JP2014047407A - スパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インジウム元素(In)、亜鉛元素(Zn)及びアルミニウム元素(Al)を含有する酸化物を含み、InAlO3(ZnO)m(mは0.1〜10である)で表わされるホモロガス構造化合物を含み、前記インジウム元素、前記亜鉛元素及び前記アルミニウム元素の原子比が、下記式(1)〜(3)を満たす焼結体を含むスパッタリングターゲット。
0.10≦In/(In+Zn+Al)≦0.70 (1)
0.15≦Zn/(In+Zn+Al)≦0.65 (2)
0.01≦Al/(In+Zn+Al)≦0.45 (3)
【選択図】図1
Description
以上のように、酸化物半導体用スパッタリングターゲットとして好ましい酸化インジウム、酸化亜鉛及び酸化アルミニウムターゲットの結晶相は明らかではなかった。
本発明によれば、以下のスパッタリングターゲット等が提供される。
1.インジウム元素(In)、亜鉛元素(Zn)及びアルミニウム元素(Al)を含有する酸化物を含み、InAlO3(ZnO)m(mは0.1〜10である)で表わされるホモロガス構造化合物を含み、
前記インジウム元素、前記亜鉛元素及び前記アルミニウム元素の原子比が、下記式(1)〜(3)を満たす焼結体を含むスパッタリングターゲット。
0.10≦In/(In+Zn+Al)≦0.70 (1)
0.15≦Zn/(In+Zn+Al)≦0.65 (2)
0.01≦Al/(In+Zn+Al)≦0.45 (3)
(式中、In,Zn及びAlは、それぞれ焼結体における各元素の原子比を示す。)
2.前記InAlO3(ZnO)m(mは0.1〜10である)で表わされるホモロガス構造化合物が、InAlZn4O7で表わされるホモロガス構造化合物、InAlZn3O6で表わされるホモロガス構造化合物、InAlZn2O5で表わされるホモロガス構造化合物、及びInAlZnO4で表わされるホモロガス構造化合物から選択される1以上である1に記載のスパッタリングターゲット。
3.前記焼結体が、さらに、In2O3(ZnO)n(nは2〜20である)で表わされるホモロガス構造化合物を含む1又は2に記載のスパッタリングターゲット。
4.前記In2O3(ZnO)n(nは2〜20である)で表わされるホモロガス構造化合物が、In2Zn4O7で表わされるホモロガス構造化合物、In2Zn3O6で表わされるホモロガス構造化合物及びIn2Zn2O5で表わされるホモロガス構造化合物から選択される1以上である3に記載のスパッタリングターゲット。
5.前記焼結体の相対密度が98%以上である1〜4のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
6.前記焼結体のバルク比抵抗が10mΩcm以下である1〜5のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
7.成形体を800℃から焼結温度まで昇温速度0.1〜2℃/分で昇温し、前記焼結温度で10〜50時間保持して焼結することを含み、前記焼結温度が1200℃〜1650℃である1〜6のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
8.1〜6のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により成膜してなる酸化物半導体薄膜。
9.水蒸気、酸素ガス及び亜酸化窒素ガスから選択される1以上と希ガスを含有する混合気体の雰囲気下において、1〜6のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する酸化物半導体薄膜の製造方法。
10.前記混合気体が、希ガスと、少なくとも水蒸気とを含有する9に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
11.前記混合気体中に含まれる水蒸気の割合が分圧比で0.1%〜25%である10に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
12.前記酸化物半導体薄膜の成膜を、真空チャンバー内に所定の間隔を置いて並設された3枚以上のターゲットに対向する位置に、基板を順次搬送し、前記各ターゲットに対して交流電源から負電位及び正電位を交互に印加する場合に、前記交流電源からの出力の少なくとも1つを、分岐して接続した2枚以上のターゲットの間で、電位を印加するターゲットの切替を行いながら、ターゲット上にプラズマを発生させて基板表面に成膜するスパッタリング方法で行う9〜11のいずれかに記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
13.前記交流電源の交流パワー密度を3W/cm2以上20W/cm2以下とする12に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
14.前記交流電源の周波数が10kHz〜1MHzである12又は13に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
