記した各材料は、保護層７の形成工程で混入される添加物（例えば、リンなど）などを含む組成物として調製されていてもよい。保護層７は、単層または材料が異なる複数の層として形成される。好ましくは、単層として形成される。保護層７の厚みは、例えば、２０ｎｍ以上であり、また、後述する第２エッチングにおけるエッチング時間を考慮すると、例えば、１００ｎｍ以下である。   The protective layer 7 is a layer that protects the low resistance layer 5, and is located on the uppermost layer of the conductor layer 3, and is formed on the entire upper surface of the low resistance layer 5. The protective layer 7 is made of a protective material such as nickel, tin, nickel copper alloy, or gold. Preferably, the protective layer 7 is formed from an easily etched material. The easy-etching material is a material that is easily etched (removed) in the etching described later (see FIGS. 2B and 2D), and specifically, nickel, tin, nickel-copper alloy, etc. A metal is mentioned. In addition, each above-mentioned material may be prepared as a composition containing the additive (for example, phosphorus etc.) mixed in the formation process of the protective layer 7. The protective layer 7 is formed as a single layer or a plurality of layers made of different materials. Preferably, it is formed as a single layer. The thickness of the protective layer 7 is, for example, 20 nm or more, and is, for example, 100 nm or less in consideration of the etching time in the second etching described later.

次に、図１（ａ）〜図１（ｅ）を参照して透明電極基板１の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the transparent electrode substrate 1 will be described with reference to FIGS. 1 (a) to 1 (e).

この方法では、まず、図１（ａ）に示すように、絶縁基板２を用意する。続いて、光学調整膜２４を絶縁基板２の上面全面に形成（積層）する。   In this method, first, an insulating substrate 2 is prepared as shown in FIG. Subsequently, the optical adjustment film 24 is formed (laminated) on the entire upper surface of the insulating substrate 2.

次いで、図１（ｂ）〜図１（ｅ）に示すように、導体層３を光学調整膜２４の上に形成する。   Next, as shown in FIGS. 1B to 1E, the conductor layer 3 is formed on the optical adjustment film 24.

すなわち、導体層３を光学調整膜２４の上に形成するには、まず、図１（ｂ）に示すように、透明導体層４を光学調整膜２４の上面に積層する。   That is, in order to form the conductor layer 3 on the optical adjustment film 24, first, the transparent conductor layer 4 is laminated on the upper surface of the optical adjustment film 24 as shown in FIG.

具体的には、透明導体層４を形成するには、例えば、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリングなどの物理蒸着が用いられる。好ましくは、スパッタリングが用いられる。   Specifically, in order to form the transparent conductor layer 4, for example, physical vapor deposition such as vacuum vapor deposition, ion plating, and sputtering is used. Preferably, sputtering is used.

これによって、絶縁基板２および光学調整膜２４と、光学調整膜２４の上面（厚み方向一方面）に積層される透明導体層４とを備える積層板１９を用意する（用意工程）。   Thus, a laminated plate 19 including the insulating substrate 2 and the optical adjustment film 24 and the transparent conductor layer 4 laminated on the upper surface (one surface in the thickness direction) of the optical adjustment film 24 is prepared (preparation process).

次いで、図１（ｃ）に示すように、密着層６を透明導体層４の上面に形成する（密着層積層工程）。   Next, as shown in FIG. 1C, the adhesion layer 6 is formed on the upper surface of the transparent conductor layer 4 (adhesion layer lamination step).

具体的には、密着層６を、例えば、めっき、物理蒸着などによって、透明導体層４の上面に形成する。好ましくは、めっきが用いられる。   Specifically, the adhesion layer 6 is formed on the upper surface of the transparent conductor layer 4 by, for example, plating, physical vapor deposition, or the like. Preferably, plating is used.

めっきとしては、例えば、無電解めっき、電解めっきが挙げられ、好ましくは、無電解めっきが挙げられる。   Examples of plating include electroless plating and electrolytic plating, and preferably electroless plating.

無電解めっきにより密着層６を透明導体層４の上面に形成するには、まず、必要により、予め、例えば、密着層６の上面を前処理する。   In order to form the adhesion layer 6 on the upper surface of the transparent conductor layer 4 by electroless plating, first, for example, the upper surface of the adhesion layer 6 is pretreated beforehand if necessary.

前処理としては、例えば、脱脂、ソフトエッチング、酸洗いなどが挙げられる。脱脂では、中性の脱脂液に積層板１９を浸漬する。ソフトエッチングでは、例えば、過硫酸ナトリウムなどの過硫酸塩の水溶液に積層板１９を浸漬する。   Examples of the pretreatment include degreasing, soft etching, and pickling. In degreasing, the laminate 19 is immersed in a neutral degreasing solution. In the soft etching, for example, the laminated plate 19 is immersed in an aqueous solution of persulfate such as sodium persulfate.

前処理後、必要により、透明導体層４の上面（表面）に触媒皮膜（図示せず）を積層する。触媒皮膜（図示せず）は、積層板１９を、触媒液中に浸漬することにより、形成される。触媒液としては、例えば、触媒またはそれを組成として含有する触媒化合物を含む液（分散液または溶液）などが挙げられる。触媒としては、例えば、パラジウム、ロジウムなどの貴金属が挙げられる。触媒化合物としては、例えば、貴金属化合物（貴金属塩）などが挙げられる。水溶液における触媒および／または触媒化合物の含有割合は、適宜設定される。   After the pretreatment, a catalyst film (not shown) is laminated on the upper surface (surface) of the transparent conductor layer 4 as necessary. A catalyst film (not shown) is formed by immersing the laminate 19 in a catalyst solution. Examples of the catalyst liquid include a liquid (dispersion or solution) containing a catalyst or a catalyst compound containing the catalyst as a composition. Examples of the catalyst include noble metals such as palladium and rhodium. Examples of the catalyst compound include noble metal compounds (noble metal salts). The content ratio of the catalyst and / or catalyst compound in the aqueous solution is appropriately set.

浸漬温度は、例えば、１５℃以上、好ましくは、２０℃以上であり、また、例えば、５０℃以下、好ましくは、４０℃以下でもある。   The immersion temperature is, for example, 15 ° C. or more, preferably 20 ° C. or more, and for example, 50 ° C. or less, preferably 40 ° C. or less.

浸漬時間は、例えば、０．５分間以上、好ましくは、１分間以上であり、また、例えば、１０分間以下、好ましくは、５分間以下でもある。   The immersion time is, for example, 0.5 minutes or more, preferably 1 minute or more, and for example, 10 minutes or less, preferably 5 minutes or less.

次いで、触媒皮膜（図示せず）が表面に積層された積層板１９を、無電解めっき液に浸漬する。   Next, the laminate 19 having a catalyst film (not shown) laminated on the surface is immersed in an electroless plating solution.

