JP2014048402A - Optical filter member and imaging device - Google Patents

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貴博 大蔵
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a filter member capable of further reducing incident angle dependency.SOLUTION: An optical filter member 3 includes a substrate 31 comprising an infrared absorbing glass and an optical film provided on a surface of the substrate 31. The optical film includes a first dielectric multilayer film 32 and a second dielectric multilayer film 33, each having a plurality of dielectric layers with different refractive indices. An average refractive index in the entire second dielectric multilayer film 33 is higher than an average refractive index in the entire first dielectric multilayer film 32.

Description

本発明は、光学フィルタ部材および撮像装置に関するものである。   The present invention relates to an optical filter member and an imaging device.

例えばCCDまたはCMOS等の撮像素子を有するカラー撮像装置等において、可視領域外の波長範囲に含まれる赤外線を遮断する部品として、ホウケイ酸ガラスの表面に光学膜が形成された構造を有する光学フィルタ部材が用いられてきた。カラー撮像装置等において、可視領域外の波長範囲に含まれる赤外線が撮像素子に入射されると、撮像の精度が低下するため、赤外線を遮断する光学フィルタが用いられている。光学フィルタにおける光学膜は、互いに屈折率の異なる2種類の光学層が例えば40〜50層に渡って交互に積層されたものであった。なお、撮像装置は、光学フィルタ部材に光を集めるレンズを有することがある。   For example, an optical filter member having a structure in which an optical film is formed on the surface of borosilicate glass as a part for blocking infrared rays included in a wavelength range outside the visible range in a color imaging device having an imaging element such as a CCD or CMOS Has been used. In a color imaging device or the like, when infrared rays included in a wavelength range outside the visible region are incident on the imaging element, an imaging filter is used, and thus an optical filter that blocks infrared rays is used. The optical film in the optical filter is obtained by alternately stacking, for example, 40 to 50 layers of two types of optical layers having different refractive indexes. Note that the imaging apparatus may include a lens that collects light on the optical filter member.

特開2008−60121号公報JP 2008-60121 A

近年の撮像装置の薄型化に伴って、レンズと光学フィルタ部材との間の距離が狭まってきており、光学フィルタ部材の中央領域に入射される光と光学フィルタ部材の周辺領域に入射される光とで光の入射角の違いが大きくなってきている。光学膜を構成する光学層は、光の入射角の違いによって異なる光学特性を有するため、光の入射角の違いによって撮像画像の中心付近と周辺の色合いに差が出やすくなり、例えばいわゆるゴーストが発生し易くなるために、画像の質に影響を与える場合がある。また、光学フィルタ部材において、所望の波長範囲の光の透過率を向上させて、画像の質を向上させたいという要求もある。   With the recent thinning of the imaging device, the distance between the lens and the optical filter member has been reduced, and the light incident on the central region of the optical filter member and the light incident on the peripheral region of the optical filter member The difference in the incident angle of light is increasing. Since the optical layer constituting the optical film has different optical characteristics depending on the difference in the incident angle of light, the difference in the incident angle of the light tends to cause a difference in the hue near the center of the captured image, for example, so-called ghost. Since it is likely to occur, the quality of the image may be affected. There is also a demand for improving the image quality in the optical filter member by improving the transmittance of light in a desired wavelength range.

本発明の一つの態様による光学フィルタ部材は、赤外線吸収ガラスから成る基体と、基体の表面に設けられた光学膜とを含んでいる。光学膜は、それぞれ屈折率の異なる複数の誘電体層が積層されている第1の誘電体多層膜および第2の誘電体多層膜を含んでいる。第2の誘電体多層膜全体の平均屈折率は、第1の誘電体多層膜全体の平均屈折率よりも高い。   An optical filter member according to one aspect of the present invention includes a base made of infrared absorbing glass and an optical film provided on the surface of the base. The optical film includes a first dielectric multilayer film and a second dielectric multilayer film in which a plurality of dielectric layers having different refractive indexes are stacked. The average refractive index of the entire second dielectric multilayer film is higher than the average refractive index of the entire first dielectric multilayer film.

本発明の他の態様による撮像装置は、上記構成の光学フィルタ部材と、光学フィルタ部材の下方に設けられた撮像素子とを含んでいる。   An imaging apparatus according to another aspect of the present invention includes the optical filter member having the above-described configuration and an imaging element provided below the optical filter member.

本発明の一つの態様による光学フィルタ部材において、光学膜は、それぞれ屈折率の異なる複数の誘電体層が積層されている第1の誘電体多層膜および第2の誘電体多層膜を含んでおり、第2の誘電体多層膜全体の平均屈折率が第1の誘電体多層膜全体の平均屈折率よりも高いことによって、本発明の一つの態様による光学フィルタ部材は、光の入射角の違いによる撮像画像の中心付近と周辺との色合いの差を低減させることができ、画像の質が向上された撮像装置を実現することができる。また、本発明の一つの態様による光学フィルタ部材において、基体が赤外線吸収ガラスから成ることによって、画像を自然な色合いとすることがき、画像の質が向上された撮像装置を実現することができる。したがって
、本発明の一つの態様による光学フィルタ部材は、画像を自然な色合いとしつつ光の入射角の違いによる撮像画像の中心付近と周辺との色合いの差を低減させて、画像の質が向上された撮像装置を実現することができる。
In the optical filter member according to one aspect of the present invention, the optical film includes a first dielectric multilayer film and a second dielectric multilayer film in which a plurality of dielectric layers each having a different refractive index are laminated. Since the average refractive index of the entire second dielectric multilayer film is higher than the average refractive index of the entire first dielectric multilayer film, the optical filter member according to one aspect of the present invention has a difference in light incident angle. Therefore, it is possible to reduce the difference in color between the vicinity of the center of the captured image and the periphery of the captured image, and it is possible to realize an imaging apparatus with improved image quality. In addition, in the optical filter member according to one aspect of the present invention, since the base is made of infrared absorbing glass, an image can be obtained with a natural hue and an image pickup apparatus with improved image quality can be realized. Therefore, the optical filter member according to one aspect of the present invention improves the image quality by reducing the difference in hue between the vicinity of the center of the captured image and the periphery due to the difference in the incident angle of light while making the image a natural hue. It is possible to realize the image pickup apparatus.

本発明の他の態様による撮像装置は、上記構成の光学フィルタ部材を含んでいることによって、画像を自然な色合いとしつつ光学フィルタ部材における光の入射角の違いによる光学特性の変化が低減されており、撮像画像の質に関して向上されている。   An image pickup apparatus according to another aspect of the present invention includes the optical filter member having the above-described configuration, so that changes in optical characteristics due to a difference in the incident angle of light in the optical filter member are reduced while making an image have a natural hue. And the quality of the captured image is improved.

本発明の実施形態における撮像装置を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the imaging device in embodiment of this invention. 図1に示された撮像装置における光学フィルタ部材を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the optical filter member in the imaging device shown by FIG. 図2に示された光学フィルタ部材において符号Aによって示された部分の拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of a portion indicated by reference numeral A in the optical filter member shown in FIG. 2. 図3に示された光学フィルタ部材の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the optical filter member shown by FIG. (a)は本発明の実施形態の光学フィルタ部材における基体の透過特性を示すグラフであり、(b)は第1の誘電体多層膜の透過特性を示すグラフであり、(c)は第2の誘電体多層膜の透過特性を示すグラフであり、(d)は光学フィルタ部材の透過特性を示すグラフである。(A) is a graph which shows the permeation | transmission characteristic of the base | substrate in the optical filter member of embodiment of this invention, (b) is a graph which shows the permeation | transmission characteristic of a 1st dielectric multilayer, (c) is 2nd 2 is a graph showing the transmission characteristics of the dielectric multilayer film, and FIG. 4D is a graph showing the transmission characteristics of the optical filter member. (a)〜(d)のそれぞれは図2に示された光学フィルタ部材の製造工程を示す縦断面図である。(A)-(d) is a longitudinal cross-sectional view which shows the manufacturing process of the optical filter member shown by FIG. 図2に示された光学フィルタ部材の他の例を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the other example of the optical filter member shown by FIG. (a)は従来の光学フィルタ部材における基体の透過特性を示すグラフであり、(b)は第1の誘電体多層膜の透過特性を示すグラフであり、(c)は第2の誘電体多層膜の透過特性を示すグラフであり、(d)は従来の光学フィルタ部材の透過特性を示すグラフである。(A) is a graph which shows the permeation | transmission characteristic of the base | substrate in the conventional optical filter member, (b) is a graph which shows the permeation | transmission characteristic of a 1st dielectric multilayer, (c) is a 2nd dielectric multilayer It is a graph which shows the permeation | transmission characteristic of a film | membrane, (d) is a graph which shows the permeation | transmission characteristic of the conventional optical filter member.

以下、本発明の例示的な実施形態における光学フィルタ部材について図面を参照して説明する。   Hereinafter, an optical filter member in an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

まず、本発明の実施形態における光学フィルタ部材3を有する撮像装置の例について図1を参照して説明する。撮像装置は、素子搭載用部材1と、素子搭載用部材1に搭載された撮像素子2と、撮像素子2の上方に設けられた光学フィルタ部材3とを含んでいる。本実施形態における光学フィルタ部材3は、撮像装置に入射される光における特定の波長範囲の遮断を行うものである。   First, an example of an imaging apparatus having the optical filter member 3 in the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The imaging device includes an element mounting member 1, an imaging element 2 mounted on the element mounting member 1, and an optical filter member 3 provided above the imaging element 2. The optical filter member 3 in the present embodiment blocks a specific wavelength range in light incident on the imaging device.

次に、本実施形態における光学フィルタ部材3の詳細について図2〜図4を参照して説明する。撮像装置におけるその他の構成については後述する。   Next, details of the optical filter member 3 in the present embodiment will be described with reference to FIGS. Other configurations of the imaging apparatus will be described later.