15.8に記載の酸化物半導体薄膜、又は9〜14のいずれかに記載の方法により成膜された酸化物半導体薄膜をチャネル層として有する薄膜トランジスタ。
16.電界効果移動度が15cm2/Vs以上である15に記載の薄膜トランジスタ。
17.15又は16に記載の薄膜トランジスタを備えた表示装置。
本発明のスパッタリングターゲットは焼結体を含み、この焼結体はインジウム元素(In)、亜鉛元素(Zn)及びアルミニウム元素(Al)を含有する酸化物を含み、InAlO3(ZnO)m(mは0.1〜10である)で表わされるホモロガス構造化合物を含む。
また、上記焼結体において、インジウム元素、亜鉛元素及びアルミニウム元素の原子比が、下記式(1)〜(3)を満たす。
0.10≦In/(In+Zn+Al)≦0.70 (1)
0.15≦Zn/(In+Zn+Al)≦0.65 (2)
0.01≦Al/(In+Zn+Al)≦0.45 (3)
(式中、In,Zn及びAlは、それぞれ焼結体における各元素の原子比を示す。)
本発明の焼結体(スパッタリングターゲット)は、相対密度及びバルク抵抗に優れるため、スパッタリングの際に異常放電の発生を抑制することができる。即ち、本発明のスパッタリングターゲットは、高品質の酸化物半導体薄膜を、効率的に、安価に、かつ省エネルギーで成膜することができる。
In2O3(ZnO)n(nは2〜20である)のホモロガス構造化合物を含むと、密度及びバルク比抵抗に優れる。
上記式(1)において、In元素の原子比が0.10よりも少ないと、焼結体のバルク抵抗値が高くなり、DCスパッタリングが不可能となるおそれがある。
一方、In元素の原子比が0.70よりも多いと、そのターゲットを用いて作製した薄膜のキャリア濃度が増加して導体化し、半導体用薄膜として利用できないおそれがある。
以上から、In元素の原子比は、0.10≦In/(In+Zn+Al)≦0.70であることが好ましい。また、より好ましくは0.15≦In/(In+Zn+Al)≦0.70であり、さらに好ましくは0.20≦In/(In+Zn+Al)≦0.65である。
また、Zn元素の原子比が0.15以上であると、In2O3(ZnO)n(nは2〜20)で表わされるホモロガス構造化合物が形成されやすくなるため好ましい。In2O3(ZnO)n(nは2〜20)のホモロガス構造化合物が形成されると、密度やバルク比抵抗に優れる。
以上から、Znの濃度は、0.15≦Zn/(In+Zn+Al)≦0.65であることが好ましい。また、Zn元素の原子比は、好ましくは0.25≦Zn/(In+Zn+Al)≦0.60であり、さらに好ましくは0.30≦Zn/(In+Zn+Al)≦0.60である。
以上から、Alの濃度は、0.01≦Al/(In+Zn+Al)≦0.45であることが好ましい。また、Al元素の原子比は、好ましくは0.02≦Al/(In+Zn+Al)≦0.40であり、さらに好ましくは、0.02≦Al/(In+Zn+Al)≦0.30である。
具体的に、溶液試料をネブライザーで霧状にして、アルゴンプラズマ(約6000〜8000℃)に導入すると、試料中の元素は熱エネルギーを吸収して励起され、軌道電子が基底状態から高いエネルギー準位の軌道に移る。この軌道電子は10−7〜10−8秒程度で、より低いエネルギー準位の軌道に移る。この際にエネルギーの差を光として放射し発光する。この光は元素固有の波長(スペクトル線)を示すため、スペクトル線の有無により元素の存在を確認できる(定性分析)。
定性分析で含有されている元素を特定後、定量分析で含有量を求め、その結果から各元素の原子比を求める。
ここで、「実質的」とは、スパッタリングターゲットとしての効果が上記In、Zn及びAlに起因すること、又は焼結体の金属元素の95重量%以上100重量%以下(好ましくは98重量%以上100重量%以下)がIn、Zn及びAlであることを意味する。
本発明に用いる焼結体は、本発明の効果を損なわない範囲でIn、Zn及びAlの他に不可避不純物を含んでいてもよい。
また、焼結後に、還元性雰囲気下での熱処理操作等の後処理工程等を行って密度を調整することもできる。還元性雰囲気は、アルゴン、窒素、水素等の雰囲気や、それらの混合気体雰囲気が用いられる。
スパッタによってターゲット表面が削られる場合、その削られる速度が結晶面の方向によって異なり、ターゲット表面に凹凸が発生する。この凹凸の大きさは焼結体中に存在する結晶粒径に依存している。大きい結晶粒径を有する焼結体からなるターゲットでは、その凹凸が大きくなり、その凸部分よりノジュールが発生すると考えられる。
(i)原料化合物を混合し、成形して成形体とする工程
(ii)上記成形体を焼結する工程
(i)原料化合物を混合し、成形して成形体とする工程
原料化合物は特に制限されず、In,Zn及びAlを含む化合物であり、焼結体が上記(1)〜(3)の原子比を有することができる化合物を用いればよい。
