JP2014039976A - Substrate manufacturing method - Google Patents

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Masataka Iwasaki
将任 岩崎
Atsushi Otsuka
淳 大塚
Hiroshi Yamamoto
洋 山本
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Niterra Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate manufacturing method in which manufacturing efficiency is improved by simultaneously forming a plurality of tapered recess portions.SOLUTION: A substrate 11 is manufactured through a recess forming process. In the recess forming process, a plurality of recess portions are simultaneously formed that are open on a main surface of the substrate by applying abrasive grain processing for spraying abrasive grains T1 from a nozzle 31 toward the main surface of the substrate which is supported by a support body 12. Further, in the recess forming process, the plurality of recess portions are formed such that an inner diameter gradually becomes larger toward a main surface side of the substrate to form a tapered shape, by rotating the support body 12 around a support shaft 13 or by moving the support body 12 so that an inclination direction of the main surface of the substrate is changed, in a state of tilting the main surface of the substrate relative to a discharging direction of the abrasive grains T1 .

Description

本発明は、基板の基板主面に向けてノズルから砥粒を吹き付ける砥粒加工を行うことにより、基板主面にて開口する凹部を形成する基板の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a substrate in which a recess that opens in the main surface of the substrate is formed by performing an abrasive process in which abrasive particles are sprayed from a nozzle toward the main surface of the substrate.

従来より、基板には、ビア導体などを形成するための凹部が複数形成されたものがある。なお、凹部としては、例えば、基板主面側に向かって徐々に内径が大きくなるテーパ状をなすものなどが挙げられる。このため、従来では、テーパ状をなす凹部を形成するための技術が種々提案されている(例えば特許文献1〜3参照)。具体的に言うと、特許文献1には、ノズルを首振り状態で回転させながらサンドブラスト(ノズルからの砥粒の吹き付け)を行うことにより、ガラス基板に孔(凹部)を形成する技術が提案されている。また、特許文献2には、ノズルの向きをガラス基板の表面に対して所定角度傾斜させた状態で、サンドブラストを行うことにより、ガラス基板にマイクロ流路(凹部)を形成する技術が提案されている。さらに、特許文献3には、ガラス基板を傾斜状態で回転させながらレーザー照射を行うことにより、ガラス基板に任意形状の貫通孔(凹部)を形成する技術が提案されている。   Conventionally, some substrates have a plurality of recesses for forming via conductors and the like. In addition, as a recessed part, what makes the taper shape from which an internal diameter becomes large gradually toward the board | substrate main surface side etc. are mentioned, for example. For this reason, conventionally, various techniques for forming a tapered concave portion have been proposed (see, for example, Patent Documents 1 to 3). Specifically, Patent Document 1 proposes a technique for forming a hole (concave portion) in a glass substrate by performing sandblasting (spraying abrasive grains from the nozzle) while rotating the nozzle in a swinging state. ing. Patent Document 2 proposes a technique for forming microchannels (concave portions) in a glass substrate by performing sandblasting in a state in which the nozzle is inclined at a predetermined angle with respect to the surface of the glass substrate. Yes. Furthermore, Patent Document 3 proposes a technique for forming a through hole (concave portion) having an arbitrary shape in a glass substrate by performing laser irradiation while rotating the glass substrate in an inclined state.

特開平3−247528号公報(第4図等)JP-A-3-247528 (FIG. 4 etc.) 特開2008−030148号公報(図1等)JP 2008-030148 A (FIG. 1 etc.) 特開2003−246638号公報(図6等)JP 2003-246638 A (FIG. 6 etc.)

しかしながら、特許文献1,2に記載の従来技術では、凹部のテーパ角度を制御することが可能になるが、ノズルの傾斜角度が大きくなると、ノズルの回転ストロークが大きくなるため、ノズルが取り付けられる加工装置が大型化しやすいという問題がある。なお、特許文献3に記載の従来技術では、ノズルを動かす代わりに基板を回転させているため、加工装置の大型化を伴わずに、テーパ角度を制御する機構を得ることが可能である。しかし、複数の凹部を同時に形成することができないため、製造効率が悪いという問題がある。   However, in the prior arts described in Patent Documents 1 and 2, it is possible to control the taper angle of the recess, but since the rotation stroke of the nozzle increases as the nozzle inclination angle increases, the nozzle is attached to the process. There is a problem that the apparatus tends to be large. In the prior art described in Patent Document 3, since the substrate is rotated instead of moving the nozzle, a mechanism for controlling the taper angle can be obtained without increasing the size of the processing apparatus. However, since a plurality of recesses cannot be formed at the same time, there is a problem that the manufacturing efficiency is poor.

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、テーパ状をなす複数の凹部を同時に形成することにより、製造効率を向上させることが可能な基板の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a substrate capable of improving manufacturing efficiency by simultaneously forming a plurality of tapered concave portions. It is in.

上記課題を解決するための手段(手段1)としては、被加工物である基板を支持体に支持させる基板支持工程と、前記支持体に支持された前記基板の基板主面に向けて、前記支持体と対向して配置されたノズルから砥粒を吹き付ける砥粒加工を行うことにより、前記基板主面にて開口する凹部を形成する凹部形成工程とを経て、基板を製造する方法であって、前記凹部形成工程では、複数の前記ノズルを、それぞれ前記基板主面に向けた状態で、複数の前記ノズルから前記砥粒を吹き付けることにより、複数の前記凹部を同時に形成し、前記基板主面と複数の前記ノズルとの相対的な位置関係を維持させるとともに、前記基板主面を前記砥粒の噴出方向に対して傾斜させた状態で、前記支持体を支軸を中心として回転させるか、または、前記基板主面の傾斜方向が変わるように前記支持体を動作させることにより、複数の前記凹部を、前記基板主面側に向かって徐々に内径が大きくなるテーパ状をなすように形成することを特徴とする基板の製造方法がある。   As means (means 1) for solving the above-mentioned problems, a substrate supporting step for supporting a substrate as a workpiece on a support, and a substrate main surface of the substrate supported by the support, A method of manufacturing a substrate through a recess forming step of forming a recess opening in the main surface of the substrate by performing an abrasive process in which abrasive grains are sprayed from a nozzle disposed facing the support. In the recess forming step, the plurality of recesses are simultaneously formed by spraying the abrasive grains from the plurality of nozzles in a state where the plurality of nozzles are respectively directed to the substrate main surface, and the substrate main surface And maintaining the relative positional relationship between the plurality of nozzles and rotating the support around the support shaft in a state where the main surface of the substrate is inclined with respect to the ejection direction of the abrasive grains, Or By operating the support so that the inclination direction of the plate main surface changes, the plurality of concave portions are formed so as to have a tapered shape with an inner diameter gradually increasing toward the substrate main surface side. There is a method for manufacturing a substrate.

