JP6531699B2 - Conductive substrate - Google Patents
Conductive substrate Download PDFInfo
- Publication number
- JP6531699B2 JP6531699B2 JP2016076159A JP2016076159A JP6531699B2 JP 6531699 B2 JP6531699 B2 JP 6531699B2 JP 2016076159 A JP2016076159 A JP 2016076159A JP 2016076159 A JP2016076159 A JP 2016076159A JP 6531699 B2 JP6531699 B2 JP 6531699B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal
- plating
- metal layer
- dry plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
本発明は、導電性基板に関する。 The present invention relates to a conductive substrate.
静電容量式タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置の情報を電気信号に変換する。静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板は、ディスプレイの表面に設置されるため、導電性基板の導電層の材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求されている。 The capacitive touch panel converts information on the position of the adjacent object on the panel surface into an electrical signal by detecting a change in capacitance caused by the object in proximity to the panel surface. Since the conductive substrate used in the capacitive touch panel is disposed on the surface of the display, the material of the conductive layer of the conductive substrate is required to have a low reflectance and be hard to be recognized.
そこで、静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板の導電層の材料としては、反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基板または透明なフィルム上に配線が形成されている。 Therefore, as a material of the conductive layer of the conductive substrate used in the capacitive touch panel, a material having a low reflectance and which is hard to be recognized is used, and a wiring is formed on a transparent substrate or a transparent film.
例えば、特許文献１には、高分子フィルムおよびその上に気相成膜法により設けられた金属酸化物からなる透明導電膜を含む透明導電性フィルムであって、金属酸化物からなる透明導電膜が、第一の金属酸化物からなる透明導電膜およびその上に設けられた第二の金属酸化物からなる透明導電膜からなり、かつ第二の金属酸化物からなる透明導電膜が第一の金属酸化物からなる透明導電膜の成膜条件と異なる条件で形成されていることを特徴とする透明導電性フィルムが開示されている。そして、金属酸化物からなる透明導電膜が酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）膜であることも開示されている。 For example, Patent Document 1 discloses a transparent conductive film including a polymer film and a transparent conductive film comprising a metal oxide provided thereon by a vapor deposition method, wherein the transparent conductive film comprises a metal oxide A transparent conductive film comprising a first metal oxide and a transparent conductive film comprising a second metal oxide provided thereon, the transparent conductive film comprising a second metal oxide comprising A transparent conductive film is disclosed which is formed under conditions different from the film forming conditions of a transparent conductive film made of a metal oxide. And it is also disclosed that the transparent conductive film which consists of metal oxides is an indium oxide tin oxide (ITO) film.
ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化や、高性能化が進んでおり、これに対応するために、導電層の材料として、電気抵抗が高いＩＴＯにかえて、銅等の金属を用いることが検討されている（例えば特許文献２、３を参照）。ただし、金属は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。このため、導電層となる銅等の金属層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を有する導電性基板が検討されている。 By the way, in recent years, in order to cope with the trend toward larger screens and higher performance of displays equipped with touch panels, instead of ITO having high electrical resistance, metals such as copper are used as the material of the conductive layer. Is being studied (see, for example, Patent Documents 2 and 3). However, since metal has metallic luster, there is a problem that the visibility of the display is lowered by reflection. For this reason, a conductive substrate having a blackening layer made of a black material together with a metal layer such as copper to be a conductive layer has been studied.
ところで、金属層と、黒化層とを有する導電性基板について、所望の配線パターンを有する導電性基板とするためには、透明基材の少なくとも一方の面上に金属層と黒化層とを形成した後、金属層と黒化層とをエッチングする方法が通常用いられている。 By the way, in order to obtain a conductive substrate having a desired wiring pattern for a conductive substrate having a metal layer and a blackening layer, the metal layer and the blackening layer are formed on at least one surface of the transparent substrate. After formation, a method of etching the metal layer and the blackening layer is generally used.
しかしながら、金属層と黒化層とをエッチングする際に導電性基板内で、例えば一部が他の部分よりも早く溶解する等して、均一にエッチングを行うことができない場合があった。このように導電性基板内で均一にエッチングを実施できないと、形成する配線パターンの線幅にばらつきが生じる場合があり問題であった。 However, when etching a metal layer and a blackening layer, there existed a case where an etching could not be performed uniformly, for example, one part melt | dissolves quicker than another part etc. within a conductive substrate. As described above, if the etching can not be performed uniformly in the conductive substrate, the line width of the formed wiring pattern may vary, which is a problem.
上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、エッチング均一性に優れた導電性基板を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION In view of the problems of the prior art, it is an object of the present invention to provide a conductive substrate excellent in etching uniformity.
上記課題を解決するため本発明の一側面では、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に配置された金属層と、
前記金属層上に配置された乾式めっき黒化層とを有し、
前記金属層の前記乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａ（μｍ）が、前記乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍以上であり、
前記金属層が金属めっき層を有する導電性基板を提供する。
In one aspect of the present invention to solve the above problems,
A transparent substrate,
A metal layer disposed on at least one surface of the transparent substrate;
And dry plating blackening layer disposed on the metal layer;
Surface roughness of the dry plating blackening layer facing the surface of the metal layer Ra ([mu] m) is state, and are 1.0 times or more of the thickness of the dry plating blackening layer ([mu] m),
The metal layer provides a conductive substrate that have a metal plating layer.
本発明の一側面によれば、エッチング均一性に優れた導電性基板を提供することができる。 According to one aspect of the present invention, a conductive substrate excellent in etching uniformity can be provided.
以下、本発明の導電性基板、および導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板）
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面上に配置された金属層と、金属層上に配置された乾式めっき黒化層とを有することができる。そして、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａ（μｍ）を、乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍以上とすることができる。
Hereinafter, an embodiment of a conductive substrate and a method of manufacturing the conductive substrate of the present invention will be described.
(Conductive substrate)
The conductive substrate of the present embodiment can have a transparent substrate, a metal layer disposed on at least one surface of the transparent substrate, and a dry plating blackening layer disposed on the metal layer. The surface roughness Ra (μm) of the surface of the metal layer facing the dry plating blackening layer can be 1.0 or more times the thickness (μm) of the dry plating blackening layer.
なお、本実施形態における導電性基板とは、金属層等をパターニングする前の、透明基材の表面に金属層、及び乾式めっき黒化層を有する基板と、金属層等をパターニングして配線の形状にした基板、すなわち配線基板とを含む。金属層及び乾式めっき黒化層をパターニングした後の導電性基板は透明基材が金属層等により覆われていない領域を含むため光を透過することができ、透明導電性基板となっている。 The conductive substrate in this embodiment is a substrate having a metal layer and a dry plating blackening layer on the surface of a transparent base before patterning a metal layer and the like, and a metal layer and the like by patterning. It includes a shaped substrate, ie, a wiring substrate. The conductive substrate after patterning of the metal layer and the dry plating blackening layer can transmit light because the transparent substrate includes a region not covered with the metal layer or the like, and thus becomes a transparent conductive substrate.
ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。 Here, first, each member included in the conductive substrate of the present embodiment will be described below.
透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。 The transparent substrate is not particularly limited, and an insulator film that transmits visible light, a glass substrate, and the like can be preferably used.
可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルム等から選択された１種以上を好ましく用いることができる。特に、可視光を透過する絶縁体フィルムの材料として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート等から選択された１種以上をより好ましく用いることができる。 As an insulator film which transmits visible light, 1 type selected from resin films, such as a polyamide system film, a polyethylene terephthalate system film, a polyethylene naphthalate system film, a cycloolefin system film, a polyimide system film, a polycarbonate system film, etc., for example The above can be preferably used. In particular, one or more selected from PET (polyethylene terephthalate), COP (cycloolefin polymer), PEN (polyethylene naphthalate), polyamide, polyimide, polycarbonate, etc. is more preferable as a material of an insulator film transmitting visible light. It can be used.
透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や、静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、透明基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。 The thickness of the transparent substrate is not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the strength, the capacitance, the light transmittance, and the like required in the case of using a conductive substrate. The thickness of the transparent substrate can be, for example, 10 μm or more and 200 μm or less. In particular, when used for touch panel applications, the thickness of the transparent substrate is preferably 20 μm or more and 120 μm or less, and more preferably 20 μm or more and 100 μm or less. When used for touch panel applications, for example, in applications where it is required to reduce the thickness of the entire display, the thickness of the transparent substrate is preferably 20 μm to 50 μm.
透明基材の全光線透過率は高い方が好ましく、例えば全光線透過率は３０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましい。透明基材の全光線透過率が上記範囲であることにより、例えばタッチパネルの用途に用いた場合にディスプレイの視認性を十分に確保することができる。 The total light transmittance of the transparent substrate is preferably high. For example, the total light transmittance is preferably 30% or more, more preferably 60% or more. When the total light transmittance of the transparent substrate is in the above range, the visibility of the display can be sufficiently ensured, for example, when used for a touch panel application.
なお透明基材の全光線透過率はＪＩＳ Ｋ ７３６１−１に規定される方法により評価することができる。 In addition, the total light transmittance of a transparent base material can be evaluated by the method prescribed | regulated to JISK7361-1.
次に金属層について説明する。 Next, the metal layer will be described.
金属層を構成する材料は特に限定されず用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、電気特性に優れ、且つエッチング処理のし易さから、金属層を構成する材料として銅を用いることが好ましい。すなわち、金属層は銅を含有することが好ましい。 The material forming the metal layer is not particularly limited, and a material having electrical conductivity suitable for the application can be selected, but copper is used as the material forming the metal layer because of excellent electrical characteristics and easiness of etching treatment. Is preferred. That is, the metal layer preferably contains copper.
金属層が銅を含有する場合、金属層を構成する材料は、例えばＣｕと、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１種以上の金属との銅合金、または銅と上記金属から選ばれる１種以上の金属とを含む材料であることが好ましい。また、金属層は銅から構成される銅層とすることもできる。 When the metal layer contains copper, the material constituting the metal layer is, for example, Cu and at least one metal selected from Ni, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Mn, Co, and W. It is preferable that it is a material containing the copper alloy of the above, or copper and one or more metals selected from the above metals. The metal layer can also be a copper layer composed of copper.
金属層を形成する方法は特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、他の部材と金属層との間に接着剤を配置しないで形成されていることが好ましい。すなわち、金属層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。なお、金属層は透明基材、または密着層の上面に形成することができる。このため、金属層は、透明基材、または密着層の上面に直接形成されていることが好ましい。 The method of forming the metal layer is not particularly limited. However, in order not to reduce the light transmittance, it is preferable that the adhesive layer is not disposed between the other member and the metal layer. That is, the metal layer is preferably formed directly on the top surface of the other member. The metal layer can be formed on the transparent substrate or on the upper surface of the adhesion layer. For this reason, the metal layer is preferably formed directly on the upper surface of the transparent substrate or the adhesion layer.
