JP2013541816A - エキシマ光源 - Google Patents
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Abstract
Description
14 AC電圧源
16 DC電圧源
20a〜20d 電極
22a〜22d 電極
24 第一の接触電極
26 第二の接触電極
30 エンベロープ
36 電極
38 電極
40 基体
Claims (59)
- エンベロープと、
エキシマガスと、
前記エンベロープの長さ方向に沿って延伸する少なくとも一つの第一の細長電極と、
前記エンベロープの長さ方向に沿って延伸し且つ前記少なくとも一つの第一の細長電極と実質的に平行な少なくとも一つの第二の細長電極とを備えた紫外線エキシマランプ。 - 前記少なくとも一つの第一の細長電極及び前記少なくとも一つの第二の細長電極が取り付けられた支持体を更に備えた請求項1に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記支持体が紫外線を反射又は透過させる、請求項2に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記エンベロープ及び前記支持体が単体として形成されている、請求項2に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記エキシマガスが、希ガス、ハロゲン、又はこれらの混合物を備える、請求項1に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記エキシマガスが、塩素、臭素、フッ素及びヨウ素から選択されたハロゲンと混合されたアルゴン、クリプトン及びキセノンから選択された希ガスを備える、請求項5に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記エキシマガスがフッ化クリプトンを備える、請求項6に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記エキシマガスが塩化クリプトンを備える、請求項6に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記エキシマガスがフッ化アルゴンを備える、請求項6に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記第一の細長電極及び前記第二の細長電極の少なくとも一方が絶縁されている、請求項1に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記第一の細長電極及び前記第二の細長電極に接続された電圧源を更に備えた請求項1に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記電圧源がパルス電圧源を備える、請求項11に記載の紫外線エキシマランプ。
- パルス周波数が略20kHzから略300GHzである、請求項12に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記電圧源がAC電圧源を備える、請求項11に記載の紫外線エキシマランプ。
- AC電圧の周波数が略20kHzから略300GHzである、請求項14に記載の紫外線エキシマランプ。
- 流体を処理するためのシステムであって、
流入口及び流出口に結合された処理チャンバと、
前記処理チャンバを通過する流体を照射するように構成された少なくとも一つのエキシマガス放電光源とを備え、
各エキシマガス放電光源が、
エンベロープと、
エキシマガスと、
前記エンベロープの長さ方向に沿って延伸する少なくとも一つの第一の細長電極と、 前記エンベロープの長さ方向に沿って延伸し且つ前記少なくとも一つの第一の細長電極に実質的に平行な少なくとも一つの第二の細長電極とを備える、システム。 - 前記処理チャンバが前記エンベロープを取り囲む、請求項16に記載のシステム。
- 前記処理チャンバが、前記流体が前記エンベロープに接触しないようにするスリーブを備える、請求項17に記載のシステム。
- 前記エキシマガスが、希ガス、ハロゲン、又はこれらの混合物を備える、請求項16に記載のシステム。
- 前記エキシマガスがフッ化アルゴンを備える、請求項19に記載のシステム。
- 前記エキシマガスがフッ化クリプトンを備える、請求項19に記載のシステム。
- 前記エキシマガスが塩化クリプトンを備える、請求項19に記載のシステム。
- 汚染物質の流体を浄化するための方法であって、
エキシマガス放電光源を用いて100nm〜400nmの範囲内の波長を有する光を生成するステップと、
前記光で流体を照射するステップとを備え、
前記光を生成するのに用いられる前記エキシマガス放電光源が、
エンベロープと、
エキシマガスと、
前記エンベロープの長さ方向に沿って延伸する少なくとも一つの第一の細長電極と、
前記エンベロープの長さ方向に沿って延伸し且つ前記少なくとも一つの第一の細長電極に実質的に平行な少なくとも一つの第二の細長電極とを備える、方法。 - 前記エキシマガス放電光源が略170nmから310nmの間の波長を主に有する光を生成する、請求項23に記載の方法。
- 前記エキシマガス放電光源が略193nmの波長を主に有する光を生成する、請求項24に記載の方法。
- 前記エキシマガス放電光源が略222nmの波長を主に有する光を生成する、請求項24に記載の方法。
- 前記エキシマガス放電光源が略248nmの波長を主に有する光を生成する、請求項24に記載の方法。
- 前記流体が本質的に水から成る、請求項23に記載の方法。
- 少なくとも二つの電極と、