従って、手段1の基板の製造方法によると、凹部形成工程において、複数のノズルから砥粒を吹き付けるとともに、基板主面を砥粒の噴出方向に対して傾斜させた状態で、基板を支持する支持体を支軸を中心として回転させるか、または、基板主面の傾斜方向が変わるように支持体を動作させることにより、テーパ状をなす凹部を複数個同時に形成することができる。ゆえに、基板の製造効率を向上させることができる。   Therefore, according to the substrate manufacturing method of means 1, in the recess forming step, the abrasive grains are sprayed from a plurality of nozzles, and the substrate main surface is tilted with respect to the direction in which the abrasive grains are ejected. By rotating the body about the support shaft or operating the support so that the direction of inclination of the substrate main surface changes, a plurality of tapered recesses can be formed simultaneously. Therefore, the manufacturing efficiency of the substrate can be improved.

以下、基板の製造方法について説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing a substrate will be described.

基板支持工程では、被加工物である基板を支持体に支持させる。ここで、基板としては、例えば、樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、金属基板が使用可能であるが、コスト面を考慮すると樹脂基板であることが好ましい。   In the substrate support step, the substrate that is the workpiece is supported on the support. Here, for example, a resin substrate, a ceramic substrate, a glass substrate, or a metal substrate can be used as the substrate, but a resin substrate is preferable in consideration of cost.

かかる樹脂基板の好適例としては、例えば、EP樹脂(エポキシ樹脂)、PI樹脂(ポリイミド樹脂)、BT樹脂(ビスマレイド−トリアジン樹脂)、PPE樹脂(ポリフェニレンエーテル樹脂)等からなる基板を挙げることができる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維(ガラス織布やガラス不織布)やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。また、セラミック基板の好適例を挙げると、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、べリリア、ムライト、低温焼成ガラスセラミック、ガラスセラミック等からなる基板がある。金属基板の好適例としては、例えば、銅からなる基板、銅合金からなる基板、銅以外の金属単体からなる基板、銅以外の合金からなる基板などを挙げることができる。   Preferable examples of such a resin substrate include a substrate made of EP resin (epoxy resin), PI resin (polyimide resin), BT resin (bismaleide-triazine resin), PPE resin (polyphenylene ether resin), and the like. . In addition, a substrate made of a composite material of these resins and organic fibers such as glass fibers (glass woven fabric or glass nonwoven fabric) or polyamide fibers may be used. Further, preferred examples of the ceramic substrate include substrates made of alumina, aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, beryllia, mullite, low-temperature fired glass ceramic, glass ceramic, and the like. Preferable examples of the metal substrate include a substrate made of copper, a substrate made of a copper alloy, a substrate made of a simple metal other than copper, and a substrate made of an alloy other than copper.

なお、基板は、複数の絶縁層と複数の導体層とを積層してなる多層配線基板であってもよい。さらに、これらの導体層の層間接続を図るために、基板内部にビア導体などが形成されていてもよい。かかる導体層やビア導体は、例えば、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、白金(Pt)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)などからなる導電性金属ペーストを印刷または充填することにより形成される。なお、このような多層配線基板に加えて、例えば、絶縁層及び導体層を交互に積層してなるビルドアップ層(配線積層部)をコア基板の片面または両面に有するビルドアップ多層配線基板を用いることも許容される。このようにすれば、基板の高密度化を図りやすくなる。   The substrate may be a multilayer wiring board formed by laminating a plurality of insulating layers and a plurality of conductor layers. Furthermore, a via conductor or the like may be formed inside the substrate in order to achieve interlayer connection between these conductor layers. Such conductor layers and via conductors are printed or filled with a conductive metal paste made of, for example, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), platinum (Pt), tungsten (W), molybdenum (Mo), etc. It is formed by doing. In addition to such a multilayer wiring board, for example, a build-up multilayer wiring board having a build-up layer (wiring laminated portion) formed by alternately laminating insulating layers and conductor layers on one side or both sides of the core substrate is used. It is also acceptable. This makes it easy to increase the density of the substrate.

続く凹部形成工程では、支持体に支持された基板の基板主面に向けて、支持体と対向して配置されたノズルから砥粒を吹き付ける砥粒加工を行うことにより、基板主面にて開口する凹部を形成する。詳述すると、凹部形成工程では、複数のノズルを、それぞれ基板主面に向けた状態で、複数のノズルから砥粒を吹き付けることにより、複数の凹部を同時に形成する。また、凹部形成工程では、基板主面と複数のノズルとの相対的な位置関係を維持させるとともに、基板主面を砥粒の噴出方向に対して傾斜させた状態で、支持体を支軸を中心として回転させるか、または、基板主面の傾斜方向が変わるように支持体を動作させることにより、複数の凹部を、基板主面側に向かって徐々に内径が大きくなるテーパ状をなすように形成する。   In the subsequent recess forming step, the substrate main surface of the substrate supported by the support is opened on the substrate main surface by performing an abrasive process in which abrasive grains are sprayed from a nozzle disposed facing the support. A concave portion to be formed is formed. More specifically, in the recess forming step, the plurality of recesses are simultaneously formed by spraying abrasive grains from the plurality of nozzles in a state where the plurality of nozzles are respectively directed to the main surface of the substrate. Further, in the recess forming step, while maintaining the relative positional relationship between the substrate main surface and the plurality of nozzles, the support body is supported on the support shaft in a state where the substrate main surface is inclined with respect to the ejection direction of the abrasive grains. By rotating the support as the center or by operating the support so that the inclination direction of the main surface of the substrate changes, the plurality of recesses are tapered so that the inner diameter gradually increases toward the main surface of the substrate. Form.

なお、凹部形成工程では、複数のノズルの噴出口と基板主面との距離を一定に維持することが好ましい。このようにすれば、複数の凹部の形成領域に対して、それぞれ同じ勢いで砥粒が衝突するようになるため、同一形状の凹部を形成しやすくなる。   In the recess forming step, it is preferable to keep the distance between the nozzle outlets of the plurality of nozzles and the substrate main surface constant. In this way, the abrasive grains collide with the same momentum with respect to the formation areas of the plurality of recesses, so that it becomes easy to form recesses having the same shape.