原料に単体金属を用いた場合、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛及びアルミニウム金属の組み合わせを原料粉末として用いた場合、得られる焼結体中にアルミニウムの金属粒が存在し、成膜中にターゲット表面の金属粒が溶融してターゲットから放出されないことがあり、得られる膜の組成と焼結体の組成が大きく異なってしまう場合がある。
例えば、平均粒径が0.1μm〜1.2μmのIn2O3粉末、平均粒径が0.1μm〜1.2μmのZnO粉末及び平均粒径が0.1μm〜1.2μmのAl2O3粉末を含んだ酸化物を原料粉末とし、これらを、上記式(1)〜(3)を満たす割合で調合する。
ビーズミルによる粉砕、混合時間は、装置の大きさ、処理するスラリー量によって異なるが、スラリー中の粒度分布が全て1μm以下と均一になるように適宜調整する。
次に、原料粉末スラリーから造粒粉を得る。造粒に際しては、急速乾燥造粒を行うことが好ましい。急速乾燥造粒するための装置としては、スプレードライヤが広く用いられている。具体的な乾燥条件は、乾燥するスラリーのスラリー濃度、乾燥に用いる熱風温度、風量等の諸条件により決定されるため、実施に際しては、予め最適条件を求めておくことが必要となる。
造粒粉に対して、通常、金型プレス又は冷間静水圧プレス(CIP)により、例えば1.2ton/cm2以上の圧力で成形を施して成形体を得る。
得られた成形物を1200〜1650℃の焼結温度で10〜50時間焼結して焼結体を得ることができる。
焼結温度は、好ましくは1350〜1600℃、より好ましくは1400〜1600℃、さらに好ましくは1450〜1600℃である。焼結時間は好ましくは12〜40時間、より好ましくは13〜30時間である。
インジウム元素(In)、亜鉛元素(Zn)及びアルミニウム元素(Al)を含有する酸化物のスパッタリングターゲットにおいて800℃から上の温度範囲は、焼結が最も進行する範囲である。この温度範囲での昇温速度が0.1℃/分以上であると、過度の結晶粒成長を防ぐことができ、高密度化を達成できるため好ましい。一方、昇温速度が2℃/分以下であると、Al2O3等がターゲット内部に析出することを防ぐことができるため好ましい。
800℃から焼結温度における昇温速度は、好ましくは0.1〜1.3℃/分、より好ましくは0.1〜1.1℃/分である。
還元方法としては、例えば、還元性ガスによる方法や真空焼成又は不活性ガスによる還元等が挙げられる。
還元性ガスによる還元処理の場合、水素、メタン、一酸化炭素、又はこれらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。
不活性ガス中での焼成による還元処理の場合、窒素、アルゴン、又はこれらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。
以上をまとめると、本発明に用いる焼結体の製造方法は、例えば、酸化インジウム粉と酸化亜鉛粉及び酸化アルミニウム粉との混合粉を含む原料粉末に、水系溶媒を配合し、得られたスラリーを12時間以上混合した後、固液分離・乾燥・造粒し、引き続き、この造粒物を型枠に入れて成形し、その後、得られた成形物を酸素雰囲気中、800℃から焼結温度までの昇温速度を0.1〜2℃/分とし、1200〜1650℃で10〜50時間焼成することで焼結体を得ることができる。
尚、以上のエアーブローや流水洗浄では限界があるので、さらに超音波洗浄等を行なうこともできる。この超音波洗浄は周波数25〜300KHzの間で多重発振させて行なう方法が有効である。例えば周波数25〜300KHzの間で、25KHz刻みに12種類の周波数を多重発振させて超音波洗浄を行なうのが好ましい。
上記のようにして得られたターゲット素材をバッキングプレートへボンディングすることによって、スパッタリングターゲットを得ることができる。また、複数のターゲット素材を1つのバッキングプレートに取り付け、実質1つのターゲットとしてもよい。
本発明の酸化物半導体薄膜(酸化物薄膜)の製造方法は、上記のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により成膜することを特徴とする。
本発明の酸化物薄膜の製造方法によって製造された酸化物薄膜は、インジウム、亜鉛、アルミニウム、酸素を含み、通常、原子比は(1)〜(3)を満たす。
0.10≦In/(In+Zn+Al)≦0.70(1)
0.15≦Zn/(In+Zn+Al)≦0.65(2)
0.01≦Al/(In+Zn+Al)≦0.45(3)
(式中、In,Zn及びAlはそれぞれ、スパッタリングターゲットにおける各元素の原子比を示す。)
また、Al元素の量が0.01よりも少ないと、チャネル相を成膜しTFTに適用した場合に信頼性が劣化するおそれがある。Al元素の量を0.01以上とすることで、酸素との結合が強化されるため、TFTの信頼性を向上させることができる。
一方、Al元素の量が0.45よりも多いと、薄膜中にAl2O3が形成され、大幅に薄膜のホール移動度が低下するおそれがある。
本発明のスパッタリングターゲットは、上記DCスパッタリング法に加えて、RFスパッタリング法、ACスパッタリング法、パルスDCスパッタリング法にも適用することができ、異常放電のないスパッタリングが可能である。