複数の密閉されたチューブとを備えた紫外線エキシマランプであって、
前記複数の密閉されたチューブの少なくとも一部がエキシマガスを含み、前記複数の密閉されたチューブが前記少なくとも二つの電極の間に少なくとも部分的に配置されている、紫外線エキシマランプ。 - 前記エキシマガスが、希ガス、ハロゲン、又はこれらの混合物を備える、請求項29に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記エキシマガスがフッ化アルゴンを備える、請求項30に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記エキシマガスがフッ化クリプトンを備える、請求項30に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記エキシマガスが塩化クリプトンを備える、請求項30に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記少なくとも二つの電極のうち少なくとも一つが絶縁されている、請求項29に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記少なくとも二つの電極に接続された電圧源を更に備えた請求項1に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記電圧源がパルス電圧源を備える、請求項35に記載の紫外線エキシマランプ。
- パルス周波数が略20kHzから略300GHzである、請求項36に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記電圧源がAC電圧源を備える、請求項35に記載の紫外線エキシマランプ。
- AC電圧の周波数が略20kHzから略300GHzである、請求項38に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記密閉されたチューブが石英製である、請求項29に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記密閉されたチューブの内面がコーティングされている、請求項29に記載の紫外線エキシマランプ。
- コーティングが、フッ化マグネシウム(MgF2)、フッ化カルシウム(CaF2)、フッ化バリウム(BaF2)、フッ化リチウム(LiF)、PTFE、二酸化チタン(TiO2)、及びアルミナ/サファイア(Al2O3)のうち一種以上を備える、請求項41に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記密閉されたチューブが、フッ化マグネシウム(MgF2)、フッ化カルシウム(CaF2)、フッ化バリウム(BaF2)、フッ化リチウム(LiF)、PTFE、二酸化チタン(TiO2)、及びアルミナ/サファイア(Al2O3)のうち一種以上から形成されている、請求項29に記載の紫外線エキシマランプ。
- 前記密閉されたチューブが、本質的にガスのみを含む、請求項29に記載の紫外線エキシマランプ。
- 流体を処理するためのシステムであって、
流入口及び流出口に結合された処理チャンバと、
前記処理チャンバを通過する流体を照射するように構成された少なくとも一つのエキシマガス放電光源とを備え、
前記少なくとも一つのエキシマガス放電光源が、
少なくとも二つの電極と、
複数の密閉されたチューブとを備え、
前記複数の密閉されたチューブの少なくとも一部がエキシマガスを含み、前記複数の密閉されたチューブが前記少なくとも二つの電極の間に少なくとも部分的に配置されている、システム。 - 前記処理チャンバが前記エンベロープを取り囲む、請求項45に記載のシステム。
- 前記処理チャンバが、前記流体が前記エキシマガス放電光源に接触しないようにするスリーブを備える、請求項46に記載のシステム。
- 前記エキシマガスが、希ガス、ハロゲン、又はこれらの混合物を備える、請求項45に記載のシステム。
- 前記エキシマガスがフッ化アルゴンを備える、請求項48に記載のシステム。
- 前記エキシマガスがフッ化クリプトンを備える、請求項48に記載のシステム。
- 前記エキシマガスが塩化クリプトンを備える、請求項48に記載のシステム。
- 前記密閉されたチューブが本質的にガスのみを含む、請求項45に記載のシステム。
- 汚染物質の流体を浄化するための方法であって、
エキシマガス放電光源を用いて100nm〜400nmの範囲内の波長を有する光を生成するステップと、
前記光で流体を照射するステップとを備え、
前記光を生成するのに用いられる前記エキシマガス放電光源が、
少なくとも二つの電極と、
複数の密閉されたチューブとを備え、
前記複数の密閉されたチューブの少なくとも一部がエキシマガスを含み、前記複数の密閉されたチューブが前記少なくとも二つの電極の間に少なくとも部分的に配置されている、方法。 - 前記エキシマガス放電光源が、略170nmから310nmの間の波長を主に有する光を生成する、請求項53に記載の方法。
- 前記エキシマガス放電光源が、略193nmの波長を主に有する光を生成する、請求項54に記載の方法。
- 前記エキシマガス放電光源が、略222nmの波長を主に有する光を生成する、請求項54に記載の方法。
- 前記エキシマガス放電光源が、略248nmの波長を主に有する光を生成する、請求項54に記載の方法。
- 前記流体が本質的に水から成る、請求項53に記載の方法。
- 前記密閉されたチューブが本質的にガスのみを含む、請求項53に記載の方法。
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