また、凹部形成工程前に、感光性を有するドライフィルムを、基板主面上に貼付するフィルム貼付工程と、ドライフィルムを露光する露光工程と、露光されたドライフィルムを現像して、複数の凹部の形成領域を露出させるための複数の開口部を形成する現像工程とを行い、凹部形成工程では、開口部を介して露出する複数の凹部の形成領域に対して砥粒を吹き付けることにより、複数の凹部を形成することが好ましい。このようにすれば、基板主面において、凹部の形成領域のみに砥粒が衝突し、それ以外の領域には砥粒が衝突しないため、凹部を正確に形成することができる。また、複数の開口部が互いに同一形状をなす場合には、同一形状の凹部を確実に形成することができる。   In addition, before the recess forming step, a photosensitive film is pasted on the main surface of the substrate, a film sticking step, an exposure step of exposing the dry film, and the exposed dry film is developed to form a plurality of recesses. And developing a step of forming a plurality of openings for exposing the formation region of the plurality of portions, and in the recess formation step, the abrasive grains are sprayed on the formation regions of the plurality of recesses exposed through the openings. It is preferable to form a recess. In this way, on the substrate main surface, the abrasive grains collide only with the formation area of the recess, and the abrasive grains do not collide with the other areas, so that the recess can be formed accurately. In addition, when the plurality of openings have the same shape, a concave portion having the same shape can be reliably formed.

さらに、基板主面よりも面積が小さい複数の分割領域を設定し、支持体において基板を支持する支持面の面方向に沿って基板を移動させることにより、凹部形成工程を実施する分割領域を別の分割領域に変更する基板移動工程をさらに含み、凹部形成工程及び基板移動工程を複数の分割領域の数だけ繰り返して実施してもよい。このようにすれば、基板主面の面積が大きすぎるために、複数のノズルの噴出口と複数の凹部との距離を一定に維持できない場合であっても、基板主面よりも面積が小さい分割領域内においては、各ノズルの噴出口と各凹部との距離を一定に維持しやすくなる。よって、凹部形成工程を分割領域ごとに実施すれば、複数の凹部を正確に形成することができる。   Furthermore, by setting a plurality of divided regions having a smaller area than the main surface of the substrate and moving the substrate along the surface direction of the support surface that supports the substrate in the support, the divided regions for performing the recess forming step are separated. The substrate moving process may be further changed to the divided areas, and the recess forming process and the substrate moving process may be repeated by the number of the divided areas. In this case, even if the distance between the nozzle outlets and the plurality of recesses cannot be kept constant because the area of the substrate main surface is too large, the division is smaller than the substrate main surface. In the region, the distance between the nozzle outlet of each nozzle and each recess is easily maintained. Therefore, if a recessed part formation process is implemented for every division area, a several recessed part can be formed correctly.

本実施形態の砥粒加工装置を示す概略構成図。The schematic block diagram which shows the abrasive grain processing apparatus of this embodiment. 砥粒加工装置を示す概略側面図。The schematic side view which shows an abrasive processing apparatus. フィルム貼付工程後かつ凹部形成工程前の基板を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the board | substrate after a film sticking process and before a recessed part formation process. 凹部形成工程後の基板を示す要部断面図。The principal part sectional drawing which shows the board | substrate after a recessed part formation process. 凹部形成工程後の基板を示す要部平面図。The principal part top view which shows the board | substrate after a recessed part formation process. 凹部形成工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows a recessed part formation process. 凹部形成工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows a recessed part formation process. 凹部形成工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows a recessed part formation process. 基板移動工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows a board | substrate movement process. 基板移動工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows a board | substrate movement process. 基板移動工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows a board | substrate movement process. 基板移動工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows a board | substrate movement process. 他の実施形態における凹部形成工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the recessed part formation process in other embodiment.

以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。   Hereinafter, an embodiment embodying the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1,図2に示される砥粒加工装置10は、被加工物である基板11に対して砥粒T1を吹き付けるサンドブラスト加工を行うことにより、複数の貫通孔24(凹部)を形成するためのものである。砥粒加工装置10は、基板11を支持するためのステージ12(支持体)を備えている。ステージ12は、同ステージ12の中央部から下方に突出する支軸13を中心として回転するようになっている。また、ステージ12は、基板11を支持面14に支持させる機能を有する基板移動機構15を備えている。基板移動機構15は、基板11の四隅を支持した状態で、周知のXYステージの機構を用いて支持面14の面方向に沿って基板11を移動させるようになっている。   The abrasive grain processing apparatus 10 shown in FIGS. 1 and 2 performs a sandblasting process for spraying abrasive grains T1 on a substrate 11 that is a workpiece, thereby forming a plurality of through holes 24 (concave portions). Is. The abrasive processing apparatus 10 includes a stage 12 (support) for supporting the substrate 11. The stage 12 rotates around a support shaft 13 that protrudes downward from the center of the stage 12. The stage 12 includes a substrate moving mechanism 15 having a function of supporting the substrate 11 on the support surface 14. The substrate moving mechanism 15 is configured to move the substrate 11 along the surface direction of the support surface 14 using a known XY stage mechanism while supporting the four corners of the substrate 11.

また、砥粒加工装置10は、複数(本実施形態では3本)のノズル31を備えている。各ノズル31は、砥粒T1(本実施形態では、アルミナ等のセラミックからなる粒子)を吹き付けることによって、複数の貫通孔24を同時に形成するためのものである。各ノズル31は、砥粒T1が収容された砥粒タンク(図示略)に接続されるとともに、電磁バルブ(図示略)を介してコンプレッサ(図示略)に接続されている。よって、コンプレッサを駆動した状態で電磁バルブを開状態に切り替えると、砥粒タンク内の砥粒T1がノズル31から高圧で噴出されるようになる。   Further, the abrasive grain processing apparatus 10 includes a plurality (three in this embodiment) of nozzles 31. Each nozzle 31 is for simultaneously forming a plurality of through holes 24 by spraying abrasive grains T1 (in this embodiment, particles made of ceramic such as alumina). Each nozzle 31 is connected to an abrasive tank (not shown) in which abrasive grains T1 are stored, and is connected to a compressor (not shown) via an electromagnetic valve (not shown). Therefore, when the electromagnetic valve is switched to the open state while the compressor is driven, the abrasive grains T1 in the abrasive tank are ejected from the nozzle 31 at a high pressure.