無電解めっき液は、ニッケル化合物、リン化合物および水を配合することによって、調製される。   The electroless plating solution is prepared by blending a nickel compound, a phosphorus compound and water.

ニッケル化合物としては、例えば、硫酸ニッケル、硝酸ニッケルなどのニッケル塩などが挙げられる。ニッケル塩は、水に配合されると、ニッケルカチオン（Ｎｉ２＋）を生成する。 Examples of the nickel compound include nickel salts such as nickel sulfate and nickel nitrate. Nickel salts produce nickel cations (Ni 2+ ) when formulated in water.

リン化合物としては、例えば、次亜リン酸、次亜リン酸塩（例えば、次亜リン酸ナトリウムなど）などのリン系還元剤が挙げられる。リン系還元剤は、水に配合されると、リン系アニオン（具体的には、次亜リン酸アニオン：ＨＰＯ２ −）を生成する。 Examples of the phosphorus compound include phosphorus-based reducing agents such as hypophosphorous acid and hypophosphite (for example, sodium hypophosphite). The phosphorus reducing agent generates a phosphorus anion (specifically, a hypophosphite anion: HPO 2 − ) when mixed with water.

また、無電解めっき液に、錯化剤、オキシカルボン酸、塩化アンモニウムなどの添加剤を適宜の割合で含有させることもできる。   In addition, an additive such as a complexing agent, oxycarboxylic acid, or ammonium chloride may be contained in the electroless plating solution in an appropriate ratio.

無電解めっき液のｐＨは、例えば、２以上、好ましくは、３以上、また、例えば、７以下、好ましくは、５以下に調整される。   The pH of the electroless plating solution is adjusted to, for example, 2 or more, preferably 3 or more, and for example, 7 or less, preferably 5 or less.

浸漬温度、つまり、無電解めっき液の温度は、例えば、４０℃以上、好ましくは、６０℃以上であり、また、例えば、９０℃以下、好ましくは、８０℃以下でもある。浸漬温度が上記範囲外にあれば、密着層６の厚みを所望の範囲に設定することができない場合がある。   The immersion temperature, that is, the temperature of the electroless plating solution is, for example, 40 ° C. or higher, preferably 60 ° C. or higher, and for example, 90 ° C. or lower, preferably 80 ° C. or lower. If the immersion temperature is outside the above range, the thickness of the adhesion layer 6 may not be set to a desired range.

積層板１９を無電解めっき液に浸漬すれば、密着層６（詳しくは、触媒皮膜）の表面において、リン系アニオン（具体的には、次亜リン酸アニオン：ＨＰＯ２ −）の還元作用によって、ニッケルカチオン（Ｎｉ２＋）を還元して、ニッケル（Ｎｉ）を生成しつつ、内部にリン（Ｐ）を含有しながら、密着層６を形成する。 If the laminated plate 19 is immersed in the electroless plating solution, the surface of the adhesion layer 6 (specifically, the catalyst film) is reduced by a phosphorus anion (specifically, hypophosphite anion: HPO 2 − ). The adhesion layer 6 is formed while reducing the nickel cation (Ni 2+ ) to produce nickel (Ni) and containing phosphorus (P) inside.

その後、必要により、密着層６を加熱（ベーク）する。   Thereafter, if necessary, the adhesion layer 6 is heated (baked).

加熱温度は、絶縁基板２および光学調整膜２４のガラス転移温度以下であり、また、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上である。加熱時間は、例えば、１分間以上、好ましくは、５分間以上であり、また、例えば、９０分間以下、好ましくは、６０分間以下である。   The heating temperature is not higher than the glass transition temperature of the insulating substrate 2 and the optical adjustment film 24, and is, for example, 100 ° C or higher, preferably 120 ° C or higher. The heating time is, for example, 1 minute or more, preferably 5 minutes or more, and for example, 90 minutes or less, preferably 60 minutes or less.

さらにその後、必要により、密着層６の上面（表面）を水洗する。   Further, if necessary, the upper surface (surface) of the adhesion layer 6 is washed with water.

次いで、図１（ｄ）に示すように、低抵抗化層５を密着層６の上面に形成する（低抵抗化工程）。   Next, as shown in FIG. 1D, the low resistance layer 5 is formed on the upper surface of the adhesion layer 6 (low resistance step).

具体的には、低抵抗化層５を、例えば、めっき、物理蒸着などによって、密着層６の上面に形成する。好ましくは、めっき、より好ましくは、密着層６に対する密着性を向上させる観点から、電解めっきによって、低抵抗化層５を形成する。   Specifically, the low resistance layer 5 is formed on the upper surface of the adhesion layer 6 by, for example, plating or physical vapor deposition. Preferably, the low resistance layer 5 is formed by electroplating from the viewpoint of improving the adhesion to the adhesion layer 6, more preferably, the adhesion layer 6.

その後、図１（ｅ）に示すように、保護層７を、低抵抗化層５の上面に形成する。   Thereafter, as shown in FIG. 1E, the protective layer 7 is formed on the upper surface of the low resistance layer 5.

保護層７は、上記した密着層６と同様の方法によって形成することができる。なお、めっきとしては、保護層７の厚みの均一性および低抵抗化層５の腐食防止の観点から、好ましくは、無電解めっきが採用される。   The protective layer 7 can be formed by the same method as the adhesion layer 6 described above. As the plating, electroless plating is preferably employed from the viewpoint of uniformity in the thickness of the protective layer 7 and prevention of corrosion of the low resistance layer 5.

これによって、透明電極基板１を得る。   Thereby, the transparent electrode substrate 1 is obtained.

この透明電極基板１は、図１（ｅ）に示すように、導体層３を、光学調整膜２４の上面全面（透明導体層４の上側全体）に形成しているが、例えば、図２（ｄ）に示すように、導体パターン８として形成することもできる。   In this transparent electrode substrate 1, as shown in FIG. 1E, the conductor layer 3 is formed on the entire upper surface of the optical adjustment film 24 (the entire upper side of the transparent conductor layer 4). As shown in d), it can also be formed as a conductor pattern 8.

すなわち、図２（ａ）〜（ｄ）に示すように、透明電極基板１において、導体パターン８は、導体層３をエッチングによってパターン加工することにより、得られる。   That is, as shown in FIGS. 2A to 2D, in the transparent electrode substrate 1, the conductor pattern 8 is obtained by patterning the conductor layer 3 by etching.

図２（ｄ）に示すように、導体パターン８は、引出配線９と、引出配線９に連続して（図示しないが）形成される透明電極１０とを備える。   As shown in FIG. 2D, the conductor pattern 8 includes a lead wire 9 and a transparent electrode 10 formed continuously (not shown) on the lead wire 9.

