JP2014049642A5

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Publication number: JP2014049642A5
Application number: JP2012192143A
Authority: JP
Filing date: 2012-08-31
Publication date: 2015-10-15
Anticipated expiration: 2032-08-31

Claims

発光素子が支持体にフリップチップ実装された発光装置の製造方法であって、
（ａ）基板と、基板上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成されたｐ側電極およびｎ側電極とを有する構造体を準備し、
（ｂ）ｐ側配線およびｎ側配線を同一面上に有する支持体を準備し、
（ｃ）前記構造体のｐ側電極およびｎ側電極と前記支持体のｐ側配線およびｎ側配線とを、導電性粒子および第１樹脂を含む異方性導電材料を用いて、それぞれ電気的に接続し、その後、
（ｄ）前記基板を前記構造体から除去して発光素子とする
ことを含む、発光装置の製造方法。 A method of manufacturing a light emitting device in which a light emitting element is flip-chip mounted on a support,
(A) preparing a structure having a substrate, a semiconductor layer formed on the substrate, and a p-side electrode and an n-side electrode formed on the semiconductor layer;
(B) preparing a support having a p-side wiring and an n-side wiring on the same surface;
(C) The p-side electrode and the n-side electrode of the structure body and the p-side wiring and the n-side wiring of the support body are electrically connected using an anisotropic conductive material including conductive particles and a first resin, respectively. Then connect to
(D) A method for manufacturing a light emitting device, comprising removing the substrate from the structure to form a light emitting element.

工程（ｃ）にて、前記異方性導電材料は、前記構造体と前記支持体との間の空間を満たすと共に、前記基板の側面に少なくとも部分的に接触している、請求項１に記載の発光装置の製造方法。 2. The process according to claim 1, wherein in step (c), the anisotropic conductive material fills a space between the structure and the support and is at least partially in contact with a side surface of the substrate. Method for manufacturing the light emitting device.

工程（ｄ）にて、前記基板の除去をレーザー照射により実施する、請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。 The manufacturing method of the light-emitting device according to claim 1 or 2, wherein in step (d), the substrate is removed by laser irradiation.

工程（ｃ）より後に、
（ｐ）前記構造体の周りを囲むようにして、前記異方性導電材料上に、該異方性導電材料より高い反射率を有する光反射体を形成することを更に含む、請求項１〜３のいずれかに記載の発光装置の製造方法。 After step (c)
(P) Further comprising forming a light reflector having a higher reflectance than the anisotropic conductive material on the anisotropic conductive material so as to surround the structure. The manufacturing method of the light-emitting device in any one.

工程（ｐ）を工程（ｄ）より前に実施する、請求項４に記載の発光装置の製造方法。 The manufacturing method of the light-emitting device of Claim 4 which implements a process (p) before a process (d).

前記光反射体が、シリコーン系樹脂に光反射性粒子を分散させて成る層、金属層、および誘電体多層膜からなる群より選択される、請求項４または５に記載の発光装置の製造方法。 6. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 4, wherein the light reflector is selected from the group consisting of a layer formed by dispersing light reflective particles in a silicone-based resin, a metal layer, and a dielectric multilayer film. .

工程（ｄ）より後に、
（ｑ）前記基板の除去により露出した前記半導体層上に蛍光体層を形成することを更に含む、請求項１〜６のいずれかに記載の発光装置の製造方法。 After step (d),
(Q) The manufacturing method of the light-emitting device according to any one of claims 1 to 6, further comprising forming a phosphor layer on the semiconductor layer exposed by removing the substrate.

工程（ｑ）は、前記半導体層上に蛍光体シートを接着することまたは蛍光体膜を電着形成することにより実施される、請求項７に記載の発光装置の製造方法。 The method of manufacturing a light-emitting device according to claim 7, wherein the step (q) is performed by adhering a phosphor sheet or electrodepositing a phosphor film on the semiconductor layer.

