JP2014047400A - フラットパネルディスプレイの半透過電極用Ａｇ合金膜、およびフラットパネルディスプレイ用半透過電極 - Google Patents

Abstract

【課題】半透過を実現できる比較的薄い膜厚のＡｇ合金膜であって、電気抵抗率が低く、所望の反射率と透過率を示し、かつ上述した加熱プロセスを経由しても特性の劣化し難い（例えば電気抵抗率の増加し難い）、フラットパネルディスプレイの半透過電極に適したＡｇ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた半透過電極に用いられるＡｇ合金膜であって、Ｂｉを０．１〜１．０ａｔ％含み、かつ膜厚が５ｎｍ以上２５ｎｍ未満であり、更に、表面抵抗値が１５Ω／□以下であることを特徴とするフラットパネルディスプレイの半透過電極用Ａｇ合金膜。
【選択図】なし

Description

本発明は、例えばＴＶ、ＰＣ、タッチパネル、携帯電話等のフラットパネルディスプレイの、半透過電極に用いられるＡｇ合金膜、および該Ａｇ合金膜を用いたフラットパネルディスプレイ用半透過電極、更には、該半透過電極を備えたフラットパネルディスプレイに関するものである。

ＴＶやＰＣ、タッチパネル、携帯電話、その他の各種産業機器の平面表示装置として挙げられる、液晶ディスプレイや、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ、具体例としては有機ＥＬや無機ＥＬ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）等は、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）と総称される。

上記フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）には、構成部品として複数の電極が使用されており、このうち、光取出し側に配置される電極（例えば有機ＥＬにおいて、トップエミッション構造である場合の光取り出し側電極等）には、その特性として、一定以上の反射率と共に一定以上の透過率を示すこと、即ち、半透過であることが要求される。また電極として、電気抵抗率が抑えられていることも要求される（以下、これらの特性が要求される電極を「半透過電極」という）。

上記半透過電極として、一般的には、透明導電膜が単独で用いられるか、透明導電膜とＡｇ系膜との積層膜が用いられる。前記Ａｇ系膜は、ある膜厚以上で可視光の高い反射率を示し、かつ低い電気抵抗を確保できるため好ましく用いられる。

例えば特許文献１には、透明基板に設けられかつ透明電極を構成する透明導電層と、透明基板に設けられかつ外光を反射すると共に上記透明導電層と電気的に接続されて反射電極を構成する金属反射層とを備えた、半透過半反射型電極基板が提案されている。

ところで、半透過電極を構成する透明導電膜には一般的にＩＴＯ膜が用いられている。成膜直後のＩＴＯ膜はアモルファス状態にあるが、ＩＴＯ膜の特性向上を図るべく、ＩＴＯ膜のポリ化を目的に、上記Ａｇ系膜と透明導電膜の積層体（半透過電極）は加熱プロセスを経由する。即ち、上記Ａｇ系膜も加熱されるが、Ａｇ系膜は、加熱によって凝集しやすいといった欠点を有する。特に純Ａｇ膜は、加熱による凝集が顕著であり、ＩＴＯ膜を積層した状態であっても加熱プロセスを経由すると表面抵抗値が増加する。

Ａｇ系膜として、反射電極はこれまでにいくつか提案されている。例えば特許文献２には、高い反射率を示す、厚さ１００ｎｍのＡｇ系膜が示されている。しかしながら、上記反射電極として使用されるＡｇ系膜は膜厚が厚く、上述した半透過を実現することができない。一方、Ａｇ系膜の膜厚を薄くすると、表面抵抗値が高まり易く、電極として使用し難いといった問題がある。

特開２００９−８８９２号公報 特開２０１０−２２５５８６号公報

本発明は、上記の様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、半透過を実現できる比較的薄い膜厚のＡｇ合金膜であって、表面抵抗値が低く、所望の反射率と透過率を示す、フラットパネルディスプレイの半透過電極に適したＡｇ合金膜、および、上述した加熱プロセスを経由しても特性の劣化し難い、上記Ａｇ合金膜を用いた半透過電極、更には、該半透過電極を備えたフラットパネルディスプレイを実現することにある。