図1,図2に示されるように、各ノズル31は、ステージ12と対向して配置され、ステージ12に支持された基板11の基板主面21にそれぞれ向けられている。各ノズル31は、互いに平行に配置され、かつ、噴出口32から基板主面21までの距離が互いに等しくなっている。なお、各ノズル31は、それぞれ鉛直方向に延びており、砥粒T1を鉛直方向に沿って噴出するようになっている。また、基板主面21(及びステージ12の支持面14)は、水平面に対して6°だけ傾斜するとともに、砥粒T1の噴出方向に対して角度α1(本実施形態では84°)だけ傾斜している。   As shown in FIGS. 1 and 2, each nozzle 31 is disposed to face the stage 12 and is directed to the substrate main surface 21 of the substrate 11 supported by the stage 12. The nozzles 31 are arranged in parallel to each other, and the distances from the ejection port 32 to the substrate main surface 21 are equal to each other. Each nozzle 31 extends in the vertical direction, and ejects the abrasive grains T1 along the vertical direction. The substrate main surface 21 (and the support surface 14 of the stage 12) is inclined by 6 ° with respect to the horizontal plane, and is inclined by an angle α1 (84 ° in the present embodiment) with respect to the ejection direction of the abrasive grains T1. ing.

次に、砥粒加工装置10によって形成される基板11について説明する。   Next, the substrate 11 formed by the abrasive processing apparatus 10 will be described.

図3,図4に示されるように、本実施形態の基板11は、1つの基板主面21(図4では上面)、1つの基板裏面22(図4では下面)、及び、4つの基板側面23(図4では右面)を有し、略矩形板状をなしている。本実施形態の基板11は、絶縁材料(本実施形態ではガラス)からなるガラス基板である。なお、基板11の大きさは、縦10.0mm×横10.0mmに設定されている。また、基板11の厚さは、50μm以上500μm以下(本実施形態では100μm)に設定されている。   As shown in FIGS. 3 and 4, the substrate 11 of the present embodiment includes one substrate main surface 21 (upper surface in FIG. 4), one substrate back surface 22 (lower surface in FIG. 4), and four substrate side surfaces. 23 (right surface in FIG. 4), and has a substantially rectangular plate shape. The substrate 11 of this embodiment is a glass substrate made of an insulating material (glass in this embodiment). In addition, the magnitude | size of the board | substrate 11 is set to 10.0 mm long x 10.0 mm wide. The thickness of the substrate 11 is set to 50 μm or more and 500 μm or less (100 μm in this embodiment).

図4,図5に示されるように、基板11には、基板主面21及び基板裏面22の両方にて開口する複数の貫通孔24が格子状に形成されている。各貫通孔24は、平面視円形状をなし、基板裏面22側から基板主面21側に向かって徐々に内径が大きくなるテーパ状をなすように形成されている。よって、貫通孔24の基板主面21側開口の内径D1は、貫通孔24の基板裏面22側開口の内径D2よりも大きくなっている。なお、本実施形態では、内径D1が80μmに設定され、内径D2が60μmに設定されている。また、図4に示されるように、貫通孔24の内側面は、基板裏面22に対して角度α2(本実施形態では84°)だけ傾斜している。そして、かかる貫通孔24内には、銅からなる導体柱(図示略)が設けられるようになっている。   As shown in FIGS. 4 and 5, the substrate 11 is formed with a plurality of through-holes 24 opened in both the substrate main surface 21 and the substrate back surface 22 in a lattice shape. Each through-hole 24 has a circular shape in plan view, and is formed to have a tapered shape in which the inner diameter gradually increases from the substrate back surface 22 side toward the substrate main surface 21 side. Therefore, the inner diameter D1 of the opening on the substrate main surface 21 side of the through hole 24 is larger than the inner diameter D2 of the opening on the substrate rear surface 22 side of the through hole 24. In the present embodiment, the inner diameter D1 is set to 80 μm, and the inner diameter D2 is set to 60 μm. As shown in FIG. 4, the inner surface of the through hole 24 is inclined with respect to the substrate back surface 22 by an angle α2 (84 ° in the present embodiment). And in this through-hole 24, the conductor pillar (not shown) which consists of copper is provided.

次に、基板11の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the substrate 11 will be described.

まず、市販のガラス基板を準備し、これを基板11とする。ガラス基板としては、日本電気硝子株式会社製「OA−10G」などを挙げることができる。   First, a commercially available glass substrate is prepared and used as the substrate 11. Examples of the glass substrate include “OA-10G” manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.

続くフィルム貼付工程では、感光性及び耐ブラスト性を有するドライフィルム41(図3参照)を、基板11の基板主面21上に貼付する。続く露光工程では、ドライフィルム41を露光し、続く現像工程では、露光されたドライフィルム41を現像する。その結果、貫通孔24の形成領域を露出させるための平面視円形状の開口部42(図3参照)が複数箇所に形成される。   In the subsequent film sticking step, a dry film 41 (see FIG. 3) having photosensitivity and blast resistance is stuck on the substrate main surface 21 of the substrate 11. In the subsequent exposure process, the dry film 41 is exposed, and in the subsequent development process, the exposed dry film 41 is developed. As a result, openings 42 (see FIG. 3) having a circular shape in plan view for exposing the formation region of the through hole 24 are formed at a plurality of locations.

続く基板支持工程では、基板11をステージ12に支持させる。続く凹部形成工程では、3本のノズル31をステージ12に支持された基板11の基板主面21にそれぞれ向けた状態で、開口部42を介して露出する複数の貫通孔24の形成領域に対して、各ノズル31から砥粒T1を吹き付けるサンドブラスト加工(砥粒加工)を行うことにより、複数の貫通孔24を同時に形成する。なお、本実施形態の凹部形成工程では、各ノズル31と基板主面21との相対的な位置関係が一定に維持されるとともに、各ノズル31の噴出口32と基板主面21との距離が一定(50mm)に維持される。また、本実施形態では、砥粒T1の噴出圧力が0.5MPaに設定され、砥粒T1の噴出量が150g/minに設定されている。   In the subsequent substrate support process, the substrate 11 is supported on the stage 12. In the subsequent recess forming step, the three nozzles 31 are directed to the substrate main surface 21 of the substrate 11 supported by the stage 12, respectively, with respect to the formation regions of the plurality of through holes 24 exposed through the openings 42. Then, by performing sandblasting (abrasive processing) in which abrasive grains T1 are sprayed from each nozzle 31, a plurality of through holes 24 are formed simultaneously. In the recess forming step of the present embodiment, the relative positional relationship between each nozzle 31 and the substrate main surface 21 is maintained constant, and the distance between the nozzle 32 of each nozzle 31 and the substrate main surface 21 is the same. Constant (50 mm) is maintained. Moreover, in this embodiment, the ejection pressure of the abrasive grain T1 is set to 0.5 MPa, and the ejection amount of the abrasive grain T1 is set to 150 g / min.