引出配線９は、透明電極基板１の周端部に互いに間隔を隔てて複数配置されている。引出配線９は、光学調整膜２４の上面（絶縁基板２の上）において、導体層３（具体的には、透明導体層４、密着層６、低抵抗化層５および保護層７）からなる。   A plurality of lead wires 9 are arranged at intervals on the peripheral end of the transparent electrode substrate 1. The lead-out wiring 9 is composed of the conductor layer 3 (specifically, the transparent conductor layer 4, the adhesion layer 6, the low resistance layer 5 and the protective layer 7) on the upper surface (on the insulating substrate 2) of the optical adjustment film 24. .

透明電極１０は、後述する液晶表示装置３０（図３参照）において、検知部（センサ）を構成しており、透明電極基板１の中央において互いに間隔を隔てて複数配置されている。透明電極１０のパターンとしては、例えば、前後方向に延び、左右方向に互いに間隔を隔てて形成されている。透明電極１０は、光学調整膜２４の上において、透明導体層４からなる。   In the liquid crystal display device 30 (see FIG. 3), which will be described later, the transparent electrode 10 constitutes a detection unit (sensor), and a plurality of the transparent electrodes 10 are arranged at intervals in the center of the transparent electrode substrate 1. The pattern of the transparent electrode 10 is formed, for example, extending in the front-rear direction and spaced from each other in the left-right direction. The transparent electrode 10 is composed of the transparent conductor layer 4 on the optical adjustment film 24.

次に、透明電極基板１において、導体層３をエッチングして導体パターン８を形成する方法（パターンニング工程）について図２（ａ）〜図２（ｄ）を参照して説明する。   Next, a method (patterning step) of forming the conductor pattern 8 by etching the conductor layer 3 in the transparent electrode substrate 1 will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (d).

まず、この方法では、図２（ａ）に示すように、第１エッチングレジスト１７を、導体層３の上面に形成する。   First, in this method, a first etching resist 17 is formed on the upper surface of the conductor layer 3 as shown in FIG.

具体的には、まず、ドライフィルムレジストを保護層７の上面全面に積層し、続いて、露光および現像によって、第１エッチングレジスト１７を導体パターン８と同一パターンで形成する。   Specifically, first, a dry film resist is laminated on the entire upper surface of the protective layer 7, and then the first etching resist 17 is formed in the same pattern as the conductor pattern 8 by exposure and development.

その後、この方法では、図２（ｂ）に示すように、第１エッチングレジスト１７から露出する導体層３をエッチングする。このエッチングでは、導体層３を溶解させる一方、透明導体層４および光学調整膜２４を溶解させないエッチング液が用いられる。   Thereafter, in this method, as shown in FIG. 2B, the conductor layer 3 exposed from the first etching resist 17 is etched. In this etching, an etching solution that dissolves the conductor layer 3 but does not dissolve the transparent conductor layer 4 and the optical adjustment film 24 is used.

これによって、透明導体層４、密着層６、低抵抗化層５および保護層７からなる導体パターン８を形成する。   As a result, a conductor pattern 8 including the transparent conductor layer 4, the adhesion layer 6, the low resistance layer 5, and the protective layer 7 is formed.

その後、第１エッチングレジスト１７を剥離により除去する。   Thereafter, the first etching resist 17 is removed by peeling.

次いで、この方法では、図２（ｃ）に示すように、第２エッチングレジスト１８を、光学調整膜２４の上に、引出配線９（図２（ｄ）参照）に対応する導体層３を被覆し、透明電極１０（図２（ｄ）参照）に対応する導体層３を露出するように、形成する。   Next, in this method, as shown in FIG. 2C, the second etching resist 18 is coated on the optical adjustment film 24 with the conductor layer 3 corresponding to the lead-out wiring 9 (see FIG. 2D). Then, the conductive layer 3 corresponding to the transparent electrode 10 (see FIG. 2D) is formed so as to be exposed.

具体的には、まず、ドライフィルムレジストを、導体層３（導体パターン８）を含む光学調整膜２４の上面全面に積層し、続いて、露光および現像によって、第２エッチングレジスト１８を上記したパターンで形成する。   Specifically, first, a dry film resist is laminated on the entire upper surface of the optical adjustment film 24 including the conductor layer 3 (conductor pattern 8), and then the second etching resist 18 is patterned by exposure and development. Form with.

次いで、この方法では、図２（ｄ）に示すように、第２エッチングレジスト１８から露出する導体層３の一部、つまり、保護層７、低抵抗化層５および密着層６を、エッチングによって除去する。   Next, in this method, as shown in FIG. 2D, a part of the conductor layer 3 exposed from the second etching resist 18, that is, the protective layer 7, the low resistance layer 5 and the adhesion layer 6 are etched. Remove.

エッチングでは、保護層７、低抵抗化層５および密着層６を溶解させる一方、透明導体層４および光学調整膜２４を溶解させないエッチング液が用いられる。   In the etching, an etching solution that dissolves the protective layer 7, the low resistance layer 5, and the adhesion layer 6 while not dissolving the transparent conductor layer 4 and the optical adjustment film 24 is used.

その後、第２エッチングレジスト１８を剥離により除去する。   Thereafter, the second etching resist 18 is removed by peeling.

これによって、導体パターン８の一部から保護層７、低抵抗化層５および密着層６を除去することによって、透明導体層４から透明電極１０を形成するとともに、導体パターン８の残部に対応する導体層３を引出配線９とする。   Thereby, the protective layer 7, the low resistance layer 5 and the adhesion layer 6 are removed from a part of the conductor pattern 8, thereby forming the transparent electrode 10 from the transparent conductor layer 4 and corresponding to the remaining part of the conductor pattern 8. The conductor layer 3 is used as the lead wiring 9.

なお、透明電極１０および引出配線９のパターン以外の導体層３では、図２（ｂ）に示すエッチングによって、すでに、保護層７、低抵抗化層５、密着層６および透明導体層４がエッチングされている。   Incidentally, in the conductor layer 3 other than the pattern of the transparent electrode 10 and the lead-out wiring 9, the protective layer 7, the low resistance layer 5, the adhesion layer 6 and the transparent conductor layer 4 have already been etched by the etching shown in FIG. Has been.

これによって、図２（ｄ）に示すように、引出配線９および透明電極１０を備える導体パターン８が光学調整膜２４の上面に形成される透明電極基板１を得る。   Thereby, as shown in FIG. 2D, the transparent electrode substrate 1 is obtained in which the conductor pattern 8 including the lead wiring 9 and the transparent electrode 10 is formed on the upper surface of the optical adjustment film 24.