上記課題を解決し得た本発明のフラットパネルディスプレイの半透過電極用Ａｇ合金膜は、基板上に設けられた半透過電極に用いられるＡｇ合金膜であって、Ｂｉを０．１〜１．０ａｔ％含み、かつ膜厚が５ｎｍ以上２５ｎｍ未満であり、更に、表面抵抗値が１５Ω／□以下であるところに特徴を有する。

前記Ａｇ合金膜は、更に希土類元素を０．１〜５．０ａｔ％含むことが好ましく、該希土類元素としてＮｄを含むことがより好ましい。

本発明には、前記Ａｇ合金膜の直上のみ、または前記Ａｇ合金膜の直上および直下に透明導電膜が形成された点に特徴を有する、フラットパネルディスプレイ用半透過電極も含まれる。

また本発明には、前記半透過電極を備えたフラットパネルディスプレイも含まれる。

本発明によれば、Ａｇ系膜の膜厚が比較的薄く、かつ一定以上の反射率と一定以上の透過率を示すと共に、表面抵抗値が小さい、フラットパネルディスプレイの半透過電極用として最適なＡｇ合金膜が得られる。また本発明の半透過電極は、透明導電膜（ＩＴＯ膜）の加熱処理後（ポリ化）においても、Ａｇの凝集が抑えられ、低い電気抵抗率を実現できる。その結果、特性の良好なフラットパネルディスプレイを実現することができる。

本発明のＡｇ合金膜は、上述の通り、一定以上の反射率と一定以上の透過率を示し、かつ表面抵抗値が一定以下を示すものである。各特性の基準は以下のとおりである。即ち、上記「一定以上の反射率」とは、後述する実施例に記載の方法で、Ａｇ合金膜の５５０ｎｍでの初期反射率を測定したときに、３０％以上であることを意味する。該初期反射率は、好ましくは３５％以上、より好ましくは４０％以上である。

また、上記「一定以上の透過率」とは、後記する実施例に記載の方法で、Ａｇ合金膜の５５０ｎｍでの透過率を測定したときに、１０％以上であることを意味する。該透過率は１１％以上であることが好ましい。尚、透過率の上限は２５％程度である。

更に、「表面抵抗値が一定以下を示す」とは、後述する実施例に記載の方法で、Ａｇ合金膜の表面抵抗値を測定したときに、１５Ω／□以下であることを意味する。前記表面抵抗値は、好ましくは１０Ω／□以下、より好ましくは９．０Ω／□以下、更に好ましくは８．０Ω／□以下である。尚、表面抵抗値の下限は、膜厚にもよるが１．０Ω／□程度である。

図１は、実施例において形成したＡｇ系膜の走査型電子顕微鏡写真であり、（ａ）は純Ａｇ膜、（ｂ）はＡｇ−０．５ａｔ％Ｂｉ膜、（ｃ）はＡｇ−０．３５ａｔ％Ｂｉ−０．２ａｔ％Ｎｄ膜の各写真である。

本発明者らは、上述の通り、フラットパネルディスプレイの半透過電極として有用なＡｇ合金膜を得るべく鋭意研究を重ねた。その結果、所定の膜厚を示し、かつ所定量のＢｉを含むものであって、表面抵抗値が一定以下であるようにすればよいこと、更には、希土類元素を含有させれば、表面荒れが十分に抑えられ、比較的薄い膜厚であっても十分に低い表面抵抗値を達成できることを見出した。

まず、本発明のＡｇ合金膜を構成する元素（Ｂｉ、希土類元素）について説明する。

純Ａｇ膜の場合、成膜直後はＡｇの粒子が点在して膜の平坦性がかなり低い状態にあり、表面抵抗値が高い。この純Ａｇ膜を加熱すると、上記Ａｇ粒子の点在が顕著になり表面荒れがひどくなるため、表面抵抗値がより高まる。これに対し、Ｂｉを添加することにより、膜厚が薄い場合（例えば２０ｎｍ以下）であっても、上記Ａｇの凝集が抑制されて、純Ａｇ膜よりも膜が平坦になり、所望の透過率と表面抵抗値を得ることができる。この様な効果を発揮させるべく、本発明ではＡｇ合金膜に含まれるＢｉ量を０．１ａｔ％以上とする。好ましくは０．２ａｔ％以上、より好ましくは０．４ａｔ％以上である。