他の部材の上面に金属層を直接形成するため、金属層は乾式めっき法を用いて成膜された金属薄膜層を有することが好ましい。乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、例えば蒸着法や、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を用いることができる。特に膜厚の制御が容易であることからスパッタリング法を用いることが好ましい。 In order to form a metal layer directly on the upper surface of another member, the metal layer preferably has a metal thin film layer deposited using a dry plating method. The dry plating method is not particularly limited. For example, a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method or the like can be used. In particular, it is preferable to use a sputtering method because control of the film thickness is easy.
また金属層をより厚くする場合には、乾式めっき法と、湿式めっき法とを用いることができる。具体的には例えば、透明基材上に、金属薄膜層を乾式めっき法により形成し、該金属薄膜層を給電層として用い、湿式めっき法の一種である電解めっきにより金属めっき層を形成することができる。 In the case of making the metal layer thicker, dry plating and wet plating can be used. Specifically, for example, a metal thin film layer is formed by dry plating on a transparent substrate, and the metal thin film layer is used as a feeding layer to form a metal plating layer by electrolytic plating, which is a type of wet plating. Can.
なお、上述の様に乾式めっき法のみで金属層を成膜した場合、金属層は金属薄膜層により構成できる。また、乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて金属層を形成した場合、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とにより構成できる。 When the metal layer is formed only by the dry plating method as described above, the metal layer can be formed of a metal thin film layer. Moreover, when a metal layer is formed combining the dry plating method and the wet plating method, a metal layer can be comprised by a metal thin film layer and a metal plating layer.
上述のように乾式めっき法のみ、または乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて金属層を形成することにより透明基材または密着層上に接着剤を介さずに直接金属層を形成することができる。 Forming the metal layer directly on the transparent substrate or the adhesion layer without forming an adhesive agent by forming the metal layer by combining the dry plating method alone or the dry plating method and the wet plating method as described above it can.
本実施形態の導電性基板は、金属層の、乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａが、乾式めっき黒化層の厚さの１．０倍以上であることが好ましい。そして、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａを所望の値とする方法としては、後述するように、例えば形成した金属層の表面処理をする方法や、金属薄膜層のスパッタリング条件を選択する方法、金属めっき層を成膜する際の条件を選択する方法等が挙げられる。なお、金属めっき層を成膜する際の条件を選択する方法としては、例えば、金属めっき層を成膜している途中で、電極に供給する電流の向きを周期的に反転させるＰＲ電流（Ｐｅｒｉｏｄｉｃ Ｒｅｖｅｒｓｅ電流）を用いためっき法や、電流密度を低下させる低電流密度を用いためっき法等が挙げられる。 In the conductive substrate of the present embodiment, the surface roughness Ra of the surface of the metal layer facing the dry plating blackening layer is preferably 1.0 or more times the thickness of the dry plating blackening layer. Then, as a method of setting the surface roughness Ra of the surface of the metal layer facing the dry plating blackening layer to a desired value, for example, a method of surface treatment of the formed metal layer, a metal thin film layer The method of selecting the sputtering conditions of the above, the method of selecting the conditions at the time of forming the metal plating layer, and the like can be mentioned. Note that, as a method of selecting the conditions for forming the metal plating layer, for example, PR current (Periodic) in which the direction of the current supplied to the electrode is periodically reversed during the formation of the metal plating layer Plating methods using reverse current), plating methods using low current density to reduce current density, and the like can be mentioned.
そして、金属めっき層を成膜する際の条件を選択する方法によれば、導電性基板を製造する際の工程数を増加させることなく、特に容易に金属めっき層表面の表面粗さＲａを所望の値とすることができる。そこで、金属めっき層を成膜する際の条件を選択する方法により、金属層表面の表面粗さＲａを所定の範囲とすることが好ましい。このため、本実施形態の導電性基板の金属層は金属めっき層（湿式めっき金属層）を有することが好ましい。 And, according to the method of selecting the conditions for forming the metal plating layer, the surface roughness Ra of the surface of the metal plating layer is particularly easily desired without increasing the number of steps in manufacturing the conductive substrate. It can be a value of Then, it is preferable to make surface roughness Ra of the metal layer surface into a predetermined | prescribed range by the method of selecting the conditions at the time of forming a metal plating layer into a film. For this reason, it is preferable that the metal layer of the conductive substrate of this embodiment has a metal plating layer (wet plating metal layer).
金属層の厚さは特に限定されるものではなく、金属層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。 The thickness of the metal layer is not particularly limited, and when the metal layer is used as a wire, it can be arbitrarily selected according to the magnitude of the current supplied to the wire, the wire width, and the like.
ただし、金属層が厚くなると、配線パターンを形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ易くなり、細線が形成しにくくなる等の問題を生じる場合がある。このため、金属層の厚さは５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。 However, if the metal layer is thick, side etching tends to occur because etching takes time to perform the wiring pattern formation, which may cause problems such as difficulty in forming fine lines. Therefore, the thickness of the metal layer is preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less.
また、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さを所定の範囲内にするため、さらには導電性基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば金属層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。 Also, in order to set the surface roughness of the surface of the metal layer facing the dry plating blackening layer within a predetermined range, the resistance value of the conductive substrate is further lowered, and a current can be sufficiently supplied. For example, the thickness of the metal layer is preferably 50 nm or more, more preferably 60 nm or more, and still more preferably 150 nm or more.
なお、金属層が上述のように金属薄膜層と、金属めっき層とを有する場合には、金属薄膜層の厚さと、金属めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。 In addition, when a metal layer has a metal thin film layer and a metal plating layer as mentioned above, it is preferable that the sum total of the thickness of a metal thin film layer and the thickness of a metal plating layer is the said range.
金属層が金属薄膜層により構成される場合、または金属薄膜層と金属めっき層とにより構成される場合のいずれの場合でも、金属薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが好ましい。 The thickness of the metal thin film layer is not particularly limited in either case where the metal layer is constituted of a metal thin film layer or in the case of being constituted of a metal thin film layer and a metal plating layer, for example 50 nm The thickness is preferably 500 nm or less.
そして、本実施形態の導電性基板においては、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａ（μｍ）を、乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍以上とすることができる。 Then, in the conductive substrate of the present embodiment, the surface roughness Ra (μm) of the surface of the metal layer facing the dry plating blackening layer is 1.0 times the thickness (μm) of the dry plating blackening layer It can be more than.
本発明の発明者らは、透明基材上に金属層、及び乾式めっき黒化層を配置した導電性基板を所望の配線パターンとなるようにエッチングした際に、導電性基板内で、均一にエッチングできない場合が生じる原因について鋭意検討を行った。 The inventors of the present invention uniformly etch a conductive substrate in which a metal layer and a dry plating blackening layer are disposed on a transparent substrate so as to obtain a desired wiring pattern, and the conductive substrate is uniformly formed. The cause of the case where etching can not be made has been earnestly studied.
その結果、均一にエッチングできない導電性基板においては、導電性基板中の一部で、金属層と乾式めっき黒化層との間にエッチング液が侵入していることが確認された。 As a result, it was confirmed that in the case of the conductive substrate which can not be etched uniformly, the etchant penetrates between the metal layer and the dry plating blackening layer in a part of the conductive substrate.
通常、乾式めっき黒化層の方が金属層よりもエッチング液に対する反応性が低いため、金属層、及び乾式めっき黒化層のエッチングに要する時間には、乾式めっき黒化層のエッチングに要する時間が大きな割合を占める。そして、上述のように金属層と乾式めっき黒化層との間にエッチング液が侵入すると、乾式めっき黒化層は、侵入したエッチング液により金属層側からもエッチングされるため、該エッチング液の侵入がない部分と比較して早くエッチングされることになる。このため、導電性基板内で均一にエッチングできない場合が生じていた。特に乾式めっき黒化層の厚さが厚くなるほど、金属層と乾式めっき黒化層との間にエッチング液が侵入した部分と、それ以外の部分とでエッチングに要する時間の差が大きくなり、エッチングの不均一性が生じやすくなっていた。 Since the dry plating blackening layer usually has lower reactivity to the etching solution than the metal layer, the time required for etching the metal layer and the dry plating blackening layer is the time required for etching the dry plating blackening layer Account for a large percentage. Then, as described above, when the etching solution intrudes between the metal layer and the dry plating blackening layer, the dry plating blackening layer is also etched from the metal layer side by the etching solution that has penetrated, so It will be etched earlier compared to the part where there is no penetration. For this reason, the case where it could not etch uniformly in the conductive substrate had arisen. In particular, as the thickness of the dry-plated blackened layer increases, the difference in the time required for etching between the portion where the etching solution intrudes between the metal layer and the dry-plated blackened layer and the other portion increases, and etching occurs. Inhomogeneity was apt to occur.
そこで、本実施形態の導電性基板は、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａ（μｍ）を、乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍以上とし、乾式めっき黒化層の厚さに応じて金属層と乾式めっき黒化層との密着性を高め、エッチング均一性に優れた導電性基板とした。 Therefore, in the conductive substrate of the present embodiment, the surface roughness Ra (μm) of the surface of the metal layer facing the dry plating blackening layer is 1.0 or more times the thickness (μm) of the dry plating blackening layer According to the thickness of the dry plating blackening layer, the adhesion between the metal layer and the dry plating blackening layer is enhanced, and a conductive substrate excellent in etching uniformity is obtained.
なお、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａは、上述のように乾式めっき黒化層の厚さとの比を満たすように選択することができるが、特に、０．０２２μｍ以上であることが好ましく、０．０２８μｍ以上であることがより好ましい。これは、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａを０．０２２μｍ以上とすることで、特に金属層と、乾式めっき黒化層との間にエッチング液が侵入することを抑制できるからである。 In addition, although surface roughness Ra of the surface which opposes the dry plating blackening layer of a metal layer can be selected so that ratio with the thickness of a dry plating blackening layer may be satisfy | filled as mentioned above, it is especially preferable. The thickness is preferably 022 μm or more, and more preferably 0.028 μm or more. This is because the etching solution penetrates between the metal layer and the dry plating blackening layer, in particular, by setting the surface roughness Ra of the surface of the metal layer facing the dry plating blackening layer to 0.022 μm or more. It is because it can control.
金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａの上限値は特に限定されないが、０．０８０μｍ以下であることが好ましく、０．０６０μｍ以下であることがより好ましい。これは、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａが０．０８０μｍを超えると、乾式めっき黒化層が均一に成膜されない場合があり、乾式めっき黒化層の色味に影響を与える恐れがあるからである。 The upper limit of the surface roughness Ra of the surface of the metal layer facing the dry plating blackening layer is not particularly limited, but is preferably 0.080 μm or less, and more preferably 0.060 μm or less. This is because when the surface roughness Ra of the surface of the metal layer facing the dry plating blackening layer exceeds 0.080 μm, the dry plating blackening layer may not be uniformly deposited, and the color of the dry plating blackening layer It is because there is a risk of affecting the taste.
なお、表面粗さＲａはＪＩＳ Ｂ ０６０１（２０１３）に算術平均粗さとして規定されている。表面粗さＲａの測定方法としては、触針法もしくは光学的方法等により評価することができる。 The surface roughness Ra is defined in JIS B 0601 (2013) as an arithmetic average roughness. The surface roughness Ra can be evaluated by a stylus method or an optical method.