そして、図２（ｄ）に示す透明電極基板１を、例えば、タッチパネルとして用いることができる。   The transparent electrode substrate 1 shown in FIG. 2D can be used as a touch panel, for example.

そして、この製造方法により得られる透明電極基板１は、透明導体層４および低抵抗化層５の間に介在され、リン含有割合が８質量％以上である密着層を備えるので、透明導体層４と低抵抗化層５との密着力を十分に高めることができる。そのため、信頼性を向上させることができる。
＜タッチパネル＞
次に、図２（ｄ）に示す透明電極基板１が用いられるタッチパネル２０を備える液晶表示装置３０について、図３および図４を参照して説明する。 And since the transparent electrode substrate 1 obtained by this manufacturing method is interposed between the transparent conductor layer 4 and the low resistance layer 5 and includes an adhesion layer having a phosphorus content of 8% by mass or more, the transparent conductor layer 4 And the low resistance layer 5 can be sufficiently enhanced in adhesion. Therefore, reliability can be improved.
<Touch panel>
Next, a liquid crystal display device 30 including the touch panel 20 using the transparent electrode substrate 1 shown in FIG. 2D will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

図３において、液晶表示装置３０は、例えば、タッチパネル式携帯電話であって、板状のＬＣＤモジュール１４と、ＬＣＤモジュール１４の上に間隔を隔てて設けられる偏光板１２と、偏光板１２の上面に設けられるタッチパネル２０と、タッチパネル２０の上面に設けられる保護ガラス層１１とを備えている。   In FIG. 3, the liquid crystal display device 30 is, for example, a touch panel type mobile phone, and includes a plate-like LCD module 14, a polarizing plate 12 provided on the LCD module 14 at a distance, and an upper surface of the polarizing plate 12. And a protective glass layer 11 provided on the upper surface of the touch panel 20.

また、ＬＣＤモジュール１４の下側には、図示しないが、回路基板および筐体などが設けられている。   Although not shown, a circuit board and a housing are provided below the LCD module 14.

また、液晶表示装置３０の左右方向および前後方向の中央部において、ＬＣＤモジュール１４と偏光板１２との間は、空気層としてのギャップ層１３とされている。なお、ギャップ層１３は、周端部において枠状に配置されるスペーサ２１によって区画されている。   Further, a gap layer 13 as an air layer is provided between the LCD module 14 and the polarizing plate 12 at the center in the left-right direction and the front-rear direction of the liquid crystal display device 30. The gap layer 13 is partitioned by spacers 21 arranged in a frame shape at the peripheral end.

図４に示すように、タッチパネル２０は、２つの透明電極基板１（詳しくは、導体層３が導体パターン８として形成されている透明電極基板１）を備えている。   As shown in FIG. 4, the touch panel 20 includes two transparent electrode substrates 1 (specifically, the transparent electrode substrate 1 in which the conductor layer 3 is formed as the conductor pattern 8).

具体的には、タッチパネル２０は、厚み方向に間隔を隔てて配置される複数（２つ）の透明電極基板１と、それらの間に介在される透明絶縁フィルム２２と、複数（３つ）の粘着剤層１５とを備えている。   Specifically, the touch panel 20 includes a plurality (two) of transparent electrode substrates 1 arranged at intervals in the thickness direction, a transparent insulating film 22 interposed therebetween, and a plurality (three) of transparent electrode substrates 1. And an adhesive layer 15.

２つの透明電極基板１のそれぞれにおいて、導体層３は、上側（厚み方向）に向くように配置されている。また、２つの透明電極基板１において、透明電極１０の延びる方向は、厚み方向に投影したときに、互いに交差（具体的には、直交）するように設定されており、例えば、上側の透明電極１０は、前後方向に延び、左右方向に互いに間隔を隔てて配置される一方、下側の透明電極１０は、左右方向に延び、前後方向に互いに間隔を隔てて配置される。   In each of the two transparent electrode substrates 1, the conductor layer 3 is disposed so as to face the upper side (thickness direction). Further, in the two transparent electrode substrates 1, the extending direction of the transparent electrode 10 is set so as to intersect with each other (specifically, orthogonal) when projected in the thickness direction, for example, the upper transparent electrode 10 extends in the front-rear direction and is spaced from each other in the left-right direction, while the lower transparent electrode 10 extends in the left-right direction and is spaced from each other in the front-rear direction.

透明絶縁フィルム２２は、上記した透明電極基板１における絶縁基板２と同様の材料および寸法で形成されている。   The transparent insulating film 22 is formed of the same material and dimensions as the insulating substrate 2 in the transparent electrode substrate 1 described above.

粘着剤層１５は、下側の透明電極基板１と透明絶縁フィルム２２との間、透明絶縁フィルム２２と上側の透明電極基板１との間、および、上側の透明電極基板１の上面に設けられている。   The pressure-sensitive adhesive layer 15 is provided between the lower transparent electrode substrate 1 and the transparent insulating film 22, between the transparent insulating film 22 and the upper transparent electrode substrate 1, and on the upper surface of the upper transparent electrode substrate 1. ing.

この液晶表示装置３０では、保護ガラス層１１の上面に指などが接触あるいは近接すると、接触あるいは近接しない場合と比べ静電容量の差を生じ、それが、検知信号として、引出配線９を介して、図示しない回路基板に伝達される。   In the liquid crystal display device 30, when a finger or the like touches or approaches the upper surface of the protective glass layer 11, a difference in capacitance is generated as compared with the case where the finger or the like does not come into contact. Are transmitted to a circuit board (not shown).

一方、入力信号は、回路基板からＬＣＤモジュール１４に入力されて、ＬＣＤモジュール１４が画像を表示する。その画像は、偏光板１２、タッチパネル２０および保護ガラス層１１を介して、操作者（あるいは視認者）に視認される。   On the other hand, the input signal is input from the circuit board to the LCD module 14, and the LCD module 14 displays an image. The image is visually recognized by an operator (or a viewer) through the polarizing plate 12, the touch panel 20, and the protective glass layer 11.

そして、この液晶表示装置３０は、信頼性が向上された透明電極基板１を備えるので、信頼性に優れる。
＜変形例＞
図３および図４の説明では、本発明の画像表示装置を液晶表示装置３０として説明しているが、例えば、図示しないが、有機エレクトロルミネセンス装置（有機ＥＬ装置）などとして用いることもできる。 Since the liquid crystal display device 30 includes the transparent electrode substrate 1 with improved reliability, the liquid crystal display device 30 is excellent in reliability.
<Modification>
In the description of FIG. 3 and FIG. 4, the image display device of the present invention is described as the liquid crystal display device 30, but for example, although not shown, it can also be used as an organic electroluminescence device (organic EL device) or the like.