光学フィルタ部材3は赤外線吸収ガラスから成る基体31と、基体31の表面に設けられた光学膜とを備えており、光学膜が、それぞれ屈折率の異なる複数の誘電体層が積層されている第1の誘電体多層膜32および第2の誘電体多層膜33を含んでおり、第2の誘電体多層膜33全体の平均屈折率が第1の誘電体多層膜32全体の平均屈折率よりも高い。   The optical filter member 3 includes a base 31 made of infrared-absorbing glass and an optical film provided on the surface of the base 31. The optical film is formed by laminating a plurality of dielectric layers each having a different refractive index. 1 dielectric multilayer film 32 and second dielectric multilayer film 33, and the average refractive index of the entire second dielectric multilayer film 33 is higher than the average refractive index of the entire first dielectric multilayer film 32. high.

基体31は、赤外線吸収ガラスから成る。赤外線吸収ガラスは、図5(a)に示されているように、700nmよりも大きい波長範囲に含まれる赤外線の透過率が低減されているも
のであり、例えば青色透明のものである。なお、赤外線吸収ガラスは、400nm以上700nm以下の範囲に含まれる可視光を透過させる。基体31の透過率は入射角0度の時に比べ、入射角40度の場合には、透過距離が約3割長くなるために透過率は全体的に低下するが赤外領域側において基体31のピーク透過率の半値における波長はほぼ同じ波長であり、ピー
ク透過率の半値における波長は入射角に依存しない。
The base 31 is made of infrared absorbing glass. As shown in FIG. 5A, the infrared absorbing glass has a reduced transmittance of infrared rays included in a wavelength range larger than 700 nm, and is, for example, blue transparent. Note that the infrared absorbing glass transmits visible light included in the range of 400 nm to 700 nm. The transmittance of the substrate 31 is about 30% longer when the incident angle is 40 degrees than when the incident angle is 0 degrees, and the transmittance decreases overall, but the transmittance of the substrate 31 is reduced in the infrared region side. The wavelength at the half value of the peak transmittance is substantially the same wavelength, and the wavelength at the half value of the peak transmittance does not depend on the incident angle.

基体31は、例えば、溶融状態の高純度なガラス原料をガラスの溶融温度よりも高い融点を有する金属から成る容器(好ましくは、不純物の溶け込み量が効果的に低減できるように、例えば白金(Pt)から成る容器)内に流し込んだ後、数日に渡って徐々に冷却し、ブロック状に形成する。しかる後、所定の厚みおよび外形寸法に切断する。その後、アルミナ等から成る研磨材を用いてラップ研磨を行ない、さらにアルミナ,酸化セリウム等から成る研磨材を用いて光学研磨して、分割することで基体31とすることができる。このようにして作製することで、撮像素子に影響を及ぼすα線を発生する不純物が高純度のガラス原料に溶け込む量を低減させることができる。 なお、可視光を透過して赤外線を吸収するという特性を有する赤外線吸収ガラスとして、例えば酸化銅を含有する燐酸塩ガラスが広く知られている。これは、Cu2+がP成分を主とするガラスネットワークフォーマ中に存在した場合、可視光に吸収のある四配位よりも、波長800nm付近に吸収帯
を有する六配位をとりやすくなるためである。P成分とCu2+のこのような関係により、可視光に対する透過性、赤外線に対する吸収性およびシャープなカット性を併せ持つガラスを得ることが可能になる。
The base 31 is made of, for example, a container made of a metal having a melting point higher than the melting temperature of glass (preferably platinum (Pt, for example) so as to effectively reduce the amount of impurities dissolved). ) And then gradually cooled over several days to form a block shape. Thereafter, it is cut into a predetermined thickness and outer dimensions. Thereafter, lapping is performed using an abrasive made of alumina or the like, and optical polishing is performed using an abrasive made of alumina, cerium oxide, or the like, and the substrate 31 is obtained by dividing. By manufacturing in this way, it is possible to reduce the amount of impurities that generate α-rays that affect the image sensor and dissolve in the high-purity glass material. In addition, as an infrared absorbing glass having a characteristic of transmitting visible light and absorbing infrared light, for example, phosphate glass containing copper oxide is widely known. This is because when Cu 2+ is present in a glass network former mainly composed of P 2 O 5, hexacoordination having an absorption band in the vicinity of a wavelength of 800 nm is more easily obtained than tetracoordination having absorption in visible light. It is to become. With such a relationship between the P 2 O 5 component and Cu 2+ , it becomes possible to obtain a glass having both visible light transmittance, infrared light absorption, and sharp cutting properties.

基体31は、例えば0.03mm以上0.5mm以下の範囲に含まれる厚みを有することが好ま
しい。0.03mm以上であることによって、基体31による赤外線吸収の効果を十分得ることができ、光学フィルタ部材3に斜めから入射した光に対して、赤外線領域での吸収特性を満足することができ、赤外領域の遮断特性を向上させることができる。また、基体31の強度も十分に得ることができる。基体31の厚みが0.5mm以下であることによって、薄型化
を図ることができ、撮像装置の低背化を実現できる。
The base 31 preferably has a thickness included in the range of 0.03 mm to 0.5 mm, for example. By being 0.03 mm or more, a sufficient effect of infrared absorption by the substrate 31 can be obtained, and absorption characteristics in the infrared region can be satisfied with respect to light incident on the optical filter member 3 from an oblique direction. The shut-off characteristic of the outer region can be improved. Further, the strength of the base 31 can be sufficiently obtained. When the thickness of the base 31 is 0.5 mm or less, the thickness can be reduced, and the height of the imaging device can be reduced.

なお、本発明においては、基体31の赤外線領域での透過率が赤外線吸収ガラスだけによるフィルタによる透過率より大きくなっていたとしても、第1の誘電体多層膜32で大部分の赤外線は遮断されるので、より赤外線吸収ガラスの厚みを薄くすることができるようになる。 なお、基体31の反射率は、200nmから1200nmまでの範囲にわたって数パーセ
ント程度である。
In the present invention, even if the transmittance of the substrate 31 in the infrared region is larger than the transmittance of the filter made of only infrared absorbing glass, most of the infrared rays are blocked by the first dielectric multilayer film 32. Therefore, the infrared absorbing glass can be made thinner. The reflectance of the base 31 is about several percent over the range from 200 nm to 1200 nm.

第1の誘電体多層膜32は、図5(b)に示されているように、400nmよりも小さい波
長範囲に含まれる紫外線の透過率が低減されているものであり、700nmよりも大きい波
長範囲に含まれる赤外線の透過率が低減されているものである。このようなフィルタ特性を得るために、屈折率が1.7以上の誘電体材料から成る第1の高屈折率誘電体層32aおよ
び屈折率が1.6以下の誘電体材料から成る第1の低屈折率誘電体層32bを、蒸着法または
スパッタリング法等を用い、40〜50層に渡って順次交互に複数層積層することにより形成される。第1の誘電体多層膜32は赤外領域側において、第1の誘電体多層膜32のピーク透過率の半値における波長が入射角0度の時に比べ、入射角40度の場合におよそ40nm短波
長側にずれるものである。
As shown in FIG. 5B, the first dielectric multilayer film 32 has a reduced transmittance of ultraviolet rays included in a wavelength range smaller than 400 nm, and has a wavelength larger than 700 nm. The transmittance of infrared rays included in the range is reduced. In order to obtain such filter characteristics, a first high refractive index dielectric layer 32a made of a dielectric material having a refractive index of 1.7 or more and a first low refractive index dielectric made of a dielectric material having a refractive index of 1.6 or less. The body layer 32b is formed by laminating a plurality of layers alternately over 40 to 50 layers by vapor deposition or sputtering. The first dielectric multilayer film 32 is shorter on the infrared region side by about 40 nm when the incident angle is 40 degrees than when the wavelength at the half value of the peak transmittance of the first dielectric multilayer film 32 is 0 degrees. It shifts to the wavelength side.

第2の誘電体多層膜33は、図5(c)に示されているように、400nmよりも小さい波
長範囲に含まれる紫外線の透過率が低減されているものであり、650nmよりも大きい波
長範囲に含まれる赤外線の透過率が低減されているものである。このようなフィルタ特性を得るために、屈折率が2.0以上の誘電体材料から成る第2の高屈折率誘電体層33aおよ
び第2の高屈折率誘電体層33aより屈折率が0.1以上小さい誘電体材料から成る第2の低
屈折率誘電体層33bを、蒸着法またはスパッタリング法等を用い、40〜50層に渡って順次交互に複数層積層することにより形成される。第2の誘電体多層膜33は赤外領域側において、第2の誘電体多層膜33のピーク透過率の半値における波長が入射角0度の時に比べ、入射角40度の場合におよそ20nm短波長側にずれるものである。予め予測される最大の入射角度においても第2の誘電体多層膜33のピーク透過率の半値における波長を第1の誘電
体多層膜32のピーク透過率の半値における波長より短波長側に設定しておくことで、第2の誘電体多層膜33のピーク透過率の半値における波長が、光学膜を通った光のピーク透過率の半値における波長とすることができるので、光学膜の入射角に対する透過率の角度依存性を小さくすることができる。
As shown in FIG. 5C, the second dielectric multilayer film 33 has a reduced transmittance of ultraviolet rays included in a wavelength range smaller than 400 nm, and has a wavelength larger than 650 nm. The transmittance of infrared rays included in the range is reduced. In order to obtain such filter characteristics, the second high-refractive-index dielectric layer 33a made of a dielectric material having a refractive index of 2.0 or more and a dielectric having a refractive index smaller by 0.1 or more than the second high-refractive-index dielectric layer 33a. The second low-refractive-index dielectric layer 33b made of a body material is formed by laminating a plurality of layers alternately and successively over 40 to 50 layers using a vapor deposition method or a sputtering method. The second dielectric multilayer film 33 is shorter on the infrared region side by about 20 nm when the wavelength at the half value of the peak transmittance of the second dielectric multilayer film 33 is an incident angle of 40 degrees than when the incident angle is 40 degrees. It shifts to the wavelength side. Even at the maximum incident angle predicted in advance, the wavelength at the half value of the peak transmittance of the second dielectric multilayer film 33 is set shorter than the wavelength at the half value of the peak transmittance of the first dielectric multilayer film 32. The wavelength at the half value of the peak transmittance of the second dielectric multilayer film 33 can be set to the wavelength at the half value of the peak transmittance of the light passing through the optical film. The angle dependency of the transmittance can be reduced.