スパッタリングガス(雰囲気)としては、アルゴン等の希ガス原子と酸化性ガスの混合ガスを用いることができる。酸化性ガスとしては、O2、CO2、O3、H2O、N2O等が挙げられる。
スパッタリングガスは、希ガスと、水蒸気、酸素ガス及び亜酸化窒素ガスから選ばれる一種以上を含有する混合気体が好ましく、希ガスと、少なくとも水蒸気を含有する混合気体であることがより好ましい。
酸化物層のキャリア濃度が1019cm−3以下であると、薄膜トランジスタ等の素子を構成した際の漏れ電流、ノーマリーオンや、on−off比の低下を防ぐことができ、良好なトランジスタ性能が発揮できるため好ましい。さらに、キャリア濃度が1013cm−3以上であると、問題なくTFTとして駆動するため好ましい。
酸化物半導体薄膜のキャリア濃度は、ホール効果測定方法により測定することができる。具体的には実施例に記載の方法で測定できる。
好ましくは、酸素分圧比は0%〜30%、特に好ましくは0%〜20%である。
水の分圧比が25%以下であると、膜密度の低下を防ぐことができ、Inの5s軌道の重なりを大きく保つことができ、移動度の低下を防ぐことができるため好ましい。スパッタリング時の雰囲気中の水の分圧比は0.7〜13%がより好ましく、1〜6%が特に好ましい。
成膜時の基板温度が120℃以下であると、成膜時に導入する酸素等を十分に取り込むことができ、加熱後の薄膜のキャリア濃度の過度な増加を防ぐことができるため好ましい。また、成膜時の基板温度が25℃以上であると、薄膜の膜密度が低下してTFTの移動度が低下することを防ぐことができるため好ましい。
酸化物薄膜の後処理アニール工程においては、酸素の存在下又は不存在下でランプアニール装置、レーザーアニール装置、熱プラズマ装置、熱風加熱装置、接触加熱装置等を用いることができる。
この距離が1cm以上であると、基板に到達するターゲット構成元素の粒子の運動エネルギーが大きくなりすぎることを防止でき、良好な膜特性を得ることができるため好ましい。また、膜厚及び電気特性の面内分布等を防ぐことができる。
一方、ターゲットと基板との間隔が15cm以下であると、基板に到達するターゲット構成元素の粒子の運動エネルギーが小さくなりすぎることを防止でき、緻密な膜を得ることができるため好ましい。また、良好な半導体特性を得ることができる。
真空チャンバー内に所定の間隔を置いて並設された3枚以上のターゲットに対向する位置に、基板を順次搬送し、各ターゲットに対して交流電源から負電位及び正電位を交互に印加して、ターゲット上にプラズマを発生させて基板表面上に成膜する。
このとき、交流電源からの出力の少なくとも1つを、分岐して接続された2枚以上のターゲットの間で、電位を印加するターゲットの切替を行いながら行う。即ち、上記交流電源からの出力の少なくとも1つを分岐して2枚以上のターゲットに接続し、隣り合うターゲットに異なる電位を印加しながら成膜を行う。
また、1辺が1mを超える大面積基板にスパッタ成膜する場合には、たとえば特開2005−290550号公報記載のような大面積生産用のACスパッタ装置を使用することが好ましい。
上記の酸化物薄膜は、薄膜トランジスタに使用でき、特にチャネル層として好適に使用できる。
本発明の薄膜トランジスタは、上記の酸化物薄膜をチャネル層として有していれば、その素子構成は特に限定されず、公知の各種の素子構成を採用することができる。
チャネル層の膜厚が10nm以上であると、大面積に成膜した際でも膜厚が不均一になり難く、作製したTFTの特性を面内で均一とすることができ好ましい。一方、膜厚が300nm以下であると、成膜時間を適切な範囲とすることができるため好ましい。
プラズマCVD法によりゲート絶縁膜を形成し、その上にチャネル層を成膜した場合、ゲート絶縁膜中の水素がチャネル層に拡散し、チャネル層の膜質低下やTFTの信頼性低下を招くおそれがある。チャネル層の膜質低下やTFTの信頼性低下を防ぐために、チャネル層を成膜する前にゲート絶縁膜に対してオゾン処理、酸素プラズマ処理、二酸化窒素プラズマ処理もしくは亜酸化窒素プラズマ処理を施すことが好ましい。このような前処理を行うことによって、チャネル層の膜質の低下やTFTの信頼性低下を防ぐことができる。
尚、上記の酸化物の酸素数は、必ずしも化学量論比と一致していなくともよく、例えば、SiO2でもSiOxでもよい。
特にボトムゲート構成が、アモルファスシリコンやZnOの薄膜トランジスタに比べ高い性能が得られるので有利である。ボトムゲート構成は、製造時のマスク枚数を削減しやすく、大型ディスプレイ等の用途の製造コストを低減しやすいため好ましい。
本発明の薄膜トランジスタは、表示装置に好適に用いることができる。
[焼結体の製造]
原料粉体として下記の酸化物粉末を使用した。尚、酸化物粉末の平均粒径はレーザー回折式粒度分布測定装置SALD−300V(島津製作所製)で測定し、平均粒径はメジアン径D50を採用した。
酸化インジウム粉:平均粒径0.98μm
酸化亜鉛粉:平均粒径0.96μm
酸化アルミニウム粉:平均粒径0.98μm
このようにして得た成形体を、表1に示す昇温速度(800℃から焼結温度)、焼結温度及び焼結時間で、焼結炉で焼結して焼結体を製造した。昇温中は酸素雰囲気、その他は大気中(雰囲気)とし、降温速度は15℃/分とした。