また、以降の各図において、図１〜図４と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。   Moreover, in each subsequent figure, about the member similar to FIGS. 1-4, the same referential mark is attached | subjected and the detailed description is abbreviate | omitted.

図１（ｅ）の実施形態では、導体層３を、絶縁基板２の上側（厚み方向一方側）のみに設けているが、例えば、図５に示すように、絶縁基板２の両側（上側および下側、厚み方向一方側および他方側）に設けることもできる。   In the embodiment of FIG. 1 (e), the conductor layer 3 is provided only on the upper side (one side in the thickness direction) of the insulating substrate 2. For example, as shown in FIG. It can also be provided on the lower side, one side in the thickness direction, and the other side).

つまり、図５において、透明電極基板１は、絶縁基板２と、その上面および下面のそれぞれに形成される光学調整膜２４と、２つの光学調整膜２４の表面に形成される導体層３とを備える。   That is, in FIG. 5, the transparent electrode substrate 1 includes an insulating substrate 2, an optical adjustment film 24 formed on each of the upper and lower surfaces thereof, and a conductor layer 3 formed on the surfaces of the two optical adjustment films 24. Prepare.

絶縁基板２は、２つの光学調整膜２４によって、厚み方向に挟まれている。   The insulating substrate 2 is sandwiched between the two optical adjustment films 24 in the thickness direction.

２つの導体層３は、上側の光学調整膜２４に上面に形成されるとともに、下側の光学調整膜２４の下面に形成されている。   The two conductor layers 3 are formed on the upper surface of the upper optical adjustment film 24 and on the lower surface of the lower optical adjustment film 24.

下側の導体層３は、光学調整膜２４の下面全面に積層されている。下側の導体層３では、光学調整膜２４の下（厚み方向他方側）に、透明導体層４、密着層６、低抵抗化層５および保護層７が順次積層されている。   The lower conductor layer 3 is laminated on the entire lower surface of the optical adjustment film 24. In the lower conductor layer 3, the transparent conductor layer 4, the adhesion layer 6, the low resistance layer 5, and the protective layer 7 are sequentially laminated below the optical adjustment film 24 (on the other side in the thickness direction).

また、図５に示す透明電極基板１において、図示しないが、導体層３を導体パターン８として形成することができる。   In the transparent electrode substrate 1 shown in FIG. 5, although not shown, the conductor layer 3 can be formed as the conductor pattern 8.

そのような透明電極基板１をタッチパネル２０として用いる場合には、１つの透明電極基板１からタッチパネル２０を構成することができる。上下両側の導体パターン８における透明電極１０は、厚み方向に投影したときに、互いに交差（具体的には、直交）するパターンに形成されている。   When such a transparent electrode substrate 1 is used as the touch panel 20, the touch panel 20 can be configured from one transparent electrode substrate 1. The transparent electrodes 10 in the upper and lower conductor patterns 8 are formed in a pattern that intersects (specifically, orthogonal) with each other when projected in the thickness direction.

また、図１（ｅ）の実施形態では、保護層７を導体層３に設けているが、例えば、図１（ｄ）に示すように、保護層７を設けることなく、導体層３を構成することもできる。   Further, in the embodiment of FIG. 1E, the protective layer 7 is provided on the conductor layer 3. For example, as shown in FIG. 1D, the conductor layer 3 is configured without providing the protective layer 7. You can also

図１（ｄ）において、導体層３は、透明導体層４、密着層６および低抵抗化層５から形成されている。   In FIG. 1 (d), the conductor layer 3 is formed of a transparent conductor layer 4, an adhesion layer 6, and a low resistance layer 5.

また、図１（ｄ）に示す透明電極基板１の導体層３を、図６に示すように、引出配線９および透明電極１０を備える導体パターン８として形成することもできる。   Moreover, the conductor layer 3 of the transparent electrode substrate 1 shown in FIG. 1D can also be formed as a conductor pattern 8 including a lead wire 9 and a transparent electrode 10 as shown in FIG.

図６において、引出配線９は、透明導体層４、密着層６および低抵抗化層５からなる。   In FIG. 6, the lead wiring 9 includes a transparent conductor layer 4, an adhesion layer 6, and a low resistance layer 5.

図６に示す透明電極基板１を得るには、図２（ａ）〜図２（ｄ）が参照されるように、まず、第１エッチングレジスト１７を低抵抗化層５の上面に形成し、次いで、第１エッチングレジスト１７から露出する導体層３（透明導体層４、密着層６および低抵抗化層５）をエッチング（パターンニング）し、続いて、第１エッチングレジスト１７を剥離する。その後、第２エッチングレジスト１８を、光学調整膜２４の上に、引出配線９に対応する導体層３を被覆し、透明電極１０に対応する導体層３を露出するように、形成し、その後、第２エッチングレジスト１８から露出する低抵抗化層５および密着層６を、エッチングによって除去する。その後、第２エッチングレジスト１８を除去する。   To obtain the transparent electrode substrate 1 shown in FIG. 6, first, as shown in FIGS. 2A to 2D, a first etching resist 17 is formed on the upper surface of the low resistance layer 5; Next, the conductor layer 3 (the transparent conductor layer 4, the adhesion layer 6, and the low resistance layer 5) exposed from the first etching resist 17 is etched (patterned), and then the first etching resist 17 is peeled off. Thereafter, the second etching resist 18 is formed on the optical adjustment film 24 so as to cover the conductor layer 3 corresponding to the lead-out wiring 9 and to expose the conductor layer 3 corresponding to the transparent electrode 10. The low resistance layer 5 and the adhesion layer 6 exposed from the second etching resist 18 are removed by etching. Thereafter, the second etching resist 18 is removed.

好ましくは、図１（ｅ）に示すように、保護層７を導体層３に設け、さらには、図２（ｄ）に示すように、保護層７を引出配線９に設ける。これによって、図１（ｅ）に示す導体層３における低抵抗化層５の損傷や腐食、さらには、図２（ｄ）に示す引出配線９における低抵抗化層５の損傷や腐食などを有効に防止することができる。   Preferably, the protective layer 7 is provided on the conductor layer 3 as shown in FIG. 1E, and further, the protective layer 7 is provided on the lead-out wiring 9 as shown in FIG. As a result, damage and corrosion of the low resistance layer 5 in the conductor layer 3 shown in FIG. 1 (e), and further damage and corrosion of the low resistance layer 5 in the lead-out wiring 9 shown in FIG. 2 (d) are effective. Can be prevented.

図１（ｅ）および図２（ｄ）の実施形態では、絶縁基板２の上面に光学調整膜２４を設けているが、例えば、図７および図８に示すように、光学調整膜２４を設けることなく、絶縁基板２の上面に透明導体層４を直接形成することもできる。   In the embodiment shown in FIGS. 1E and 2D, the optical adjustment film 24 is provided on the upper surface of the insulating substrate 2. For example, as shown in FIGS. 7 and 8, the optical adjustment film 24 is provided. Instead, the transparent conductor layer 4 can be directly formed on the upper surface of the insulating substrate 2.