第1の誘電体多層膜32全体の平均屈折率をn32、第2の誘電体多層膜33全体の平均屈折率をn33とし、第1および第2の高屈折率の誘電体材料32a・33a及び各々の第1および第2の低屈折率の誘電体材料32b・33bの各層の屈折率をn1、n2、n3、n4とし、各層の層数をp1、p2、p3、p4とし、各層の厚みをt1、t2、t3、t4とした場合に、平均屈折率n32、n33は、以下の様に表すことができる。
n32=(n1×p1×t1+n2×p2×t2)/(p1×t1+p2×t2)
n33=(n3×p3×t3+n4×p4×t4)/(p3×t3+p4×t4)
n33>n32である。
The average refractive index of the entire first dielectric multilayer film 32 is n32, the average refractive index of the entire second dielectric multilayer film 33 is n33, and the first and second high refractive index dielectric materials 32a, 33a, and The refractive index of each layer of each of the first and second low refractive index dielectric materials 32b and 33b is n1, n2, n3, n4, the number of layers is p1, p2, p3, p4, and the thickness of each layer. Is t1, t2, t3, t4, the average refractive indexes n32, n33 can be expressed as follows.
n32 = (n1 * p1 * t1 + n2 * p2 * t2) / (p1 * t1 + p2 * t2)
n33 = (n3 * p3 * t3 + n4 * p4 * t4) / (p3 * t3 + p4 * t4)
n33> n32.

なお、後述するように、第1の誘電体多層膜32および第2の誘電体多層膜33は、イオンビームアシスト蒸着法によって形成されることが好ましい。 以上を組み合わせた光学フィルタ部材3は図5(d)に示されているように、400nmよりも小さい波長範囲に含ま
れる紫外線の透過率が低減されているものであり、650nmよりも大きい波長範囲に含ま
れる赤外線の透過率が低減されているものとなる。各波長での光学フィルタ部材3の透過率は各波長での基体31の透過率、第1の誘電体多層膜32の透過率、第2の誘電体多層膜33の透過率の積となる。
As will be described later, the first dielectric multilayer film 32 and the second dielectric multilayer film 33 are preferably formed by ion beam assisted deposition. As shown in FIG. 5D, the optical filter member 3 in which the above is combined has reduced transmittance of ultraviolet rays included in a wavelength range smaller than 400 nm, and has a wavelength range larger than 650 nm. The transmittance of the infrared rays contained in is reduced. The transmittance of the optical filter member 3 at each wavelength is the product of the transmittance of the substrate 31, the transmittance of the first dielectric multilayer film 32, and the transmittance of the second dielectric multilayer film 33 at each wavelength.

光学膜における光入射角の影響が赤外線吸収ガラスから成る基体31における光入射角の影響よりも大きいため、光学膜における光入射角の影響を低減させることによって、光学フィルタ部材3全体における光入射角の影響を低減させることができる。   Since the influence of the light incident angle on the optical film is larger than the influence of the light incident angle on the substrate 31 made of infrared absorbing glass, the light incident angle on the entire optical filter member 3 is reduced by reducing the influence of the light incident angle on the optical film. The influence of can be reduced.

また、本発明の一つの態様による光学フィルタ部材3は、赤外領域側において、光学膜のピーク透過率の半値における波長が、基体31のピーク透過率の半値における波長よりも大きい。上記と同様に第2の誘電体多層膜33のピーク透過率領域より大きな波長領域だけで第2の誘電体多層膜33の特性が主に影響する様になるが、赤外線吸収ガラスによる基体31の透過率が既に半値未満となっている領域なので撮像特性に与える影響はより小さいものとなる。   Further, in the optical filter member 3 according to one aspect of the present invention, the wavelength at the half value of the peak transmittance of the optical film is larger than the wavelength at the half value of the peak transmittance of the substrate 31 on the infrared region side. Similar to the above, the characteristics of the second dielectric multilayer film 33 mainly affect only the wavelength region larger than the peak transmittance region of the second dielectric multilayer film 33. Since the transmittance is already less than half value, the influence on the imaging characteristics is smaller.

このような第1の誘電体多層膜32に好適な屈折率が1.7以上の高屈折率誘電体材料32aとしては、例えば五酸化タンタル(屈折率:2.16),酸化チタン(屈折率:2.52),五酸化ニオブ(屈折率:2.33),酸化ランタン(屈折率:1.88)または酸化ジルコニウム(屈折率:2.40)等があり、屈折率が1.6以下の低屈折率誘電体材料32bとしては、例えば酸化
珪素(屈折率:1.46),フッ化ランタン(屈折率:1.59)またはフッ化マグネシウム(屈折率:1.38)等がある。硬さまたは安定性等の機械的特性、および所望の光学フィルタとしての機能を付与するために必要となる屈折率等の光学的特性から、高屈折率誘電体層32aとしては酸化チタンを、低屈折率誘電体層32bとしては酸化珪素を用いることが望ましい。
Examples of the high refractive index dielectric material 32a having a refractive index of 1.7 or more suitable for the first dielectric multilayer film 32 include tantalum pentoxide (refractive index: 2.16), titanium oxide (refractive index: 2.52), There are niobium pentoxide (refractive index: 2.33), lanthanum oxide (refractive index: 1.88), zirconium oxide (refractive index: 2.40), and the like. As the low refractive index dielectric material 32b having a refractive index of 1.6 or less, for example, silicon oxide (Refractive index: 1.46), lanthanum fluoride (refractive index: 1.59) or magnesium fluoride (refractive index: 1.38). From the viewpoint of mechanical properties such as hardness or stability, and optical properties such as refractive index necessary for providing a function as a desired optical filter, titanium oxide is used as the high refractive index dielectric layer 32a. It is desirable to use silicon oxide as the refractive index dielectric layer 32b.

そして第2の誘電体多層膜33に好適な屈折率が2.0以上の高屈折率の誘電体材料33aと
しては、例えば五酸化タンタル(屈折率:2.16),酸化チタン(屈折率:2.52),五酸化ニオブ(屈折率:2.33)または酸化ジルコニウム(屈折率:2.40)等があり、屈折率が高屈折率の誘電体材料より0.1以上小さい低屈折率誘電体材料33bとしては、例えば酸化チ
タン(屈折率:2.52)に対しては、五酸化タンタル(屈折率:2.16),五酸化ニオブ(屈折率:2.33)または酸化ジルコニウム(屈折率:2.40)等がある。それぞれ使用する誘電体材料の屈折率に応じて使用すれば良いが、第2の誘電体多層膜33の角度依存性を小さく
するためには第2の誘電体多層膜33の高屈折率の誘電体材料33aと低屈折率の誘電体材料33bの平均の屈折率が大きいほど好ましいが、硬さまたは安定性等の機械的特性、および所望の光学フィルタとしての機能を付与するために必要となる屈折率等の光学的特性から、高屈折率誘電体層33aとしては酸化チタンを、低屈折率誘電体層33bとしては五酸化タンタルを用いることが望ましい。
For example, tantalum pentoxide (refractive index: 2.16), titanium oxide (refractive index: 2.52), quintoxide may be used as the high refractive index dielectric material 33a having a refractive index of 2.0 or more suitable for the second dielectric multilayer film 33. There are niobium oxide (refractive index: 2.33), zirconium oxide (refractive index: 2.40), and the like. As the low refractive index dielectric material 33b whose refractive index is 0.1 or more smaller than that of the high refractive index dielectric material, for example, titanium oxide (refractive For the rate: 2.52), there are tantalum pentoxide (refractive index: 2.16), niobium pentoxide (refractive index: 2.33) or zirconium oxide (refractive index: 2.40). Each of the dielectric materials may be used in accordance with the refractive index of the dielectric material used. However, in order to reduce the angular dependence of the second dielectric multilayer film 33, the dielectric having a high refractive index of the second dielectric multilayer film 33 is used. The average refractive index of the body material 33a and the low-refractive index dielectric material 33b is preferably as large as possible, but is necessary for imparting mechanical properties such as hardness or stability and a function as a desired optical filter. From optical characteristics such as refractive index, it is desirable to use titanium oxide as the high refractive index dielectric layer 33a and tantalum pentoxide as the low refractive index dielectric layer 33b.

上述のように、光学膜は、イオンビームアシスト蒸着法によって形成されることが好ましい。イオンビームアシスト蒸着法は、成膜プロセスである真空蒸着法に陽イオンの照射を併用する真空蒸着法である。イオンビームアシスト法で使用する陽イオンは、例えばアルゴンからなる不活性ガスと酸素ガスからなる活性ガスとの両方を装置のイオン源に導入してプラズマとしたものから生成されたものが用いられる。   As described above, the optical film is preferably formed by an ion beam assisted deposition method. The ion beam assisted vapor deposition method is a vacuum vapor deposition method in which cation irradiation is used in combination with a vacuum vapor deposition method that is a film forming process. As the cation used in the ion beam assist method, for example, one generated from a plasma obtained by introducing both an inert gas composed of argon and an active gas composed of oxygen gas into an ion source of the apparatus is used.

イオンビームアシスト蒸着法では、例えば基体31を真空蒸着装置内に設置した蒸着用ドーム内に配置し、光学的に良質な光学膜を得るために、酸素欠乏を起こさないように十分に酸素を供給し、そして真空蒸着装置内を1×10-3Pa程度の真空度に設定された状態
で陽イオンの照射を併用しながら真空蒸着が行なわれる。真空蒸着装置内にて光学膜が形成される際の基体31の表面温度は、熱電対により基体31付近の温度を計測することにより管理され、電熱線ヒーター等を用いて温度範囲30〜350℃程度に保持される。しかる後、
基体31の主面の全面あるいはマスキングをして撮像素子に対向する所望の領域に、第1の
誘電体多層膜32を形成するために高屈折率誘電体層32aと低屈折率誘電体層32bとを、次に第2の誘電体多層膜を形成するために高屈折率誘電体層33aと低屈折率誘電体層33bとを、陽イオンの照射を併用しながら順次交互に合計10〜30層程度誘電体層を被着することにより、光学膜を形成した光学フィルタ部材3となる母光学フィルタ部材3´が得られる。
In the ion beam assisted vapor deposition method, for example, the base 31 is placed in a vapor deposition dome installed in a vacuum vapor deposition apparatus, and oxygen is supplied sufficiently to prevent oxygen deficiency in order to obtain an optically good optical film. Then, vacuum deposition is performed while using cation irradiation in a state where the degree of vacuum is set to about 1 × 10 −3 Pa in the vacuum deposition apparatus. The surface temperature of the substrate 31 when the optical film is formed in the vacuum deposition apparatus is managed by measuring the temperature in the vicinity of the substrate 31 with a thermocouple, and the temperature range is 30 to 350 ° C. using a heating wire heater or the like. To a degree. After that,
A high refractive index dielectric layer 32a and a low refractive index dielectric layer 32b for forming the first dielectric multilayer film 32 on the entire main surface of the substrate 31 or in a desired region facing the imaging device by masking. Next, in order to form a second dielectric multilayer film, a high refractive index dielectric layer 33a and a low refractive index dielectric layer 33b are alternately and sequentially added in combination with a cation irradiation for a total of 10 to 30 By applying a dielectric layer of about one layer, a mother optical filter member 3 ′ to be the optical filter member 3 on which an optical film is formed is obtained.