次に、乾式めっき黒化層について説明する。 Next, the dry plating blackening layer will be described.
金属層は金属光沢を有するため、透明基材上に金属層をエッチングした配線を形成したのみでは金属層が光を反射し、例えばタッチパネル用の配線基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、金属層表面における光の反射を抑制するため、本実施形態の導電性基板においては、金属層上に乾式めっき黒化層を設けることができる。 Since the metal layer has metallic luster, the metal layer reflects light only by forming a wiring in which the metal layer is etched on the transparent substrate, and when used as a wiring substrate for a touch panel, for example, the visibility of the display decreases Had the problem of Therefore, in order to suppress the reflection of light on the surface of the metal layer, in the conductive substrate of the present embodiment, a dry plating blackening layer can be provided on the metal layer.
乾式めっき黒化層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属を含むことが好ましい。また、乾式めっき黒化層は、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。 The dry plating blackening layer preferably contains, for example, at least one metal selected from Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn. In addition, the dry plating blackening layer can further contain one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen.
なお、乾式めっき黒化層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金を含むこともできる。この場合についても、乾式めっき黒化層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金としては、Ｎｉ−Ｃｕ合金や、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ合金、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｆｅ合金、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、を好ましく用いることができる。 The dry plating blackening layer contains a metal alloy containing at least two or more metals selected from Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn. You can also. Also in this case, the dry plating blackening layer can further contain one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen. At this time, as a metal alloy containing at least two or more metals selected from Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn, a Ni-Cu alloy, Ni-Cu-Cr alloy, Ni-Zn alloy, Ni-Zn-Cu alloy, Cu-Ti-Fe alloy, Cu-Ni-Fe alloy, Ni-Ti alloy, Ni-W alloy, Ni-Cr alloy are preferable. It can be used.
乾式めっき黒化層は、乾式めっき法により成膜することができる。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。乾式めっき黒化層を乾式めっき法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、乾式めっき黒化層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。 The dry plating blackening layer can be formed by dry plating. As the dry plating method, for example, a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method and the like can be preferably used. In the case of forming a dry plating blackening layer by dry plating, it is more preferable to use a sputtering method because control of the film thickness is easy. As described above, one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen and nitrogen can be added to the dry plating blackening layer, and in this case, reactive sputtering can be more preferably used.
スパッタリング法により乾式めっき黒化層を成膜する場合、ターゲットとしては、乾式めっき黒化層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。乾式めっき黒化層が合金を含む場合には、乾式めっき黒化層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め乾式めっき黒化層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。 When forming a dry plating blackening layer into a film by sputtering method, the target containing metal seed which comprises a dry plating blackening layer can be used. When the dry plating blackening layer contains an alloy, a target may be used for each metal species contained in the dry plating blackening layer, and the alloy may be formed on the surface of a film-forming body such as a substrate. The target which alloyed the metal contained in a metal-plating blackening layer can also be used.
また、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有する乾式めっき黒化層は、乾式めっき黒化層を成膜する際の雰囲気中に、添加する元素を含有するガスを添加しておくことで成膜できる。例えば、乾式めっき黒化層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。 In addition, a dry plating blackening layer containing one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen is a gas containing an element to be added in the atmosphere when forming the dry plating blackening layer. A film can be formed by adding it. For example, carbon monoxide gas and / or carbon dioxide gas is added when carbon is added to the dry plating blackened layer, oxygen gas is added when oxygen is added, hydrogen gas and / or hydrogen is added when hydrogen is added. Water can be added to the atmosphere at the time of dry plating, when nitrogen is added.
炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。 A gas containing one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen is preferably added to an inert gas and used as an atmosphere gas in dry plating. The inert gas is not particularly limited but, for example, argon can be preferably used.
乾式めっき黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましい。これは、乾式めっき黒化層の厚さが薄い場合には、金属層表面における光の反射を十分に抑制できない場合があるため、上述のように乾式めっき黒化層の厚さを１０ｎｍ以上とすることにより金属層表面における光の反射を特に抑制できるように構成することが好ましいためである。 The thickness of the dry plating blackening layer is not particularly limited, but is preferably 10 nm or more, and more preferably 15 nm or more. This is because when the thickness of the dry plating blackening layer is thin, the reflection of light on the surface of the metal layer may not be sufficiently suppressed, so the thickness of the dry plating blackening layer is 10 nm or more as described above. It is because it is preferable to comprise so that reflection of the light in the metal layer surface can be suppressed especially by carrying out.
乾式めっき黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、乾式めっき黒化層の厚さは５０ｎｍ以下とすることが好ましく、２５ｎｍ以下とすることがより好ましい。 The upper limit of the thickness of the dry-plated blackened layer is not particularly limited, but even if it is thicker than necessary, the time required for film formation and the time required for etching for forming a wiring become longer, and the cost is increased. Will cause a rise in Therefore, the thickness of the dry plating blackening layer is preferably 50 nm or less, and more preferably 25 nm or less.
本実施形態の導電性基板においては、乾式めっき黒化層を配置することにより、上述のように金属層表面における光の反射を抑制することができる。このため、例えばタッチパネル等の用途に用いた場合にディスプレイの視認性の低下を抑制することが可能になる。 In the conductive substrate of the present embodiment, the reflection of light on the surface of the metal layer can be suppressed as described above by arranging the dry plating blackening layer. For this reason, for example, when using for applications, such as a touch panel, it becomes possible to suppress the fall of the visibility of a display.
また、導電性基板は上述の透明基材、銅層、乾式めっき黒化層以外に任意の層を設けることもできる。例えば密着層を設けることができる。 Moreover, the conductive substrate can also provide arbitrary layers other than the above-mentioned transparent base material, a copper layer, and a dry plating blackening layer. For example, an adhesive layer can be provided.
密着層の構成例について説明する。 A configuration example of the adhesion layer will be described.
上述のように金属層は透明基材上に形成することができるが、透明基材上に金属層を直接形成した場合に、透明基材と金属層との密着性が十分ではない場合がある。このため、透明基材の上面に直接金属層を形成した場合、製造過程、または、使用時に透明基材から金属層が剥離する場合がある。 As described above, the metal layer can be formed on the transparent substrate, but when the metal layer is formed directly on the transparent substrate, the adhesion between the transparent substrate and the metal layer may not be sufficient. . For this reason, when a metal layer is directly formed on the upper surface of the transparent substrate, the metal layer may peel off from the transparent substrate during the manufacturing process or during use.
そこで、本実施形態の導電性基板においては、透明基材と金属層との密着性を高めるため、透明基材上に密着層を配置することができる。 So, in the conductive substrate of this embodiment, in order to improve the adhesiveness of a transparent base material and a metal layer, an adhesion layer can be arranged on a transparent base material.
透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、透明基材と金属層との密着性を高め、透明基材から金属層が剥離することを抑制できる。 By arranging the adhesion layer between the transparent base and the metal layer, the adhesion between the transparent base and the metal layer can be enhanced, and peeling of the metal layer from the transparent base can be suppressed.
また、密着層は黒化層としても機能させることができる。このため、金属層の下面側、すなわち透明基材側からの光による金属層表面での光の反射も抑制することが可能になる。 The adhesion layer can also function as a blackening layer. For this reason, it is possible to suppress the reflection of light on the surface of the metal layer by the light from the lower surface side of the metal layer, that is, the transparent substrate side.
密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び金属層との密着力や、要求される金属層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。 The material constituting the adhesion layer is not particularly limited, and the adhesion between the transparent substrate and the metal layer, the required degree of suppression of light reflection on the surface of the metal layer, and the use of a conductive substrate It can be arbitrarily selected according to the degree of stability to the environment (eg, humidity, temperature) to be used.
密着層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属を含むことが好ましい。また、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。 The adhesion layer preferably contains, for example, at least one metal selected from Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn. The adhesion layer can further contain one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen and nitrogen.
なお、密着層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金を含むこともできる。この場合についても、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金としては、Ｎｉ−Ｃｕ合金や、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ合金、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｆｅ合金、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金等を好ましく用いることができる。 The adhesion layer can also contain a metal alloy containing at least two or more metals selected from Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn. Also in this case, the adhesion layer can further contain one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen. At this time, as a metal alloy containing at least two or more metals selected from Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn, a Ni-Cu alloy, Ni-Cu-Cr alloy, Ni-Zn alloy, Ni-Zn-Cu alloy, Cu-Ti-Fe alloy, Cu-Ni-Fe alloy, Ni-Ti alloy, Ni-W alloy, Ni-Cr alloy etc are preferable It can be used.
密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式めっき法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。 Although the film-forming method of the adhesion layer is not particularly limited, it is preferable to form a film by dry plating. As the dry plating method, for example, a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method and the like can be preferably used. When the adhesion layer is formed by a dry plating method, it is more preferable to use a sputtering method because control of the film thickness is easy. As described above, one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen and nitrogen can be added to the adhesion layer, and in this case, reactive sputtering can be more preferably used.
スパッタリング法により密着層を成膜する場合、ターゲットとしては、密着層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。密着層が合金を含む場合には、密着層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め密着層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。 In the case of forming the adhesion layer by sputtering, a target containing a metal species that constitutes the adhesion layer can be used as the target. When the adhesion layer contains an alloy, a target may be used for each metal species contained in the adhesion layer, and the alloy may be formed on the surface of a film-forming body such as a base material. An alloyed target can also be used.
また、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有する密着層は、密着層を成膜する際の雰囲気中に、添加する元素を含有するガスを添加しておくことで成膜できる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。 In addition, the adhesion layer containing one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen can be obtained by adding a gas containing the element to be added to the atmosphere when forming the adhesion layer. It is possible to form a film. For example, carbon monoxide gas and / or carbon dioxide gas when carbon is added to the adhesion layer, oxygen gas when oxygen is added, hydrogen gas and / or water when hydrogen is added, When nitrogen is added, nitrogen gas can be added to the atmosphere at the time of performing dry plating.
炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。 A gas containing one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen is preferably added to an inert gas and used as an atmosphere gas in dry plating. The inert gas is not particularly limited but, for example, argon can be preferably used.
密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層との密着性も高い。このため、透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。 The adhesion between the transparent substrate and the adhesion layer can be enhanced by forming the adhesion layer by dry plating as described above. And since the adhesion layer can contain, for example, a metal as a main component, the adhesion to the metal layer is also high. For this reason, peeling of a metal layer can be suppressed by arrange | positioning an adhesion layer between a transparent base material and a metal layer.
密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、５ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。 The thickness of the adhesion layer is not particularly limited, but is preferably 3 nm to 50 nm, more preferably 3 nm to 35 nm, and still more preferably 5 nm to 33 nm.
密着層についても黒化層として機能させる場合、すなわち金属層における光の反射を抑制する場合、密着層の厚さを上述のように３ｎｍ以上とすることが好ましく、５ｎｍ以上とすることがさらに好ましい。 When the adhesion layer is also made to function as a blackening layer, that is, when the reflection of light in the metal layer is suppressed, the thickness of the adhesion layer is preferably 3 nm or more as described above, and more preferably 5 nm or more .