さらに、凹部形成工程においては、基板主面21(及びステージ12の支持面14)を砥粒T1の噴出方向に対して角度α1(84°)だけ傾斜させた状態で、ステージ12を支軸13を中心として回転させる。このとき、ドライフィルム41が貼付された基板11に対して、角度α1だけ傾斜した状態で砥粒T1が吹き付けられる。具体的に言うと、ステージ12の回転を開始する初期状態(θ=0°)では、貫通孔24の形成領域の中央部分に集中して砥粒T1が衝突するため、形成領域の中央部分が貫通部25となる(図6参照)。また、初期状態では、貫通部25の内側面の一部の領域R1に対しても、集中して砥粒T1が衝突するため、領域R1がテーパ状に加工される(図6参照)。そして、初期状態から90°回転すると(θ=90°)、貫通部25の内側面において領域R1に隣接する領域R2に集中して砥粒T1が衝突し、領域R2がテーパ状に加工される(図7参照)。次に、初期状態から180°回転すると(θ=180°)、貫通部25の内側面において領域R1とは反対側の領域R3に集中して砥粒T1が衝突し、領域R3がテーパ状に加工される(図8参照)。さらに、初期状態から360°回転すると(θ=360°)、貫通部25の内側面全体に砥粒T1が均等に衝突した状態となるため、貫通部25の内側面全体がテーパ状に加工された状態となる(図5参照)。その結果、基板主面21側に向かって徐々に内径が大きくなるテーパ状をなす貫通孔24が完成する(図4参照)。   Further, in the recess forming step, the stage 12 is supported on the support shaft 13 while the substrate main surface 21 (and the support surface 14 of the stage 12) is inclined by an angle α1 (84 °) with respect to the ejection direction of the abrasive grains T1. Rotate around. At this time, the abrasive grains T1 are sprayed on the substrate 11 to which the dry film 41 has been attached while being inclined by the angle α1. Specifically, in the initial state where the rotation of the stage 12 is started (θ = 0 °), the abrasive grains T1 collide with the central portion of the formation region of the through hole 24, so that the central portion of the formation region is It becomes the penetration part 25 (refer FIG. 6). Further, in the initial state, the abrasive grains T1 collide with each other on a part of the inner surface R1 of the penetrating portion 25, so that the region R1 is processed into a tapered shape (see FIG. 6). Then, when rotated 90 ° from the initial state (θ = 90 °), the abrasive grains T1 collide with the region R2 adjacent to the region R1 on the inner surface of the penetrating portion 25, and the region R2 is processed into a tapered shape. (See FIG. 7). Next, when rotated by 180 ° from the initial state (θ = 180 °), the inner surface of the penetrating portion 25 concentrates on the region R3 opposite to the region R1, and the abrasive grains T1 collide, and the region R3 becomes tapered. It is processed (see FIG. 8). Further, when 360 ° is rotated from the initial state (θ = 360 °), the abrasive grains T1 collide uniformly with the entire inner surface of the penetrating portion 25, so that the entire inner surface of the penetrating portion 25 is processed into a tapered shape. (See FIG. 5). As a result, a through-hole 24 having a tapered shape whose inner diameter gradually increases toward the substrate main surface 21 side is completed (see FIG. 4).

なお、基板主面21は、同基板主面21よりも面積が小さい4つの分割領域A1〜A4に分割されており、上記した凹部形成工程は、分割領域A1〜A4ごとに実施されるようになっている。具体的に言うと、まず、基板移動工程を行い、ステージ12の支持面14の面方向に沿って基板11を移動させることにより、凹部形成工程を実施する分割領域を分割領域A1に設定する。そして、分割領域A1に対する凹部形成工程を実施する(図9参照)。分割領域A1に対する凹部形成工程の終了後、基板移動工程を再度実施する。具体的には、支持面14の面方向(矢印F1方向)に沿って基板11を移動させて、凹部形成工程を実施する分割領域を別の分割領域A2に変更する(図9参照)。そして、分割領域A2に対する凹部形成工程を実施する(図10参照)。その後、凹部形成工程を実施する分割領域を別の分割領域A3に変更する基板移動工程(図10の矢印F2参照)→分割領域A3に対する凹部形成工程(図11参照)→凹部形成工程を実施する分割領域を別の分割領域A4に変更する(図11の矢印F3参照)→分割領域A4に対する凹部形成工程(図12参照)が順番に実施される。即ち、凹部形成工程及び基板移動工程は、分割領域A1〜A4の数(本実施形態では4)だけ繰り返して実施される。そして、全ての分割領域A1〜A4に対する凹部形成工程が終了した後に、ドライフィルム41を基板主面21から剥離すれば、複数の貫通孔24を備えた基板11が完成する。   The substrate main surface 21 is divided into four divided regions A1 to A4 having an area smaller than that of the substrate main surface 21, and the above-described recess forming step is performed for each of the divided regions A1 to A4. It has become. More specifically, first, the substrate moving process is performed, and the substrate 11 is moved along the surface direction of the support surface 14 of the stage 12, thereby setting the divided area where the recess forming process is performed as the divided area A1. And the recessed part formation process with respect to division area A1 is implemented (refer FIG. 9). After the recess forming process for the divided area A1, the substrate moving process is performed again. Specifically, the substrate 11 is moved along the surface direction of the support surface 14 (the direction of the arrow F1), and the divided region where the recess forming step is performed is changed to another divided region A2 (see FIG. 9). And the recessed part formation process with respect to division area A2 is implemented (refer FIG. 10). Thereafter, the substrate moving step (see arrow F2 in FIG. 10) for changing the divided region to be divided into another divided region A3 → the recessed portion forming step (see FIG. 11) for the divided region A3 → the recessed portion forming step is performed. The divided area is changed to another divided area A4 (see arrow F3 in FIG. 11) → the recess forming step (see FIG. 12) for divided area A4 is performed in order. That is, the concave portion forming step and the substrate moving step are repeatedly performed by the number of divided regions A1 to A4 (4 in the present embodiment). And after the recessed part formation process with respect to all the division | segmentation area | regions A1-A4 is complete | finished, if the dry film 41 is peeled from the board | substrate main surface 21, the board | substrate 11 provided with the several through-hole 24 will be completed.