一方、Ｂｉ量が多過ぎると、Ａｇ合金膜形成用のスパッタリングターゲット製造時にＢｉがＡｇに十分溶解せず、上記ターゲットの製造が困難となり、上記ターゲットの製造歩留まりが低下する。よって、Ｂｉ量の上限は１．０ａｔ％とする。好ましくは０．８ａｔ％以下、より好ましくは０．７ａｔ％以下である。

本発明では、更に、希土類元素を含有させることにより、Ａｇの凝集をより抑制でき、膜を十分平坦な状態とすることができる。

このような作用を有効に発揮させるには、希土類元素の含有量を０．１ａｔ％以上とすることが好ましい。より好ましくは０．２ａｔ％以上である。一方、希土類元素の含有量が５．０ａｔ％を超えると、所望の表面抵抗値を得られない。よって希土類元素を含有させる場合、その含有量は５．０ａｔ％以下とすることが好ましく、より好ましくは４．０ａｔ％以下、更に好ましくは３．０ａｔ％以下である。

本発明に用いられる希土類元素として、ランタノイド元素（ＬａからＬｕまでの１５元素）、Ｓｃ（スカンジウム）およびＹ（イットリウム）よりなる群から選択される少なくとも一種が挙げられる。上記「希土類元素の含有量」とは、上記元素よりなる群から選択される少なくとも一種の希土類元素を、単独で含むときは単独の量であり、二種類以上を含むときは合計量を意味する。上記希土類元素として、好ましくは、Ｎｄ、Ｌａ、ＳｃおよびＹよりなる群から選択される１種以上の元素であり、より好ましくはＮｄである。

本発明のＡｇ合金膜は、上記の通り、Ｂｉを含み（必要に応じて更にＮｄ等の希土類元素を含み）、残部はＡｇおよび不可避的不純物である。該不可避的不純物としては、Ａｇ合金膜の製造過程で不可避的に混入し得る元素が挙げられる。

本発明のＡｇ合金膜は、膜厚が５ｎｍ以上２５ｎｍ未満である。Ａｇ合金膜の膜厚が５ｎｍ未満であると、所望の反射率を確保することが困難となる。また所望の表面抵抗値を確保することも困難となる。よって膜厚は５ｎｍ以上とする。好ましくは７ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上である。一方、膜厚が厚すぎると、所望の透過率を確保することが困難となる。よって膜厚は２５ｎｍ未満とする。好ましくは２０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以下である。

本発明のＡｇ合金膜は、上述の通り、表面抵抗値が１５Ω／□以下を示すものである。上記表面抵抗値を達成させるには、Ａｇ合金膜の膜厚を規定範囲内で厚くしたり、希土類元素を含有させる場合には、この希土類元素量を抑えることなどが挙げられる。

本発明には、上記Ａｇ合金膜を用いて得られるフラットパネルディスプレイ用半透過電極も含まれる。該半透過電極の構成形態として、下記の（Ａ）または（Ｂ）が挙げられる。
（Ａ）本発明のＡｇ合金膜の直上のみに透明導電膜が形成される場合
（Ｂ）本発明のＡｇ合金膜の直上および直下に透明導電膜が形成される場合
上記透明導電膜としては、ＩＴＯやＩＺＯなどを用いることができる。

上記透明導電膜の膜厚は、例えば３ｎｍ以上（より好ましくは５ｎｍ以上）、１５ｎｍ以下（より好ましくは１０ｎｍ以下）とすることができる。

本発明のＡｇ合金膜は、真空蒸着法やイオンプレーティング法、スパッタリング法などにより基板上に成膜して得られるが、これらの薄膜形成方法の中でもスパッタリング法での成膜が推奨される。スパッタリング法により成膜されたＡｇ合金膜は、他の方法で成膜された薄膜と比べて、合金組成、合金元素分布および膜厚の膜面内均一性に優れており、安定した光学特性や耐久性が得られるからである。

上記スパッタリング法での成膜条件は特に限定されないが、例えば、以下のような条件を採用することが好ましい。
・基板温度：室温〜５０℃
・到達真空度：１×１０^-5Ｔｏｒｒ以下（１．３×１０^-3Ｐａ以下）
・成膜時の（Ａｒ）ガス圧：１〜４ｍＴｏｒｒ
・ＤＣスパッタリングパワー密度（ターゲットの単位面積当たりのＤＣスパッタリングパワー）：１．０〜２０Ｗ／ｃｍ²