好ましくは、光学特性の向上を図る観点から、図１（ｅ）および図２（ｄ）に示すように、光学調整膜２４を絶縁基板２の上面に設ける。   Preferably, from the viewpoint of improving optical characteristics, the optical adjustment film 24 is provided on the upper surface of the insulating substrate 2 as shown in FIGS.

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。
＜透明電極基板の作製＞
実施例１
ＰＥＴ（ガラス転移温度：１８０℃以上）からなる厚み５０μｍの絶縁基板を用意した（図１（ａ）参照）。続いて、ＳｉＯ２系（ガラス転移温度：２００℃以上）からなる厚み２５ｎｍの光学調整膜を絶縁基板の上面全面に積層した。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples and Comparative Examples. In addition, this invention is not limited to an Example and a comparative example at all.
<Preparation of transparent electrode substrate>
Example 1
An insulating substrate having a thickness of 50 μm made of PET (glass transition temperature: 180 ° C. or higher) was prepared (see FIG. 1A). Subsequently, an optical adjustment film made of SiO 2 (glass transition temperature: 200 ° C. or more) and having a thickness of 25 nm was laminated on the entire upper surface of the insulating substrate.

次いで、導体層を絶縁基板（光学調整膜）の上に形成した（図１（ｂ）〜図１（ｅ）参照）。   Next, a conductor layer was formed on the insulating substrate (optical adjustment film) (see FIGS. 1B to 1E).

具体的には、まず、ＩＴＯからなる透明導体層を、スパッタリングによって、光学調整膜の上面に形成した。透明導体層の厚みは、２５ｎｍであった。これによって、絶縁基板と光学調整膜と透明導体層とを備える積層板を用意した。   Specifically, first, a transparent conductor layer made of ITO was formed on the upper surface of the optical adjustment film by sputtering. The thickness of the transparent conductor layer was 25 nm. As a result, a laminate including an insulating substrate, an optical adjustment film, and a transparent conductor layer was prepared.

続いて、密着層を、透明導体層の上面に形成した（図１（ｃ）参照）。   Subsequently, an adhesion layer was formed on the upper surface of the transparent conductor layer (see FIG. 1C).

具体的には、まず、積層板を、４５℃の中性の脱脂液に５分間浸漬し、続いて、２５℃の過硫酸ナトリウム水溶液に５分間浸漬して、ソフトエッチングした。   Specifically, first, the laminate was immersed in a neutral degreasing solution at 45 ° C. for 5 minutes, and then immersed in a sodium persulfate aqueous solution at 25 ° C. for 5 minutes for soft etching.

次いで、積層板を、パラジウムを含む、２５℃の触媒液に５分間浸漬することにより、触媒皮膜を透明導体層の表面に積層した。   Next, the laminate was immersed in a catalyst solution at 25 ° C. containing palladium for 5 minutes to laminate the catalyst film on the surface of the transparent conductor layer.

別途、硫酸ニッケルおよび次亜リン酸（還元剤）を含有する無電解めっき液を調製した。無電解めっき液において、ニッケルカチオン（Ｎｉ２＋）の質量割合を２．５質量％に、次亜リン酸アニオン（ＨＰＯ２ −）の質量割合を２質量％に調整した。また、無電解めっき液のｐＨは、４．６であった。 Separately, an electroless plating solution containing nickel sulfate and hypophosphorous acid (reducing agent) was prepared. In the electroless plating solution, the mass ratio of nickel cation (Ni 2+ ) was adjusted to 2.5 mass%, and the mass ratio of hypophosphite anion (HPO 2 − ) was adjusted to 2 mass%. The pH of the electroless plating solution was 4.6.

そして、触媒皮膜が透明導体層の表面に積層された積層板を、７０℃の無電解めっき液に５分間浸漬した。これによって、ニッケルおよびリンを含有する組成物からなる厚み５００ｎｍの密着層を、透明導体層の上面全面に（触媒皮膜を介して）形成した。   And the laminated board with which the catalyst film was laminated | stacked on the surface of the transparent conductor layer was immersed in the electroless-plating liquid of 70 degreeC for 5 minutes. As a result, an adhesion layer having a thickness of 500 nm made of a composition containing nickel and phosphorus was formed on the entire upper surface of the transparent conductor layer (via a catalyst film).

その後、密着層を１分間水洗した。   Thereafter, the adhesion layer was washed with water for 1 minute.

次いで、低抵抗化層を密着層の上面に形成した（図１（ｄ）参照）。   Next, a low resistance layer was formed on the upper surface of the adhesion layer (see FIG. 1D).

次いで、密着層が形成された積層板を、添加剤を含有する硫酸銅めっき液に浸漬して、平均電流密度１Ａ／ｄｍ２で１分２０秒間、電解銅めっきした。これによって、銅からなる厚み２００ｎｍの低抵抗化層を、密着層の上面全面に形成した。 Next, the laminate on which the adhesion layer was formed was immersed in a copper sulfate plating solution containing an additive, and was subjected to electrolytic copper plating at an average current density of 1 A / dm 2 for 1 minute and 20 seconds. Thereby, a low resistance layer made of copper having a thickness of 200 nm was formed on the entire upper surface of the adhesion layer.

その後、ニッケルおよびリンを含有する組成物からなる厚み３０ｎｍの保護層を低抵抗化層の上面に形成した（図１（ｅ）参照）。   Thereafter, a protective layer having a thickness of 30 nm made of a composition containing nickel and phosphorus was formed on the upper surface of the low resistance layer (see FIG. 1E).

低抵抗化層は、密着層の形成に準じて、形成した。   The low resistance layer was formed according to the formation of the adhesion layer.

これによって、光学調整膜の上に、透明導体層、密着層、低抵抗化層および保護層が順次積層された透明電極基板を得た。   Thus, a transparent electrode substrate was obtained in which a transparent conductor layer, an adhesion layer, a low resistance layer, and a protective layer were sequentially laminated on the optical adjustment film.

実施例２〜５および比較例１〜５
密着層、低抵抗化層および保護層の形成条件などを表１および表２の記載に従って変更した以外は、実施例１と同様に処理して、透明電極基板を得た。 Examples 2-5 and Comparative Examples 1-5
A transparent electrode substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the formation conditions of the adhesion layer, the low resistance layer, and the protective layer were changed according to the descriptions in Tables 1 and 2.

実施例１からの変更点の詳細を以下に記載する。   Details of the changes from Example 1 are described below.