工程（ｄ）より後、工程（ｑ）より前に、
（ｒ）前記基板の除去により露出した前記半導体層の周囲で、該半導体層より突出した前記異方性導電材料の部分を除去することを更に含む、請求項７または８に記載の発光装置の製造方法。 After step (d) and before step (q),
The light emitting device according to claim 7, further comprising: (r) removing the portion of the anisotropic conductive material protruding from the semiconductor layer around the semiconductor layer exposed by removing the substrate. Production method.

工程（ｑ）は、前記基板の除去により露出した前記半導体層の周囲で、該半導体層より突出した異方性導電材料の部分を壁部として、該壁部で囲まれた該半導体層上の窪みに蛍光体含有樹脂を供給し、硬化させることにより実施される、請求項７に記載の発光装置の製造方法。 In the step (q), the portion of the anisotropic conductive material protruding from the semiconductor layer around the semiconductor layer exposed by removing the substrate is used as a wall portion, and the semiconductor layer surrounded by the wall portion is formed. The manufacturing method of the light-emitting device according to claim 7, which is performed by supplying a phosphor-containing resin to the depression and curing the resin.

工程（ｃ）より前に、
（ｓ）前記構造体のｐ側電極およびｎ側電極上、あるいは、前記支持体のｐ側配線およびｎ側配線上にバンプを形成することを更に含み、
工程（ｃ）にて、前記構造体のｐ側電極およびｎ側電極と前記支持体のｐ側配線およびｎ側配線とを、前記異方性導電材料を用いて、前記バンプを介して、それぞれ電気的に接続する、請求項１〜１０のいずれかに記載の発光装置の製造方法。 Before step (c),
(S) further comprising forming bumps on the p-side electrode and n-side electrode of the structure, or on the p-side wiring and n-side wiring of the support,
In the step (c), the p-side electrode and the n-side electrode of the structure and the p-side wiring and the n-side wiring of the support are respectively formed through the bumps using the anisotropic conductive material. The manufacturing method of the light-emitting device in any one of Claims 1-10 electrically connected.

工程（ａ）にて、ｐ側電極およびｎ側電極が開口部を有する保護膜で被覆されており、
工程（ｓ）にて、バンプをｐ側電極およびｎ側電極上に、該保護膜の開口部に位置し、かつバンプの頂部が保護膜から突出するように形成する、請求項１１に記載の発光装置の製造方法。 In the step (a), the p-side electrode and the n-side electrode are covered with a protective film having an opening,
12. The bump according to claim 11, wherein the bump is formed on the p-side electrode and the n-side electrode in the step (s) so as to be positioned in the opening of the protective film and the top of the bump protrudes from the protective film. Manufacturing method of light-emitting device.

前記異方性導電材料はフィラーを更に含み、該フィラーは、前記第１樹脂よりも伝熱性の高い材料でできている、請求項１〜１２のいずれかに記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 1, wherein the anisotropic conductive material further includes a filler, and the filler is made of a material having higher heat conductivity than the first resin .

前記導電性粒子は、第２樹脂から成るコアと、該コアを被覆する金属から成る導電性層とにより構成されている、請求項１〜１３のいずれかに記載の発光装置の製造方法。 The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 1, wherein the conductive particles include a core made of a second resin and a conductive layer made of a metal that covers the core.

前記第１樹脂の熱膨張係数に対する、該第１樹脂の熱膨張係数と前記第２樹脂の熱膨張係数との差の絶対値の割合が、１．０以下である、請求項１４に記載の発光装置の製造方法。 The ratio of the absolute value of the difference between the thermal expansion coefficient of the first resin and the thermal expansion coefficient of the second resin with respect to the thermal expansion coefficient of the first resin is 1.0 or less. Manufacturing method of light-emitting device.