フラットパネルディスプレイ用半透過電極は、上述の通り、上記Ａｇ合金膜と透明導電膜の積層構造を有するが、この場合の透明導電膜の成膜方法は公知の方法を採用すればよい。またフラットパネルディスプレイの製造方法も公知の方法を採用すればよい。

尚、上述の通り、上記Ａｇ系膜とＩＴＯ膜の積層体からなる半透過電極の場合、該ＩＴＯ膜のポリ化を目的に、半透過電極（前記積層体）は加熱プロセスを経由する場合があるが、この加熱プロセス（熱処理）は例えば、一般的に窒素雰囲気下または大気雰囲気下、１５０〜３５０℃で３０分〜１時間半程度加熱することが挙げられる。

本発明のＡｇ合金膜を備えた半透過電極は、具体的には、ＴＶ、ＰＣ、タッチパネル、携帯電話、タブレット端末、車載用ディスプレイモニター等に用いられるフラットパネルディスプレイの半透過電極として有用である。

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。

［実施例１］
ガラス基板（コーニング社製の無アルカリガラス＃１７３７、直径：５０ｍｍ、厚さ：０．７ｍｍ）上に、表１に示す成分組成および膜厚の純Ａｇ膜またはＡｇ合金膜（残部：Ａｇおよび不可避的不純物）を、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用い、スパッタリング法により成膜して試料を得た。

スパッタリング装置には、複数のターゲットの同時放電が可能な多元スパッタリング装置（（株）アルバック製 ＣＳ−２００）を用いた。スパッタリング条件は、基板温度：室温、Ａｒガス流量：２０ｓｃｃｍ、Ａｒガス圧：約０．１Ｐａ、ＤＣスパッタリングパワー密度：２〜５Ｗ／ｃｍ²、到達真空度：２．０×１０^-6Ｔｏｒｒ以下とした。

また上記成膜には、スパッタリングターゲットとして、純Ａｇスパッタリングターゲット（純Ａｇ膜の場合）、真空溶解法により作製した下記表１に示す膜組成と同組成であるＡｇ合金スパッタリングターゲット、または、純Ａｇスパッタリングターゲットのスパッタリング面に、下記表１の膜を構成する金属元素からなる金属チップを接着した複合ターゲットを用いた。

上記方法で得られた試料を用いて、純Ａｇ膜またはＡｇ合金膜の初期反射率、透過率、および表面抵抗値の測定を行った。尚、得られたＡｇ合金膜の組成は、ＩＣＰ発光分光分析装置（島津製作所製のＩＣＰ発光分光分析装置「ＩＣＰ−８０００型」）を用い、定量分析して確認した。

（初期反射率）
純Ａｇ膜またはＡｇ合金膜（単層膜）の波長５５０ｎｍの可視光の反射率（初期反射率）は、分光光度計（日本分光社製 Ｖ−５７０分光光度計）を用い、絶対反射率を測定して求めた。そして、この初期反射率が１５．０％以上の場合を合格とした。

（透過率の測定）
純Ａｇ膜またはＡｇ合金膜（単層膜）の５５０ｎｍの可視光の透過率は、分光光度計（日本分光社製 Ｖ−５７０分光光度計）を用いて測定した。波長５５０ｎｍの光に対する厚さ方向の直線透過率を測定した。このようにして測定した波長５５０ｎｍでの透過率が２０％以上のものを合格とした。

（表面抵抗値の測定）
上記試料を用いて、一般的に用いられる四探針法により、市販の測定器（日置電機株式会社製：３５４０ミリオームハイテスタ）を用いて、純Ａｇ膜またはＡｇ合金膜の表面抵抗値を測定した。そして、表面抵抗値が１５Ω／□以下のものを合格とした。

これらの結果を表１に示す。表１には、表の最右欄に「評価」の欄を設け、上記初期反射率、透過率、および表面抵抗値の全てが合格の場合を○（半透過電極用Ａｇ合金膜として有用）と評価し、少なくともいずれかが不合格のものを×と評価した。