実施例３については、保護層を、電解ニッケルによって形成した。電解ニッケルの詳細な条件を下記に示す。   For Example 3, the protective layer was formed of electrolytic nickel. Detailed conditions of electrolytic nickel are shown below.

電解ニッケルめっき液：硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸、添加剤からなる。     Electrolytic nickel plating solution: nickel sulfate, nickel chloride, boric acid, and additives.

電解条件：０．５Ａ／ｄｍ２
時間：３０秒間
温度：４０℃
実施例４については、低抵抗化層を無電解銅めっきによって形成した。無電解銅めっきの詳細な条件を下記に示す。 Electrolytic conditions: 0.5 A / dm 2
Time: 30 seconds Temperature: 40 ° C
For Example 4, the low resistance layer was formed by electroless copper plating. The detailed conditions of electroless copper plating are shown below.

電解ニッケルめっき液：硫酸銅、ホルマリンを含む。     Electrolytic nickel plating solution: Contains copper sulfate and formalin.

時間：１５秒間
温度４０℃
実施例５および比較例１については、保護層を形成しなかった。 Time: 15 seconds Temperature 40 ° C
For Example 5 and Comparative Example 1, no protective layer was formed.

比較例１については、密着層をスパッタリングによって銅から形成した。   For Comparative Example 1, the adhesion layer was formed from copper by sputtering.

比較例３〜５については、硫酸ニッケルおよびホウ素を含有する無電解めっき液を用いて、ニッケルおよびホウ素からなる組成物から密着層を形成した。
比較例３〜５のそれぞれの皮膜中ホウ素濃度は、めっき液中のジメチルアミンボラン濃度と硫酸ニッケル濃度との比、ｐＨ、添加剤などにより調整を適宜行った。
＜画像表示装置の作製＞
実施例１〜５および比較例１および５の透明電極基板について、導体層を導体パターンに加工し（図２（ａ）〜図２（ｄ）参照）、その後、上記実施形態に従って、透明電極基板をタッチパネルとして用いた液晶表示装置を作製した。
＜評価＞
・密着力
保護層を形成する前（実施例５については得られた透明電極基板）の透明電極基板について、密着力試験（テープクロスカット試験）を実施した。 About Comparative Examples 3-5, the contact | adherence layer was formed from the composition which consists of nickel and a boron using the electroless-plating liquid containing a nickel sulfate and a boron.
The boron concentration in each film of Comparative Examples 3 to 5 was appropriately adjusted depending on the ratio of dimethylamine borane concentration and nickel sulfate concentration in the plating solution, pH, additive, and the like.
<Production of image display device>
For the transparent electrode substrates of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 5, the conductor layer was processed into a conductor pattern (see FIGS. 2 (a) to 2 (d)), and then the transparent electrode substrate according to the above embodiment. A liquid crystal display device using the above as a touch panel was produced.
<Evaluation>
-Adhesive force The adhesive force test (tape crosscut test) was implemented about the transparent electrode substrate before forming a protective layer (transparent electrode substrate obtained about Example 5).

すなわち、上記した透明電極基板の導体層の１ｃｍ四方の領域に、前後方向および左右方向に沿う切れ目を、カッターナイフを使用して、間隔１ｍｍで入れた。その後、粘着テープを導体層に貼着して、粘着テープを導体層から剥離したときに、低抵抗化層が透明導体層から剥離しなかったものを「○」と評価し、低抵抗化層が透明導体層から剥離したものを「×」と評価した。
・抵抗値（表面抵抗）
実施例２〜５および比較例１〜５の透明電極基板の導体層の表面抵抗を抵抗率計（ロレスタＡＸ ＭＣＰ−３７０型 三菱化学アナリテック製）により測定した。
・防錆性（腐食性）
実施例１〜５および比較例１〜５の透明電極基板を備える画像表示装置を、８５℃、８５％の恒温高湿器に５００時間投入した。その後、引出配線に変色腐食がないものを「○」と評価し、変色腐食があったものを「×」と評価した。
・リン含有割合およびホウ素含有割合
密着層および保護層におけるリン含有割合またはホウ素含有割合を、皮膜を溶解してＩＣＰ測定することにより算出した。 That is, the cut | interruption which followed the front-back direction and the left-right direction was made into the 1 cm square area | region of the conductor layer of the above-mentioned transparent electrode board | substrate with the space | interval of 1 mm using the cutter knife. After that, when the adhesive tape was affixed to the conductor layer and the adhesive tape was peeled off from the conductor layer, the low resistance layer was not peeled off from the transparent conductor layer. Was peeled from the transparent conductor layer and evaluated as “x”.
・ Resistance value (surface resistance)
The surface resistances of the conductive layers of the transparent electrode substrates of Examples 2 to 5 and Comparative Examples 1 to 5 were measured with a resistivity meter (Loresta AX MCP-370, manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech).
・ Rust prevention (corrosion)
The image display apparatus provided with the transparent electrode substrate of Examples 1-5 and Comparative Examples 1-5 was thrown into an 85 degreeC and 85% constant temperature humidifier for 500 hours. Thereafter, the lead wiring without the discoloration corrosion was evaluated as “◯”, and the lead wiring with the discoloration corrosion was evaluated as “x”.
-Phosphorus content rate and boron content rate The phosphorus content rate or the boron content rate in the adhesion layer and the protective layer was calculated by dissolving the film and performing ICP measurement.

その結果を、密着層欄および保護層欄のそれぞれに示す。   The result is shown in each of the adhesion layer column and the protective layer column.

Figure 2014052435
Figure 2014052435

Figure 2014052435
Figure 2014052435

表中「％」は、「質量％」であることを示す。   In the table, “%” indicates “mass%”.

１ 透明電極基板
２ 絶縁基板
３ 導体層
４ 透明導体層
５ 低抵抗化層
６ 密着層
７ 保護層
８ 導体パターン
９ 透明電極
１０ 引出配線
２０ タッチパネル
３０ 液晶表示装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent electrode substrate 2 Insulating substrate 3 Conductor layer 4 Transparent conductor layer 5 Low resistance layer 6 Adhesion layer 7 Protective layer 8 Conductive pattern 9 Transparent electrode 10 Lead wire 20 Touch panel 30 Liquid crystal display device

Claims (15)