陽イオンが真空中を飛来する蒸着物質の気体分子に衝突することによって、蒸着物質の気体分子が励起されて大きな運動エネルギーを得る。そして、この大きな運動エネルギーを得た蒸着物質の気体分子が被着材である基体31の表面に到達すると、被着材の表面の広い領域を移動するとともに、広い領域の移動に伴って被着材表面のより低いエネルギー状態にある場所を見つけ出す確率が大幅に増大するため、蒸着物質の分子同士が凝集することなく被着材の表面に均一に被着し、周辺に存在する蒸着原子同士が凝集して核を形成することなく緻密に充填した光学膜を形成することができる。   When the cations collide with the gas molecules of the vapor deposition material flying in the vacuum, the gas molecules of the vapor deposition material are excited to obtain a large kinetic energy. Then, when the gas molecules of the vapor deposition material that have obtained this large kinetic energy reach the surface of the substrate 31 that is the adherend, it moves over a wide area of the surface of the adherend and adheres as the wide area moves. Since the probability of finding a place in a lower energy state on the surface of the material is greatly increased, the molecules of the deposited material are uniformly deposited on the surface of the deposited material without agglomeration, and the deposited atoms existing around A densely packed optical film can be formed without agglomerating and forming nuclei.

なお、基体31の表面に直接形成される誘電体層は、ガラスとの密着性の高いSi膜であると、基体31と光学膜との密着性が向上するため好ましい。 また、赤外線吸収ガラスから成る基体31が比較的水分に対して弱いため、光学膜は、水分を通しにくい性質を有するバリア層を含んでいることが好ましい。光学膜がバリア層を含む構造の例としては、光学膜の厚み方向の一部分がバリア層である構造、または光学膜の厚み方向の全部がバリア層である構造がある。光学膜の厚み方向の全部がバリア層であれば、光学膜を通過して基体31の表面に水分が達する可能性がさらに低減されるため好ましい。それによって、光学フィルタ部材3の耐候性、具体的には高温高湿テストによって赤外線吸収ガラスによる基体31の表面に曇りが発生する不具合が改善される。   The dielectric layer directly formed on the surface of the substrate 31 is preferably a Si film having high adhesion to glass because adhesion between the substrate 31 and the optical film is improved. In addition, since the substrate 31 made of infrared absorbing glass is relatively weak against moisture, the optical film preferably includes a barrier layer having a property that moisture cannot easily pass through. Examples of the structure in which the optical film includes a barrier layer include a structure in which a part of the optical film in the thickness direction is a barrier layer, or a structure in which the entire optical film in the thickness direction is a barrier layer. If the entire thickness direction of the optical film is a barrier layer, it is preferable because the possibility of moisture passing through the optical film and reaching the surface of the substrate 31 is further reduced. As a result, the weather resistance of the optical filter member 3, specifically, the problem that fogging occurs on the surface of the base 31 due to the infrared absorbing glass by the high temperature and high humidity test is improved.

光学膜の厚み方向の一部分がバリア層である構造の一つの例としては、図4に示されているように、光学膜が耐水コート層34を有している構造がある。すなわち、耐水コート層34がバリア層である。耐水コート層34は、赤外線吸収ガラスから成る基体31よりも水分に対して強い性質を有するものであって、例えばシリコーン系材料から成る。耐水コート層34は、基体31の表面を保護するために、図4に示された例のように、基体31の表面に直接接していることが好ましい。   One example of a structure in which a part of the optical film in the thickness direction is a barrier layer is a structure in which the optical film has a water-resistant coating layer 34 as shown in FIG. That is, the water resistant coating layer 34 is a barrier layer. The water-resistant coating layer 34 has a stronger property against moisture than the base 31 made of infrared absorbing glass, and is made of, for example, a silicone material. In order to protect the surface of the base 31, the water-resistant coating layer 34 is preferably in direct contact with the surface of the base 31 as in the example shown in FIG. 4.

光学膜の厚み方向の一部分がバリア層である構造の他の例としては、図3に示された構造において、複数の高屈折率誘電体層32a・33aおよび低屈折率誘電体層32b・33bの一部がイオンビームアシスト蒸着法によって形成されてアモルファス化されているものがある。複数の高屈折率誘電体層32a・33aおよび低屈折率誘電体層32b・33bの一部がアモルファス化されていることによって、水分が通りにくくなっている。   As another example of the structure in which a part in the thickness direction of the optical film is a barrier layer, in the structure shown in FIG. 3, a plurality of high-refractive index dielectric layers 32a and 33a and low-refractive index dielectric layers 32b and 33b are used. Some of them are formed by ion beam assisted deposition to be amorphous. A part of the plurality of high-refractive index dielectric layers 32a and 33a and low-refractive index dielectric layers 32b and 33b are made amorphous, so that it is difficult for moisture to pass therethrough.

なお、光学膜の全体ではなく基体31の表面に近い部分のみイオンビームアシスト蒸着法によってバリア層を形成してその他の部分はイオンビームアシスト蒸着法を用いないようにすることで光学膜の応力をより広い範囲で調整することができるようになり、基体31が薄くても反り難い光学フィルタ部材3実現することができる。この場合、バリア層は、150nm程度以上の厚みを有していると水分の透過を低減させやすくなる。 また、光学膜
の厚み方向の全部がバリア層である構造の例としては、図3に示された構造において、複数の高屈折率誘電体層32a・33aおよび低屈折率誘電体層32b・33bの全部がイオンビームアシスト蒸着法によって形成されてアモルファス化されているものがある。
It should be noted that the stress of the optical film can be reduced by forming a barrier layer by ion beam assisted vapor deposition only on the part close to the surface of the substrate 31, not the entire optical film, and not using ion beam assisted vapor deposition for other parts. The optical filter member 3 can be adjusted in a wider range, and is difficult to warp even if the base 31 is thin. In this case, if the barrier layer has a thickness of about 150 nm or more, it becomes easy to reduce moisture permeation. Further, as an example of the structure in which the entire thickness direction of the optical film is a barrier layer, in the structure shown in FIG. 3, a plurality of high-refractive index dielectric layers 32a and 33a and low-refractive index dielectric layers 32b and 33b are used. Some of them are made amorphous by ion beam assisted deposition.

また、光学膜の最外層については、アモルファス化されやすく耐候性の良いSi膜を形成しておくと、外部から光学膜内部への水分の侵入を受けにくくなるので、光学膜の光学特性が経時変化し難くなるのでより好ましい。   In addition, if the outermost layer of the optical film is formed into an amorphous film that is easily amorphized and has good weather resistance, it is difficult for moisture to enter the optical film from the outside. Since it becomes difficult to change, it is more preferable.

なお、イオンビームアシスト蒸着法で光学膜を形成することによって、アモルファス化されやすいSi膜だけでなく、その他の元素を用いた膜においてもアモルファス化しやすくなる。それによって、光学膜としての水分透過性がより低下するので、光学膜が水分に対してバリア層として働くようになるため一般的に耐水性の弱い赤外線吸収ガラスからなる基体の表面が水分と反応して発生する光の透過性の低下を防ぐことが可能なものとなり耐水信頼性に関して向上されている。   Note that by forming an optical film by ion beam assisted vapor deposition, not only a Si film that is easily amorphized but also a film using other elements is easily amorphized. As a result, the water permeability of the optical film is further reduced, so that the optical film functions as a barrier layer against moisture, so that the surface of the substrate generally made of an infrared absorbing glass having low water resistance reacts with moisture. Thus, it is possible to prevent a decrease in light transmittance generated in this manner, and the water resistance reliability is improved.

また、本実施形態の光学フィルタ部材3において、光学膜が、水分を通しにくい性質を有するバリア層を含んでいる場合には、比較的水分に対して弱い性質を有する赤外線吸収ガラスから成る基体31の表面の劣化が低減されており、例えば光学膜の剥がれ等が生じる可能性が低減されている。   Further, in the optical filter member 3 of the present embodiment, when the optical film includes a barrier layer having a property of preventing moisture from passing through, the substrate 31 made of infrared absorbing glass having a relatively weak property against moisture. Deterioration of the surface of the optical film is reduced. For example, the possibility of peeling of the optical film is reduced.

また、本実施形態の光学フィルタ部材3において、上記バリア層が、イオンビームアシスト蒸着法によって形成されている場合には、アモルファス化されており、光学膜において水分が透過する可能性が低減されている。   Further, in the optical filter member 3 of the present embodiment, when the barrier layer is formed by an ion beam assisted deposition method, the barrier layer is amorphized, and the possibility of moisture permeating through the optical film is reduced. Yes.

また、本実施形態の光学フィルタ部材3において、バリア層が、基体31の表面上に設けられている場合には、基体31の表面の保護に関して向上されている。   Further, in the optical filter member 3 of the present embodiment, when the barrier layer is provided on the surface of the base 31, the protection of the surface of the base 31 is improved.

また、本実施形態における撮像装置は、上述の光学フィルタ部材3を含んでいることによって、光学フィルタ部材において光の入射角の違いによる光学特性の変化が低減されており、撮像画像の質に関して向上されている。   In addition, since the imaging apparatus according to the present embodiment includes the optical filter member 3 described above, the change in optical characteristics due to the difference in the incident angle of light in the optical filter member is reduced, and the quality of the captured image is improved. Has been.