得られた焼結体の相対密度をアルキメデス法により測定した。結果を表1に示す。表1に示すように、実施例1〜8の焼結体は相対密度98%以上であることを確認した。
また、得られた焼結体のバルク比抵抗(導電性)を抵抗率計(三菱化学(株)製、ロレスタ)を使用して四探針法(JIS R 1637)に基づき測定した。結果を表1に示す。表1に示すように、実施例1〜8の焼結体のバルク比抵抗は、10mΩcm以下であった。
得られた焼結体についてICP−AES分析を行い、表1に示す原子比であることを確認した。
また、得られた焼結体について、X線回折測定(XRD)装置により結晶構造を調べた。実施例1〜4で得られた焼結体のX線回折チャートを図1〜4に示す。
実施例1の焼結体では、InAlZn2O5のホモロガス構造、In2Zn2O5のホモロガス構造及びIn2O3のビックスバイト構造が観測された。
実施例2の焼結体では、InAlZn2O5のホモロガス構造、In2Zn2O5のホモロガス構造及びIn2Zn3O6のホモロガス構造が観測された。
実施例3の焼結体では、InAlZn3O6のホモロガス構造、InAlZn4O7のホモロガス構造及びIn2Zn4O7のホモロガス構造が観測された。
実施例4の焼結体では、InAlZn2O5のホモロガス構造及びIn2Zn2O5のホモロガス構造が観測された。
・装置:(株)リガク製Ultima−III
・X線:Cu−Kα線(波長1.5406Å、グラファイトモノクロメータにて単色化)
・2θ−θ反射法、連続スキャン(1.0°/分)
・サンプリング間隔:0.02°
・スリットDS、SS:2/3°、RS:0.6mm
実施例1〜8の焼結体について、電子線マイクロアナライザ(EPMA)測定により、得られた焼結体のAlの分散を調べたところ、8μm超のAlの集合体は観測されなかった。実施例1〜8の焼結体は、分散性、均一性が極めて優れている。
・装置名:日本電子株式会社製JXA−8200
・加速電圧:15kV
・照射電流:50nA
・照射時間(1点当りの):50mS
実施例1〜8で得られた焼結体の表面を平面研削盤で研削し、側辺をダイヤモンドカッターで切断し、バッキングプレートに貼り合わせ、それぞれ直径4インチのスパッタリングターゲットを作製した。
また、実施例1〜3については、それぞれ幅200mm、長さ1700mm、厚さ10mmの6枚のターゲットを、ACスパッタリング成膜用に作製した。
得られた直径4インチのスパッタリングターゲットをDCスパッタリング装置に装着し、雰囲気としてアルゴンガスにH2Oガスを分圧比で2%添加した混合ガスを使用し、スパッタ圧0.4Pa、基板温度を室温とし、DC出力400Wにて、10kWh連続スパッタを行った。スパッタ中の電圧変動をデータロガーに蓄積し、異常放電の有無を確認した。結果を表1に示す。
スパッタ運転中の定常電圧が0.1秒間に±10%変動する場合は、スパッタ放電の異常放電であるマイクロアークが発生しており、素子の歩留まりが低下し、量産化に適さないおそれがある。
また、得られた直径4インチのスパッタリングターゲットを用いて、雰囲気としてアルゴンガスに水素ガスを分圧比で3%添加した混合ガスを使用し、40時間連続してスパッタリングを行い、ノジュールの発生の有無を確認した。
その結果、実施例1〜8のスパッタリングターゲット表面において、ノジュールは観測されなかった。
ノジュールは、スパッタリング後のターゲット表面の変化を実体顕微鏡により50倍に拡大して観察し、視野3mm2中に発生した20μm以上のノジュールについて数平均を計測する方法を採用した。発生したノジュール数を表1に示す。
表1に示す原子比で原料粉末を混合し、表1に示す昇温速度(800℃から焼結温度)、焼結温度、焼結時間で焼結した他は、実施例1〜8と同様に焼結体及びスパッタリングターゲットを製造し、評価した。結果を表1に示す。
尚、比較例1については、幅200mm、長さ1700mm、厚さ10mmの6枚のターゲットをACスパッタリング成膜用に作製した。
また、比較例1、2の焼結体において、昇温速度(800℃から焼結温度)を2℃/分超としたことも、ターゲット相対密度が98%未満、バルク抵抗が10mΩcm超となった原因と考えられる。
[酸化物半導体薄膜の製造]
マグネトロンスパッタリング装置に、実施例1〜8で作製した4インチターゲットを装着し、基板としてスライドガラス(コーニング社製♯1737)をそれぞれ装着した。DCマグネトロンスパッタリング法により、下記の条件でスライドガラス上に膜厚50nmの非晶質膜を成膜した。
成膜時には、表2に示す分圧比(%)でArガス、O2ガス、及びH2Oガスを導入した。非晶質膜を形成した基板を大気中、300℃で60分加熱して酸化物半導体薄膜を形成した。
・基板温度:25℃
・到達圧力:8.5×10−5Pa
・雰囲気ガス:Arガス、O2ガス、H2Oガス(分圧は表2を参照)
・スパッタ圧力(全圧):0.4Pa
・投入電力:DC100W
・S(基板)−T(ターゲット)距離:70mm