前記異方性導電材料から前記導電性粒子を除いた材料の平均熱膨張係数に対する、該平均熱膨張係数と前記第２樹脂の熱膨張係数との差の絶対値の割合が、１．０以下である、請求項１４または１５に記載の発光装置の製造方法。 The ratio of the absolute value of the difference between the average thermal expansion coefficient and the thermal expansion coefficient of the second resin to the average thermal expansion coefficient of the material obtained by removing the conductive particles from the anisotropic conductive material is 1.0 or less. The manufacturing method of the light-emitting device of Claim 14 or 15 which is.

半導体層と、前記半導体層の同一面側に形成されたｐ側電極およびｎ側電極とを有する発光素子と、
ｐ側配線およびｎ側配線を同一面上に有する支持体と、
前記発光素子の半導体層の、前記ｐ側電極および前記ｎ側電極が形成された面と反対側の面に配置された蛍光体層と
を備え、
前記発光素子のｐ側電極およびｎ側電極と前記支持体のｐ側配線およびｎ側配線とが、少なくとも異方性導電材料によって、それぞれ電気的に接続されており、該異方性導電材料は導電性粒子および第１樹脂を含むことを特徴とする発光装置。 A light-emitting element having a semiconductor layer, and a p-side electrode and an n-side electrode formed on the same side of the semiconductor layer;
a support having a p-side wiring and an n-side wiring on the same surface;
A phosphor layer disposed on a surface of the semiconductor layer of the light emitting element opposite to the surface on which the p-side electrode and the n-side electrode are formed, and
The p-side electrode and the n-side electrode of the light emitting element and the p-side wiring and the n-side wiring of the support are electrically connected by at least an anisotropic conductive material, respectively. A light-emitting device comprising conductive particles and a first resin.

前記異方性導電材料は、前記発光素子と前記支持体との間の空間を満たすと共に、前記蛍光体層の側面に少なくとも部分的に接触している、請求項１７に記載の発光装置。 The light-emitting device according to claim 17, wherein the anisotropic conductive material fills a space between the light-emitting element and the support and is at least partially in contact with a side surface of the phosphor layer.

前記発光素子のｐ側電極およびｎ側電極上、あるいは、前記支持体のｐ側配線およびｎ側配線上に設けられたバンプを更に備え、
前記発光素子のｐ側電極およびｎ側電極と前記支持体のｐ側配線およびｎ側配線とが、前記異方性導電材料および前記バンプによって、それぞれ電気的に接続されている、請求項１７または１８に記載の発光装置。 Further comprising bumps provided on the p-side electrode and the n-side electrode of the light-emitting element, or on the p-side wiring and the n-side wiring of the support,
The p-side electrode and the n-side electrode of the light emitting element and the p-side wiring and the n-side wiring of the support are electrically connected by the anisotropic conductive material and the bump, respectively. 18. The light emitting device according to 18.

前記発光素子の周囲で前記異方性導電材料上に配置された光反射体を更に備える、請求項１７〜１９のいずれかに記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 17 to 19, further comprising a light reflector disposed on the anisotropic conductive material around the light emitting element.

前記フィラーは、金属酸化物、金属窒化物およびカーボンからなる群より選択される少なくとも１種の粒子である、請求項１３に記載の発光装置の製造方法。The method for manufacturing a light emitting device according to claim 13, wherein the filler is at least one kind of particles selected from the group consisting of a metal oxide, a metal nitride, and carbon.

前記異方性導電材料はフィラーを更に含み、該フィラーは、前記第１樹脂よりも伝熱性の高い材料でできている、請求項１７〜２０のいずれかに記載の発光装置。The light emitting device according to any one of claims 17 to 20, wherein the anisotropic conductive material further includes a filler, and the filler is made of a material having higher heat conductivity than the first resin.

前記フィラーは、金属酸化物、金属窒化物およびカーボンからなる群より選択される少なくとも１種の粒子である、請求項２２に記載の発光装置。The light emitting device according to claim 22, wherein the filler is at least one kind of particles selected from the group consisting of a metal oxide, a metal nitride, and carbon.