JP2013531880A - 欠陥レビュー中における欠陥場所のランタイム補正方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- 欠陥レビュー中の基板上の欠陥場所のランタイム補正のための方法であって、
前記基板をレビュー装置のステージ内に装填するステップと、
検査システムによって検出される前記基板上の前記欠陥場所についての座標を受信するステップと、
前記欠陥場所をグループ化するステップと、
欠陥場所の各グループに近接して少なくとも1つの局所基準部位を決定するステップと、
各グループ内で前記欠陥場所について位置オフセットを決定するために、1または複数の前記局所基準部位を使用するステップと、
を含む方法。 - 前記局所基準部位のランタイム画像データを取得するステップと、
前記ランタイム画像データを、前記検査システムによって取得される1または複数の前記基準部位のデータと比較することによって、前記位置オフセットを計算するステップと、
をさらに含む請求項1に記載の方法。 - 走査型電子顕微鏡装置に基づく検査およびレビューシステムによって実施される請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、パターン化半導体ウェハを備える請求項1に記載の方法。
- 前記検査システムからの前記欠陥場所の座標に前記グループ内の前記欠陥場所についての前記位置オフセットを足した位置である補正位置に位置する視野を撮像することによって、欠陥場所についてランタイム画像データを取得するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記ランタイム画像データは、直径が1ミクロンより小さい視野から取得される請求項5に記載の方法。
- サブミクロン精度で位置決め誤差を補正する請求項1に記載の方法。
- 基板上の欠陥場所をレビューするための装置において、前記欠陥場所のランタイム補正を行う装置であって、
電子ビームを発生するように構成された発生源と、
視野にわたって前記電子ビームをスキャンするように構成された偏向器と、
レビューされる基板の表面上に前記電子ビームを収束させるように構成された電子レンズと、
前記基板からの電子を検出するように構成された検出器と、
前記基板上の欠陥場所のリストを取出し、各欠陥場所に近接して1または複数の局所基準部位を決定し、前記欠陥場所について位置オフセットを決定するために1または複数の前記局所基準部位を使用するように構成された電子制御および画像解析回路と、
を備える装置。 - 前記電子制御および画像解析回路は、1または複数の前記局所基準部位のランタイム画像データを取得し、前記ランタイム画像データを、検査システムによって取得される1または複数の前記局所基準部位のデータと比較することによって前記位置オフセットを計算するようにさらに構成される請求項8に記載の装置。
- 前記基板は、パターン化半導体ウェハを備える請求項8に記載の装置。
- 前記電子制御および画像解析回路は、前記検査システムからの前記欠陥場所の座標に前記位置オフセットを足した位置である補正位置に位置する視野を撮像することによって、欠陥場所についてランタイム画像データを取得するようにさらに構成される請求項8に記載の装置。
- 前記ランタイム画像データは、直径が1ミクロンより小さい視野から取得される請求項8に記載の装置。
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