酸化物半導体薄膜を成膜したガラス基板をResiTest8300型(東陽テクニカ社製)にセットし、室温でホール効果を評価した。具体的に、ホール移動度及びキャリア濃度を測定した。結果を表2に示す。尚、この評価にはホール効果測定用素子を用いた。
また、ICP−AES分析により、酸化物薄膜に含まれる各元素の原子比がスパッタリングターゲットと同じであることを確認した。
また、X線回折測定装置(リガク製Ultima−III)により結晶構造を調べた。薄膜堆積直後は回折ピークが観測されず非晶質であることを確認した。また、大気下で300℃×60分加熱処理(アニール)後も回折ピークが観測されず非晶質であることを確認した。
・装置:(株)リガク製Ultima−III
・X線:Cu−Kα線(波長1.5406Å、グラファイトモノクロメータにて単色化)
・2θ−θ反射法、連続スキャン(1.0°/分)
・サンプリング間隔:0.02°
・スリット DS、SS:2/3°、RS:0.6mm
基板として、膜厚100nmの熱酸化膜付きの導電性シリコン基板を使用した。熱酸化膜がゲート絶縁膜として機能し、導電性シリコン部がゲート電極として機能する。
実施例1〜8で作製したスパッタリングターゲットを用い、ゲート絶縁膜上に表2に示す条件でスパッタ成膜し、膜厚50nmの非晶質薄膜を作製した。
レジストとしてOFPR♯800(東京応化工業株式会社製)を使用し、塗布、プレベーク(80℃、5分)、露光した。現像後、ポストベーク(120℃、5分)し、シュウ酸にてエッチングし、所望の形状にパターニングした。その後熱風加熱炉内にて300℃で60分加熱処理(アニール処理)を行った。
その後、リフトオフ法によりMo(100nm)をスパッタ成膜により成膜し、ソース/ドレイン電極を所望の形状にパターニングした。さらに表2に示すように保護膜を形成する前段階の処理として、酸化物半導体膜に対し、亜酸化窒素プラズマ処理を施した。その後、プラズマCVD法(PECVD)にてSiOxを成膜して保護膜とした。フッ酸を用いてコンタクトホールを開口し、薄膜トランジスタを作製した。
作製した薄膜トランジスタについて、電界効果移動度(μ)、S値及び閾値電圧(Vth)を評価した。これらの特性値は、半導体パラメーターアナライザー(ケースレーインスツルメンツ株式会社製4200SCS)を用い、室温、遮光環境下(シールドボックス内)で測定した。
また、盛装したトランジスタについて、ドレイン電圧(Vd)を1V及びゲート電圧(Vg)を−15〜20Vとして伝達特性を評価した。結果を表2に示す。尚、電界効果移動度(μ)は、線形移動度から算出し、Vg−μの最大値で定義した。
次に、DCバイアスストレス試験を行った。表2に、Vg=15V、Vd=15VのDCストレス(ストレス温度80℃下)を10000秒印加した前後における、TFTトランスファ特性の変化(閾値電圧シフトΔVth)を示す。
本発明のTFTは閾値電圧の変動が非常に小さく、DCストレスに対して影響を受けにくい、即ち信頼性が高いことが分かる。
[酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタの製造、評価]
比較例1、2で作製した4インチターゲットを用いて、スパッタ条件、加熱(アニーリング)処理条件及び保護膜形成前処理を、表2に記載のものとした他は実施例9〜16と同様にして酸化物半導体薄膜、薄膜評価用素子及び薄膜トランジスタを作製し、評価した。結果を表2に示す。
表2に示すように、比較例3、4の素子は電界効果移動度が15cm2/Vs未満であり、実施例9〜16と比べて大幅に低いことが分かる。また、DCバイアスストレス試験において、比較例3、4の素子は閾値電圧が1V以上変動し、著しい特性の劣化が生じた。
[酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタの製造・評価]
スパッタリングを、表3に示す条件でACスパッタリングにより行い、下記条件で非晶質膜を成膜し、加熱処理を行い、ソース・ドレインパターニングをドライエッチングで行った他は、実施例9〜16と同様にして酸化物半導体薄膜、薄膜評価用素子及び薄膜トランジスタを作製し、評価した。結果を表3に示す。
ICP−AES分析により、酸化物薄膜に含まれる各元素の原子比がスパッタリングターゲットと同じであることを確認した。
実施例1〜3で作製した幅200mm、長さ1700mm、厚さ10mmの6枚のターゲット31a〜31fを用い、各ターゲット31a〜31fを基板の幅方向に平行に、距離が2mmになるように配置した。磁界形成手段40a〜40fの幅はターゲット31a〜31fと同じ200mmであった。ガス供給系からスパッタガスであるAr、H2O及び/又はO2をそれぞれ系内に導入した。
以上の条件で成膜速度を調べるために10秒成膜し、得られた薄膜の膜厚を測定すると11nmであった。成膜速度は66nm/分と高速であり、量産に適している。また、このようにして得られた膜厚50nmの薄膜付きガラス基板を電気炉に入れ、空気中300℃、60分(大気雰囲気下)の条件で熱処理後、1cm2のサイズに切出し、4探針法によるホール測定を行った。その結果、キャリア濃度が1.79×1017cm−3となり、十分半導体化していることが確認できた。また、XRD測定により、薄膜堆積直後は非晶質であり、空気中300℃、60分の熱処理後も非晶質であることを確認した。