表１より次の様に考察できる。純Ａｇ膜（Ｎｏ．１〜３）の場合、膜厚が比較的薄い場合（Ｎｏ．１および２）、表面抵抗値が高くなり、一方、膜厚が厚い場合（Ｎｏ．３）、所望の透過率が得られない。

Ｎｏ．４〜１５は、Ａｇ−Ｂｉ膜の、Ｂｉ量と膜厚を変化させた例である。このＮｏ．４〜１５から、Ｂｉ量と膜厚が特性に及ぼす影響について次のように考察できる。即ち、Ｎｏ．６、１０および１３（いずれも膜厚は１０ｎｍ）とＮｏ．１（純Ａｇ膜、膜厚は１０ｎｍ）の対比から、膜厚が１０ｎｍと薄い場合であっても、Ｂｉを含有させることで表面抵抗値を抑えることができ、かつＢｉ量が増加するほど表面抵抗値がより小さくなることがわかる。また、膜厚がいずれも２０ｎｍである、Ｎｏ．２と、Ｎｏ．７、１１および１４の表面抵抗値を対比した場合も、上記と同様のことがいえる。

また、Ｎｏ．４は、所望の表面抵抗値が得られておらず、Ｎｏ．８、１２および１５は、いずれも膜厚が規定上限を超えており、その結果、所望の透過率が得られていない。

Ｎｏ．１６〜３５は、Ｂｉに加え、更に希土類元素としてＮｄを含有させた例であり、Ｂｉ量を０．３５ａｔ％で一定とし、Ｎｄ量と膜厚を変化させた例である。Ｎｏ．１６〜１８、２０〜２２、２４〜２６、２８〜３０、および３４は、本発明で規定の要件を満たしており、初期反射率、透過率および表面抵抗値の全てが良好である。これに対し、Ｎｏ．１９、２３、２７、３１および３５は、いずれも膜厚が厚すぎるため、所望の透過率を達成できていない。またＮｏ．３２および３３は、表面抵抗値が外れている。これらＮｏ．１６〜３５の結果から、Ｂｉ量を０．３５ａｔ％で一定とし、更にＮｄを含む場合、所望の表面抵抗値を得るには、Ｎｄ量を好ましくは５．０％未満（より好ましくは３．０％以下）とすることや、Ｎｄ量が５．０％の場合には、Ａｇ合金膜の膜厚を好ましくは１５ｎｍ超、より好ましくは２０ｎｍ以上とすることが挙げられる。

Ｎｏ．３６および３７は、合金元素としてＢｉの代わりにＩｎを含有させた例である。膜厚が５ｎｍの場合（Ｎｏ．３７）、所望の反射率を確保できず、また膜厚が２０ｎｍの場合（Ｎｏ．３６）は透過率を確保できていない。

図１に、純Ａｇ膜（膜厚１０ｎｍ）と、Ａｇ−０．５ａｔ％Ｂｉ膜（膜厚１０ｎｍ）、およびＡｇ−０．３５ａｔ％Ｂｉ−０．２ａｔ％Ｎｄ膜（膜厚１０ｎｍ）のそれぞれの、単層膜表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察写真（倍率：１０，０００倍）を示す。

図１（ａ）は、純Ａｇ膜の写真であるが、Ａｇ粒子が島状構造となり、膜の連続性（平坦性）が著しく低いことがわかる。図１（ｂ）は、Ａｇ−０．５ａｔ％Ｂｉ膜の写真である。この図１（ｂ）と上記図１（ａ）とを比較すると、図１（ｂ）では、ところどころに欠陥が見られるものの膜は連続性（平坦性）を有している。また、図１（ｃ）はＡｇ−０．３５ａｔ％Ｂｉ−０．２ａｔ％Ｎｄ膜の写真であるが、上記図１（ａ）および（ｂ）、即ち、純Ａｇ膜とＡｇ−０．５ａｔ％Ｂｉ膜の表面と比較して、膜が十分に平坦であることがわかる。このことから、Ｂｉと共に希土類元素（Ｎｄ）を所定量加えることにより、膜の平坦性がより向上することがわかる。

［実施例２］
実施例２では、ガラス基板（コーニング社製の無アルカリガラス＃１７３７、直径：５０ｍｍ、厚さ：０．７ｍｍ）上に、ＩＴＯ膜（１０ｎｍ）、Ａｇ合金膜（５ｎｍ）、ＩＴＯ膜（１０ｎｍ）を順次積層して、半透過電極を模擬した積層体を得た。各膜の成膜条件は次の通りである。