以下、上述の撮像装置の素子搭載用部材1および撮像素子2についてさらに詳細に説明する。素子搭載用部材1は、基板11と、リード端子13を挟むように基板11に接合された枠体12とを含んでいる。   Hereinafter, the element mounting member 1 and the imaging element 2 of the above-described imaging apparatus will be described in more detail. The element mounting member 1 includes a substrate 11 and a frame body 12 joined to the substrate 11 so as to sandwich the lead terminal 13 therebetween.

基板11は、例えば酸化アルミニウム質焼結体(アルミナセラミックス),ムライト質焼結体,ステアタイト焼結体または窒化アルミニウム質焼結体等のセラミックスから成るものである。   The substrate 11 is made of a ceramic such as an aluminum oxide sintered body (alumina ceramic), a mullite sintered body, a steatite sintered body, or an aluminum nitride sintered body.

基板11は、以下のようにして作製することができる。例えば基板11が酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、まず、酸化アルミニウム,酸化珪素,酸化マグネシウム,酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダ,溶剤および可塑剤,分散剤を添加混合して泥漿物を作り、この泥漿物を従来周知のスプレードライ法を用いて顆粒にする。次いで、この顆粒を所定の形状のプレス金型によりプレス成型して生成型体を作製し、生成型体を約1500℃の高温で焼成することにより基板11となる。なお、上記原料粉末を用いてグリーンシートを作製して、グリーンシートを金型等により打ち抜くなどして適当な大きさにすることで生成形体が得られる。複数のグリーンシートを積層して所定の厚みにしてもよい。   The substrate 11 can be manufactured as follows. For example, if the substrate 11 is made of an aluminum oxide sintered body, first, an appropriate organic binder, solvent, plasticizer, and dispersant are added to the raw material powder such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, and calcium oxide. Then, a slurry is made, and this slurry is granulated using a conventionally known spray drying method. Next, this granule is press-molded with a press mold of a predetermined shape to produce a production mold body, and the production mold body is baked at a high temperature of about 1500 ° C. to form the substrate 11. A green sheet is produced using the above raw material powder, and the green sheet is punched out with a mold or the like to obtain an appropriate size. A plurality of green sheets may be laminated to a predetermined thickness.

この基板11の表面は、ラップ研磨加工等により平坦にして、20μm以下の平坦度にしておくと、撮像素子2を搭載した際に傾きやゆがみが発生しにくくなるので好ましい。搭載部の外周部の、枠体が対向する部分も平坦にしておくと、枠体が傾くことなく接合され、その上に接着される光学フィルタ部材3も撮像素子7に対して傾くことがないので好ましい。   It is preferable to flatten the surface of the substrate 11 by lapping or the like so as to have a flatness of 20 μm or less because tilting and distortion are less likely to occur when the imaging device 2 is mounted. If the portion of the outer peripheral portion of the mounting portion facing the frame is also made flat, the frame is joined without tilting, and the optical filter member 3 bonded thereon is not tilted with respect to the image sensor 7. Therefore, it is preferable.

リード端子13は、例えばFe−Ni−Co合金やFe−Ni合金,銅(Cu)または銅合金等の金属から成るものである。気密信頼性の観点からは、基板11の熱膨張係数との差が小さい熱膨張係数を有するものが好ましく、基板11が酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、例えばFe−42%Ni合金が好ましい。リード端子13の表面には、腐食防止や導電性の向上のために、ニッケルめっき層および金めっき層を順次被着させておくとよい。   The lead terminal 13 is made of metal such as Fe—Ni—Co alloy, Fe—Ni alloy, copper (Cu), or copper alloy. From the viewpoint of hermetic reliability, those having a small thermal expansion coefficient with respect to the thermal expansion coefficient of the substrate 11 are preferable. If the substrate 11 is made of an aluminum oxide sintered body, for example, Fe-42% Ni Alloys are preferred. A nickel plating layer and a gold plating layer may be sequentially deposited on the surface of the lead terminal 13 in order to prevent corrosion and improve conductivity.

リード端子13は、上記金属から成る板材を、金型を用いた打ち抜き加工により、枠の内周から内側に延出するように複数のリード端子が展開された形状のリードフレームを形成し、リードフレームを搭載基板に接続した後に枠を切り離すことにより複数のリード端子13となる。リードフレームは、エッチング加工により作製することもできる。金属板の上にリードフレーム形状のレジスト膜を形成して、例えばリード端子8cが銅から成る場合であれば、塩化第二鉄によりエッチングした後にレジスト膜を剥離することにより作製することができる。   The lead terminal 13 is a lead frame having a shape in which a plurality of lead terminals are expanded so as to extend inward from the inner periphery of the frame by punching a plate material made of the above metal using a die. A plurality of lead terminals 13 are obtained by separating the frame after connecting the frame to the mounting substrate. The lead frame can also be manufactured by etching. If a lead frame-shaped resist film is formed on a metal plate and the lead terminal 8c is made of copper, for example, the resist film can be prepared by etching with ferric chloride and then peeling off the resist film.

枠体12は、基板11と同様に酸化アルミニウム質焼結体(アルミナセラミックス),ムライト質焼結体,ステアタイト焼結体または窒化アルミニウム質焼結体等のセラミックスから成るものであり、搭載基板と同様の方法で作製することができる。枠体12と基板11とを同じ材料にすると、熱膨張係数が同じになるのでこれらの間に発生する熱応力がその間の接合材14またはリード端子13に加わりにくくなるので好ましい。   The frame 12 is made of ceramics such as an aluminum oxide sintered body (alumina ceramics), a mullite sintered body, a steatite sintered body, or an aluminum nitride sintered body, like the substrate 11, and is mounted on the mounting substrate. It can be produced by a method similar to that described above. It is preferable that the frame 12 and the substrate 11 are made of the same material because the thermal expansion coefficients are the same, so that it is difficult for thermal stress generated between them to be applied to the bonding material 14 or the lead terminal 13 therebetween.

枠体12の表面も、ラップ研磨加工等により平坦にして、20μm以下の平坦度にしておくと、枠体12が搭載基板11に対して、また光学フィルタ部材3が枠体12に対して傾くことなく接合され、結果として光学フィルタ部材3が撮像素子2に対して傾かないように接着されるので好ましい。   If the surface of the frame body 12 is also flattened by lapping or the like to have a flatness of 20 μm or less, the frame body 12 is inclined with respect to the mounting substrate 11 and the optical filter member 3 is inclined with respect to the frame body 12. The optical filter member 3 is preferably bonded without being inclined with respect to the image pickup device 2 as a result.

リードフレームを間に挟んで基板11と枠体12を接合する接合材14は、ガラスまたは樹脂を用いることができる。ガラスとしては、PbO系ガラス,PbO−SiO系ガラス,BiO−SiO系ガラス、PO−SiO系ガラス、BO−SiO系ガラス等の低融点ガラスがある。樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等がある。いずれの場合も、熱膨張係数を搭載基板や枠体と近いものとするために、例えば、シリカのような無機粉末等のフィラーを含有するものであってもよい。接合材が低融点ガラスである場合は、例えば、酸化鉛56〜66質量%、酸化硼素4〜14質量%、酸化珪素1〜6質量%および酸化亜鉛1〜11質量%を含むガラス成分に、フィラ
ーとして酸化ジルコニウムシリカ系化合物の粉末を4〜15質量%添加した粉末に適当な有機溶剤,溶媒を添加混合して得たガラスペーストを、スクリーン印刷法等の印刷法により枠体の下面に所定厚みに印刷塗布し、これを約430℃の温度で焼成することによって枠体
に低融点ガラスを被着させる。この枠体を、搭載基板の上に低融点ガラスを下にして載置し、トンネル式の雰囲気炉またはオーブン等の加熱装置で約470℃に加熱することで接合
材を再溶融させて搭載基板の上面と枠体の外周縁部に挟まれた各リード端子の周囲を接合材で覆い、冷却して低融点ガラスを固化させることにより枠体およびリード端子を搭載基板に強固に接合して撮像素子収納用パッケージを作製する。接合材が樹脂である場合は、例えば、ビスフェノールA型の液状エポキシ樹脂からなる主剤に対し、硬化剤としてテトラヒドロメチル無水フタル酸を外添加で10〜30質量%添加し、フィラーとしてシリカ粉末を外添加で30〜80質量%添加し、カーボンブラック等の着色剤、2−メトキシエタノール等の有機溶剤を添加混合して得られたエポキシ樹脂ペーストを、スクリーン印刷法等の印刷法により枠体の下面に所定厚みに印刷塗布し、これを約60℃〜80℃の温度で溶剤を乾燥させ枠体に樹脂層を被着させる。この枠体を、搭載基板の上に接合材を下にして載置し、トンネル式の雰囲気炉またはオーブン等の加熱装置で加熱してピーク温度約150℃で1時
間保持することにより、樹脂層を溶融させて搭載基板の上面と枠体の外周縁部に挟まれた各リード端子13の周囲を樹脂で覆った後に硬化させ、枠体12およびリード端子13が基板11に強固に接合されて素子搭載用部材1となる。
Glass or resin can be used as the bonding material 14 for bonding the substrate 11 and the frame body 12 with the lead frame interposed therebetween. Examples of the glass include low-melting glass such as PbO glass, PbO—SiO glass, BiO—SiO glass, PO—SiO glass, and BO—SiO glass. Examples of the resin include an epoxy resin, a polyimide resin, a polyamideimide resin, and a polyetherimide resin. In any case, in order to make the thermal expansion coefficient close to that of the mounting substrate or the frame, for example, it may contain a filler such as inorganic powder such as silica. When the bonding material is a low-melting glass, for example, a glass component containing 56 to 66% by mass of lead oxide, 4 to 14% by mass of boron oxide, 1 to 6% by mass of silicon oxide, and 1 to 11% by mass of zinc oxide, A glass paste obtained by adding and mixing an appropriate organic solvent and solvent to a powder obtained by adding 4 to 15% by mass of a zirconium oxide silica-based compound powder as a filler is applied to the lower surface of the frame by a printing method such as a screen printing method. The low melting point glass is applied to the frame by printing and coating to a thickness and firing at a temperature of about 430 ° C. This frame is placed on the mounting board with the low melting point glass facing down, and the bonding material is remelted by heating to about 470 ° C with a heating device such as a tunnel-type atmosphere furnace or oven. The periphery of each lead terminal sandwiched between the upper surface of the frame and the outer peripheral edge of the frame is covered with a bonding material, and the frame and the lead terminal are firmly bonded to the mounting substrate by cooling and solidifying the low melting point glass, thereby imaging. An element storage package is produced. When the bonding material is a resin, for example, 10 to 30% by mass of tetrahydromethylphthalic anhydride is added as a curing agent to the main agent made of a liquid epoxy resin of bisphenol A type, and silica powder is added as a filler. The epoxy resin paste obtained by adding 30-80% by mass and adding a colorant such as carbon black and an organic solvent such as 2-methoxyethanol is mixed with the bottom surface of the frame by a printing method such as a screen printing method. The film is printed and applied to a predetermined thickness, and the solvent is dried at a temperature of about 60 ° C. to 80 ° C. to adhere the resin layer to the frame. The frame is placed on the mounting substrate with the bonding material facing down, heated by a heating device such as a tunnel type atmospheric furnace or oven, and held at a peak temperature of about 150 ° C. for 1 hour, thereby forming a resin layer. The periphery of each lead terminal 13 sandwiched between the upper surface of the mounting substrate and the outer peripheral edge of the frame body is covered with resin and cured, and the frame body 12 and the lead terminal 13 are firmly bonded to the substrate 11. The element mounting member 1 is obtained.