密着層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、密着層の厚さは上述のように５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。 The upper limit of the thickness of the adhesion layer is not particularly limited, but even if it is thicker than necessary, the time required for film formation and the time required for etching when forming a wiring become longer, and the cost increases. It will incur. Therefore, as described above, the thickness of the adhesive layer is preferably 50 nm or less, more preferably 35 nm or less, and still more preferably 33 nm or less.
次に、本実施形態の導電性基板の構成例について説明する。 Next, a configuration example of the conductive substrate of the present embodiment will be described.
上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、金属層と、乾式めっき黒化層と、を備えることができる。 As described above, the conductive substrate of the present embodiment can include the transparent substrate, the metal layer, and the dry plating blackening layer.
具体的な構成例について、図１、図２を用いて以下に説明する。図１、図２は、本実施形態の導電性基板の、透明基材、金属層、乾式めっき黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。 A specific configuration example will be described below using FIGS. 1 and 2. FIG. 1:, FIG. 2 has shown the example of sectional drawing in the surface parallel to the lamination direction of a transparent base material, a metal layer, and a dry plating blackening layer of the electroconductive substrate of this embodiment.
例えば、図１（ａ）に示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に金属層１２と、乾式めっき黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。
For example, as in the case of the
図１（ａ）に示した導電性基板１０Ａにおいて、金属層１２の透明基材１１と対向する面を第１の金属層表面１２ａ、第１の金属層表面１２ａと反対側に位置する面、すなわち金属層１２の、金属層１２上に配置した乾式めっき黒化層１３と対向する面を第２の金属層表面１２ｂとすることができる。
In the
そして、第２の金属層表面１２ｂは、既述のようにその表面粗さＲａを、乾式めっき黒化層１３の厚さと所定の比となるように形成できる。
Then, as described above, the second
また、図１（ｂ）に示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ金属層１２１、１２２と、乾式めっき黒化層１３１、１３２と、を一層ずつその順に積層することができる。
Further, as in the case of the
この場合も、金属層１２１、１２２は、それぞれ透明基材１１と対向する面を第１の金属層表面１２１ａ、１２２ａ、第１の金属層表面１２１ａ、１２２ａの反対側に位置する面を第２の金属層表面１２１ｂ、１２２ｂとすることができる。そして、第２の金属層表面１２１ｂ、１２２ｂは、既述のようにその表面粗さＲａを、それぞれ乾式めっき黒化層１３１、１３２の厚さと所定の比となるように形成できる。
Also in this case, the metal layers 121 and 122 have surfaces facing the
また、既述のように、透明基材１１と、金属層１２との間にさらに密着層を有することもできる。
Further, as described above, an adhesion layer may be further provided between the
例えば図２（ａ）に示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、密着層１４と、金属層１２と、乾式めっき黒化層１３と、をその順に積層することができる。この場合も、金属層１２の透明基材１１と対向する面を第１の金属層表面１２ａ、第１の金属層表面１２ａの反対側に位置する面を第２の金属層表面１２ｂとすることができる。そして、第２の金属層表面１２ｂは、既述のようにその表面粗さＲａを、乾式めっき黒化層１３の厚さと所定の比となるように形成できる。
For example, as in the case of the
また、図２（ｂ）に示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ密着層１４１、１４２、金属層１２１、１２２と、乾式めっき黒化層１３１、１３２と、を一層ずつその順に積層することができる。
Further, as in the case of the
この場合も、金属層１２１、１２２は、それぞれ透明基材１１と対向する面を第１の金属層表面１２１ａ、１２２ａ、第１の金属層表面１２１ａ、１２２ａの反対側に位置する面を第２の金属層表面１２１ｂ、１２２ｂとすることができる。そして、第２の金属層表面１２１ｂ、１２２ｂは、既述のようにその表面粗さＲａを、それぞれの金属層上に配置した乾式めっき黒化層１３１、１３２の厚さと所定の比となるように形成できる。
Also in this case, the metal layers 121 and 122 have surfaces facing the
なお、図１（ｂ）、図２（ｂ）では、透明基材の両面に金属層と、乾式めっき黒化層と、を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２（ｂ）において、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１（ａ）の構成と同様に、金属層１２と、乾式めっき黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
In addition, in FIG.1 (b) and FIG.2 (b), when the metal layer and the dry plating blackening layer are laminated | stacked on both surfaces of a transparent base material, the
本実施形態の導電性基板はタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合、導電性基板はメッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。 The conductive substrate of the present embodiment can be preferably used as a conductive substrate for a touch panel. In this case, the conductive substrate can have a mesh-like wiring.
メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の金属層、乾式めっき黒化層をエッチングすることにより得ることができる。 The conductive substrate provided with the mesh-like wiring can be obtained by etching the metal layer and the dry plating blackening layer of the conductive substrate of the present embodiment described above.
例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線を備えた導電性基板３０を金属層等の積層方向の上面側から見た図を示しており、配線パターンが分かり易いように、透明基材１１、及び金属層をパターニングして形成した配線３１１、３１２以外の層は記載を省略している。また、透明基材１１を透過して見える配線３１２も示している。
For example, a two-layer wiring can be used to form a mesh-like wiring. A specific configuration example is shown in FIG. FIG. 3 is a view of the
図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｙ軸方向に平行な複数の配線３１１と、Ｘ軸方向に平行な配線３１２とを有している。なお、配線３１１、３１２は金属層をエッチングして形成されており、該配線３１１、３１２の上面または下面には図示しない乾式めっき黒化層が形成されている。また、乾式めっき黒化層は、透明基材１１の金属層等を配置した面（以下、「主表面」とも記載する）と平行な面における断面形状が、配線３１１、３１２の、透明基材１１の主表面と平行な面における断面形状と同じ形状となるようにエッチングされていることが好ましい。
The
透明基材１１と配線３１１、３１２との配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図４（ａ）、（ｂ）に示す。図４（ａ）、（ｂ）は図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。
The arrangement of the
まず、図４（ａ）に示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ配線３１１、３１２が配置されていてもよい。なお、図４（ａ）では配線３１１の上面、及び３１２の下面には、透明基材１１の主表面と平行な面における断面形状が配線３１１、３１２と同じ形状となるようにエッチングされた乾式めっき黒化層３２１、３２２が配置されている。
First, as shown in FIG. 4A, the
また、図４（ｂ）に示したように、１組の透明基材１１１、１１２を用い、一方の透明基材１１１を挟んで上下面に配線３１１、３１２を配置し、かつ、一方の配線３１２は透明基材１１１、１１２間に配置されてもよい。この場合も、配線３１１、３１２の上面には透明基材１１１の主表面と平行な面における断面形状が配線３１１、３１２と同じ形状となるようにエッチングされた乾式めっき黒化層３２１、３２２が配置されている。
Further, as shown in FIG. 4B, using one pair of
なお、既述のように、本実施形態の導電性基板は、金属層、乾式めっき黒化層以外に密着層を有することもできる。このため、図４（ａ）、（ｂ）いずれの場合でも、例えば配線３１１および／または配線３１２と透明基材１１（１１１、１１２）との間に密着層を設けることもできる。密着層を設ける場合、密着層も、透明基材１１（１１１、１１２）の主表面と平行な面における断面形状が配線３１１、３１２と同じ形状となるようにエッチングされていることが好ましい。
As described above, the conductive substrate of the present embodiment may have an adhesion layer in addition to the metal layer and the dry plating blackening layer. Therefore, in either case of FIGS. 4A and 4B, for example, an adhesion layer can be provided between the
図３及び図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１（ｂ）のように透明基材１１の両面に金属層１２１、１２２と、乾式めっき黒化層１３１、１３２とを備えた導電性基板から形成することができる。
For example, as shown in FIG. 1 (b), the conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIG. 3 and FIG. 4 (a) has
図１（ｂ）の導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の金属層１２１、乾式めっき黒化層１３１を、図１（ｂ）中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンがＸ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１（ｂ）中のＸ軸方向は、各層の幅方向と平行な方向を意味している。また、図１（ｂ）中のＹ軸方向とは、図１（ｂ）中の紙面と垂直な方向を意味している。
If the case where it forms using the conductive substrate of FIG.1 (b) is demonstrated to an example, first, the
そして、透明基材１１の他方の面１１ｂ側の金属層１２２、乾式めっき黒化層１３２を図１（ｂ）中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。
Then, the
以上の操作により図３、図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、金属層１２１、１２２、乾式めっき黒化層１３１、１３２のエッチングは同時に行ってもよい。また、図４（ａ）において、配線３１１、３１２と、透明基材１１との間にさらに配線３１１、３１２と同じ形状にパターニングされた密着層を有する導電性基板は、図１（ｂ）に示した導電性基板１０Ｂに替えて、図２（ｂ）に示した導電性基板２０Ｂを用いて同様にエッチングを行うことで作製できる。
By the above operation, the conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIG. 3 and FIG. 4A can be formed. In addition, the etching of both surfaces of the
図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１（ａ）または図２（ａ）に示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１（ａ）の導電性基板を２枚用いて形成した場合を例に説明すると、図１（ａ）に示した導電性基板２枚についてそれぞれ、金属層１２、乾式めっき黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。例えば、金属層１２等が積層された図１（ａ）における表面Ａと、透明基材１１の金属層１２等が積層されていない図１（ａ）における他方の面１１ｂとを貼り合せて、図４（ｂ）に示した構造となるようにすることもできる。
The conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIG. 3 can also be formed by using two conductive substrates shown in FIG. 1 (a) or FIG. 2 (a). The case where the conductive substrate of FIG. 1A is formed using two sheets will be described by way of example. For the two conductive substrates shown in FIG. 1A, the
また、例えば透明基材１１の金属層１２等が積層されていない図１（ａ）における他方の面１１ｂ同士を貼り合せて断面が図４（ａ）に示した構造となるようにすることもできる。
Further, for example, the
なお、図４（ａ）、図４（ｂ）において、配線３１１、３１２と、透明基材１１（１１１、１１２）との間にさらに配線３１１、３１２と同じ形状にパターニングされた密着層を有する導電性基板は、図１（ａ）に示した導電性基板１０Ａに替えて、図２（ａ）に示した導電性基板２０Ａを用いることで作製できる。
In FIGS. 4A and 4B, an adhesion layer patterned in the same shape as the
図３、図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。 The width of the wires and the distance between the wires in the conductive substrate having the mesh-like wires shown in FIGS. 3 and 4 are not particularly limited, and may be selected according to, for example, the amount of current flowing through the wires. Can.
また、図３、図４においては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。 Moreover, although the example which formed mesh-like wiring (wiring pattern) combining the wiring of linear shape in FIG. 3, FIG. 4 is shown, it is not limited to the form which concerns, A wiring pattern is comprised The wiring can be of any shape. For example, the shapes of the wires forming the mesh-like wiring pattern may be various shapes such as lines (zigzag straight lines) bent in a jagged manner so as not to generate moire (interference fringes) with the image of the display.