次に、貫通孔についての評価方法及びその結果を説明する。   Next, the evaluation method about a through-hole and its result are demonstrated.

まず、測定用サンプルを次のように準備した。本実施形態と同じ基板移動工程(基板11を移動させることにより、凹部形成工程を実施する分割領域を変更する工程)を経て複数の貫通孔24を形成した基板11を準備し、これを実施例とした。また、基板移動工程とは別の工程(複数のノズル31を移動させることにより、凹部形成工程を実施する分割領域を変更する工程)を経て複数の貫通孔を形成した基板を準備し、これを比較例とした。   First, a measurement sample was prepared as follows. A substrate 11 in which a plurality of through holes 24 are formed through the same substrate moving process as the present embodiment (a process of changing the divided region in which the recess forming process is performed by moving the substrate 11) is prepared, and this is described as an example. It was. In addition, a substrate having a plurality of through holes is prepared through a step different from the substrate moving step (a step of changing a divided region in which the recess forming step is performed by moving the plurality of nozzles 31). It was set as a comparative example.

次に、各測定用サンプル(実施例、比較例)に対して、基板裏面に対する貫通孔の内側面の傾斜角度(図4の角度α2参照)を測定した。具体的には、貫通孔の基板主面側開口の内径(図4の内径D1参照)と貫通孔の基板裏面側開口の内径(図4の内径D2参照)とを測定し、基板の厚さに基づいて傾斜角度を算出した。なお、傾斜角度の算出は、100個の貫通孔に対して行った。そして、算出した傾斜角度に基づいて、傾斜角度の平均値(テーパ平均角度)を算出し、平均値が80°以上であれば合格と判定した。   Next, the inclination angle (see angle α2 in FIG. 4) of the inner surface of the through hole with respect to the back surface of the substrate was measured for each measurement sample (Example, Comparative Example). Specifically, the inner diameter (see inner diameter D1 in FIG. 4) of the substrate main surface side opening of the through hole and the inner diameter of the opening on the back surface side of the substrate (see inner diameter D2 in FIG. 4) are measured. The tilt angle was calculated based on The inclination angle was calculated for 100 through holes. And based on the calculated inclination angle, the average value (taper average angle) of the inclination angle was calculated, and it was determined to be acceptable if the average value was 80 ° or more.

テーパ平均角度を算出した結果、比較例のテーパ平均角度は73°となった。一方、実施例のテーパ平均角度は84°となった。   As a result of calculating the taper average angle, the taper average angle of the comparative example was 73 °. On the other hand, the taper average angle of the example was 84 °.

また、各測定用サンプルに対して貫通孔の観察を行い、貫通孔の歩留まりを算出した。具体的に言うと、完全に貫通していない孔、または、貫通孔周辺にクラックが発生している孔を不合格と判定し、それ以外は合格と判定した。そして、貫通孔の観察を100個の貫通孔に対して行い、歩留まりが95%以上(即ち、合格と判定された貫通孔が95個以上)であれば、合格と判定した。   Moreover, the through-hole was observed with respect to each measurement sample, and the yield of the through-hole was calculated. Specifically, a hole that was not completely penetrated or a hole in which a crack occurred around the through hole was judged as unacceptable, and the others were judged as acceptable. And through-hole observation was performed with respect to 100 through-holes, and the yield was determined to be acceptable if the yield was 95% or more (that is, 95 or more through-holes determined to be acceptable).

貫通孔の歩留まりを算出した結果、比較例の貫通孔の歩留まりは96%であった。一方、実施例の貫通孔の歩留まりは98%であった。   As a result of calculating the yield of the through hole, the yield of the through hole of the comparative example was 96%. On the other hand, the yield of the through holes in the example was 98%.

以上のことから、実施例のテーパ平均角度は、比較例のテーパ平均角度よりも大きいことが確認された。また、貫通孔の歩留まりは、実施例、比較例ともに合格であるものの、実施例の歩留まりは比較例の歩留まりよりも高いことが確認された。従って、実施例と同じ方法で基板を製造すれば、十分なテーパ角度を有し、歩留まりが高い貫通孔を得られることが証明された。   From the above, it was confirmed that the taper average angle of the example was larger than the taper average angle of the comparative example. Moreover, although the yield of the through-hole passed both the Example and the Comparative Example, it was confirmed that the yield of the Example was higher than the yield of the Comparative Example. Therefore, it has been proved that a through hole having a sufficient taper angle and a high yield can be obtained if the substrate is manufactured by the same method as in the example.

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。   Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.

(1)本実施形態の基板11の製造方法では、凹部形成工程において、各ノズル31から砥粒T1を吹き付けるとともに、基板主面21を砥粒T1の噴出方向に対して傾斜させた状態で、基板11を支持するステージ12を支軸13を中心として回転させることにより、テーパ状をなす貫通孔24を複数個同時に形成することができる。ゆえに、基板11の製造効率を向上させることができる。   (1) In the manufacturing method of the substrate 11 of the present embodiment, in the recess forming step, the abrasive grains T1 are sprayed from the nozzles 31 and the substrate main surface 21 is inclined with respect to the ejection direction of the abrasive grains T1, By rotating the stage 12 supporting the substrate 11 around the support shaft 13, a plurality of tapered through holes 24 can be formed simultaneously. Therefore, the manufacturing efficiency of the substrate 11 can be improved.

(2)本実施形態の凹部形成工程では、各ノズル31の噴出口32と基板主面21との距離が一定に維持されるようになっている(図2参照)。その結果、各貫通孔24の形成領域に対して、それぞれ同じ勢いで砥粒T1が衝突するようになるため、同一形状の貫通孔24を形成しやすくなる。   (2) In the recess forming step of the present embodiment, the distance between the ejection port 32 of each nozzle 31 and the substrate main surface 21 is kept constant (see FIG. 2). As a result, the abrasive grains T1 collide with each through-hole 24 formation region at the same moment, so that the through-holes 24 having the same shape can be easily formed.