比較例1で作製した幅200mm、長さ1700mm、厚さ10mmの6枚のターゲットを用いて、スパッタ条件を表3に記載のものとした他は、実施例17〜19と同様にして酸化物半導体薄膜、薄膜評価用素子及び薄膜トランジスタを作製し、評価した。結果を表3に示す。
表3に示すように、比較例5の素子は電界効果移動度が15cm2/Vs未満であり、実施例17〜19と比べて大幅に電界効果移動度が低いことが分かる。
40a〜40f:磁界形成手段
17a〜17c:交流電源
Claims (17)
- インジウム元素(In)、亜鉛元素(Zn)及びアルミニウム元素(Al)を含有する酸化物を含み、InAlO3(ZnO)m(mは0.1〜10である)で表わされるホモロガス構造化合物を含み、
前記インジウム元素、前記亜鉛元素及び前記アルミニウム元素の原子比が、下記式(1)〜(3)を満たす焼結体を含むスパッタリングターゲット。
0.10≦In/(In+Zn+Al)≦0.70 (1)
0.15≦Zn/(In+Zn+Al)≦0.65 (2)
0.01≦Al/(In+Zn+Al)≦0.45 (3)
(式中、In,Zn及びAlは、それぞれ焼結体における各元素の原子比を示す。) - 前記InAlO3(ZnO)m(mは0.1〜10である)で表わされるホモロガス構造化合物が、InAlZn4O7で表わされるホモロガス構造化合物、InAlZn3O6で表わされるホモロガス構造化合物、InAlZn2O5で表わされるホモロガス構造化合物、及びInAlZnO4で表わされるホモロガス構造化合物から選択される1以上である請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記焼結体が、さらに、In2O3(ZnO)n(nは2〜20である)で表わされるホモロガス構造化合物を含む請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記In2O3(ZnO)n(nは2〜20である)で表わされるホモロガス構造化合物が、In2Zn4O7で表わされるホモロガス構造化合物、In2Zn3O6で表わされるホモロガス構造化合物及びIn2Zn2O5で表わされるホモロガス構造化合物から選択される1以上である請求項3に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記焼結体の相対密度が98%以上である請求項1〜4のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
- 前記焼結体のバルク比抵抗が10mΩcm以下である請求項1〜5のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
- 成形体を800℃から焼結温度まで昇温速度0.1〜2℃/分で昇温し、前記焼結温度で10〜50時間保持して焼結することを含み、前記焼結温度が1200℃〜1650℃である請求項1〜6のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 請求項1〜6のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により成膜してなる酸化物半導体薄膜。
- 水蒸気、酸素ガス及び亜酸化窒素ガスから選択される1以上と希ガスを含有する混合気体の雰囲気下において、請求項1〜6のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する酸化物半導体薄膜の製造方法。
- 前記混合気体が、希ガスと、少なくとも水蒸気とを含有する請求項9に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
- 前記混合気体中に含まれる水蒸気の割合が分圧比で0.1%〜25%である請求項10に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
- 前記酸化物半導体薄膜の成膜を、真空チャンバー内に所定の間隔を置いて並設された3枚以上のターゲットに対向する位置に、基板を順次搬送し、前記各ターゲットに対して交流電源から負電位及び正電位を交互に印加する場合に、前記交流電源からの出力の少なくとも1つを、分岐して接続した2枚以上のターゲットの間で、電位を印加するターゲットの切替を行いながら、ターゲット上にプラズマを発生させて基板表面に成膜するスパッタリング方法で行う請求項9〜11のいずれかに記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
- 前記交流電源の交流パワー密度を3W/cm2以上20W/cm2以下とする請求項12に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
- 前記交流電源の周波数が10kHz〜1MHzである請求項12又は13に記載の酸化物半導体薄膜の製造方法。