以上に説明した本実施形態の導電性基板によれば、乾式めっき黒化層の厚さに応じて金属層と乾式めっき黒化層との密着性を高めており、エッチング均一性に優れた導電性基板とすることができる。
（導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の構成例について説明する。
According to the conductive substrate of the present embodiment described above, the adhesion between the metal layer and the dry plating blackening layer is enhanced according to the thickness of the dry plating blackening layer, and the conductivity is excellent in etching uniformity. Substrate can be used.
(Method of manufacturing conductive substrate)
Next, a configuration example of the method of manufacturing the conductive substrate of the present embodiment will be described.
本実施形態の導電性基板の製造方法は以下の工程を有することができる。 The method of manufacturing a conductive substrate of the present embodiment can have the following steps.
透明基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成する金属層形成工程。
金属層上に乾式めっき法により乾式めっき黒化層を形成する乾式めっき黒化層形成工程。
そして、金属層形成工程では、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａ（μｍ）が、乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍以上となるように金属層を形成することができる。なお、乾式めっき黒化層形成工程において、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａ（μｍ）が、乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍以上となるように、乾式めっき黒化層の厚さを調整することもできる。
The metal layer formation process of forming a metal layer on the at least one surface of a transparent base material.
A dry plating blackening layer forming step of forming a dry plating blackening layer on a metal layer by a dry plating method.
Then, in the metal layer forming step, the surface roughness Ra (μm) of the surface of the metal layer facing the dry plating blackening layer is 1.0 or more times the thickness (μm) of the dry plating blackening layer Can form a metal layer. In the dry plating blackening layer formation step, the surface roughness Ra (μm) of the surface of the metal layer facing the dry plating blackening layer is 1.0 times or more the thickness (μm) of the dry plating blackening layer The thickness of the dry plating blackening layer can also be adjusted so that
以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略している。 Although the manufacturing method of the conductive substrate of this embodiment is described below, since it can set it as the case of the above-mentioned conductive substrate except the point explained below, explanation is omitted.
まず、金属層形成工程について説明する。 First, the metal layer forming process will be described.
なお、金属層形成工程に供する透明基材は予め準備しておくことができる（透明基材準備工程）。透明基材としては、既述のように例えば可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を用いることができ、必要に応じて任意のサイズに切断等をしておくことができる。なお、好適に用いることができる可視光を透過する絶縁体フィルムについては既述のため、説明を省略する。 In addition, the transparent base material which is provided to a metal layer formation process can be prepared beforehand (transparent base material preparation process). As the transparent substrate, as described above, for example, an insulator film that transmits visible light, a glass substrate, or the like can be used, and cutting or the like can be performed to any size as needed. In addition, about the insulator film which permeate | transmits visible light which can be used suitably, since it is stated above, description is abbreviate | omitted.
そして、金属層は既述のように、金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有することもできる。このため、金属層形成工程は、例えば乾式めっき法により金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成ステップを有することができる。また、金属層形成工程は、乾式めっき法により金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成ステップと、該金属薄膜層を給電層として、湿式めっき法の一種である電解めっき法により金属めっき層を形成する金属めっき層形成ステップと、を有していてもよい。 The metal layer preferably has a metal thin film layer as described above. The metal layer can also have a metal thin film layer and a metal plating layer. Therefore, the metal layer forming step can include a metal thin film layer forming step of forming the metal thin film layer by, for example, dry plating. In the metal layer forming step, a metal thin film layer forming step of forming a metal thin film layer by dry plating method and a metal plating layer by electrolytic plating method which is a kind of wet plating method using the metal thin film layer as a feeding layer. And a metal plating layer forming step.
上述のように乾式めっき法のみ、または乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて金属層を形成することにより透明基材または密着層上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できるため好ましい。 As described above, it is preferable to form the metal layer by only the dry plating method or a combination of the dry plating method and the wet plating method, since the metal layer can be directly formed on the transparent substrate or the adhesion layer without intervention of an adhesive. .
金属薄膜層形成ステップで用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、またはイオンプレーティング法等を用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。金属薄膜層形成ステップで用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法が好ましい。 It does not specifically limit as a dry plating method used at a metal thin film layer formation step, For example, a vapor deposition method, sputtering method, or ion plating method etc. can be used. In addition, a vacuum evaporation method can be preferably used as an evaporation method. As a dry plating method used in the metal thin film layer forming step, a sputtering method is preferable because control of the film thickness is particularly easy.
次に金属めっき層形成ステップにおいて湿式めっき法により金属めっき層を形成する際の条件、すなわち、電解めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、金属めっき液を入れためっき槽に金属薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、金属めっき層を形成できる。 Next, the conditions for forming the metal plating layer by the wet plating method in the metal plating layer forming step, that is, the conditions for the electrolytic plating treatment are not particularly limited, and various conditions according to the ordinary method may be adopted. For example, a metal plating layer can be formed by supplying a base having a metal thin film layer formed in a plating tank containing a metal plating solution and controlling the current density and the conveyance speed of the base.
ただし、本実施形態の導電性基板の製造方法において、金属層形成工程で形成する金属層は、透明基材と対向する第１の金属層表面と、第１の金属層表面の反対側に位置し、乾式めっき黒化層と対向する第２の金属層表面とを有することができる。そして、第２の金属層表面の表面粗さＲａを、乾式めっき黒化層の厚さの１．０倍以上とすることが好ましい。 However, in the method for producing a conductive substrate of the present embodiment, the metal layer formed in the metal layer forming step is positioned on the surface of the first metal layer facing the transparent substrate and on the opposite side of the surface of the first metal layer. And the second metal layer surface facing the dry plating blackening layer. And it is preferable to make surface roughness Ra of the 2nd metal layer surface into 1.0 time or more of the thickness of a dry plating blackening layer.
第２の金属層表面を所望の表面粗さＲａとする方法は特に限定されるものではなく、任意の方法を用いることができる。 The method of setting the second metal layer surface to the desired surface roughness Ra is not particularly limited, and any method can be used.
第２の金属層表面を所望の表面粗さとする方法としては、例えば、成膜した金属層の表面をエッチング、化学研磨、またはブラスト等によって表面処理することにより所望の表面粗さとする方法（以下、「形成した金属層の表面処理をする方法」とも記載する）が挙げられる。この場合、本実施形態の導電性基板の製造方法は、金属層形成工程後に、金属層の表面処理を行う表面処理工程をさらに有することができる。 As a method of setting the surface of the second metal layer to a desired surface roughness, for example, a method of setting the surface of the formed metal layer to a desired surface roughness by surface treatment such as etching, chemical polishing or blast And “The method of surface treatment of the formed metal layer”. In this case, the method of manufacturing a conductive substrate of the present embodiment can further include a surface treatment step of surface treatment of the metal layer after the metal layer formation step.
また、金属薄膜層を成膜する際のスパッタリング条件を選択することにより、金属薄膜層の最表面の表面粗さを所望の表面粗さとする方法（以下、「金属薄膜層のスパッタリング条件を選択する方法」とも記載する）が挙げられる。なお、金属層が金属薄膜層のみから構成される場合には、金属薄膜層の最表面が、金属層についての所望の表面粗さとなるようにスパッタリングの条件を選択することができる。また、金属層が金属薄膜層と金属めっき層とを有する場合には、金属薄膜層上に金属めっき層を成膜した際に、金属めっき層の表面の表面粗さが金属層についての所望の表面粗さとなるように金属薄膜層を成膜する際のスパッタリングの条件を選択することができる。 Moreover, the method of making surface roughness of the outermost surface of a metal thin film layer into desired surface roughness by selecting sputtering conditions at the time of forming a metal thin film layer into a film (following, "sputtering conditions of a metal thin film layer are selected Method (described also). In addition, when a metal layer is comprised only from a metal thin film layer, the conditions for sputtering can be selected so that the outermost surface of a metal thin film layer becomes a desired surface roughness about a metal layer. In the case where the metal layer has a metal thin film layer and a metal plating layer, when forming a metal plating layer on the metal thin film layer, the surface roughness of the surface of the metal plating layer is desired for the metal layer The conditions of sputtering at the time of forming a metal thin film layer so that it may become surface roughness can be chosen.
その他の方法として、金属層が金属薄膜層と、金属めっき層とを含む場合に、金属めっき層を成膜する際のめっき条件を選択することにより、第２の金属層表面を所望の表面粗さとすることができる。 As another method, when the metal layer includes a metal thin film layer and a metal plating layer, the second metal layer surface is desirably roughened by selecting plating conditions for forming the metal plating layer. It can be done.
具体的には例えば、金属めっき層を成膜する金属めっき層形成ステップにおいて、後半の任意のタイミングでＰＲ電流（Ｐｅｒｉｏｄｉｃ Ｒｅｖｅｒｓｅ電流）めっきを行うことにより金属層の表面粗さを所望の表面粗さとする方法（以下、「ＰＲ電流を用いためっき法」とも記載する）が挙げられる。ＰＲ電流めっきは金属めっき層を成膜する際に電流の方向を任意のタイミングで反転させるめっき方法であり、電流の方向は周期的に反転させることができる。ＰＲ電流めっきにおいて、電流の向きを反転させることで、成膜した金属めっきの一部が溶解する。このため、金属めっき層の表面粗さを容易に調整することができる。 Specifically, for example, in the metal plating layer forming step of forming a metal plating layer, PR current (Periodic Reverse current) plating is performed at an arbitrary timing in the latter half, and the surface roughness of the metal layer is made the desired surface roughness and Method (hereinafter, also described as “plating method using PR current”). The PR current plating is a plating method in which the direction of current is reversed at an arbitrary timing when forming a metal plating layer, and the direction of current can be reversed periodically. In PR current plating, part of the formed metal plating is dissolved by reversing the direction of the current. Therefore, the surface roughness of the metal plating layer can be easily adjusted.
この場合、金属めっき層形成ステップは、一定方向に電流を供給して初期金属めっき層を成膜する定方向電流金属めっき層形成ステップと、定方向電流金属めっき層形成ステップの後、電流の向きを周期的に反転させるＰＲ電流めっきを行うＰＲ電流金属めっき層形成ステップとを有することができる。すなわち、金属層形成工程は、金属薄膜層形成ステップと、定方向電流金属めっき層形成ステップと、ＰＲ電流金属めっき層形成ステップとを有することができる。 In this case, the metal plating layer forming step is a directional current metal plating layer forming step of supplying an electric current in a predetermined direction to form an initial metal plating layer, and a direction of current after the directional current metal plating layer forming step. And PR current plating step of periodically reversing PR current plating. That is, the metal layer forming step can include a metal thin film layer forming step, a directed current metal plating layer forming step, and a PR current metal plating layer forming step.
なお、定方向電流金属めっき層形成ステップと、ＰＲ電流金属めっき層形成ステップとは、連続して実施することができる。 The direct current metal plating layer forming step and the PR current metal plating layer forming step can be performed continuously.