(3)本実施形態では、砥粒加工装置10に3本のノズル31が設けられている。その結果、ノズル31が1本のみである場合に比べて、凹部形成工程が実施される分割領域A1〜A4に対して均等に砥粒T1を噴霧しやすくなるため、同一形状の貫通孔24をより確実に形成することができる。なお、ノズル31の数は、複数あれば特に限定される訳ではないが、例えば、2本以上4本以下であることが好ましい。   (3) In the present embodiment, the abrasive processing apparatus 10 is provided with three nozzles 31. As a result, compared to the case where only one nozzle 31 is provided, it becomes easier to spray the abrasive grains T1 evenly on the divided regions A1 to A4 where the recess forming step is performed. It can form more reliably. The number of nozzles 31 is not particularly limited as long as it is plural, but for example, it is preferably 2 or more and 4 or less.

なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。   In addition, you may change this embodiment as follows.

・上記実施形態では、基板主面21を砥粒T1の噴出方向に対して傾斜させた状態で、ステージ12を支軸13を中心として回転させることにより、複数の貫通孔24を形成していたが、これに限定される訳ではない。例えば、基板主面21を砥粒T1の噴出方向に対して傾斜させた状態で、基板主面21の傾斜方向が変わるようにステージ12を動作(揺動など)させることにより、複数の貫通孔24を形成するようにしてもよい。即ち、ステージ12を揺動すれば、砥粒T1の噴出方向と基板11の基板主面21(及びステージ12の支持面14)とが角度α1だけ傾斜させることができるため、上記実施形態と同様のサンドブラスト加工を行えば、複数の貫通孔24を形成することができる。   In the above embodiment, the plurality of through holes 24 are formed by rotating the stage 12 around the support shaft 13 while the substrate main surface 21 is inclined with respect to the ejection direction of the abrasive grains T1. However, it is not limited to this. For example, in a state where the substrate main surface 21 is inclined with respect to the ejection direction of the abrasive grains T1, the stage 12 is operated (oscillated) so that the inclination direction of the substrate main surface 21 is changed, whereby a plurality of through holes are obtained. 24 may be formed. That is, if the stage 12 is swung, the ejection direction of the abrasive grains T1 and the substrate main surface 21 of the substrate 11 (and the support surface 14 of the stage 12) can be inclined by the angle α1, so that the same as in the above embodiment. If the sandblasting is performed, a plurality of through holes 24 can be formed.

・上記実施形態の凹部形成工程では、各ノズル31の噴出口32と基板主面21との距離が一定に維持されていた。しかし、図13に示されるように、複数のノズル131を同じ高さに配置して、各ノズル131の噴出口132と基板主面121との距離を互いに異ならせた状態で、凹部形成工程を行うようにしてもよい。ところが、この場合、複数の貫通孔24の形成領域に対して、互いに異なる勢いで砥粒T2が衝突するようになるため、同一形状の貫通孔24を形成することが困難である。この場合、基板裏面122に対する貫通孔24の内側面の角度α2が小さくなってしまうという問題や、貫通孔24の歩留まりが低くなるという問題がある。よって、凹部形成工程では、各ノズルの噴出口と基板主面との距離が一定に維持されることが好ましい。   -In the recessed part formation process of the said embodiment, the distance of the jet nozzle 32 of each nozzle 31 and the board | substrate main surface 21 was maintained constant. However, as shown in FIG. 13, the recess forming step is performed in a state in which the plurality of nozzles 131 are arranged at the same height and the distance between the nozzle 132 of each nozzle 131 and the substrate main surface 121 is different from each other. You may make it perform. However, in this case, since the abrasive grains T2 collide with each other at different moments with respect to the formation region of the plurality of through holes 24, it is difficult to form the through holes 24 having the same shape. In this case, there is a problem that the angle α2 of the inner surface of the through hole 24 with respect to the back surface 122 of the substrate is reduced and a yield of the through hole 24 is lowered. Therefore, in the recess forming step, it is preferable that the distance between the nozzle outlet of each nozzle and the substrate main surface is kept constant.

・上記実施形態では、基板11の基板主面21(及びステージ12の支持面14)を水平面に対して傾斜させるとともに、各ノズル31を鉛直方向に沿って配置することにより、基板主面21(及び支持面14)を砥粒T1の噴出方向に対して傾斜させていた。しかし、基板主面21(及び支持面14)を水平に配置するとともに、各ノズル31を鉛直方向に対して傾斜させることにより、基板主面21(及び支持面14)を砥粒T1の噴出方向に対して傾斜させるようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the substrate main surface 21 (and the support surface 14 of the stage 12) of the substrate 11 is inclined with respect to the horizontal plane, and the nozzles 31 are arranged along the vertical direction, whereby the substrate main surface 21 ( And the support surface 14) was inclined with respect to the jet direction of the abrasive grains T1. However, the substrate main surface 21 (and the support surface 14) is disposed horizontally, and each nozzle 31 is inclined with respect to the vertical direction, whereby the substrate main surface 21 (and the support surface 14) is ejected in the direction of the abrasive grains T1. You may make it incline with respect to.

・上記実施形態では、凹部形成工程と基板移動工程とを交互に行うことにより、全ての分割領域A1〜A4に貫通孔24が形成されるようになっていた。しかし、ノズル31と支軸13とを同調させて移動することにより、全ての分割領域A1〜A4に貫通孔24を形成するようにしてもよい。   In the above embodiment, the through holes 24 are formed in all the divided regions A1 to A4 by alternately performing the concave portion forming step and the substrate moving step. However, the through holes 24 may be formed in all the divided regions A1 to A4 by moving the nozzle 31 and the support shaft 13 in synchronization.

・上記実施形態では、基板11において基板主面21及び基板裏面22の両方にて開口する貫通孔24が凹部として用いられていたが、これに限定される訳ではない。例えば、基板主面21のみにて開口する有底の非貫通孔や溝部などを、凹部として用いてもよい。   In the above embodiment, the through hole 24 opened in both the substrate main surface 21 and the substrate back surface 22 is used as the recess in the substrate 11, but the present invention is not limited to this. For example, a bottomed non-through hole or groove that opens only on the substrate main surface 21 may be used as the recess.

・上記実施形態では、ノズル31から砥粒T1を吹き付けるサンドブラスト加工が砥粒加工として用いられていたが、ノズル31から水滴(砥粒)を吹き付けるウォータージェット加工などの他の加工を砥粒加工として用いてもよい。   In the above embodiment, the sand blasting process in which the abrasive grains T1 are sprayed from the nozzles 31 is used as the abrasive grain process. It may be used.

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。   Next, the technical ideas grasped by the embodiment described above are listed below.