絶縁基板と、前記絶縁基板の少なくとも厚み方向一方側に形成される導体層とを備え、
前記導体層は、
前記絶縁基板の前記厚み方向一方側に形成される透明導体層と、
前記透明導体層の前記厚み方向一方側に形成され、前記導体層の電気抵抗を低減させる低抵抗化層と、
前記透明導体層および前記低抵抗化層の間に介在され、リン含有割合が８質量％以上である密着層と
を備えることを特徴とする、透明電極基板。 Comprising an insulating substrate and a conductor layer formed on at least one side in the thickness direction of the insulating substrate;
The conductor layer is
A transparent conductor layer formed on one side in the thickness direction of the insulating substrate;
A low resistance layer that is formed on one side in the thickness direction of the transparent conductor layer and reduces the electrical resistance of the conductor layer;
A transparent electrode substrate comprising: an adhesive layer interposed between the transparent conductor layer and the low resistance layer and having a phosphorus content of 8% by mass or more. 前記透明導体層が、インジウム錫酸化物から形成され、
前記低抵抗化層が、銅、銀および金からなる群から選択される少なくとも１種の金属から形成され、
前記密着層が、ニッケルおよびリンを含有する組成物から形成されることを特徴とする、請求項１に記載の透明電極基板。 The transparent conductor layer is formed of indium tin oxide;
The low resistance layer is formed of at least one metal selected from the group consisting of copper, silver and gold;
The transparent electrode substrate according to claim 1, wherein the adhesion layer is formed from a composition containing nickel and phosphorus. 前記導体層が、前記低抵抗化層の前記厚み方向一方面に、易エッチング材料から形成される保護層をさらに備えることを特徴とする、請求項１または２に記載の透明電極基板。   3. The transparent electrode substrate according to claim 1, wherein the conductor layer further includes a protective layer formed of an easily-etching material on one surface in the thickness direction of the low resistance layer. 前記易エッチング材料が、ニッケル、錫およびニッケル銅合金から選択される少なくとも１種の金属であることを特徴とする、請求項３に記載の透明電極基板。   The transparent electrode substrate according to claim 3, wherein the easy-etching material is at least one metal selected from nickel, tin, and nickel-copper alloy. 前記透明導体層は、前記絶縁基板の前記厚み方向一方側全面に形成され、
前記密着層は、前記透明導体層の前記厚み方向一方面全面に形成され、
前記低抵抗化層は、前記密着層の前記厚み方向一方面全面に形成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の透明電極基板。 The transparent conductor layer is formed on the entire surface of the insulating substrate on one side in the thickness direction,
The adhesion layer is formed on the entire surface of the transparent conductor layer in the thickness direction.
The transparent electrode substrate according to claim 1, wherein the low resistance layer is formed on the entire surface of the adhesion layer on one surface in the thickness direction. 前記導体層は、前記絶縁基板において、導体パターンとして形成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の透明電極基板。   The transparent electrode substrate according to claim 1, wherein the conductor layer is formed as a conductor pattern in the insulating substrate. 前記導体パターンは、
前記導体層からなる引出配線と、
前記引出配線に連続して形成され、前記透明導体層からなる透明電極と
を備えることを特徴とする、請求項６に記載の透明電極基板。 The conductor pattern is
A lead wiring comprising the conductor layer;
The transparent electrode substrate according to claim 6, further comprising a transparent electrode formed continuously from the lead-out wiring and made of the transparent conductor layer. 絶縁基板と、前記絶縁基板の少なくとも厚み方向一方側に積層される透明導体層とを備える積層板を用意する用意工程、
密着層を、前記透明導体層の前記厚み方向一方面に、前記密着層におけるリン含有割合が８質量％以上となるように、積層する密着層積層工程、および、
低抵抗化層を、前記密着層の前記厚み方向一方面に積層する低抵抗化工程
を備えることを特徴とする、透明電極基板の製造方法。 A preparation step of preparing a laminated board comprising an insulating substrate and a transparent conductor layer laminated on at least one side in the thickness direction of the insulating substrate;
An adhesion layer laminating step for laminating the adhesion layer on the one surface in the thickness direction of the transparent conductor layer so that the phosphorus content in the adhesion layer is 8% by mass or more; and
A method for producing a transparent electrode substrate, comprising: a resistance reduction step of laminating a resistance reduction layer on one surface in the thickness direction of the adhesion layer. 前記低抵抗化工程の後に、前記透明導体層と前記密着層と前記低抵抗化層とを備える導体層をエッチングして導体パターンを形成するパターンニング工程
をさらに備えることを特徴とする、請求項８に記載の透明電極基板の製造方法。 The method further comprises a patterning step of forming a conductor pattern by etching a conductor layer including the transparent conductor layer, the adhesion layer, and the resistance reduction layer after the resistance reduction step. The manufacturing method of the transparent electrode substrate of Claim 8. 前記導体パターンの一部から前記低抵抗化層および前記密着層を除去することによって、前記透明導体層から透明電極を形成するとともに、前記導体パターンの残部に対応する前記導体層を引出配線とする工程
をさらに備えることを特徴とする、請求項９に記載の透明電極基板の製造方法。 By removing the low resistance layer and the adhesion layer from a part of the conductor pattern, a transparent electrode is formed from the transparent conductor layer, and the conductor layer corresponding to the remainder of the conductor pattern is used as a lead wiring. The method for manufacturing a transparent electrode substrate according to claim 9, further comprising a step. 易エッチング材料からなる保護層を、前記低抵抗化層の前記厚み方向一方面に積層する工程をさらに備え、
前記パターンニング工程では、前記透明導体層と前記密着層と前記低抵抗化層と保護層とを備える導体層をエッチングして導体パターンを形成することを特徴とする、請求項９に記載の透明電極基板の製造方法。 Further comprising a step of laminating a protective layer made of an easy-etching material on one surface in the thickness direction of the low resistance layer;
10. The transparent according to claim 9, wherein in the patterning step, a conductor pattern including the transparent conductor layer, the adhesion layer, the low-resistance layer, and the protective layer is etched to form a conductor pattern. A method for manufacturing an electrode substrate. 前記導体パターンの一部から前記保護層、前記低抵抗化層および前記密着層を除去することによって、前記透明導体層から透明電極を形成するとともに、前記導体パターンの残部に対応する前記導体層を引出配線とする工程
をさらに備えることを特徴とする、請求項１１に記載の透明電極基板の製造方法。 By removing the protective layer, the low resistance layer and the adhesion layer from a part of the conductor pattern, a transparent electrode is formed from the transparent conductor layer, and the conductor layer corresponding to the remainder of the conductor pattern is formed. The method for producing a transparent electrode substrate according to claim 11, further comprising a step of forming a lead wiring. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の透明電極基板を備えることを特徴とする、画像表示装置。   An image display device comprising the transparent electrode substrate according to claim 1. 前記透明電極基板が、タッチパネルであることを特徴とする、請求項１３に記載の画像表示装置。   The image display device according to claim 13, wherein the transparent electrode substrate is a touch panel. 液晶表示装置であることを特徴とする、請求項１３または１４に記載の画像表示装置。   The image display device according to claim 13, wherein the image display device is a liquid crystal display device.
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