以上のようにして作製された素子搭載用部材1と光学フィルタ部材3との接合は、一般的に紫外線硬化型エポキシ樹脂もしくは熱硬化型エポキシ樹脂等から成る接着剤5を介して行なわれる。例えば接着剤5として熱硬化型エポキシ樹脂を用いる場合、従来周知のスクリーン印刷法またはディスペンス法等で接着剤5を素子搭載用部材1または光学フィルタ部材3に塗布し、互いに重ねあわせた後、90〜150℃の温度で60〜90分間加重し加熱す
ることによって行われる。 撮像素子2は、CCDまたはCMOS等である。例えば銀粉末を含有するエポキシ樹脂から成る導電性接着剤によって撮像素子2を素子搭載用部材1の上面に接着して固定し、撮像素子2の電極と素子搭載用部材1の端子とを金などからなるボンディングワイヤ4で接続し、素子搭載用部材1の開口部を塞ぐように光学フィルタ部材3を接着剤5で素子搭載用部材1に接着することで撮像装置となる。
The element mounting member 1 manufactured as described above and the optical filter member 3 are generally bonded via an adhesive 5 made of an ultraviolet curable epoxy resin or a thermosetting epoxy resin. For example, when a thermosetting epoxy resin is used as the adhesive 5, the adhesive 5 is applied to the element mounting member 1 or the optical filter member 3 by a conventionally known screen printing method or dispensing method, etc. It is carried out by applying heating at a temperature of ˜150 ° C. for 60 to 90 minutes. The image sensor 2 is a CCD or a CMOS. For example, the imaging element 2 is bonded and fixed to the upper surface of the element mounting member 1 with a conductive adhesive made of an epoxy resin containing silver powder, and the electrodes of the imaging element 2 and the terminals of the element mounting member 1 are made of gold or the like. By connecting the optical filter member 3 to the element mounting member 1 with an adhesive 5 so as to close the opening of the element mounting member 1, the imaging device is obtained.

以下、光学フィルタ部材3の製造方法について図6を参照して説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the optical filter member 3 will be described with reference to FIG.

光学フィルタ部材3の製造方法は、図6(a)に示されているように、赤外線吸収ガラスから成る平板状の母基体31’の一方主面上に、高屈折率誘電体層32aと低屈折率誘電体層32bとを交互に複数層積層して第1の誘電体多層膜32を、他方主面上に、高屈折率誘電
体層33aと低屈折率誘電体層33bとを交互に複数層積層して第2の誘電体多層膜33を被着形成し、母光学フィルタ部材3’を形成する工程と、図6(b)に示されているように外周部が枠体72に支持された粘着シート71に母光学フィルタ部材3’の他方主面を密着させて固定する工程と、図6(c)に示されているように母光学フィルタ部材3’の第1の誘
電体多層膜32側に紫外線レーザを照射して走査することにより、母光学フィルタ部材3’に縦横に配列された複数の光学フィルタ部材領域に区分するような内面が溶融凝固したガラスに覆われた溝3a’を形成する工程と、図6(d)に示されているように溝3a’に沿って母光学フィルタ部材3’を割断する工程とを含んでいる。これにより、隣同士の第1の誘電体多層膜32が製造工程中でぶつかり合うことがないので、母光学フィルタ部材3’の主面上に光学膜を形成した平板状の母光学フィルタ部材3’を粘着シート71に密着させて光学フィルタ部材3を作成しても、異物発生の少ない光学フィルタ部材3を作成することができる。紫外線レーザを照射することで溝3a´を形成する場合に、母基体31のおもて面に形成する光学膜が照射する紫外線レーザの波長を85%を越える高い割合で反射する場合には、反射されても加工できるエネルギーを照射する必要があり、加工が始まると反射率が変化するために紫外線レーザの調整も難しくなるが、母基体31のおもて面に形成
する光学膜が照射する紫外線レーザの波長を15%以上吸収もしくは透過するものであると、紫外線レーザを効率的に溝3´形成に使用することができると共に、加工中の反射率の変化も小さくなるので、紫外線レーザーの調整も容易になるので好ましい。
As shown in FIG. 6A, the method of manufacturing the optical filter member 3 includes a high refractive index dielectric layer 32a and a low refractive index layer on one main surface of a flat base 31 'made of infrared absorbing glass. A plurality of refractive index dielectric layers 32b are alternately stacked to form a first dielectric multilayer film 32, and a high refractive index dielectric layer 33a and a low refractive index dielectric layer 33b are alternately disposed on the other main surface. A step of forming a mother optical filter member 3 ′ by depositing a plurality of layers to form a second dielectric multilayer film 33, and an outer peripheral portion on the frame body 72 as shown in FIG. A step of closely fixing the other main surface of the mother optical filter member 3 ′ to the supported pressure-sensitive adhesive sheet 71, and a first dielectric of the mother optical filter member 3 ′ as shown in FIG. A plurality of optical filter member regions arranged vertically and horizontally on the mother optical filter member 3 ′ by scanning the multilayer film 32 with an ultraviolet laser. A step of forming a groove 3a ′ whose inner surface is covered with glass melted and solidified, and the mother optical filter member 3 ′ is cleaved along the groove 3a ′ as shown in FIG. 6 (d). Process. As a result, the adjacent first dielectric multilayer films 32 do not collide with each other during the manufacturing process, so that a flat-shaped mother optical filter member 3 in which an optical film is formed on the main surface of the mother optical filter member 3 ′. Even when the optical filter member 3 is formed by sticking 'to the adhesive sheet 71, the optical filter member 3 with less generation of foreign matters can be formed. When the groove 3a ′ is formed by irradiating an ultraviolet laser, when the wavelength of the ultraviolet laser irradiated by the optical film formed on the front surface of the base substrate 31 is reflected at a high rate exceeding 85%, It is necessary to irradiate energy that can be processed even if it is reflected, and since the reflectance changes when processing starts, it becomes difficult to adjust the ultraviolet laser, but the optical film formed on the front surface of the mother substrate 31 irradiates If the wavelength of the ultraviolet laser is absorbed or transmitted by 15% or more, the ultraviolet laser can be efficiently used for forming the groove 3 ', and the change in reflectance during processing becomes small. Since adjustment is also easy, it is preferable.

粘着シート71は、一般的に、支持シートと、その片側表面上に設けた粘着剤層の2層構造からなる。粘着シート71の厚さは特に限定されるものではないが、通常30〜300μmで
あり、好ましくは50〜100μmである。 粘着剤層用の粘着剤の感圧接着剤成分としては
、汎用の感圧接着剤を構成する化合物より選択することができ、例えばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ウレタン系、ポリエステル系、又はポリビニルエーテル系接着剤等を挙げることができる。場合によっては、感圧接着剤成分にレーザ光線の吸収率を高める吸収性付与剤を付与して粘着剤としてもよい。粘着剤層の厚みも特に限定されないが、通常1〜100μmであり、好ましくは5〜50μmである。
The pressure-sensitive adhesive sheet 71 generally has a two-layer structure of a support sheet and a pressure-sensitive adhesive layer provided on one surface of the support sheet. Although the thickness of the adhesive sheet 71 is not specifically limited, Usually, it is 30-300 micrometers, Preferably it is 50-100 micrometers. The pressure-sensitive adhesive component of the pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer can be selected from compounds constituting general-purpose pressure-sensitive adhesives, such as rubber-based, acrylic-based, silicone-based, urethane-based, polyester-based, or A polyvinyl ether type adhesive agent etc. can be mentioned. In some cases, a pressure-sensitive adhesive component may be provided with an absorptivity imparting agent that enhances the absorption rate of the laser beam to form a pressure-sensitive adhesive. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is usually 1 to 100 μm, preferably 5 to 50 μm.

枠体72は通常、位置決めするための直線部または溝が外周に形成されたリング状をしており、粘着シート71を介して母光学フィルタ部材3’を位置決めして工程を異物の発生を防ぎながら、量産性または再現性良く進めるための目的で使用するジグであり、0.5mm
〜1mm程度の金属板をエッチング加工で形成する場合が多い。使用量が多い場合は、金型を作り、熱可塑性樹脂で射出成型して作成しても良い。
The frame body 72 is generally in the form of a ring with a linear portion or groove for positioning positioned on the outer periphery, and the mother optical filter member 3 ′ is positioned via the adhesive sheet 71 to prevent the generation of foreign matter. However, it is a jig used for the purpose of mass production or reproducibility, 0.5 mm
In many cases, a metal plate of about 1 mm is formed by etching. If the amount used is large, a mold may be made and injection molded with a thermoplastic resin.

支持シート上に粘着剤層を形成して粘着シート71としたものを枠体72に粘着剤層によって接着し、その中央に母光学フィルタ部材3’を粘着剤層に貼り付けることで、レーザ加工工程を異物の発生を防ぎながら、量産性または再現性良く進めることができる様になる。   By forming a pressure-sensitive adhesive layer on the support sheet and forming the pressure-sensitive adhesive sheet 71, the frame 72 is bonded with the pressure-sensitive adhesive layer, and the mother optical filter member 3 'is attached to the pressure-sensitive adhesive layer at the center to perform laser processing. The process can proceed with good mass productivity or reproducibility while preventing the generation of foreign matters.