(1)上記手段1において、前記凹部は、前記基板主面及び前記基板裏面の両方にて開口する貫通孔であることを特徴とする基板の製造方法。   (1) In the said means 1, the said recessed part is a through-hole opened in both the said board | substrate main surface and the said substrate back surface, The manufacturing method of the board | substrate characterized by the above-mentioned.

(2)上記手段1において、前記基板裏面に対する前記凹部の内側面の傾斜角度は、80°以上であることを特徴とする基板の製造方法。   (2) In the said means 1, the inclination angle of the inner surface of the said recessed part with respect to the said substrate back surface is 80 degrees or more, The manufacturing method of the board | substrate characterized by the above-mentioned.

11…基板
12…支持体としてのステージ
13…支軸
14…支持面
21,121…基板主面
24…凹部としての貫通孔
31,131…ノズル
32…ノズルの噴出口
41…ドライフィルム
42…開口部
A1,A2,A3,A4…分割領域
T1,T2…砥粒
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Board | substrate 12 ... Stage 13 as a support body ... Support shaft 14 ... Support surface 21, 121 ... Substrate main surface 24 ... Through-hole 31, 131 as a recessed part ... Nozzle 32 ... Nozzle outlet 41 ... Dry film 42 ... Opening Part A1, A2, A3, A4 ... divided regions T1, T2 ... abrasive grains

Claims (4)

被加工物である基板を支持体に支持させる基板支持工程と、
前記支持体に支持された前記基板の基板主面に向けて、前記支持体と対向して配置されたノズルから砥粒を吹き付ける砥粒加工を行うことにより、前記基板主面にて開口する凹部を形成する凹部形成工程と
を経て、基板を製造する方法であって、
前記凹部形成工程では、
複数の前記ノズルを、それぞれ前記基板主面に向けた状態で、複数の前記ノズルから前記砥粒を吹き付けることにより、複数の前記凹部を同時に形成し、
前記基板主面と複数の前記ノズルとの相対的な位置関係を維持させるとともに、前記基板主面を前記砥粒の噴出方向に対して傾斜させた状態で、前記支持体を支軸を中心として回転させるか、または、前記基板主面の傾斜方向が変わるように前記支持体を動作させることにより、複数の前記凹部を、前記基板主面側に向かって徐々に内径が大きくなるテーパ状をなすように形成する
ことを特徴とする基板の製造方法。
A substrate support step for supporting a substrate as a workpiece on a support;
A concave portion that opens in the main surface of the substrate by performing abrasive processing that blows abrasive particles from a nozzle that is arranged to face the support toward the main surface of the substrate supported by the support. Through a recess forming step of forming a substrate, a method of manufacturing a substrate,
In the recess forming step,
A plurality of the recesses are simultaneously formed by spraying the abrasive grains from the plurality of nozzles in a state where the plurality of nozzles are respectively directed to the substrate main surface,
While maintaining the relative positional relationship between the substrate main surface and the plurality of nozzles, the support body is centered on a support shaft in a state where the substrate main surface is inclined with respect to the ejection direction of the abrasive grains. By rotating or operating the support so that the inclination direction of the substrate main surface changes, the plurality of concave portions are tapered so that the inner diameter gradually increases toward the substrate main surface side. A method for manufacturing a substrate, characterized in that the substrate is formed as described above.
前記凹部形成工程では、複数の前記ノズルの噴出口と前記基板主面との距離を一定に維持することを特徴とする請求項1に記載の基板の製造方法。   2. The substrate manufacturing method according to claim 1, wherein in the recess forming step, the distance between the nozzle outlets of the plurality of nozzles and the substrate main surface is kept constant. 前記凹部形成工程前に、
感光性を有するドライフィルムを、前記基板主面上に貼付するフィルム貼付工程と、
前記ドライフィルムを露光する露光工程と、
露光された前記ドライフィルムを現像して、複数の前記凹部の形成領域を露出させるための複数の開口部を形成する現像工程と
を行い、
前記凹部形成工程では、前記開口部を介して露出する複数の前記凹部の形成領域に対して前記砥粒を吹き付けることにより、複数の前記凹部を形成する
ことを特徴とする請求項1または2に記載の基板の製造方法。
Before the recess forming step,
A film attaching step of attaching a photosensitive dry film on the substrate main surface;
An exposure step of exposing the dry film;
And developing the exposed dry film to form a plurality of openings for exposing a plurality of formation regions of the recesses,
The said recessed part formation process forms the said several recessed part by spraying the said abrasive grain with respect to the formation area of the said several recessed part exposed through the said opening part, The Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. The manufacturing method of the board | substrate of description.
前記基板主面よりも面積が小さい複数の分割領域を設定し、
前記支持体において前記基板を支持する支持面の面方向に沿って前記基板を移動させることにより、前記凹部形成工程を実施する分割領域を別の分割領域に変更する基板移動工程をさらに含み、
前記凹部形成工程及び前記基板移動工程を前記複数の分割領域の数だけ繰り返して実施する
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板の製造方法。
Set a plurality of divided regions having an area smaller than the main surface of the substrate,
The substrate further includes a substrate moving step of changing a divided region for performing the recess forming step into another divided region by moving the substrate along a surface direction of a support surface that supports the substrate in the support body,
4. The method for manufacturing a substrate according to claim 1, wherein the recess forming step and the substrate moving step are repeated by the number of the plurality of divided regions. 5.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2016093871A (en) * 2014-11-14 2016-05-26 株式会社東芝 Processing device and nozzle
JP2016134433A (en) * 2015-01-16 2016-07-25 株式会社東芝 Dicing machine
CN107116455A (en) * 2017-05-03 2017-09-01 宁波工程学院 A kind of micro- texture former of inner surface self-centering based on jet
US9947571B2 (en) 2014-11-14 2018-04-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Processing apparatus, nozzle, and dicing apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016093870A (en) * 2014-11-14 2016-05-26 株式会社東芝 Processing device
JP2016093871A (en) * 2014-11-14 2016-05-26 株式会社東芝 Processing device and nozzle
US9947571B2 (en) 2014-11-14 2018-04-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Processing apparatus, nozzle, and dicing apparatus
JP2016134433A (en) * 2015-01-16 2016-07-25 株式会社東芝 Dicing machine
CN107116455A (en) * 2017-05-03 2017-09-01 宁波工程学院 A kind of micro- texture former of inner surface self-centering based on jet
CN107116455B (en) * 2017-05-03 2019-02-22 宁波工程学院 A kind of micro- texture former of inner surface self-centering based on jet stream

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