まず、上記ガラス基板上へのＩＴＯ膜の成膜は、ＩＴＯターゲットを用いて、Ａｒガスに対し１０％程度Ｏ_２ガスを導入しながら、ＤＣマグネトロンスパッタ法にて、基板温度：２５℃、圧力：０．８ｍＴｏｒｒ、ＤＣパワー：１５０Ｗの条件で行った。次いで、表２に示す成分組成のＡｇ系膜（いずれも膜厚５ｎｍ、Ａｇ合金膜は残部がＡｇおよび不可避的不純物）を、実施例１と同様にして成膜した。次に、上記Ａｇ系膜の直上にＩＴＯ膜（１０ｎｍ）を上記と同様にして成膜し、積層体を得た。そして、ＩＴＯ膜のポリ化を目的とする加熱プロセスを模擬し、前記積層体に対して熱処理を行った。この熱処理は、アルバック理工社製 ＲＴＰ−６を用い、Ｎ₂流量が６Ｌ／ｍｉｎのＮ₂雰囲気下、２５０℃で１ｈの条件で行った。

そして、この熱処理後の積層体（試料）を用い、積層体の初期反射率および積層体の透過率の測定を、上記実施例１と同様の条件で行った。

また上記試料を用いて、積層体の電気抵抗率を測定した。詳細には、一般的に用いられる四探針法により、市販の測定器（日置電機株式会社製：３５４０ミリオームハイテスタ）を用いて薄膜のシート抵抗を測定し、下記式（１）に従い、積層体の電気抵抗率を算出した。尚、上記測定には、測定試料面積が探針間隔より十分に広い試料を利用し、かつ比例定数Ｆを下記数値とした。
電気抵抗率=四探針法測定値×膜厚×Ｆ …（１）
[上記式（１）において、Ｆ（比例定数）＝π／ｌｎ２＝４．５３２]

そして、上記積層体については、初期反射率が８．０％以上の場合を合格、透過率が７０％以上の場合を合格、また、電気抵抗率が７５μΩ・ｃｍ以下の場合を合格とした。

これらの結果を表２に示す。表２には、表の最右欄に「評価」の欄を設け、上記初期反射率、透過率、および電気抵抗率の全てが合格の場合を○（半透過電極として有用）と評価し、少なくともいずれかが不合格のものを×と評価した。

表２より次の様に考察できる。純Ａｇ膜とＩＴＯ膜の積層体（Ｎｏ．１）は、電気抵抗率が高くなっている。また、Ｂｉの代わりにＩｎを含有させたＡｇ合金膜を含む積層体（Ｎｏ．４および５）も、純Ａｇ膜を用いた場合と同程度またはより高い電気抵抗率を示している。これに対し、Ａｇ系膜として、本発明の要件を満たすＡｇ−０．５ａｔ％Ｂｉ膜（Ｎｏ．２）や、Ａｇ−０．３５ａｔ％Ｂｉ−０．２ａｔ％Ｎｄ膜（Ｎｏ．３）を用いて得られた積層体は、上記純Ａｇ膜やＡｇ−Ｉｎ膜を用いた積層体よりも十分低い電気抵抗率を示している。

Claims (5)

1. 基板上に設けられた半透過電極に用いられるＡｇ合金膜であって、
   Ｂｉを０．１〜１．０ａｔ％含み、かつ
   膜厚が５ｎｍ以上２５ｎｍ未満であり、更に、表面抵抗値が１５Ω／□以下であることを特徴とするフラットパネルディスプレイの半透過電極用Ａｇ合金膜。
2. 更に希土類元素を０．１〜５．０ａｔ％含む請求項１に記載のＡｇ合金膜。
3. 前記希土類元素はＮｄである請求項２に記載のＡｇ合金膜。
4. 請求項１〜３のいずれかに記載のＡｇ合金膜の直上のみ、または該Ａｇ合金膜の直上および直下に透明導電膜が形成されたものであることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用半透過電極。
5. 請求項４に記載のフラットパネルディスプレイ用半透過電極を備えたフラットパネルディスプレイ。