また、定方向電流金属めっき層形成ステップと、ＰＲ電流金属めっき層形成ステップとは、単一のめっき槽で実施することが好ましい。これは、単一のめっき槽で実施することで、金属層内の結晶を大きくすることができ、金属層の抵抗を小さくすることができるからである。 Moreover, it is preferable that the directional current metal plating layer forming step and the PR current metal plating layer forming step be performed in a single plating tank. This is because, by carrying out in a single plating tank, the crystals in the metal layer can be enlarged and the resistance of the metal layer can be reduced.
さらに他の方法として、例えば金属めっき層を成膜する金属めっき層形成ステップにおいて、後半の任意のタイミングで、通常のめっき時よりも電流密度（Ｄｋ値）を低下させ、低電流密度で金属めっき層を成膜する方法（以下、「低電流密度を用いためっき法」とも記載する）が挙げられる。低電流密度で金属めっき層を成膜することで、電流密度を下げる前よりも成膜した金属めっき層の表面を粗くすることができるため、電流密度を調整することで、所望の表面粗さとすることができる。 As another method, for example, in the metal plating layer forming step of forming a metal plating layer, the current density (Dk value) is lowered at any timing in the latter half of the time in the latter half of the plating, and metal plating is performed at low current density. A method of forming a layer (hereinafter, also described as “plating method using low current density”) can be mentioned. By depositing the metal plating layer at a low current density, the surface of the deposited metal plating layer can be made rougher than before reducing the current density, so by adjusting the current density, desired surface roughness and can do.
この場合、金属めっき層形成ステップは、例えば０．５Ａ／ｄｍ２以上の電流密度で初期金属めっき層を成膜する初期金属めっき層形成ステップと、初期金属めっき層形成ステップの後、０．１Ａ／ｄｍ２以上０．５Ａ／ｄｍ２以下の電流密度で粗化金属めっき層を成膜する粗化金属めっき層形成ステップとを有することができる。そして、初期金属めっき層と、粗化金属めっき層とで金属めっき層を構成することができる。 In this case, the metal plating layer forming step is, for example, an initial metal plating layer forming step of forming an initial metal plating layer at a current density of 0.5 A / dm 2 or more, and 0.1A after the initial metal plating layer forming step. And forming a roughened metal plated layer at a current density of not less than dm 2 and not more than 0.5 A / dm 2 . And a metal plating layer can be comprised with an initial stage metal plating layer and a roughening metal plating layer.
この場合、金属層形成工程は、金属薄膜層形成ステップと、初期金属めっき層形成ステップと、粗化金属めっき層形成ステップとを有することができる。 In this case, the metal layer forming step can include a metal thin film layer forming step, an initial metal plating layer forming step, and a roughened metal plating layer forming step.
また、初期金属めっき層形成ステップと、粗化金属めっき層形成ステップとについて、各ステップを実施している間、電流密度は一定である必要はなく、変化させることもできる。 Moreover, while performing each step about an initial stage metal plating layer formation step and a roughening metal plating layer formation step, current density does not need to be fixed and can also be changed.
例えば初期金属めっき層形成ステップの場合は、ステップ開始後、目標の電流密度まで徐々に電流密度を上昇させることができる。初期金属めっき層形成ステップにおける最大電流密度は、後述する粗化金属めっき層形成ステップの電流密度よりも大きくなるように設定することが好ましい。また、初期金属めっき層形成ステップにおける電流密度の上限値は、要求される金属めっき層の厚さ、めっき処理槽長、めっき浴の耐電流密度性能等により決まり、特に限定されないが、例えば４Ａ／ｄｍ２以下とすることが好ましい。 For example, in the case of the initial metal plating layer forming step, the current density can be gradually increased to the target current density after the start of the step. The maximum current density in the initial metal plating layer forming step is preferably set to be larger than the current density in the roughened metal plating layer forming step described later. The upper limit value of the current density in the initial metal plating layer forming step is determined by the required thickness of the metal plating layer, the plating treatment tank length, the current density performance of the plating bath, etc., and is not particularly limited. It is preferable to set dm 2 or less.
そして、粗化金属めっき層形成ステップにおける電流密度の制御についても特に限定されないが、例えば設定した粗化金属めっき層形成ステップでの電流密度で一定に保ち、粗化金属めっき層の成膜を行うことができる。 And control of the current density in a roughening metal plating layer formation step is not limited, either, but, for example, a roughening metal plating layer is formed by keeping the current density constant in the roughening metal plating layer formation step set. be able to.
なお、初期金属めっき層形成ステップと、粗化金属めっき層形成ステップとは連続して実施することもできる。この場合は、例えば初期金属めっき層形成ステップで、まず開始時の開始時電流密度から目標とする最大電流密度まで電流密度を上げ、初期金属めっき層を成膜できる。そして、設定した目標の最大電流密度に到達後すぐに、または所定時間保持後、例えば粗化金属めっき層形成ステップでの設定電流密度まで電流密度を下げ、該粗化金属めっき層形成ステップを実施できる。 Note that the initial metal plating layer forming step and the roughened metal plating layer forming step can be performed continuously. In this case, in the initial metal plating layer forming step, for example, the current density can be increased from the start current density at the start to the target maximum current density to form an initial metal plating layer. Then, immediately after reaching the set target maximum current density, or after holding for a predetermined time, the current density is reduced, for example, to the set current density in the roughened metal plating layer forming step, and the roughened metal plating layer forming step is performed. it can.
また、初期金属めっき層形成ステップと、粗化金属めっき層形成ステップとは、単一のめっき槽で実施することが好ましい。これは、単一のめっき槽で実施することで、金属層内の結晶を大きくすることができ、金属層の抵抗を小さくすることができるからである。 Moreover, it is preferable to implement an initial stage metal plating layer formation step and a roughening metal plating layer formation step with a single plating tank. This is because, by carrying out in a single plating tank, the crystals in the metal layer can be enlarged and the resistance of the metal layer can be reduced.
以上に、第２の金属層表面を所望の表面粗さとする方法として、形成した金属層の表面処理をする方法、金属薄膜層のスパッタリング条件を選択する方法、ＰＲ電流を用いためっき法、低電流密度を用いためっき法を挙げたが、これらはいずれか１つの方法を選択して実施することができる。または２つ以上の方法を選択し、組み合わせることで、第２の金属層表面を所望の表面粗さとすることもできる。 Above, as a method of making the surface of the second metal layer a desired surface roughness, a method of surface treating the formed metal layer, a method of selecting sputtering conditions of the metal thin film layer, a plating method using PR current, low Although plating methods using current density have been mentioned, these can be implemented by selecting any one method. Alternatively, the second metal layer surface can be made to have a desired surface roughness by selecting and combining two or more methods.
次に、乾式めっき黒化層形成工程について説明する。 Next, the dry plating blackening layer forming step will be described.
乾式めっき黒化層形成工程においては、乾式めっき法により乾式めっき黒化層を成膜することができる。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。乾式めっき黒化層を乾式めっき法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、乾式めっき黒化層には既述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。 In the dry plating blackening layer forming step, the dry plating blackening layer can be formed by the dry plating method. As the dry plating method, for example, a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method and the like can be preferably used. In the case of forming a dry plating blackening layer by dry plating, it is more preferable to use a sputtering method because control of the film thickness is easy. As described above, one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen and nitrogen can be added to the dry plating blackening layer, and in this case, reactive sputtering can be more preferably used. .
スパッタリング法により乾式めっき黒化層を成膜する場合、ターゲットとしては、乾式めっき黒化層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。乾式めっき黒化層が合金を含む場合には、乾式めっき黒化層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め乾式めっき黒化層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。 When forming a dry plating blackening layer into a film by sputtering method, the target containing metal seed which comprises a dry plating blackening layer can be used. When the dry plating blackening layer contains an alloy, a target may be used for each metal species contained in the dry plating blackening layer, and the alloy may be formed on the surface of a film-forming body such as a substrate. The target which alloyed the metal contained in a metal-plating blackening layer can also be used.
また、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有する乾式めっき黒化層は、乾式めっき黒化層を成膜する際の雰囲気中に、添加する元素を含有するガスを添加しておくことで成膜できる。例えば、乾式めっき黒化層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。 In addition, a dry plating blackening layer containing one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen is a gas containing an element to be added in the atmosphere when forming the dry plating blackening layer. A film can be formed by adding it. For example, carbon monoxide gas and / or carbon dioxide gas is added when carbon is added to the dry plating blackened layer, oxygen gas is added when oxygen is added, hydrogen gas and / or hydrogen is added when hydrogen is added. Water can be added to the atmosphere at the time of dry plating, when nitrogen is added.
炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。 A gas containing one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen is preferably added to an inert gas and used as an atmosphere gas in dry plating. The inert gas is not particularly limited but, for example, argon can be preferably used.
本実施形態の導電性基板の製造方法においては、上述の工程に加えてさらに任意の工程を実施することもできる。 In the method of manufacturing a conductive substrate of the present embodiment, an arbitrary step can be further performed in addition to the above-described steps.
例えば透明基材と金属層との間に密着層を形成する場合、透明基材の金属層を形成する面上に密着層を形成する密着層形成工程を実施することができる。密着層形成工程を実施する場合、金属層形成工程は、密着層形成工程の後に実施することができ、金属層形成工程では、本工程で透明基材上に密着層を形成した基材に金属層を形成できる。 For example, when forming an adhesion layer between a transparent base material and a metal layer, an adhesion layer formation process which forms an adhesion layer on the field which forms a metal layer of a transparent base material can be carried out. When the adhesion layer formation step is carried out, the metal layer formation step can be carried out after the adhesion layer formation step, and in the metal layer formation step, metal is formed on the base on which the adhesion layer is formed on the transparent substrate in this step. Can form a layer.
密着層形成工程において、密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式めっき法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。密着層には既述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。 In the adhesion layer forming step, the film formation method of the adhesion layer is not particularly limited, but it is preferable to form a film by a dry plating method. As the dry plating method, for example, a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method and the like can be preferably used. When the adhesion layer is formed by a dry plating method, it is more preferable to use a sputtering method because control of the film thickness is easy. As described above, one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen and nitrogen can be added to the adhesion layer, and in this case, reactive sputtering can be more preferably used.
なお、金属層や、乾式めっき黒化層、密着層に好適に用いることができる材料や、好適な厚さ等については導電性基板において既述のため、ここでは説明を省略する。 In addition, about the material which can be suitably used for a metal layer, a dry plating blackening layer, an adhesion layer, suitable thickness, etc., since it is as stated in a conductive substrate, description is abbreviate | omitted here.