レーザ装置は、波長および位相が揃った光を発生させる装置であり、本実施形態では、266nmの紫外線波長を持つレーザを用いて加工をおこなった。紫外線レーザを用いた場
合にはスポット径を20μm程度以下に絞ることができるので、レーザを当てた部分の周囲への影響が小さい。
The laser device is a device that generates light having a uniform wavelength and phase, and in this embodiment, processing is performed using a laser having an ultraviolet wavelength of 266 nm. When an ultraviolet laser is used, the spot diameter can be reduced to about 20 μm or less, so that the influence on the periphery of the portion irradiated with the laser is small.

本実施形態で用いられるレーザダイシング装置では、枠体72に粘着シート71を介して固定した赤外線吸収ガラスから成る母光学フィルタ部材3’の上面の第1の誘電体多層膜32に対し焦点が合うようレーザ光線を照射し、母光学フィルタ部材3’に溝3a’を形成する。第1の誘電体多層膜32を透過した紫外線レーザのエネルギーは、母光学フィルタ部材3’の表面部において熱に変換されて母光学フィルタ部材3’の表面部の一部を溶かす。第1の誘電体多層膜32は、母光学フィルタ部材3’の表面部において発生した熱によって部分的に蒸発される。   In the laser dicing apparatus used in the present embodiment, the first dielectric multilayer film 32 on the upper surface of the mother optical filter member 3 ′ made of infrared absorbing glass fixed to the frame body 72 via the adhesive sheet 71 is focused. The groove 3a ′ is formed in the mother optical filter member 3 ′ by irradiating the laser beam. The energy of the ultraviolet laser beam that has passed through the first dielectric multilayer film 32 is converted into heat at the surface portion of the mother optical filter member 3 'to melt a part of the surface portion of the mother optical filter member 3'. The first dielectric multilayer film 32 is partially evaporated by the heat generated on the surface portion of the base optical filter member 3 '.

266nmの紫外線レーザはスポット径を20μm程度に絞ることができ、また赤外線吸収
ガラスを透過しないので、粘着シート71に熱の影響を与えることが無く、高精度な寸法加工を行うことができる。また、紫外線レーザが照射され溝3a´が形成された部分では、第1の誘電体多層膜32と基体31が側面の一部分3aで溶着して一体のガラス質層となっていることで、側面からの水分の浸入を阻止するので光学特性の径時変化が少ない構造となっているが、ガラス質層は紫外線レーザ加工によって短時間で形成されることでアモルファス層となっており、側面からの水分の浸入を阻止する効果がより高くなっている。
The 266 nm ultraviolet laser can reduce the spot diameter to about 20 μm and does not transmit through the infrared absorbing glass, so that the adhesive sheet 71 is not affected by heat and high-precision dimensional processing can be performed. Further, in the portion where the groove 3a 'is formed by the irradiation with the ultraviolet laser, the first dielectric multilayer film 32 and the base 31 are welded at the side portion 3a to form an integral glassy layer. It prevents the intrusion of moisture from the surface, so the optical characteristics change little over time, but the vitreous layer is an amorphous layer formed by ultraviolet laser processing in a short time. The effect of preventing the ingress of moisture is higher.

次に、粘着シート71の裏面からそれぞれの溝3a’の真下を押し上げることで、母光学フィルタ部材3’を割断し光学フィルタ部材3とする。   Next, the base optical filter member 3 ′ is cleaved to form the optical filter member 3 by pushing up directly below the respective grooves 3 a ′ from the back surface of the adhesive sheet 71.

次に、粘着シート71の裏面から紫外線光を当てることで、粘着シート71を硬化させ、粘着性を低下させ、光学フィルタ部材3をピックアップすることで、光学フィルタ部材3を
作製することができる。なお、母光学フィルタ部材3´の切断には、ダイシングソーを用いて切り離すこともできる。その場合には、第1の誘電体多層膜32と基体31が溶着することは無い。
Next, the optical filter member 3 can be produced by applying the ultraviolet light from the back surface of the adhesive sheet 71 to cure the adhesive sheet 71, reducing the adhesiveness, and picking up the optical filter member 3. The mother optical filter member 3 ′ can be cut using a dicing saw. In that case, the first dielectric multilayer film 32 and the base 31 are not welded.

なお、光学フィルタ部材3は、図7に示されているように、基体31の上面に第1の誘電体多層膜32と重ねて第2の誘電体多層膜33を設けてもよい。   As shown in FIG. 7, the optical filter member 3 may be provided with a second dielectric multilayer film 33 on the upper surface of the base 31 so as to overlap the first dielectric multilayer film 32.

また、光学フィルタ部材3は、基体31の下面に第1の誘電体多層膜32と重ねて第2の誘電体多層膜33を設けてもよい。   Further, the optical filter member 3 may be provided with a second dielectric multilayer film 33 on the lower surface of the base 31 so as to overlap the first dielectric multilayer film 32.

なお、光学フィルタ部材3は、耐性が比較的低い赤外線吸収ガラスから成る基体31の主面が露出されないようにしておく方がよい。   It is preferable that the optical filter member 3 is such that the main surface of the base 31 made of infrared absorbing glass having relatively low resistance is not exposed.

また、本実施形態における光学フィルタ部材3は、図7のように反射防止膜35を有するものであってもよい。反射防止膜35は、素子搭載用部材1または撮像素子2によって上方へ反射された光が光学フィルタ部材3の下面で下方へ反射されて撮像素子2にゴーストやフレアとして入射されることを低減させたり、第1の誘電体多層膜32の表面で光が反射して、撮像素子2に入る光量が減少することを防ぐために設けられる。このように、反射防止膜35は、光学フィルタ部材3の空気と触れる表面に形成され、光の反射量を低減させるものである。   Further, the optical filter member 3 in the present embodiment may have an antireflection film 35 as shown in FIG. The antireflection film 35 reduces the light reflected upward by the element mounting member 1 or the image sensor 2 from being reflected downward by the lower surface of the optical filter member 3 and entering the image sensor 2 as a ghost or flare. Or the first dielectric multilayer film 32 is provided to prevent the light from being reflected from the surface and the amount of light entering the image sensor 2 from decreasing. Thus, the antireflection film 35 is formed on the surface of the optical filter member 3 that comes into contact with the air, and reduces the amount of reflected light.

この反射防止膜35は、例えば屈折率が1.7以上の誘電体材料から成る高屈折率誘電体層および例えば屈折率が1.6以下の誘電体材料から成る低屈折率誘電体層を、蒸着法またはスパッタリング法等を用いて数層順次交互に積層することによって形成される。   The antireflection film 35 includes a high refractive index dielectric layer made of a dielectric material having a refractive index of 1.7 or more and a low refractive index dielectric layer made of a dielectric material having a refractive index of 1.6 or less, for example. It is formed by laminating several layers one after the other by vapor deposition or sputtering.

このような反射防止膜35に好適な屈折率が1.7以上の絶縁材料としては、例えば五酸化タンタル,酸化チタン,五酸化ニオブ,酸化ランタンまたは酸化ジルコニウム等が用いられ、屈折率が1.6以下の絶縁材料としては、例えば酸化珪素、フッ化ランタンまたはフッ化マグネシウム等がある。硬さまたは安定性などの機械的特性、および所望の光学フィルタとしての機能を付与するために必要となる屈折率等の光学的特性から、高屈折率誘電体層としては酸化チタンを、低屈折率誘電体層としては酸化珪素が望ましい。   As an insulating material having a refractive index of 1.7 or more suitable for the antireflection film 35, for example, tantalum pentoxide, titanium oxide, niobium pentoxide, lanthanum oxide, zirconium oxide, or the like is used, and the refractive index is 1. Examples of the insulating material of 6 or less include silicon oxide, lanthanum fluoride, and magnesium fluoride. From the mechanical properties such as hardness or stability, and the optical properties such as refractive index required to give the function as a desired optical filter, titanium oxide is used as the high refractive index dielectric layer, and low refractive index Silicon oxide is desirable as the dielectric constant layer.

なお、赤外線吸収ガラスから成る基体31が比較的水分に対して弱いため、基体31の上下面に水分を通しにくい性質を有するバリア層を形成することが好ましい。なお、バリア層を単独で形成するのではなく、反射防止膜35がバリア層を含んでいると、水分透過を防ぐだけでなくゴーストやフレアを減少させることができるようになるので好ましい。   Since the base 31 made of infrared absorbing glass is relatively weak against moisture, it is preferable to form a barrier layer having a property that moisture cannot easily pass through the upper and lower surfaces of the base 31. Note that it is preferable that the antireflection film 35 includes a barrier layer instead of forming a barrier layer alone, because not only moisture permeation can be prevented but also ghosts and flares can be reduced.

反射防止膜35がバリア層を含む構造の例としては、反射防止膜35の厚み方向の一部分がバリア層である構造、または反射防止膜35の厚み方向の全部がバリア層である構造がある。反射防止膜35の厚み方向の全部がバリア層であれば、反射防止膜35を通過して基体31の表面に水分が達する可能性がさらに低減されるため好ましい。   Examples of the structure in which the antireflection film 35 includes a barrier layer include a structure in which a part of the antireflection film 35 in the thickness direction is a barrier layer, or a structure in which the entire thickness direction of the antireflection film 35 is a barrier layer. If the entire thickness direction of the antireflection film 35 is a barrier layer, it is preferable because the possibility of moisture passing through the antireflection film 35 and reaching the surface of the substrate 31 is further reduced.

反射防止膜35の厚み方向の一部分がバリア層である構造の一つの例としては、反射防止膜35が耐水コート層を有している構造がある。すなわち、耐水コート層がバリア層である。   One example of a structure in which a part of the antireflection film 35 in the thickness direction is a barrier layer is a structure in which the antireflection film 35 has a water-resistant coating layer. That is, the water resistant coating layer is a barrier layer.