- 請求項8に記載の酸化物半導体薄膜、又は請求項9〜14のいずれかに記載の方法により成膜された酸化物半導体薄膜をチャネル層として有する薄膜トランジスタ。
- 電界効果移動度が15cm2/Vs以上である請求項15に記載の薄膜トランジスタ。
- 請求項15又は16に記載の薄膜トランジスタを備えた表示装置。
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---|---|---|---|---|
JP2022009326A (ja) * | 2016-01-15 | 2022-01-14 | 株式会社Flosfia | 結晶性酸化物膜 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63256521A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-24 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InAlZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
WO2009081885A1 (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
WO2009142289A1 (ja) * | 2008-05-22 | 2009-11-26 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット、それを用いたアモルファス酸化物薄膜の形成方法、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2010285321A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット用酸化亜鉛系焼結体の製造方法 |
WO2011132418A1 (ja) * | 2010-04-22 | 2011-10-27 | 出光興産株式会社 | 成膜方法 |
JP2012054335A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 酸化物焼結体及び酸化物半導体薄膜 |
JP2013165115A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 導電性酸化物およびその製造方法 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63256521A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-24 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InAlZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
WO2009081885A1 (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
WO2009142289A1 (ja) * | 2008-05-22 | 2009-11-26 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット、それを用いたアモルファス酸化物薄膜の形成方法、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2010285321A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット用酸化亜鉛系焼結体の製造方法 |
WO2011132418A1 (ja) * | 2010-04-22 | 2011-10-27 | 出光興産株式会社 | 成膜方法 |
JP2012054335A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 酸化物焼結体及び酸化物半導体薄膜 |
JP2013165115A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 導電性酸化物およびその製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6016032737; NOBORU KIMIZUKA. etc.: 'Homologous Compounds, InFeO3(ZnO)m (m=1-9)' Journal Of Solid State Chemistry 74(1988), 98-109 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022009326A (ja) * | 2016-01-15 | 2022-01-14 | 株式会社Flosfia | 結晶性酸化物膜 |
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