本実施形態の導電性基板の製造方法で得られる導電性基板は例えばタッチパネル等の各種用途に用いることができる。そして、各種用途に用いる場合には、本実施形態の導電性基板に含まれる金属層、及び乾式めっき黒化層がパターニングされていることが好ましい。なお、密着層を設ける場合は、密着層についてもパターニングされていることが好ましい。金属層、及び乾式めっき黒化層、場合によってはさらに密着層は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターニングすることができ、金属層、及び乾式めっき黒化層、場合によってはさらに密着層は、透明基材の主表面と平行な面における断面が同じ形状となるようにパターニングされていることが好ましい。 The conductive substrate obtained by the method for producing a conductive substrate of the present embodiment can be used, for example, in various applications such as a touch panel. And when using for various uses, it is preferable that the metal layer contained in the conductive substrate of this embodiment and the dry plating blackening layer are patterned. In the case where the adhesion layer is provided, it is preferable that the adhesion layer is also patterned. The metal layer, and the dry plating blackening layer, and optionally the adhesion layer, can be patterned, for example, according to the desired wiring pattern, the metal layer, and the dry plating blackening layer, optionally, the adhesion layer, It is preferable that it is patterned so that the cross section in the surface parallel to the main surface of a transparent base material becomes the same shape.
そこで、本実施形態の導電性基板の製造方法は、金属層、及び乾式めっき黒化層をパターニングするパターニング工程を有することができる。なお、密着層を形成した場合には、パターニング工程は、密着層、金属層、及び乾式めっき黒化層をパターニングする工程とすることができる。 So, the manufacturing method of the conductive substrate of this embodiment can have the patterning process of patterning a metal layer and a dry plating blackening layer. When the adhesion layer is formed, the patterning process can be a process of patterning the adhesion layer, the metal layer, and the dry plating blackening layer.
パターニング工程の具体的手順は特に限定されるものではなく、任意の手順により実施することができる。例えば図１（ａ）のように透明基材１１上に金属層１２、乾式めっき黒化層１３が積層された導電性基板１０Ａの場合、まず乾式めっき黒化層１３上の表面Ａに所望のパターンを有するレジストを配置するレジスト配置ステップを実施することができる。次いで、乾式めっき黒化層１３上の表面Ａ、すなわち、レジストを配置した面側にエッチング液を供給するエッチングステップを実施できる。
The specific procedure of the patterning step is not particularly limited, and can be performed by any procedure. For example, in the case of the
エッチングステップにおいて用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、エッチングを行う層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に金属層及び乾式めっき黒化層、場合によってはさらに密着層をエッチングすることもできる。 The etchant used in the etching step is not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the material constituting the layer to be etched. For example, the etching solution can be changed layer by layer, or the metal layer and the dry plating blackening layer, and in some cases, the adhesion layer can be simultaneously etched with the same etching solution.
また、図１（ｂ）のように透明基材１１の一方の面１１ａ、他方の面１１ｂに金属層１２１、１２２、乾式めっき黒化層１３１、１３２を積層した導電性基板１０Ｂについてもパターニングするパターニング工程を実施できる。この場合例えば乾式めっき黒化層１３１、１３２上の表面Ａ、及び表面Ｂに所望のパターンを有するレジストを配置するレジスト配置ステップを実施できる。次いで、乾式めっき黒化層１３１、１３２上の表面Ａ、及び表面Ｂ、すなわち、レジストを配置した面側にエッチング液を供給するエッチングステップを実施できる。
Further, as shown in FIG. 1B, patterning is also performed on the
エッチングステップで形成するパターンについては特に限定されるものではなく、任意の形状とすることができる。例えば図１（ａ）に示した導電性基板１０Ａの場合、既述のように金属層１２、乾式めっき黒化層１３を複数の直線や、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）を含むようにパターンを形成することができる。
The pattern to be formed in the etching step is not particularly limited, and may have an arbitrary shape. For example, in the case of the
また、図１（ｂ）に示した導電性基板１０Ｂの場合、金属層１２１と、金属層１２２とでメッシュ状の配線となるようにパターンを形成することができる。この場合、乾式めっき黒化層１３１と、金属層１２１とは、透明基材１１の一方の面１１ａと平行な面での断面形状が同様の形状となるようにパターニングを行うことが好ましい。また、乾式めっき黒化層１３２と金属層１２２とは、透明基材１１の他方の面１１ｂと平行な面での断面形状が同様の形状になるようにパターニングを行うことが好ましい。
In the case of the
また、例えばパターニング工程で上述の導電性基板１０Ａについて金属層１２等をパターニングした後、パターニングした２枚以上の導電性基板を積層する積層工程を実施することもできる。積層する際、例えば各導電性基板の金属層のパターンが交差するように積層することにより、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を得ることもできる。
For example, after patterning the
積層した２枚以上の導電性基板を固定する方法は特に限定されるものではないが、例えば接着剤等により固定することができる。 Although the method of fixing the laminated two or more conductive substrates is not particularly limited, for example, it can be fixed by an adhesive or the like.
以上の本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板によれば、乾式めっき黒化層の厚さに応じて金属層と乾式めっき黒化層との密着性を高めており、エッチング均一性に優れた導電性基板とすることができる。 According to the conductive substrate obtained by the above method for producing a conductive substrate of the present embodiment, the adhesion between the metal layer and the dry plating blackening layer is enhanced according to the thickness of the dry plating blackening layer, A conductive substrate excellent in etching uniformity can be obtained.
以下に具体的な実施例、比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって、なんら限定されるものではない。
（評価方法）
以下の実験例１〜７において作製した導電性基板の評価方法について説明する。
（１）表面粗さＲａ
以下の実施例、比較例では、図２（ａ）に示した導電性基板を作製した。そして、導電性基板を作製する際、金属層１２の成膜後、乾式めっき黒化層１３を成膜する前に、金属層１２の第２の金属層表面１２ｂの表面粗さを評価した。
The present invention will be described in more detail by the following specific examples and comparative examples, but the present invention is not limited by these examples.
(Evaluation method)
The evaluation method of the conductive substrate produced in the following experimental examples 1 to 7 will be described.
(1) Surface roughness Ra
In the following examples and comparative examples, the conductive substrate shown in FIG. 2A was produced. Then, when producing the conductive substrate, the surface roughness of the second
表面粗さＲａは、形状解析レーザー顕微鏡（キーエンス社製 型式：ＶＫ―Ｘ１５０）を用いて測定しており、表１中Ｒａとして示している。 The surface roughness Ra is measured using a shape analysis laser microscope (model: VK-X150, manufactured by Keyence Corporation), and is shown as Ra in Table 1.
また、表面粗さＲａを乾式めっき黒化層の厚さｔで割ったＲａ／ｔについても算出した。なお、厚さｔはいずれの実験例でも０．０２μｍ（２０ｎｍ）となる。
（２）エッチング時間差
エッチング液として、３質量％塩化第二鉄と０．３質量％塩酸とを混合した水溶液を用意し、エッチング液の温度を室温（２５℃）に保持した。
Moreover, it calculated also about Ra / t which divided surface roughness Ra by thickness t of the dry plating blackening layer. The thickness t is 0.02 μm (20 nm) in any of the experimental examples.
(2) Etching time difference An aqueous solution in which 3 mass% ferric chloride and 0.3 mass% hydrochloric acid were mixed was prepared as an etching liquid, and the temperature of the etching liquid was maintained at room temperature (25 ° C.).
そして、幅が４０ｃｍの、各実験例で作製した導電性基板をエッチング液に浸漬した。この際、導電性基板の乾式めっき黒化層１３の表面１３ｂ側から見た場合に、導電性基板の幅方向の両端部、及び幅方向の中央部の３点において、透明基材が露出するまでの溶解に要する時間（秒）を計測した。なお、これらは幅方向に沿った同一直線上に位置している。そして、３つの測定点で溶解に要する時間を比較し、最も長い時間と短い時間の差をエッチング時間差（秒）として算出した。
Then, the conductive substrate produced in each of the experimental examples having a width of 40 cm was immersed in the etching solution. Under the present circumstances, when it sees from the
本発明の発明者らの検討によれば、エッチング時間差が６秒以下であれば、所望の微細な配線パターンを形成することができ、エッチング均一性に優れた導電性基板といえる。このため、エッチング時間差が６秒以内の場合には〇と評価し、合格とした。そして、６秒よりも長かった場合には、×と評価し、不合格とした。
（導電性基板の作製条件）
以下に各実験例における導電性基板の作製条件、及び評価結果を示す。なお、実験例１〜実験例４が実施例、実験例５〜実験例７が比較例となる。
［実験例１］
図２（ａ）に示した構造を有する導電性基板を作製した。
（透明基材準備工程、密着層形成工程）
まず、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材の一方の面上に密着層を形成した。
According to the examination of the inventors of the present invention, if the etching time difference is 6 seconds or less, a desired fine wiring pattern can be formed, and it can be said that the substrate is a conductive substrate excellent in etching uniformity. For this reason, when the etching time difference was less than 6 seconds, it evaluated as (circle) and set it as the pass. And when it was longer than 6 seconds, it evaluated as x and made it rejection.
(Conditions of preparation of conductive substrate)
The preparation conditions of the conductive substrate in each experimental example and the evaluation result are shown below. In addition, Experimental example 1-Experimental example 4 become an Example, Experimental example 5-Experimental example 7 become a comparative example.
[Experimental Example 1]
A conductive substrate having the structure shown in FIG. 2 (a) was produced.
(Transparent base material preparation process, adhesion layer formation process)
First, an adhesion layer was formed on one side of a 100 μm thick transparent substrate made of polyethylene terephthalate resin (PET).
なお、透明基材として用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材について、可視光透過率をＪＩＳ Ｋ ７３６１−１に規定された方法により評価を行ったところ９７％であった。 In addition, it was 97% when the visible light transmittance | permeability was evaluated by the method prescribed | regulated to JISK7361-1 about the transparent base material made from the polyethylene terephthalate resin used as a transparent base material.
密着層は、ニッケル７０ｗｔ％と、銅３０ｗｔ％とを含有するニッケル−銅合金のターゲットを用い、スパッタリング法により成膜した。成膜に当たっては、予め６０℃まで加熱して水分を除去した上記透明基材をスパッタリング装置のチャンバー内にセットし、チャンバー内を１×１０−４Ｐａ以下まで排気した後、チャンバー内に、酸素ガスを３０体積％含む、酸素−アルゴンガスを導入し、チャンバー内の圧力を０．３Ｐａとした。 The adhesion layer was formed by sputtering using a target of a nickel-copper alloy containing 70 wt% of nickel and 30 wt% of copper. In the film formation, the above-mentioned transparent substrate from which moisture has been removed by heating to 60 ° C. in advance is set in the chamber of the sputtering apparatus, the chamber is evacuated to 1 × 10 −4 Pa or less, and then oxygen is introduced into the chamber. Oxygen-argon gas containing 30% by volume of gas was introduced, and the pressure in the chamber was 0.3 Pa.
そして係る雰囲気下でターゲットに電力を供給し、透明基材の一方の主表面上に厚さが２０ｎｍとなるように酸素を含有するＮｉ−Ｃｕ合金から構成される密着層を成膜した。
（金属層形成工程）
続いて、密着層を成膜した透明基材の密着層上に金属層を成膜した。
Then, electric power was supplied to the target under such an atmosphere, and an adhesion layer composed of a Ni—Cu alloy containing oxygen was formed on one of the main surfaces of the transparent substrate so as to have a thickness of 20 nm.