反射防止膜35の厚み方向の一部分がバリア層である構造の他の例としては、複数の高屈折率誘電体層および低屈折率誘電体層一部がイオンビームアシスト蒸着法によって形成されてアモルファス化されているものがある。複数の高屈折率誘電体層および低屈折率誘電体層の一部がアモルファス化されていることによって、水分が通りにくくなっている。   As another example of a structure in which a part of the antireflection film 35 in the thickness direction is a barrier layer, a plurality of high-refractive index dielectric layers and a part of low-refractive index dielectric layers are formed by an ion beam assisted deposition method to be amorphous. There is something that has become. A part of the plurality of high-refractive index dielectric layers and low-refractive index dielectric layers is made amorphous, so that it is difficult for moisture to pass therethrough.

また、反射防止膜35の厚み方向の全部がバリア層である構造の例としては、複数の高屈折率誘電体層および低屈折率誘電体層の全部がイオンビームアシスト蒸着法によって形成されてアモルファス化されているものがある。   In addition, as an example of a structure in which the entire thickness direction of the antireflection film 35 is a barrier layer, all of a plurality of high-refractive index dielectric layers and low-refractive index dielectric layers are formed by an ion beam assisted deposition method. There is something that has become.

本実施形態における光学フィルタ部材3において、基体31に設けられた反射防止膜35が、水分を通しにくい性質を有するバリア層を含んでいる場合には、例えば光学フィルタ部材3を素子搭載用部材1に接合する前の工程において、比較的水分に対して弱い性質を有する赤外線吸収ガラスから成る基体31の表面の劣化が低減されており、例えば反射防止膜33の剥がれ等が生じる可能性が低減されている。   In the optical filter member 3 according to the present embodiment, when the antireflection film 35 provided on the base 31 includes a barrier layer having a property of preventing moisture from passing through, the optical filter member 3 is, for example, the element mounting member 1. In the process prior to bonding, the deterioration of the surface of the base 31 made of infrared absorbing glass having a relatively weak property against moisture is reduced, and the possibility of peeling of the antireflection film 33, for example, is reduced. ing.

1・・・・・素子搭載用部材
2・・・・・撮像素子
3・・・・・光学フィルタ部材
31・・・・・基体
32・・・・・第1の誘電体多層膜
32a・・・・高屈折率誘電体層
32b・・・・低屈折率誘電体層
33・・・・・第2の誘電体多層膜
33a・・・・高屈折率誘電体層
33b・・・・低屈折率誘電体層
34・・・・・耐水コート層
35・・・・・反射防止膜
4・・・・・ボンディングワイヤ
5・・・・・接着剤
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Member for element mounting 2 ... Imaging element 3 ... Optical filter member
31 ・ ・ ・ ・ ・ Substrate
32 ・ ・ ・ ・ ・ first dielectric multilayer film
32a ... High refractive index dielectric layer
32b ・ ・ ・ ・ Low refractive index dielectric layer
33 ・ ・ ・ ・ ・ Second dielectric multilayer film
33a ... High refractive index dielectric layer
33b ... Low refractive index dielectric layer
34 ・ ・ ・ ・ ・ Water-resistant coating layer
35 ... Anti-reflective coating 4 ... Bonding wire 5 ... Adhesive

Claims (3)

赤外線吸収ガラスから成る基体と、該基体の表面に設けられた光学膜とを備えており、該光学膜が、それぞれ屈折率の異なる複数の誘電体層が積層されている第1の誘電体多層膜および第2の誘電体多層膜を含んでおり、該第2の誘電体多層膜全体の平均屈折率が前記第1の誘電体多層膜全体の平均屈折率よりも高いことを特徴とする光学フィルタ部材。   A first dielectric multilayer comprising a base made of infrared absorbing glass and an optical film provided on the surface of the base, wherein the optical film is formed by laminating a plurality of dielectric layers each having a different refractive index. An optical film comprising a film and a second dielectric multilayer film, wherein an average refractive index of the entire second dielectric multilayer film is higher than an average refractive index of the entire first dielectric multilayer film Filter member. 赤外領域側において、前記光学膜のピーク透過率の半値における波長が、前記基体のピーク透過率の半値における波長よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の光学フィルタ部材。   2. The optical filter member according to claim 1, wherein a wavelength at a half value of the peak transmittance of the optical film is larger than a wavelength at a half value of the peak transmittance of the substrate on the infrared region side. 請求項1または請求項2に記載の光学フィルタ部材と、
該光学フィルタ部材の下方に設けられた撮像素子とを備えていることを特徴とする撮像装置。
The optical filter member according to claim 1 or 2,
An imaging device comprising: an imaging device provided below the optical filter member.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105511004A (en) * 2014-10-14 2016-04-20 岩崎电气株式会社 Wavelength selection filter and light irradiation apparatus
WO2016114362A1 (en) * 2015-01-14 2016-07-21 旭硝子株式会社 Near-infrared cut filter and solid-state imaging device
JPWO2015166897A1 (en) * 2014-04-30 2017-04-20 旭硝子株式会社 Cover glass and manufacturing method thereof
JP6259155B1 (en) * 2017-10-03 2018-01-10 日本板硝子株式会社 Optical filter and imaging device
JP6259156B1 (en) * 2017-10-03 2018-01-10 日本板硝子株式会社 Optical filter and imaging device
WO2020054695A1 (en) * 2018-09-12 2020-03-19 Jsr株式会社 Optical filter and use thereof
WO2020196051A1 (en) * 2019-03-28 2020-10-01 Agc株式会社 Optical filter
US11630252B2 (en) 2017-10-03 2023-04-18 Nippon Sheet Glass Company, Limited Optical filter and imaging apparatus

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01154001A (en) * 1987-12-10 1989-06-16 Minolta Camera Co Ltd Optical filter
JP2003161831A (en) * 2001-11-29 2003-06-06 Daishinku Corp Ray cut filter
JP2005109196A (en) * 2003-09-30 2005-04-21 Fuji Photo Film Co Ltd Color solid-state imaging element and solid-state imaging device using it, and digital camera
JP2006220873A (en) * 2005-02-09 2006-08-24 Olympus Corp Optical filter and imaging device
JP2007183525A (en) * 2005-12-07 2007-07-19 Murakami Corp Dielectric multilayer film filter
JP2008001544A (en) * 2006-06-21 2008-01-10 Agc Techno Glass Co Ltd Visibility correction filter glass and visibility correction filter
JP2010032867A (en) * 2008-07-30 2010-02-12 Enplas Corp Infrared ray cutoff filter

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01154001A (en) * 1987-12-10 1989-06-16 Minolta Camera Co Ltd Optical filter
JP2003161831A (en) * 2001-11-29 2003-06-06 Daishinku Corp Ray cut filter
JP2005109196A (en) * 2003-09-30 2005-04-21 Fuji Photo Film Co Ltd Color solid-state imaging element and solid-state imaging device using it, and digital camera
JP2006220873A (en) * 2005-02-09 2006-08-24 Olympus Corp Optical filter and imaging device
JP2007183525A (en) * 2005-12-07 2007-07-19 Murakami Corp Dielectric multilayer film filter
JP2008001544A (en) * 2006-06-21 2008-01-10 Agc Techno Glass Co Ltd Visibility correction filter glass and visibility correction filter
JP2010032867A (en) * 2008-07-30 2010-02-12 Enplas Corp Infrared ray cutoff filter

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2015166897A1 (en) * 2014-04-30 2017-04-20 旭硝子株式会社 Cover glass and manufacturing method thereof
JP2016080782A (en) * 2014-10-14 2016-05-16 岩崎電気株式会社 Wavelength selection filter and light irradiation device
CN105511004A (en) * 2014-10-14 2016-04-20 岩崎电气株式会社 Wavelength selection filter and light irradiation apparatus
US10310150B2 (en) 2015-01-14 2019-06-04 AGC Inc. Near-infrared cut filter and solid-state imaging device
WO2016114362A1 (en) * 2015-01-14 2016-07-21 旭硝子株式会社 Near-infrared cut filter and solid-state imaging device
JPWO2016114362A1 (en) * 2015-01-14 2017-04-27 旭硝子株式会社 Near-infrared cut filter and solid-state imaging device
KR101764084B1 (en) * 2015-01-14 2017-08-01 아사히 가라스 가부시키가이샤 Near-infrared cut filter and solid-state imaging device
CN106062591A (en) * 2015-01-14 2016-10-26 旭硝子株式会社 Near-infrared cut filter and solid-state imaging device
KR20200064094A (en) * 2017-10-03 2020-06-05 니혼 이타가라스 가부시키가이샤 Optical filter and imaging device
KR102458734B1 (en) 2017-10-03 2022-10-26 니혼 이타가라스 가부시키가이샤 Optical Filters and Imaging Devices
JP2019066744A (en) * 2017-10-03 2019-04-25 日本板硝子株式会社 Optical filter and imaging device
JP2019066743A (en) * 2017-10-03 2019-04-25 日本板硝子株式会社 Optical filter and image capturing device
JP6259156B1 (en) * 2017-10-03 2018-01-10 日本板硝子株式会社 Optical filter and imaging device
US11640021B2 (en) 2017-10-03 2023-05-02 Nippon Sheet Glass Company, Limited Optical filter and imaging apparatus
JP6259155B1 (en) * 2017-10-03 2018-01-10 日本板硝子株式会社 Optical filter and imaging device
US11630252B2 (en) 2017-10-03 2023-04-18 Nippon Sheet Glass Company, Limited Optical filter and imaging apparatus
WO2019069688A1 (en) * 2017-10-03 2019-04-11 日本板硝子株式会社 Optical filter and imaging device
JPWO2020054695A1 (en) * 2018-09-12 2021-08-30 Jsr株式会社 Optical filters and their uses
JP7255600B2 (en) 2018-09-12 2023-04-11 Jsr株式会社 Optical filter and its use
WO2020054695A1 (en) * 2018-09-12 2020-03-19 Jsr株式会社 Optical filter and use thereof
CN113573888A (en) * 2019-03-28 2021-10-29 Agc株式会社 Optical filter
CN113573888B (en) * 2019-03-28 2023-02-28 Agc株式会社 Optical filter
WO2020196051A1 (en) * 2019-03-28 2020-10-01 Agc株式会社 Optical filter
JP7347498B2 (en) 2019-03-28 2023-09-20 Agc株式会社 optical filter

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