(Metal layer formation process)
Subsequently, a metal layer was formed on the adhesion layer of the transparent substrate on which the adhesion layer was formed.
金属層は、金属薄膜層形成ステップ、初期金属めっき層形成ステップ、粗化金属めっき層形成ステップを実施することで成膜した。以下、各ステップについて説明する。 A metal layer was formed into a film by implementing a metal thin film layer formation step, an initial stage metal plating layer formation step, and a roughening metal plating layer formation step. Each step will be described below.
金属薄膜層は、ターゲットとして銅のターゲットを用い、チャンバー内を排気後、酸素−アルゴンガスではなく、アルゴンガスを導入した点以外は密着層の場合と同様にして密着層の上面に厚さが８０ｎｍの金属薄膜層として銅薄膜層を成膜した。 The metal thin film layer has a thickness on the upper surface of the adhesion layer in the same manner as in the case of the adhesion layer except that a copper target is used as a target and the inside of the chamber is evacuated and then argon gas is introduced instead of oxygen-argon gas. A copper thin film layer was formed as a metal thin film layer of 80 nm.
初期金属めっき層形成ステップ、及び粗化金属めっき層形成ステップは、透明基材上に密着層、金属薄膜層が形成された基材を金属めっき槽に供給して、単一のめっき槽で連続して実施した。 In the initial metal plating layer forming step and the roughened metal plating layer forming step, the base material having the adhesion layer and the metal thin film layer formed on the transparent base material is supplied to the metal plating tank and continuous in a single plating tank It carried out.
めっき液としては、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド−ＳＯ２共重合体を添加した銅めっき液を用いた。具体的には、銅、硫酸、及び塩素についての濃度が、銅３０ｇ／Ｌ、硫酸８０ｇ／Ｌ、塩素５０ｍｇ／Ｌとなるように調製した銅めっき液を用いた。用いた銅めっき液には、添加剤として上述のＤＤＡＣ−ＳＯ２共重合体（ジアリルジメチルアンモニウムクロライド−ＳＯ２共重合体）を２０ｍｇ／Ｌとなるように添加している。また、めっき液にはＤＤＡＣ以外に、ポリマー成分としてＰＥＧ（ポリエチレングリコール）が６５０ｍｇ／Ｌ、ブライトナー成分としてＳＰＳ（ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド）が１５ｍｇ／Ｌとなるように添加している。めっき液は以下の初期金属めっき層形成ステップ、及び粗化金属めっき層形成ステップにおいて、３０℃に調整して使用した。 As a plating solution, a copper plating solution to which diallyldimethyl ammonium chloride-SO 2 copolymer was added was used. Specifically, a copper plating solution prepared so that the concentrations of copper, sulfuric acid and chlorine were 30 g / L of copper, 80 g / L of sulfuric acid and 50 mg / L of chlorine was used. The copper plating solution used, DDAC-SO 2 copolymer above the (diallyl dimethyl ammonium chloride -SO 2 copolymer) are added to a 20 mg / L as an additive. In addition to DDAC, the plating solution contains 650 mg / L of PEG (polyethylene glycol) as the polymer component and 15 mg / L of SPS (bis (3-sulfopropyl) disulfide) as the brightener component. . The plating solution was adjusted to 30 ° C. and used in the following initial metal plating layer forming step and roughened metal plating layer forming step.
そして、まず初期金属めっき層形成ステップとして、電流密度を０．５Ａ／ｄｍ２から開始し、めっき厚が厚くなるに従って、電流密度を２．０Ａ／ｄｍ２まで上げ、２分間保持し、初期金属めっき層形成ステップを終了した。 Then, first, as an initial metal plating layer formation step, the current density is started from 0.5 A / dm 2 , and the current density is increased to 2.0 A / dm 2 as the plating thickness becomes thicker, and held for 2 minutes. The plating layer formation step was completed.
続けて、電流密度を０．３Ａ／ｄｍ２として、粗化金属めっき層形成ステップを実施した。粗化金属めっき層形成ステップの時間は０．５分間とした。 Subsequently, the roughened metal plating layer forming step was performed at a current density of 0.3 A / dm 2 . The time for the roughened metal plating layer formation step was 0.5 minutes.
なお、金属めっき層形成ステップと、粗化金属めっき層形成ステップとを実施することで、金属めっき層として厚さ０．５μｍの銅めっき層を形成した。従って、金属層として、銅薄膜層と、銅めっき層とあわせて厚さ０．５８μｍの銅層を形成した。 In addition, the 0.5-micrometer-thick copper plating layer was formed as a metal plating layer by implementing a metal plating layer formation step and a roughening metal plating layer formation step. Therefore, as a metal layer, a copper thin film layer and a copper plating layer were combined to form a 0.58 μm thick copper layer.
金属層形成工程後、乾式めっき黒化層形成工程を実施する前に、既述の方法により、第２の金属層表面の表面粗さの評価を行った。結果を表１に示す。
（乾式めっき黒化層形成工程）
密着層と同様にして、乾式めっき法により、乾式めっき黒化層として、酸素を含有するニッケル−銅合金層を成膜した。
［実験例２〜実験例７］
各実験例において、粗化金属めっき層形成ステップを実施する時間を変更し、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａを表１に示す値となるようにした点以外は、実験例１と同様にして、導電性基板の作製、及び評価を行った。結果を表１に示す。
After the metal layer forming step, before performing the dry plating blackening layer forming step, the surface roughness of the surface of the second metal layer was evaluated by the method described above. The results are shown in Table 1.
(Dry plating darkening layer formation process)
In the same manner as in the adhesion layer, a nickel-copper alloy layer containing oxygen was formed as a dry plating blackening layer by a dry plating method.
[Experimental Example 2 to Experimental Example 7]
In each experimental example, the time for carrying out the step of forming the roughened metal plating layer was changed, and the surface roughness Ra of the surface of the metal layer facing the dry plating blackening layer was made to be a value shown in Table 1 In the same manner as in Experimental Example 1, production and evaluation of a conductive substrate were performed. The results are shown in Table 1.
これに対して、比較例であり、金属層の乾式めっき黒化層と対向する面である第２の金属層表面の表面粗さＲａ（μｍ）が、乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍未満である実験例５〜実験例７は、評価が×になっていることが確認できる。従って、実験例５〜実験例７で作製した導電性基板はエッチング均一性を有しない導電性基板であり、配線パターンを形成する際に所望の形状とすることができない場合がある。 On the other hand, in the comparative example, the surface roughness Ra (μm) of the surface of the second metal layer which is the surface facing the dry plating blackening layer of the metal layer is the thickness (μm) of the dry plating blackening layer In Experimental Examples 5 to 7 which are less than 1.0 times the value of), it can be confirmed that the evaluation is x. Therefore, the conductive substrate produced in Experimental Example 5 to Experimental Example 7 is a conductive substrate having no etching uniformity, and may not have a desired shape when forming a wiring pattern.
１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ、３０ 導電性基板
１１、１１１、１１２ 透明基材
１２、１２１、１２２ 金属層
１３、１３１、１３２、３２１、３２２ 乾式めっき黒化層
10A, 10B, 20A, 20B, 30
Claims (2)
前記透明基材の少なくとも一方の面上に配置された金属層と、
前記金属層上に配置された乾式めっき黒化層とを有し、
前記金属層の前記乾式めっき黒化層と対向する面の表面粗さＲａ（μｍ）が、前記乾式めっき黒化層の厚さ（μｍ）の１．０倍以上であり、
前記金属層が金属めっき層を有する導電性基板。 A transparent substrate,
A metal layer disposed on at least one surface of the transparent substrate;
And dry plating blackening layer disposed on the metal layer;
Surface roughness of the dry plating blackening layer facing the surface of the metal layer Ra ([mu] m) is state, and are 1.0 times or more of the thickness of the dry plating blackening layer ([mu] m),
Conductive substrate wherein the metal layer is that having a metal plating layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016076159A JP6531699B2 (en) | 2016-04-05 | 2016-04-05 | Conductive substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016076159A JP6531699B2 (en) | 2016-04-05 | 2016-04-05 | Conductive substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017185689A JP2017185689A (en) | 2017-10-12 |
| JP6531699B2 true JP6531699B2 (en) | 2019-06-19 |
Family
ID=60043795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016076159A Active JP6531699B2 (en) | 2016-04-05 | 2016-04-05 | Conductive substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6531699B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7230564B2 (en) * | 2019-02-15 | 2023-03-01 | 住友金属鉱山株式会社 | Method for manufacturing copper-clad laminate |
| JP7343280B2 (en) * | 2019-02-15 | 2023-09-12 | 住友金属鉱山株式会社 | Manufacturing method for copper clad laminates |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223886A (en) * | 1999-01-28 | 2000-08-11 | Nisshinbo Ind Inc | Perspective electromagnetic wave shield material and its manufacture |
| JP4962100B2 (en) * | 2007-01-16 | 2012-06-27 | 住友金属鉱山株式会社 | Heat-resistant light-shielding film, method for manufacturing the same, diaphragm, and light amount adjusting device |
| CN105706182B (en) * | 2013-10-31 | 2017-07-28 | 住友金属矿山股份有限公司 | The manufacture method of conductive board, conductive board |
| JP6497391B2 (en) * | 2014-07-31 | 2019-04-10 | 住友金属鉱山株式会社 | Conductive substrate for touch panel, manufacturing method of conductive substrate for touch panel |
-
2016
- 2016-04-05 JP JP2016076159A patent/JP6531699B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017185689A (en) | 2017-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3101517B1 (en) | Conductive substrate, conductive substrate laminate, method for producing conductive substrate, and method for producing conductive substrate laminate | |
| JP6531699B2 (en) | Conductive substrate | |
| JP6597459B2 (en) | Conductive substrate, method for manufacturing conductive substrate | |
| TWI751111B (en) | Conductive substrate | |
| KR102533946B1 (en) | conductive substrate | |
| TWI655570B (en) | Conductive substrate, laminated conductive substrate, method for producing conductive substrate, and method for producing laminated conductive substrate | |
| CN108885509B (en) | Conductive substrate | |
| JP6597139B2 (en) | Blackening plating solution, conductive substrate | |
| WO2016190224A1 (en) | Blackening plating solution and conductive substrate | |
| WO2017130865A1 (en) | Blackening plating solution and method for manufacturing conductive substrate | |
| JP6500746B2 (en) | Method of manufacturing conductive substrate | |
| WO2017130869A1 (en) | Blackening plating solution and method for manufacturing conductive substrate | |
| JP6365422B2 (en) | Method for manufacturing conductive substrate | |
| CN107850966B (en) | Conductive substrate | |
| JPWO2018193940A1 (en) | Conductive substrate | |
| WO2017130866A1 (en) | Blackening plating solution and method for manufacturing conductive substrate | |
| CN108495749B (en) | Conductive substrate | |
| WO2016068153A1 (en) | Conductive substrate production method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180405 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181219 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181225 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190214 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190423 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190506 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6531699 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |